Установка для катодного распыления

Установка катодного распыления, применяемая автором, показана на рис. 27, а схема ее на рис. 28. [c.69]

Общий вид установки катодного распыления [c.70]

Схема установки катодного распыления [c.71]

Этот способ распыления является наиболее простым, надежным и экономичным, и на нем основана работа ряда выпускаемых промышленных сложных приборов, а также приставок для катодного распыления для вакуумных термических испарителей. Такие приборы, которые работают при энергиях от 1 до 3 кэВ, иногда называют установками для диодного распыления, а также установками для распыления при постоянном токе. Установка для распыления при постоянном токе состоит из небольшого стеклянного колпака, в котором находится мишень — катод и охлаждаемый водой держатель образца — анод и который помещается на контрольном блоке, включающем измеритель вакуума, высоковольтный источник питания, клапан напуска воздуха и небольшое реле времени (рис. 10.10,6). Детальное описание режима работы этого устройства и его использование описано в [292]. Одна из возможных проблем, связанная с распылителем такого типа, заключается в том, что непрочные образцы могут термически повреждаться. [c.201]

Крепкие образцы, такие, как ткани растений и животных, могут быть очищены в установке для катодного распыления или в холодной плазме газового разряда. [c.227]

В некоторых установках для катодного распыления можно изменять полярность образца и мишени, что позволяет производить плазменное травление, а возможно, и очистку поверхности. Подобным образом в кислородной плазме газового разряда можно быстро удалять органические материалы с поверхности неорганического образца. Такие методики следует использовать с крайней осторожностью на соответствующим образом стаби- [c.227]

Катодное распыление УСТАНОВКА ДЛЯ КАТОДНОГО РАСПЫЛЕНИЯ [c.69]

В начале 40-х годов стала весьма актуальной проблема разделения изотопов урана. К этому времени принципы электромагнитного метода разделения изотопов были разработаны глубже, чем других, поэтому в США и СССР началась бурная подготовка к строительству (и, почти одновременно, и само строительство) именно электромагнитных сепараторов для разделения изотопов урана. Это дало сильный толчок для развития целого ряда разделов физики и техники. Токи ионных пучков в установках предстояло увеличить на 7-10 порядков величины по сравнению с масс-спектрометрами. Получить необходимые величины ионных токов можно было только из плазмы. Поэтому были предприняты обширные исследования по многим вопросам физики газового разряда и низкотемпературной плазмы. В итоге были созданы пригодные для промышленных масштабов разделения источники ионов на основе мощного дугового разряда в магнитном поле с накалённым катодом [4]. Для понимания процессов в сепарационных установках потребовалось значительное расширение знаний в области атомных столкновений, были нужны точные значения эффективных сечений ионизации, перезарядки, других процессов. Необходимы были исследования взаимодействия потоков ускоренных частиц с поверхностью катодного распыления, вторичной ионной и электронной эмиссии. [c.290]

Приведём некоторые данные по катодному распылению [21, 22]. Они получены при бомбардировке мишеней пучками ускоренных ионов. Прежде всего отметим, что коэффициент распыления У, как правило, превышает единицу. Для некоторых элементов У > 10 (2п, Ag, Сс1, 5Ь, Ли, Т1, В1, РЬ). Большинство экспериментов по катодному распылению проведено при энергиях падающих ионов в несколько десятков кэВ, соответствующих максимуму коэффициента распыления. Однако характер зависимости У Z) сохраняется и при меньших энергиях распыляющих частиц. Благоприятная ситуация с коэффициентами распыления иногда не может быть использована на практике в разделительной ИЦР-установке, поскольку слишком велика энергия распылённых частиц. Так при разделении изотопов Си, Р(1, 1п, 5Ь, Р1, N1 возникает проблема выбора между величинами коэффициента распыления и энергии распылённых частиц. Ионизация распылённых частиц даёт сразу, без подогрева, плазму с достаточной начальной энергией ионов. [c.315]

На фиг. 6.3 приведена схема установки для катодного распыления [28]. Между катодом и анодом поддерживается постоянное напряжение в несколько тысяч вольт. Катод делают из распыляемого вещества, а анодом служит подложка. Для получения пленок нужной внешней формы используют соответствующие маски, а анод можно снабдить держателем для под- [c.245]

Фиг. 6.3. Схема установки для катодного распыления.

Рис. III. 19. Схема установки для нанесения пленок методом катодного распыления

Для нанесения тонких металлических пленок методом катодного распыления используется явление разрушения катода в результате его бомбардировки ионизированными молекулами разреженного газа. Принципиальная схема такой установки показана на рис. 1-5. [c.20]

Рис. 1-5. Установка для получения тонких пленок путем катодного распыления.

Рис. 15. Схема простейшей установки для катодного распыления металлов

Ионное азотирование проводили в лабораторной установке мощностью 2,5 кВт на образцах диаметром 10 мм и длиной 15 мм. Перед насыщением производили катодное распыление в течение 15 мин при напряжении 1000 В и давлении 0,1 мм рт. ст. [c.116]

Цель работы. Ознакомиться с различными процессами распыления, совершаемыми при высоком вакууме (термическое испарение веществ и нанесение тонких пленок, катодное распыление и травление металлов). Освоить приемы работы с промышленной установкой вакуумного распыления УВР-2. [c.241]

В установках для получения покрытий в вакууме различны способы нагрева испаряемого вещества. Применяют термическое испарение с электрическим или электроннолучевым нагревом и катодное распыление. В некоторых случаях требуется сочетание вакуумного напыления с ионной бомбардировкой. Для испарения тугоплавких материалов использовали луч лазера [65] с длиной волны 1,06 мкм, генерируемый в стекле, легированном N(1, мощностью —100—150 Дж в 2—4 мс. Луч проектировался в вакуумную установку через стеклянное окно и фокусировался на испаряемом [c.237]

Минайчев В. E., Зыков В. M., Шелякин О. П. Использование крионасоса с автономным криогенератором в установке катодного распыления. — Тезисы докладов V Всесоюзной научно-технической конференции , Казань, 1972, с. 78—80. [c.149]

Изучение нагрева тлеющим разрядом (В. И. Дятлов, Д. И. Котельников) привело к разработке технологии диффузионной сварки различных материалов с нагревом тлеющим разрядом. Велись исследования (Г. Б. Сердюк, С. И. Жук) технологических свойств сварочной дуги в магнитном поле и разработана экспериментальная установка для сварки труб дугой, вращающейся в магнитном поле. В результате изучения катодного распыления в сварочной дуге (В. А. Фурсов) разработан метод тонкослойной и дозированной наплавки без проплавления основного металла. Исследован процесс полигонизации в сварных швах при кристаллизации (М. А. Абралов). [c.24]

Пз-за невысокого вакуума в большинстве устройств для нанесения покрытия катодным распылением, наличия обратного потока масла из механического форвакуумиого пасоса и трудностей, связанных с размещением эффективных охлаждаемых ловушек в тракте откачки, проблема загрязнения может стать потенциально серьезной, особенно если в форвакуумной линии не установлено ловушек. Многие описанные артефакты, по-вп-димому, обусловлены загрязнениями, и необходимо соблюдать предосторожность при установке режима работы и использовании распылительной установки для нанесения покрытия. [c.207]

Электрические свойства монокристаллов иттрий-алюминиевых гранатов. Высокой чувствительностью к физическим и химическим неоднородностям в кристаллах, к точечным и линейным дефектам ири условии их электрической активности обладают электрические характеристики удельная, относительная диэлектрическая постоянная е, и их функциональные зависимости от температуры. Перечисленные свойства изучались во ВНИИСИМСе [36]. С целью измерения электрических свойств кристаллов граната образцы подвергались металлизации платиной катодным распылением на установке УВР-2. Измерение удельного сопротивления осуществлялось методом Бронсона с использованием электрического усилителя ВК2-16 и лабораторной измерительной ячейки. [c.196]

При распылении с геттерированием [23, 24], прежде чем начинается образование пленки за счет катодного распыления, из газа за счет реактивного распыления удаляются (геттерируются) химически активные составляющие. Такой метод дает пленки очень высокой чистоты. В типичной установке для напыления с Геттерированием в системе кроме обычной подложки, анода, имеется второй анод. Этот анод имеет форму экрана, окружающего катод и подложку. Сначала подложку закрывают заслонкой, чтобы предотвратить осаждение пленки, и все химически активные газы внутри экрана удаляют за счет поглощения в металле, распыленном из катода и осевщем на стенках сосуда. В результате этого давление химически активных газов в системе можно уменьшить до 10" мм рт. ст. Чтобы достичь такого давления в обычной системе, требуются сложные насосы и длительное обезгаживание. После геттерирования заслонку отводят и катод распыляют на подложку. Выделение газов из стенок сосуда сдерживается напыленными слоями металлических соединений. Экран делают плотно прилегающим к катоду и аноду, так что диффузия примесей из остальной части системы затруднена. Рабочее напряжение обычно составляет 1,0—1,5 кВ при токах 2—10 мА. Сначала систему откачивают до 10" мм рт. ст. и при температуре приблизительно на 50° выше температуры осаждения производят обезгаживание подложки. Вообще говоря, необходимо независимое регулирование температуры подложки. В качестве газа обычно используют Аг, и реактивного распыления в течение 15—30 мин обычно достаточно, чтобы очистить атмосферу. Стойрер и Хозер [24] на стадии разложения использовали давление Аг в интервале (31 -f- 185)-10"- мм рт. ст. До сих пор специального упора на выращивание монокристаллов не делалось, и это потребует, вероятно, более высоких температур подложки и применения монокристальных подложек. Распыление с геттерированием дает возможность изучать механизмы роста кристаллов в сверхчистых условиях, а также получать сверхчистые пленки. [c.247]

Однако встречаются случаи, когда оптические датчики имеют существенное преимущество перед другими типами датчиков. Это относится к методам радиочастотного ионного распыления, при котором работа всех датчиков, в которых используются электрические измерения, нарушается помехами от тлеющего разряда. В связи с этим, как сообщили Шейбл и Стендли [321], в последнее время вновь возник интерес к оптическим датчикам. Это привело к разработке систем, в которых осветитель и фотоэлемент размещены вне вакуумной системы [322]. Система такого типа, приведенная на рис. 56 для установки радиочастотного катодного распыления, была разработана Дэвидсом и Мейселом [323]. Поскольку в этой установке используется большой кварцевый катод, расположенный в непосредственной близости от подложки, то необходимо использовать углы падения 0 порядка 80°. Поскольку угол 0 приближается к углу Брюстера или [c.152]

На рис. 154, й и б показаны установки для напыления фирмы Ульвак (Япония) камерного типа,. Фирма выпускает различные установки напыления установки со стеклянными колпаками полностью автоматизированные установки для напыления электронных схем с электроннолучевым испарителем специальные установки для оптических целей непрерывно работающие установки с катодным распылением (скорость распыления доходит до 800 А/мин при постоянстве толщины пленки в пределах 5%). Установка, 238 [c.236]

Для предотвращения образования слоя загрязнений использовалось два метода. В работе [241] было показано, что обр>а-зование запрязнений подавляется, если направлять непосредственно иа образец в область, бомбардируемую электронным пучком, струю газа под низким давлением. Если к образцу подводится воздух, К исл,ород окисляет горяч.ие продукты осаждения углерода и пучок электронов с высокой энергией создает условия для распыления подобно катодному распылеиию при ионной бомбардировке. Сопла подачи воздуха были установлены на различных РЭМ, и их установка может быть произведена в любой лаборатории без больших затрат [242]. Другой метод заключается в том, чтобы внутри РЭМ создать поверхность, температура которой была бы ниже температуры поверхности образца. Органические молекулы будут стремиться собираться [c.159]

Помимо описанных выше способов, устраняющих газоотпеле-ние в случаях, когда необходимо получить достаточно низкое давление (10 мм или ниже) без продолжительной затраты времени, особое внимание следует уделять выбору вакуумных материалов. Особенно следует быть внимательным при использовании различных вакуумных смазок, резины и других уплотняющих веществ. Данные по упругости пара некоторых веществ приведены в гл. IV и в приложениях в конце книги. Сведения по другим веществам, которых нет в этих таблицах, можно найти в соответствующей ли-тературе ). Эти сведения весьма полезны при конструировании вакуумных систем. В тех случаях, когда необходимо после откачки плотно закрыть систему, так чтобы в ней длительное время сохранялось низкое давление (нанример, радиолампы, катодно-лучевые трубки и т. д.), применяют специальные газопоглотители (геттеры). Для этого используют такие химически активные металлы, как барий, алюминий, кальций, тантал и магний, которые поглощают остаточные газы. Газопоглотитель распыляется в баллоне после того, как достигнуто нужное давление перед отпайкой прибора. Во время распыления газопоглотитель соединяется с остаточными газами, находящимися в баллоне, и это химическое соединение осаждается на стенках баллона. Некоторые газопоглотители, в частности барий, адсорбируют небольшие количества газа уже после того, как прибор отпаян от установки ). [c.246]

Спектро( зото.метр с записью спектра [1,2 на основе монохроматора УМ-2 и.1и спектрофотометра СФ-4 с фотоумножителем ФЭУ-19, катодным повторителем, самописцем для регистрации излучения типа ПС1-02 и установка для ацетилопо-воздушиого пламени с распылителем и камерой распыления. [c.180]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология