Очистка кристаллических

Кристаллизация. Кристаллизация является классическим методом очистки кристаллических веществ. Метод основан на том, что разные вещества имеют разную растворимость в определенном растворителе, причем понижение температуры (за редкими исключениями) приводит к уменьшению растворимости веществ. Фильтро- [c.15]

Один из способов очистки кристаллических веществ основан на р азличной растворимости их при разных температурах. ]Если растворимость нитрата калия при высокой температуре значительно превосходит растворимость его при низкой температуре, то можно воспользоваться этим различием для перекристаллизации соли. [c.14]

Для разделения н очистки кристаллических веществ используют метод зонной плавки, который позволяет в приложении к неорганическим веществам получать, например, полупроводниковые материалы, чистота которых обозначается многими девятками , например, 99,999 %. Пригоден этот метод и для органических веществ. [c.355]

Без использования процесса очистки Кристаллическая масса желтого цвета 56 Более 13-16 2,04-2,24 0,023- 0,040 [c.19]

Практическое значение определения температуры плавления состоит прежде всего в том, что на основании полученных данных можно судить о чистоте вещества, его идентичности с одним из известных соединений, а в некоторых случаях и о его химическом строении. Обычно очистку кристаллического вещества тем или иным способом ведут до тех пор, пока температура его плавления не будет оставаться постоянной. При определении температуры плавления смешанной пробы , т. е. смеси исследуемого вещества с веществом, температура плавления которого известна, отсутствие понижения температуры плавления или так называемой депрессии, как правило, свидетельствует об идентичности этих веществ. Что же касается связи между температурой плавления и строением, то нередки случаи, когда величина температуры плавления может послужить источником правильного суждения о природе исследуемого вещества. [c.178]

Центробежное фильтрование наиболее широко распространено в промышленности СДВ, особенно при выделении и очистке кристаллических продуктов (рис. 69), [c.282]

Термин вытеснительная коагуляция применяют в тех случаях, когда причиной коагуляции является кристаллизация дисперсионной среды или иные фазовые переходы. Так как вхождение инородной частицы в кристаллическую решетку вызывает ее искажение и, следовательно, увеличение энергии решетки, то любые неизоморфные элементы решетки тела (коллоидные частицы, молекулы растворенного вещества, неизоморфные ионы и т. д.) вытесняются растущими кристаллами и оказываются в итоге на межкристаллитных границах, где и слипаются. Это явление лежит в основе очистки кристаллических веществ путем их перекристаллизации, в том числе зонной. Эффект вытеснительной коагуляции фазовым переходом растворителя может быть в принципе выражен через тепловой эффект фазового перехода. Вместе с тем коагуляция происходит и при фазовых переходах, которые не сопровождаются затвердеванием среды. Легко, например, наблю- [c.624]

Нафталин С Нв (темп. кип. 218 °С, темп. пл. 80,3 °С) получается из нафталинового масла путем кристаллизации с последующей очисткой кристаллического нафталина. Среднее содержание нафталина в смоле—7%. Он используется для производства фталевого ангидрида (стр. 260), применяемого в производстве пластмасс, красителей, взрывчатых веществ, употребляется как сред ство для уничтожения моли и для других целей. [c.100]

Эффективный коэффициент Оэф сильно зависит от захвата примесей в процессе роста кристаллов и при разделении получаемой суспензии [70]. Если при кристаллизации образуются хорошо сформировавшиеся кристаллы, а на стадии фильтрации достигается практически полное их отделение от маточника, то аэф приближается к а. Поэтому эффективность очистки кристаллической фазы от примесей, содержаш,ихся в исходной смеси, существенно зависит от режимов процесса кристаллизации и последующей стадии разделения кристаллизата. [c.80]

Очистка кристаллической фазы от примесей в таких условиях происходит только в самом начале движения фронта кристаллизации (на начальном участке образца длиной 1с), пока формируется указанный слой (рис. 8.1,6, кривая 2). Распределение концентрации в переходной зоне описывается экспоненциальной зависимостью [43] [c.265]

При абразивной очистке кристаллическая рещетка поверхностного слоя металла нарушается и поверхность активируется, в результате чего возникает адгезионная связь между нею и покрытием и облегчается диффузия напыляемых частиц в основной металл. [c.43]

Указанные соображения положены в основу метода очистки кристаллических веществ путем кристаллизации. [c.423]

Сульфитная очистка кристаллизованного тротила и особенно процесс кристаллизации тротила под водой в аппарате непрерывного действия представляет большие трудности. Сравнительно легко решается проблема сульфитной очистки непрерывным методом расплавленного тротила. Однако этот способ имеет существенные недостатки по сравнению с очисткой кристаллического продукта, главными из которых являются более низкая степень очистки и повышение потери а-тринитротолуола из-за высокой [c.228]

Таким образом, сульфитную очистку динитробензола проводят так же, как и очистку кристаллического тротила, с той лишь разницей, что первую порцию сульфита натрия добавляют не при 76, как для тротила, а при 65 °С. [c.267]

Очистка кристаллического иода методом возгонки [c.267]

Скорость конденсации зависит от температуры поверхности испарения и конденсирующей поверхности. Скорость накопления возогнанных кристаллов будет высокой при большой скорости парообразования и низкой температуре конденсирующей поверхности. Однако нельзя считать, что эти условия благоприятствуют разделению путем возгонки, так как быстрое испарение не способствует фракционированию и отделению примесей более того, быстрое охлаждение и образование кристаллов ведет к образованию твердой микрокристаллической корки на стенках охлаждающей поверхности и к образованию хлопьев кристаллов, которые легко отваливаются при перемещении охлаждающей поверхности. Для веществ с температурами плавления 40—100° возгонку следует проводить при температуре по меньшей мере на 10° ниже температуры плавления. Если вещество плавится между 100 и 200°, то температура возгонки должна быть на 50—80° ниже температуры плавления. При температурах выше 200° эта разница должна достигать 100—150°. Температура конденсирующей поверхности может меняться в пределах от температуры на несколько градусов ниже точки плавления сублимата до температуры проточной воды. Если возгон должен быть использован для кристаллографических работ, то температура конденсирующей поверхности должна быть ниже температуры сублимата это условие благоприятствует медленному росту аутоморфных кристаллов [61, 62]. С другой стороны, образование твердой корки мелких кристаллов не является недостатком при очистке кристаллических веществ или определении температуры плавления, а в некоторых случаях этот способ предпочтительнее. Корку кристаллов можно удалить острым лезвием микрошпателя или, лучше, смыть ее небольшим количеством растворителя. [c.72]

Глауберова соль двойной очистки, кристаллическая. ...... 12,50 [c.308]

Сода двойной очистки, кристаллическая.............14,00 [c.308]

Особенно эффективной для фракционирования и очистки кристаллических органических веществ является новая техника и аппаратура, известная под названием зон плавления , изобретенная Н. Пфанном (М. Р апп, 1952, 1958). Принцип этого способа заключается в том, что кристаллическое вещество, помещенное в трубку, подвергается повторным зональным нагревам и [c.229]

В качестве адсорбента следует, за весьма редкими исключениями, применять труднорастворимые и легко поддающиеся очистке кристаллические соединения. Малая растворимость вещества адсорбента приводит к удобному соотнощению между количеством собственных ионов на его поверхности и в растворе, что особенно существенно при изучении первичной обменной адсорбции. При изучении вторичной обменной адсорбции это свойство адсорбента позволяет установить влияние конкурирующих ионов в щироком интервале концентраций. Следует отметить также, что малая растворимость является одним из факторов, позволяющих свести до минимума скорость рекри-сталлизационных процессов, а следовательно, и изменение величины поверхности адсорбента во время опытов. [c.124]

Для очистки кристаллического иода методом возгонки готовят растиранием в ступке его искусственную смесь с веществами, не способными возгоняться, например угольным порошком или иодидом калия. Эту смесь помещают на дно небольшой круглодонной колбы. В горло колбы на резиновом кольце вставляют пробирку, доходящую до середины колбы. При этом кольцо не должно плотно закрывать колбу. Пробирку наполняют холодной водой, а содержимое колбы слегка подогревают снизу пламенем газовой горелки. Иод возгоняется и затем осаждается на наружных стенках пробирки в виде игольчатых кристаллов. Пробирку осторожно вынимают и стряхивают кристаллы чистого иода в заранее приготовленный стеклянный бюкс. [c.32]

Наличие незначительного количества примесей щелочей, вторичных спиртов и др. изменяет кинетику реакций взаимодействия эпоксидов и ангидридов. Этим и объясняется изменение времени гелеобразования по мере очистки эфира. Тип растворителя (толуол и диоксан) практически ие влияет на свойства глицидиловых эфиров (рис. 1, б и в). Таким образом, очистка кристаллических мономеров путем многократной перекристаллизации связана с получением более совершенной кристаллической структуры. [c.98]

Применительно к системам эвтектического типа для улучшения очистки кристаллической массы в колонне Дж. Бродье [1591 рекомендует проводить процесс противоточной кристаллизации при условиях, способствующих росту движущихся кристаллов, поскольку их перекристаллизация происходит из более чистого поднимающегося навстречу расплава. Г. Аркенбоут с сотрудниками [160], наоборот, явление укрупнения кристаллов в колонне считают нежелательным и предлагают их механически дробить в ходе самого процесса очистки. В результате дробления образуются обломки кристаллов различных размеров, наиболее мелкие из этих обломков являются наименее стабильными и плавятся. По мнению автора, это плавление приводит к росту более крупных кристаллов, чем обусловливается увеличение эффекта перекристаллизации, за счет которой возрастает глубина очистки. Диффузия в твердой фазе авторами во внимание не принимается,, а обоснование причин, вызывающих самопроизвольное изменение размера кристаллов в колонне, не дается. Поскольку явление укрупнения кристаллов непосредственно связано с вопросом [c.216]

Очисткой технического сульфита натрия получают кристаллический сульфит натрия N32503-Н2О. Он отличается более высоким содержанием основного вешества и применяется в фото- и кинопромышленности, в медицинской и фармацевтической промышленности, для флотации руд и цветных металлов и др. Для очистки кристаллический сульфит натрия перекристаллизовывают из воды технический сульфит натрия растворяют в воде, раствор отстаивают от примесей и фильтруют из фильтрата при охлаждении выпадают кристаллы Ыа250з-7Н20. [c.88]

В 60-х годах Н.Пфанном был разработан эффективный метод для фракционирования и очистки кристаллических веществ, известный под названием зон плавления . Принцип метода заключается в том, что кристаллическое вещество, помещенное в трубку, подвергается повторным зональным нагревам и охлаждениям. Благодаря периодическому передвижению трубки вперед и назад через серию чередующихся нагревательных и охладительных колец каждая зона вещества в трубке многократно перекристаллизовывается причем высоко- и низкоплавкие компоненты концентрируются в разных концах трубки. [c.41]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология