Скрытая теплота образования поверхности

Поверхностное натяжение и смачивающая способность силикатных расплавов. Как уже было отмечено, в технологии силикатов в процессе переработки исходных сырьевых материалов при высоких температурах материал, как правило, переходит частично в расплавленное состояние. Это приводит к появлению границ раздела фаз разных типов твердое — жидкость и жидкость — газ, причем твердое вещество, как правило, состоит из двух и более конкретных фаз. На границе раздела фаз атомы или молекулы находятся в особом состоянии, отличном от их состояния в объеме вещества. Это объясняется тем, что в отличие от атомов, находящихся внутри вещества, которые со всех сторон координированы (окружены) другими атомами и сила взаимодействия которых с соседними атомами компенсирована, атомы на поверхности окружены соседними только частично, вследствие чего часть их силы притяжения не компенсируется и не используется для связи с решеткой. Это приводит к тому, что поверхностные атомы обладают избытком свободной энергии. Полная поверхностная энергия Es представляет собой сумму свободной поверхностной энергии ст и скрытой теплоты образования поверхности д [c.114]

Как было показано Ву [15] для трехмерных систем и Ли. [40] для двухмерных, в случае кристаллизации поверхностное натяжение, поверхностная энтропия и скрытая теплота образования поверхности изменяются скачком, тогда как в случае стеклования только поверхностная энтропия изменяется скачкообразно. Отсюда следует, что в случае стеклования полимера его поверхностное натяжение можно рассчитать, с хорошей точностью, если область экстраполяции не слишком удалена от температуры стеклования, так как погрешность расчета будет определяться лишь различием величины поверхностной энтропии до и после температуры стеклования. [c.157]

Свободной энергией обладает каждая поверхность раздела. Для расширения поверхности при постоянном давлении и температуре необходимо выполнить работу, т. е. затратить определенную энергию. Часть этой энергии и соответствует свободной энергии поверхности при постоянном давлении или так называемой свободной поверхностной энергии о. Остальная часть представляет собой скрытую теплоту образования поверхности д, поскольку она равна количеству теплоты, которое нужно сообщить поверхности для поддержания постоянной температуры при ее изотермическом расширении. Таким образом, полная энергия единицы поверхности Е слагается из двух частей — свободной поверхностной энергии а [c.8]

Для описания всех этих явлений приходится не только вводить дополнительное дифференциальное уравнение диффузии возникающих в процессе движения компонент, но и значительно усложнять основное уравнение баланса тепла, принимая во внимание приток к газу скрытой теплоты образования компонент, перенос тепла при диффузии этих компонент и др. Вопрос усложняется еще и за счет того, что при высоких температурах возникают фазовые превращения поверхности обтекаемого тела (плавление, испарение) и, кроме того, возможны химические реакции, например горение. [c.255]

Свободная поверхностная энергия на границе кристалл — расплав, отнесенная к одному поверхностному атому по некоторым данным, принимается равной половине скрытой теплоты плавления, также отнесенной к одному атому. Учитывая ретикулярную плотность различных граней, можно построить шкалу относительных свободных энергий граней с малыми индексами и принять, что относительные скорости образования двумерных зародышей на этих гранях обратно пропорциональны размерам таких скоплений атомов, которые позволяют осуществить насыщение половины свободных связей на этих поверхностях. [c.261]

Для лаков и эмалей обычно стремятся применять легколетучие растворители, обеспечивающие наибольшую скорость улетучивания, допустимую при заданных условиях процесса пленкообразования. Однако этому препятствуют высокие значения скрытых теплот испарения большинства легколетучих растворителей. При их испарении из покрытия поглощается много тепла, вследствие чего раствор и окружающий воздух охлаждаются. Такое охлаждение вызывает конденсацию влаги из воздуха на поверхности покрытий и приводит к нарушению процесса пленкообразования (образование апельсинной корки , побеление и помутнение по- [c.458]

Принятые обозначения бк— толщина корки на поверхности кристаллизатора, мм т — продолжительность образования корки, ч с— скрытая теплота кристаллизации нафталина, ккал/кг [c.156]

В целом стационарные модели термического состояния осевых зон СОХ позволили провести анализ довольно сложных двух и трех мерных интегральных моделей формирования термического режима осевых зон с учетом процессов сегрегации и миграции расплава к осевой зоне, образования коры и рельефа поверхности литосферы. Однако тепловой эффект выделения или поглощения скрытой теплоты плавления базальта трактовался в них очень грубо через условия на тепловой поток на оси хребта, априорное задание источников и стоков тепла в осевой зоне и через задание нереально высоких температур расплава. По этой причине стационарные модели не подходят для анализа эволюции термического режима осевой зоны хребтов, возникновения и развития коровых очагов магмы, так как в указанных процессах поглощение скрытой теплоты при плавлении пород и выделение ее при их затвердевании играет определяющую роль. Эти же процессы определяют и существенную не-стационарность моделей формирования корового очага. Нестационарная модель формирования магматических очагов в рифтовых зонах СОХ в условиях дискретно-непрерывного режима спрединга позволила сделать следующие выводы. [c.173]

В. И. Соммер (1988 г.) считают, что предварительное охлаждение перед гидратообразованием необходимо для компенсации большого количества скрытой теплоты, выделяющейся при быстром образовании большого количества зародышей кристаллов на поверхности минеральных частиц и, следовательно, этот эффект присущ только гидратообразованию в лабораторных условиях. Однако все авторы сходятся в мнении о том, что температурой начала гидратообразования, зафиксированной в опы--тах, является не равновесная температура, а температура начала образования зародышей кристаллов газогидратов. [c.149]

Следовате.дьно, сгущение внутренней энергии в поверхностном слое в Шираком интервале температур не зависит от температуры (см. рис. I—5) и может рассматриваться, как было отмечено Эйнштейном, в качестве универсальной характеристики поверхности жидкой фазы (см. табл. 2). Постоянство г свидетельствует о том, что сгущение теплоемкости С-1 = с1е/ Т в поверхностном слое в рассматриваемом случае однокомпонентной жидкости равно нулю. Это означает, в спою очередь, что поверхность не сообщает молекулам дополнительных степеней свободы конечное же положительное значение т] говорит о том, что имеющимся степеням свободы присуща более высокая энтропия (они более свободны ) . Падению поверхностного натяжения о с ростом температуры при постоянном значении величины е отвечает рост скрытой теплоты образования поверхности т)Т. [c.21]

Рис. 1-5. Темперагзфнал зависимость удельных избытков термо-дииамичеасих параметров в поверхностном слое зободиой энергии а, полной энергии с, энтропии Г1 и скрытой теплоты образования поверхности цТ

Применение современных методов исследования строения материи к изучению структуры 1М0лекул воды говорит о том, что при конденсации водяного пара происходит образование ассоциированных групп молекул, объединяющихся во вполне определенные кристаллические решетки. Процесс конденсации паров воды представляет собой процесс кристаллизации, сопровождающийся выделением энергии кристаллообразования или энергии фазового превращения. Скрытая теплота фазового превращения, выделяющаяся в процессе конденсации пара, должна непрерывно отводиться от поверхности конденсации, в противном случае процесс конденсации прекратится. Это означает, что конденсация пара неразрывно связана с теплообменом на поверхности конденсации. В обычных условиях для выражения интенсивности такого процесса вводится коэффициент конвективной теплоотдачи а, который подсчитывается по формуле [c.109]

Пример 4.6. Определим время замораживания капли воды с начальным радиусом =1 10"3 м при = 273 К на охлаждаемой поверхности с температурой — 77 К. Угол смачивания при образовании шарового сегмента с медной поверхностью 0 = 60°. Теплофизические параметры льда коэффициент теплопроводности = 2,33 ДжДм с К) плотность pj = 920 кг/м скрытая теплота кристаллизации = 3,34-10 Дж/кг. [c.126]

Открыл (1904) правило, выражающее зависимость высоты капиллярного поднятия жидкости при т-ре кипения от молекулярной массы (правило Кистяковского), и вывел ф-лу, связывающую упругость пара в капиллярах с поверхностным натяжением и мол. м. жидкости. Установил соотношения а) между молярной теплотой испарения и объемом пара при т-ре кипения (1916) б) между коэффициентом сжимаемости жидкостей и внутренним давлением (1918) в) между теплотой испарения неассоциированной жидкости и т-рой ее кипения (1922) г) между теплотой плавления и числом атомов в молекуле (1922). Предложил ур-ние для вычисления скрытой теплоты испарения. Разработал оригинальные методы и приборы для изучения электрохимических процессов. Составил и теоретически обос1ювал (1910) таблицу электродных потенциалов и провел исследования в обл. электрохимии различных металлов. Создал (1925) новое направление — коллоидо-электрохимию. Развил представления о процессах коррозии металлов и электрокристаллизации металлов с образованием на их поверхности тонкой защитной пленки, появляющейся в результате электрохимических процессов и непроницаемой для атмосферного кислорода. Исследовал (1929—1939) явления коррозии при полифаз ном контакте (на границе нескольких фаз). Результаты всех этих исследований нашли применение в практике защиты металлов от коррозии, в гальваностегии и при рафинировании металлов. [c.205]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология