Брэгга ориентации

Условия Лауэ, как и уравнение Брэгга, имея алгебраическую форму, по своей сути выражают связь между геометрическими параметрами— направлениями первичного пучка, дифракционного луча, ориентацией кристалла и его па- [c.60]

Интерференционное уравнение. Условие Лауэ и уравнение Брэгга, имея алгебраическую форму, по сути выражают связь между геометрическими параметрами — направлениями первичного пучка, дифракционного луча, ориентацией кристалла и его параметрами. Естественно поэтому перейти к векторному выражению этой взаимосвязи. [c.59]

Уравнение Брэгга связывает угловое распределение максимумов интенсивности рассеянного излучения, известных как брэгговские отражения hkl, с размерами элементарной ячейки и ориентацией кристалла. [c.395]

При регистрации на фотопленке дифракционная картина рентгеновского излучения на монокристалле состоит из серий регулярно расположенных пятен, позиции которых зависят от размера элементарной ячейки и ориентации кристалла. Брэгг в 1913 году показал, что угловое распределение таких максимумов рассеяния можно рассчитать исходя из того, что процесс дифракции подчиняется законам геометрического отражения на серии плоскостей кристаллической решетки (рис. 11.2-5). В этих условиях максимумы интерференции будут наблюдаться только в том случае, когда параллельные дифрагированные волны (1, 2, 3 и т. д.) имеют разницу в пути с ближайшими соседями в Л(2тг). Условие Брэгга [c.396]

В идеальном случае при рентгенографии порошков имеют дело с множеством кристаллов, имеющих все возможные ориентации. Когда через такой образец проходит монохроматический пучок рентгеновских лучей, все плоскости Брэгга находятся под таким углом к падающим лучам, который необходим для появления дифракции. Если парал-, лельный монохроматический пучок - . [c.77]

Наблюдаемый в электронном микроскопе контраст на дислокациях является результатом дифракции электронов [21]. Представим себе (рис. 10) тонкую пластинку, содержащую краевую дислокацию в Е. Пусть ориентация регулярно построенной части пластинки такова, что в ней приблизительно выполняется условие отражения Брэгга (это условие в тонкой пластинке заметно ослаблено). При прохождении через такой образец в результате дифракции падающий электронный пучок разделяется на пучок, прошедший прямо, и на ряд пучков, отклонившихся под разными углами. Предположим, что один из таких пучков значительно интенсивнее других, В этом случае мы имеем двухлучевой сигнал. Пусть в совершенной части пластинки интенсивность падающего пучка делится почти поровну между проходящим и рассеянным пучками, В местах дислокаций плоскости решетки отклоняются от идеальной ориентации. Допустим, что условия дифракции таковы, что решетка справа от дислокации имеет ориентацию, удовлетворяющую условию Брэгга. Тогда справа от дислокации интенсивность отклонившегося пучка больше, чем слева, где кристаллическая решетка повернута в противоположную сторону. [c.23]

В последующие годы У. Л. Брэгг и его отец У. X. Брэгг независимо изучали кристаллическое строение ряда материалов путем измерения различных ди-фракционных пиков, с помощью которых определялись значения Эксперименты в основном проводили на монокристаллах для сохранения возможности определять относительную ориентацию кристаллографических осей. Для поли-кристаллических материалов подобные данные в лучшем случае возможно было получать, используя высокоориентированные образцы. [c.42]

Существует множество экспериментальных методов, с помощью которых для отдельных рефлексов можно определить углы 0, входящие в выражение закона Брэгга. Одним из таких методов является метод порошка. Порошкообразный образец кристаллического вещества помещается на пути пучка рентгеновских лучей. Образец вращается или встряхивается так, чтобы в течение эксперимента все плоскости кристаллов принимали всевозможные ориентации по отношению к падающему пучку лучей, включая те особые положения (угол падения луча 0 дается из условия Брэгга), которые требуются для возникновения дифракционного максимума. [c.40]

Согласно методу Дебая — Шерера, исследуются образцы в виде порошка (поэтому этот метод часто называют порошковым ) или поликристаллического тела и используется монохроматическое рентгеновское излучение. Падающий монохроматический луч дифрагирует на плоскостях тех кристалликов, ориентация которых по отношению к падающему пучку удовлетворяет уравнению Вульфа — Брэгга. Дифрагированные от каждой системы одинаково ориентированных плоскостей лучи распространяются по образующим конуса с углом при вершине, равным 26. Пересечение этих конусов с плоской фотопленкой, располагаемой перпендикулярно падающему лучу за образцом, дает систему концентрических колец со все увеличивающимися радиусами, каждое из которых содержит все отражения с одним и тем же углом 0— Ц порошковую рентгенограмму (рис. 3.2, а, см. вклейку). На цилиндрической пленке, ось которой перпендикулярна падающему (пер- [c.80]

Распределение кристаллов по ориентациям может быть найдено с помощью рентгенограмм. Принципиальная схема постановки эксперимента такова монохроматический пучок рентгеновских лучей проходит через образец (пленку или волокно) и попадает на фотопластинку (рис. 70). Для одноосно ориентированной пленки полиэтилена можно получить серию рентгенограмм, изображенных на рис. 71. Расстояние рефлекса R от центра образца связано с меж-плоскостным расстоянием d уравнением Брэгга [c.137]

При изменении ориентации или фокусировки изображение кристаллических образцов изменяется. Значительные изменения контраста являются результатом дифракции на кристаллической структуре, обусловленной различиями в толщине гранулы при разных ориентациях. Небольшие изменения величины угла Брэгга могут существенно повлиять на изображение, и исследователь должен быть готов к этому, когда производит фокусировку. Интерпретацию таких изображений облегчает серия картин, получаемых при различных расфокусировках. При удалении диафрагмы объектива эти эффекты усиливаются, поскольку при этом увеличивается вклад в общую картину лучей, претерпевших дифракцию. У некристаллических материалов эти явления отсутствуют. Поэтому наличие или отсутствие дифракционных контуров и подобие [c.236]

Схема дифрактометра для анализа порошков с фокусировкой по Брэггу—Бреп-тано представлена на рис. 11.2-9. Порошковые образцы спрессовывают на металлическом держателе (Р), который можно вращать во время экспозиции вокруг оси, нормальной к его плоскости, с тем, чтобы дополнительно увеличить случайность ориентации кристаллитов. В данной схеме используется эффект парафокусировки, при котором добиваются того, чтобы линейный фокус (F) рентгеновской трубки (R) и выходная щель дифрактометра (D) лежали на одном круге, так чтобы они были эквидистантны относительно держателя образца (Р). Изогнутый кристалл-монохроматор (М), отъюстированный таким образом, чтобы выполнялось условие Брэгга Л = 2dhki sin в для сильного отп-ражения hkl (где Л — длина волны Ка-излучения), используют для того, чтобы сфокусировать рентгеновские лучи на входную щель F. Геометрия оптической схемы дифрактометра должна также обеспечивать эффективную фокусировку дифрагировавших рентгеновских лучей на щель детектора D. Расхождение падающего и дифрагировавших лучей внутри дифрактометра ограничивается пропусканием этих лучей через ряд тонких металлических пластин (S), известных как коллиматор Соллера. [c.402]

Интенсивность данного рефлекса (/г, к, [) согласно закону Вульфа—Брэггов пропорциональна числу отражающих плоскостей (/г, к, I). Следовательно, полюсная фигура дает вероятность нахождения данного рефлекса в положении нормали к кристаллической плоскости как функции ориентации образца. Если ориентация кристаллитов в образце имеет случайный характер, интенсивность дифракции будет равномерна. [c.49]

При полностью хаотической ориентации кристаллитов с исследуемом образце, как это имеет место, например, в порошке, всегда находится небольшое число кристаллитов, для которых будут выполняться условия Брэгга. В этом случае дифракционная картина" (естги тотентаттлоска г)- имеет вид когщентричеекнх кругов с центром, лежащим в точке пересечения падающего луча с пленкой. [c.232]

Кристаллы, ориентация которых разрешает отражение от плоскостей (100), приведут к образованию кругового конуса лучей с половинным углом 20юо, где через 0100 обозначается угол Брэгга для плоскостей (100). Точно так же, ориентация другого набора кристаллов делает возможным отражение от плоскостей (ПО), и эти плоскости приведут к возникновению конуса лучей с половинным углом 20ПО, где 0по — угол Брэгга для [c.129]

Простейший дифракционный метод заключается в нропуска,-нии излучения, обычно рентгеновских лучей, через образец, состоящий из мельчайших кристаллов. Образцом может быть, например, тонко измельченный порошок или микрокристаллическая проволока. Если мпкрокристаллы беспорядочно ориентированы относительно падающего пучка рентгеновских лучей, то некоторые из них совершенно случайно будут ориентированы таким образом, что для системы их плоскостей будет удовлетворяться уравнение Брэгга, и будет происходить дифракция. Эту вероятность благоприятной ориентации можно увеличить вращением и (или) перемещением образца, что создает дополнительные ориентации. На рис. 31.7 показаны некоторые порошко- [c.23]

Изучение макроскопических свойств кристаллов постепенно привело к представлению об их упорядоченной атомарной структуре. В совершенном кристалле определенная группа атомов — его мотив — периодически повторяется в трех измерениях пространства, оставаясь идентичным самому себе и сохраняя свою ориентацию. Бесконечные фигуры, возникающие в результате таких повторяющихся трансляций, могут иметь значительно более разнообразные комбинации элементов симметрии, чем конечные фигуры. Федоров (1890 г.) и Шенфлис (1891 г.) проанализировали и классифицировали все бесконечные пространственные группы симметрии, к которым должны относиться все возможные кристаллические структуры. Изучение дифракции рентгеновских лучей в кристаллах, начатое Лауэ (1912 г.), а затем Брэггами, подтвердило гипотезу об их периодической структуре. [c.8]

В работах [159, 163] авторы поставили перед собой частную задачу в многоволновом рассеянии, отвечающую точному соблюдению условия Вульфа — Брэгга для каждого из отражений и такой ориентации отражающих плоскостей, при которой входная грань кристаллической пластинки параллельна плоскости, проходящей через многоугольник векторов Ьтп- Это ограничение позволило авторам [163] вычислить значения интенсивностей рассеяния и минимальных коэффициентов поглощения для двух примеров трехволнового случая, а также для четырех- и шестиволнового рассеяния. [c.349]

Полосы кристаллической решетки можно наблюдать, толысо если ориентация соответствующих им плоскостей удовлетворяет условию Брэгга-Вульфа для дифракции, поэтому отсутствие изображения решетки на полученных микрофотографиях не обязательно свидетельствует об аморфной структуре образца, а может быть связано с тем, что образец неправильно ориентирован. Об участках локальной неупорядоченности внутри образованной атомами периодической решетки можно судить по искажеш1ю полос решетки впрочем, аналогичные эффекты могут быть связаны также с изменением толщины кристалла или с участками его локального изгиба. [c.64]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология