Полупроводники, определение примесе

При более детальном рассмотрении можно показать, как от вида атомов примесей, их валентности и характера размещения в кристалле зависит тип и величина проводимости и многие другие свойства полупроводников. Зная, каким образом примеси влияют на свойства полупроводников, можно получать полупроводники с заданным сочетанием свойств, сначала более тщательно очищая полупроводники от примесей, а затем вводя в них необходимые примеси в определенных количествах. При этом первоначальная [c.147]

Большая чувствительность электросопротивления полупроводников к примесям, сочетающаяся с необходимостью иметь в полупроводниковых устройствах проводимость не только строго определенной величины, но и типа (электронную или дырочную), обусловливают высокие требования к чистоте применяемых для их изготовления материалов. [c.276]

Метод инверсионной вольтамперометрии, который начал применяться лишь с 1960 г., относится к наиболее значимым методам в электроаналитической химии — он сыграл важную роль в развитии атомной промышленности и производстве полупроводников [2]. Он возник в связи с необходимостью определения примесей в сверхчистых веществах, а в наше время с помощью инверсионной вольтамперометрии можно определять в объектах окружающей среды очень низкие содержания (на уровне ПДК и ниже) тяжелых металлов и ряд других токсичных веществ [14, 16]. [c.327]

Имеются, однако, полупроводники другого типа, хорошая проводимость которых при сравнительно невысоких температурах обусловлена наличием примесей. Это так называемые примесные полупроводники. Наблюдается следующая картина. В чистом состоянии кристалл имеет большую запрещенную зону и является диэлектриком. Вещество же с добавкой определенных примесей обнаруживает свойства полупроводника. Роль примесей состоит в том, что они создают новые уровни между валентной зоной и зоной проводимости, т. е, внутри запрещенной зоны. Тем самым уменьшается потенциальный барьер перехода электронов, проводимость возрастает. [c.194]

Образование примесных уровней в общем случае изменяет положение уровня Ферми. Таким образом, введением определенных примесей можно регулировать высоту уровня Ферми и тем самым электронные свойства полупроводника. [c.64]

При более детальном рассмотрении можно показать, как от вида атомов примесей, их валентности и характера размещения в кристалле зависит тип и величина проводимости и многие другие свойства полупроводников. Зная, каким образом примеси влияют на свойства полупроводников, можно получать полупроводники с заданным сочетанием свойств, сначала более тщательно очищая полупроводники от примесей, а затем вводя в них необходимые примеси в определенных количествах. При этом первоначальная очистка должна быть очень высокой. Например, для кремния или германия общее содержание примесей должно быть уменьшено до —10 %. Такая степень очистки стала возможной в результате разработки новых методов ее метода многократной кристаллизации из расплава путем последовательного расплавления кристалла и вытягивания из расплава нового монокристалла (рис. 52) и метода зонной плавки (с. 344). [c.146]

Электронная структура металлов зависит главным образом только от их химической природы. Структура полупроводников зависит также и от других факторов от наличия акцепторных или донорных примесей в объеме, от характера поверхностных состояний (который, в свою очередь, во многом определяется способом предварительной обработки поверхности), от воздействия светового излучения и др. Таким образом, электронная структура полупроводников определенного химического состава может колебаться в широких пределах. Этим объясняется, в частности значительный разброс экспериментальных данных у разных авторов. Для получения воспроизводимых результатов необходимо четко фиксировать все факторы, которые могут влиять на состояние полупроводника. [c.294]

Наличие определенных примесей и дефекты кристаллической структуры полупроводников значительно влияют на их электрические свойства. Например, небольшая добавка бора к кремнию (один атом бора на 10 атомов кремния) приводит к многократному увеличению проводимости. [c.192]

Свойства полупроводниковых кристаллов очень сильно зависят от содержания определенных примесей, которые должны вводиться в основной материал кристалла. Методы расчета содержания примесей имеют, следовательно, особое значение при изготовлении кристаллов полупроводников методом зонной плавки. [c.258]

Примесное поглощение. За счет энергии падающего на кристалл света происходит также возбуждение примесных атомов. Для определения минимальной частоты, начиная с которой происходит такое возбуждение, в формулу (125) вместо ширины запрещенной зоны следует подставить значение энергии активации данной примеси. При этом очевидно, что примесное поглощение происходит при более низких частотах, чем собственное. Ясно также, что в результате возбуждения примесных атомов образуются не два носителя заряда, как это было при собственном поглощении, а один носитель и один ионизованный атом примеси. Заметим, что поскольку при обычных температурах легирующие примеси в большинстве полупроводниковых материалов практически полностью ионизованы, то поглощение света этими примесями возможно только при очень низкой температуре. Поэтому при обычных температурах примесное поглощение происходит в основном за счет ионизации ловушек, лежащих в средней части запрещенной зоны. Такая ионизация может привести к резкому изменению коэффициента рекомбинации [так как она определяет величины С и С" из уравнений (110) и (111)1. Это явление часто наблюдается на практике, причем освещение полупроводника, в котором имеются уровни прилипания, приводит к существенному уменьшению скорости процесса генерации—рекомбинации. [c.151]

Помимо прикладного значения результаты количественного анализа весьма важны при исследованиях в области химии, биохимии, биологии, геологии и других наук. В качестве доказательства рассмотрим несколько примеров. Представления о механизме большинства химических реакций получены из кинетических данных, причем контроль за скоростью исчезновения реагирующих веществ или появления продуктов реакции осуществлялся при помощи количественного определения компонентов реакции. Известно, что механизм передачи нервных импульсов у животных и сокращение или расслабление мышц включают перенос ионов натрия и калия через мембраны это открытие было сделано благодаря измерениям концентрации ионов по обе стороны мембран. Для изучения механизма переноса кислорода и углекислого газа в крови понадобились методы непрерывного контроля концентрации этих и других соединений в живом организме. Исследование поведения полупроводников потребовало развития методов количественного определения примесей в чистых кремнии и германии в интервале 10 —10-1"%. Пд содержанию различных микровключений в образцах обсидиана можно установить их происхождение это дало возможность археологам проследить древние торговые пути по орудиям труда и оружию, изготовленным из этого материала. В ряде случаев количественный анализ поверхностных слоев почв позволил геологам обнаружить громадные залежи руд на значительной глубине. Количественный анализ ничтожных количеств проб, взятых с произведений искусства, дал в руки историков ключ к разгадке материалов и техники работы художников прошлого, а также важный способ обнаружения подделок. [c.12]

Вентиля допускают кратковременную перегрузку, в несколько раз превышающую номинальную. При этом периодичность такой перегрузки определяется длительностью остывания выпрямительных пластин. Чрезвычайная чувствительность свойств полупроводников к примесям и нарушениям правильности кристаллической решетки затрудняет определение истинных характеристик вещества. Тем не менее для суждения о преимуществах или недостатках тех или иных видов вентилей целесообразно сопоставить их технические характеристик . [c.45]

Одна из часто возникающих проблем — это определение примеси постоянных газов в чистых газах. В качестве примера можно указать на применение газохроматографического метода для определения примесей неорганических газов в электролитическом хлоре [80], для определения азота в аргоне [81], применяемом в качестве инертной среды в производстве полупроводников, для определения кислорода, азота, окиси углерода и метана в чистом этилене [82], для определения неорганических газов в двуокиси углерода [83], используемой как хладоагент в ядерных реакторах, для определения чистоты гелия [84]. Очень важной задачей для техники безопасности является определение примесей метана в воздухе помещений и, в частности, в воздухе шахт [85], определение водорода в рудничных газах [86[. [c.151]

Для химии полупроводников определенный интерес представляет диффузия примесей в германии. Коэффициент диффузии равен [c.102]

Введение в кристаллический кремний примесных атомов фосфора, имеющих по пять валентных электронов, также нарушает энергетическую однородность кристалла. В этих условиях каждый атом фосфора уже при сообщении ему энергии порядка 4,4 кДж/моль способен ионизироваться, перебрасывая один из своих электронов в зону проводимости и превращаясь в положительно заряженный ион. Аналогично ведут себя в кристаллах кремния и германия примесные атомы мышьяка, сурьмы и золота, обычно называемые донорными примесями. Для получения полупроводника с определенной концентрацией носителей (электронов или дырок) необходимо, чтобы количество собственных переносчиков тока в кристалле было примерно на два порядка ниже. [c.89]

В рассмотренных выше методах определение примесей было основано на измерении электрических свойств материалов. Измерениями теплопроводности можно обнаружить даже нейтральные примеси, и этот метод моя ет дополнить уже описанные методы анализа. Другое преимущество метода теплопроводности в том, что можно исследовать материалы различной электропроводимости, а не только одного класса полупроводников или изоляторов. [c.391]

Однако определение примесей при концентрациях порядка 10 атомных долей требует специальных методов. Такая высокая степень очистки достижима, например, в полупроводниках (в таких материалах концентрация примеси 10 уже считается высокой). Для этой цели улучшены существующие и разработаны новые методы анализа. Кратко они рассматриваются ниже. Особые проблемы возникают при определении отклонения от стехиометрии. Они обсуждаются в разделе 1.2.2. [c.23]

Наличие примесей обычно затрудняет проявление полупроводниковых свойств (из-за заполнения ряда нижних подуровней зоны проводимости электронами примесных элементов). Поэтому полупроводники почти всегда подвергают самой тщательной очистке. Однако затем их часто вновь загрязняют ничтожными количествами определенных примесей, привносимые которыми дополнительные подуровни располагаются между валентной зоной и зоной проводимости самого полупроводникового вещества. Подбирают эти примеси таким образом, чтобы усилить либо электронную, либо дырочную проводимость. Первое обычно достигается добавками веществ, сравнительно легко теряющих электроны, второе — сравнительно легко их захватывающих. Например, замена атома Si (4 внешних [c.115]

С помощью рассмотренных Методик германий удавалось доводить до чистоты в 10 девяток (II 6 доп. 9). Те же методики позволяют решать и очень важную обратную задачу— равномерно распределять в очищенном веществе нужное для успешной работы полупроводника III 8 доп. 9) заранее задаваемое количество определенных примесей. [c.135]

НИИ. в определенных условиях атомы примесей могут ионизироваться, существенно изменяя свойства кристалла. В качестве примера рассмотрим состояние примесных атомов алюминия и фосфора в кристаллах кремния. Кремний принадлежит к классу полупроводников и имеет ковалентную кристаллическую решетку типа алмаза (рис. 33), в которой каждый атом связан с четырьмя соседними атомами вр -гибридными электронными облаками. [c.89]

Установлено, что при облучении быстрыми нейтронами или ионами заметно меняются многие свойства твердых тел тепло- и электропроводность, твердость и другие механические свойства, параметры кристаллической решетки. Многие из этих изменений аналогичны получаемым совсем другими путями, например при холодной обработке металлов. В большинстве случаев эффекты обратимы, исходные свойства можно восстановить в результате нагревания ( отжиг радиационных эффектов). При облучении нейтронами и другими тяжелыми частицами полупроводников существенное значение имеет образование в их решетке инородных (примесных) атомов в результате ядерных реакций. Так, например, с помощью дозированного облучения можно создавать в кристалле германия определенные примеси галлия и таким образом плавно изменять электрические свойства полупроводника. [c.129]

Природа полупроводника такова, что, как только к нему прикладывается электрическое поле, через него идет ток утечки . Чтобы изготовляемые полупроводники были пригодны в качестве детекторов частиц, нужно уметь накладывать значительные электрические поля в отсутствие таких чрезмерно больших токов утечки. Для этого были использованы два основных метода контролируемое введение определенных примесей, что значительно увеличивает удельное сопротивление, и применение диодов с обратным смещением. Сначала рассмотрим второй тип прибора. [c.142]

Свободные валентности (электроны и дырки) могут перемещаться (блуждать) по кристаллу. Поэтому прочная связь может переходить в слабую, а слабая в прочную. При данных условиях (температура, содержание примесей и т. п.) на поверхности полупроводника имеются определенные равновесные доли слабой связи %, прочной [c.455]

ЧИСТОЕ ВЕЩЕСТВО - простые вещества или соединения, жидкости, сплавы, смеси, содержащие примеси в таком количестве, которое не влияет на характерные свойства основного вещества. Предельное содержание примесей определяется свойствами, получением или использованием веществ и, как правило, составляет доли процента, даже меньше. Современная наука и техника предъявляют очень высокие требования к чистоте вещества. Например, в полупроводниках на сто миллионов атомов германия допускается лишь один атом примеси другого элемента (напр., бора). Ч. в. получают специальными методами зонной плавкой, вытягиванием монокристаллов и др. Определение Ч. в. отличается от определения чистоты реактивов химических. [c.286]

ПОЛУПРОВОДНИКИ — вещества с электронной проводимостью, величина электропроводности которых лежит между электропроводностью металлов и изоляторов. Характерной особенностью П. является положительный температурный коэффициент электропроводности (в отличие от металлов). Электропроводность П. зависит от температуры, количества и природы примесей, влияния электрического поля, света и других внешних факторов. К П. относятся простые вещества — бор, углерод (алмаз), кремний, германий, олово (серое), селен, теллур, а также соединения — карбид кремния, соединения типа filmen (инднй — сурьма, индий — мышьяк, галлий — сурьма, алюминий — сурьма), соединения двух или трех элементов, в состав которых входит хотя бы один элемент IV—VII групп периодической системы элементов Д. И. Менделеева, некоторые органические вещества — полицены, азоаромати-ческие соединения, фталоцианин, некоторые свободные радикалы и др. К чистоте полупроводниковых материалов предъявляют повышенные требования, например, в германии контролируют примеси 40 элементов, в кремнии — 27 элементов и т. д. Тем не менее некоторые примеси придают П. определенные свойства и тип проводимости, а потому и являются необходимыми. Содержание примесей не должно превышать 10 —Ш %. П. применяются в приборах в виде монокристаллов с точно определенным содержанием примесей. Применение П. в различных отраслях техники, в радиотехнике, автоматике необычайно возросло в связи с большими преимуществами полупроводниковых приборов — они экономичны, надежны, имеют высокий КПД, малые размеры и др. [c.200]

Если в правом конце лодочки поместить монокристаллическую затравку и образовать одну зону плавления непосредственно рядом с затравкой, то, перемещая зону плавления влево, можно получить весь слиток германия в виде монокристалла с ориентацией кристаллографических плоскостей, какие имела затравка. Если в расплавленную зону ввести легирующую примесь с К <. 1, например 1п, то при прохождении зоны расплава вдоль всего слитка можно достигнуть равномерного распределения примеси и получить образцы с определенным типом проводимости и с определенной концентрацией подвижных носителей заряда в примесном полупроводнике. [c.262]

Примером более слол<ного анализа является определение примесей в металлическом германии свойства этого материала, применяющегося, например, в качестве полупроводника для детекторов, чрезвычайно сильно зависят от присутствия очень малых количеств примесей других элементов. Для определения микропримесей редкоземельных элементов, сурьмы, молибдена, меди и др. поступают следующим образом . В ядерный реактор вводят испытуемый образец германия и чистый образец с известным количеством введенных примесей. После облучения образцы растворяют, вводят в качестве носителей-коллекторов нерадиоактивные изотопы определяемых элементов. Германий отгоняют в виде легколетучего тетрахлорида, а остаток подвергают разделению химическими методами, осаждая отдельно группу редкоземельных элементов, отдельно сурьму, медь и другие определяемые элементы. Активность выделенных фракций сравнивают с активностью фракций эталона и на этом основании вычисляют содержание микропримесей в испытуемом образце. Таким методом удается определить миллионные доли процента примесей редкоземельных элементов— до З-Ю / о сурьмы, молибдена и др. [c.21]

Развитие идей фотоэлектрохимии на поверхности раздела раствор — полупроводник связано с измельченными полупроводниковыми частицами. Порошки ТЮ2 в смеси с платиной, нанесенные на поверхность, оказались особенно эффективными. Каждая частица может рассматриваться как фотоэлектрохи-мический элемент с замкнутой цепью, соединяющей полупроводниковый и противоэлектроды. Обрисованные выше в общих чертах основные принципы остаются применимыми, несмотря на то, что внешняя электрическая цепь отсутствует. Хотя расстояние между анодом и катодом существенно меньше, чем в обычных электрохимических элементах, продукты реакций переноса заряда остаются разделенными, что невозможно в гомогенных процессах, когда оба противоположных продукта образуются в одной и той же клетке раствора. Описан ряд гетерогенных фотосинтетических и фотокаталитических процессов, использующих определенные полупроводники, для получения СНзОН из СО2, РН из КСООН и ЫНз из N2. В отдельных случаях в качестве фотокатализатора могут действовать чистые порошки полупроводника без примеси металла. Выходы продуктов обычно получаются относительно низкими из-за кинетических ограничений и необходимости применять полупроводниковые материалы с большой шириной запрещенной зоны, которые неэффективно используют солнечный спектр. Возможно, следует придерживаться стратегии природного фотосинтеза, делая энергетические потери полезными путем использования двух фотонов низкой энергии для переноса одного электрона. [c.281]

Наличие примесей обычно затрудняет проявление полупроводниковых свойств (из-за заполнения ряда нижинх подуровней зоны проводимости электронами примесных элементов). Поэтому полупроводники почти всегда подвергают самой тщательной очистке. Одиако зате.м их часто в ювь загрязняют ничтожными количествами определенных примесей, уровни которых располагаются между валентной зоной и зоной проводимости самого полупроводникового вещества. Подбирают эти примеси таким образом, чтобы усилить либо электронную, либо дырочную проводимость. Первое обычно достигается добавками веществ, сравнительно легко теряющих электроны, второе — сравнительно легко их захватывающих. Например, замена атома 51 (4 внешинх электрона) атомом Аз (5 внешних электронов) в кристалле крег.. г.ня способствует уснлеиню его электронной проводимости, а замена ато .том В (3 внешних электрона) — усилению дырочной проводимости. [c.94]

Следовательно, метод может эффективно применяться для определеня примесей на поверхности, локального и послойного анализа образцов, исследования адсорбционных и других поверхностных процессов. Этот метод позволяет регистрировать менее 0,01 от величины монослоя адсорбированного вещества. Искровая ионизация применима к любым твердым веществам — металлам, полупроводникам, диэлектрикам. Метод с искровой ионизацией ограничен областью низких давлений газовой фазы (менее 10 Па). Обзор работ с использованием этого метода дан в [7, 18]. [c.52]

Требования, предъявляемые практикой к аналитической химии, постоянно возрастают, что связано с решением все более сложных проблем. В последние десятилетия все больше внимания уделяется роли микрокомпонентов в самых различных объектах. Исследования в этом направлении привели к фундаментальным открытиям Б различных областях науки, связанных с изучением живой и неживой природы. Упомянем в качестве примера изучение роли микроэлементов для нормального развития растительных и животных организмов, необычайные свойства сверхчистых веществ и влияние определенных примесей на эти свойства, достижения в области полупроводников, синтез и выделение трансурановых элементов. Исследования в этих и других областях требуют определения ряда компонентов при содержании их Ш- —10- %, а в отделБных случаях даже 10- °%. Не меньшие требования предъявляются и к количеству анализируемого объекта сегодня аналитик нередко оперирует с пробами в 1 мг, 0,1 мг и даже меньше. [c.8]

Добавляя к кристаллу определенные примесные атомы, можно получить полупроводник, в котором электроперенос осуществляется за счет только электронов (л-тип) или только дырок (р-тип). Если к кристаллу кремния добавить атомы элементов V группы периодической системы, то можно получить проводимость -типа. Дримеси, увеличивающие число свободных электронов в полупроводнике, именуются донорными. Если в кристалл кремния ввести примесные атомы элементов П1 группы, то будет иметь место проводимость р-типа. Такие примеси называются акцепторными. [c.9]

В полупроводниках имеются также примесные уровни, значительно удаленные и от начала зоны проводимости и от конца валентной зоны. Эти глубокие уровни могут быть как донорами, так и акцепторами электронов. Поскольку их энергия ионизации велика, они не вносят существенного вклада в концентрацию носителей за счет обычной термической ионизации, но могут служить ловушками (такими же, как неглубокие уровни обычных примесей) при компенсации избыточных доноров и акцепторов или же центрами рекомбинации в полупроводниках. Иногда, например при поглощении света, электроны переходят из валентной зоны в зону проводимости, что приводит к избыточной, неравновесной концентрации носителей, электронов и дырок, которые в конечном итоге рекомбинируют. При малых избыточных концентрациях скорость рекомбинации пропорциональна концентрации носителей, и их число убывает во времени по закону, где т —константа, называемая ереляжызнм. Время жизни при прямой рекомбинации может быть довольно большим вследствие необходимости одновременного выполнения двух законов сохранения энергии и импульса. Поэтому часто рекомбинация протекает с большей скоростью путем захвата носителей одного знака атомами примесей с более глубокими уровнями и последующей рекомбинацией носителями противоположного знака. Примером примесных уровней, которые служат центрами рекомбинации, являются уровни меди и никеля в германии. Процесс рекомбинации чрезвычайно чувствителен к наличию определенных примесей одна часть никеля на миллиард частей германия уменьшает время жизни носителей на один-два порядка. [c.74]

Полупроводники. Некоторые соединения, в особенности окислы и сульфиды, обычно являю1циеся изоляторами, становятся проводниками в тех случаях, когда они содержат малые количества определенных примесей или когда нх состав делается иестехиометрическим, например, в результате нагревания в определенных условиях. Свойства таких полупроводников зависят от предварительной термической обработки и должны быть связаны с дефекта. и решетки, аналогичными дефектам веществ с уже упомянутыми окрашенными и,ентрамн и флюоресценцией. Окислы, напри.мер, можно разделить на две группы [c.188]

Метод вакуумной искры применяют для анализа содержания многих примесей. Он позволяет одновременно регистрировать много элементов. Чувстврхтельность метода высокая и достаточна для решения многих проблем. Кроме того, этот метод быстрый. Почти все элементы периодической системы можно определять почти в любой основе. Метод удобен для анализа металлов, полупроводников, изоляторов, твердых и жидких тел, порошков и микропроб, для определения примесей на поверхности и по всему объему пробы. Концентрационная чувствительность практически для всех элементов составляет 10 —10 % исключение составляют элементы, определяющие фон прибора. Отсутствуют выраженные эффекты влияния основы. Результаты воспроизводятся в пределах фактора 3. Полный полуколичественный анализ элементов-примесей в пробе на уровне концентраций 0,0001% можно осуществить не более чем за 1 час. [c.370]

Ультрамалые количества примесей чрезвычайно сильно влияют на свойства металлического германия как полупроводника. К чистоте германия, а также двуокиси, из которой получают металл, предъявляют очень высокие требования. Для определения примесей в двуокиси германия применяют микрохимические методы [1, 2]. Описаны радиоактнвационные методы определения ирнмесе в германии и его двуокиси меди с чувствительностью 10 % [3], мышьяка [4], а также сурьмы, молибдена, меди, цинка и редкозед1ельных элементов с чувствительностью 10 —10" % [5]. [c.25]

Для оценки влияния примесных атомов на электропроводность полупроводника необходимо определить изменение полной потенциальной энергин системы при переходе одного электрона с примесного уровня в зону проводимости. Эта величина называется энергией активации донорных примесей —А до и для ее расчета следует воспользоваться методами, которые были применены в 8 при определении ширины запрещенной зоны —Ниже мы не пойдем по этому пути, а просто покажем, что энергия акти-фВации донорных примесей не может быть большой отрицательной величиной. Для этого прибегнем к следующим рассуждениям. Энергия ионизации атомов элементов, применяющихся в качестве донорных примесей, находятся в пределах 4—10 эв (см. табл. 1). При отрыве электрона, находящегося на первой возбужденной орбите, необходимо затратить энергию, в 2—4 раза меньшую, чем энергия ионизации, т. е. 1—5 эв. Такой результат мы получаем на основании формулы (44), при выводе которой предполагалось, что ионизируемые атомы находятся в среде с диэлектрической проницаемостью е, равной 1. В случае, когда е> 1, энергия ионизации уменьшается в е раз. Значения диэлектрической проницаемости для кремния и германия равны соответственно 11 и 16. Отсюда следует, что энергия ионизации донорных примесей в кристаллах этих элементов должна находиться в пределах от — эв =0,06 до — эв = 0,45 . С другой [c.126]

В заключение заметим, что полупроводники, в которые введена какая-либо примесь при определенной температуре, могут оказаться в неравновесном состоянии при рабочей температуре прибора. Это состояние может сохраняться (иногда долго при низкой температуре— ложное равновесие) или медленно изменяться, потому что процессы в твердых телах требуют значительной энергии активации. Однако под влиянием локального нагрева в том или другом полупроводниковом устройстве под влиянием облучения или под действием каталитического центра может начаться более быстрое изменение (диффузионное перераспределение вещества, выкристаллизация избытка примеси и т. п.). В результате теряется надежность устройства, так как изменяются его параметры. Все сказанное выдвигает определенные требования, касающиеся условий и методов приготовления полупроводников, пригодных для обеспечения надежной работы приборов. [c.246]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология