Кристаллизационные аппараты

Сульфидный раствор, выходящий по линии 12, подают для выпаривания в кристаллизационный аппарат 7, в котором происходит осаждение кристаллического хлорида натрия. В сульфидном растворе 14, выходящем из кристаллизационного аппарата, концентрация хлорида натрия может быть снижена до 4 % при этом концентрация сульфида натрия возрастает до >25 % и осаждения кристаллов сульфида натрия не происходит. Кристаллический материал 13 содержит ряд примесей, прежде всего карбонат и сульфат натрия. Однако их количества настолько [c.353]

Рассмотрим основные типы кристаллизационных аппаратов. Подробное описание многих кристаллизаторов имеется в специальной литературе [24—26]. [c.164]

РАСЧЕТ КРИСТАЛЛИЗАЦИОННОГО АППАРАТА С ПСЕВДООЖИЖЕННЫМ СЛОЕМ КРИСТАЛЛОВ [c.313]

Метод Вернейля основан на плавлении тугоплавких веществ в кислород-водородном пламени (рис. 58 а) и заключается в том, что исходное вещество (шихта) в виде порошка диаметром частиц 2 100 мкм из бункера через газовую горелку попадает на верхний оплавленный торец затравочного монокристалла. Пролетая через кислород-водородное пламя, частицы шихты оплавляются, подпитывая тем самым тонкую пленку расплава (толщиной порядка 100 мкм). Так как затравочный монокристалл опускается, то пленка расплава кристаллизуется с нужной скоростью, постоянно пополняясь исходной шихтой. При согласованных расходах, с одной стороны, шихты, водорода и кислорода, а с другой — скорости опускания монокристалла, толщина пленки расплава поддерживается практически постоянной. Этот метод относится к методам с ограниченным объемом расплава. На рис. 59 представлен один из первых аппаратов Вернейля, конструкция которого в настоящее время значительно изменена. В нашей стране работами по усовершенствованию этих аппаратов активно занимались С. К. Попов [94] и выдающийся конструктор кристаллизационной аппаратуры Н. П. Ильин, создавший серию кристаллизационных аппаратов различного назначения. [c.87]

Разработаны две модификации этого метода. В первой весовая ячейка соединена с растущим монокристаллом, во второй модификации с весовой ячейкой соединен тигель с расплавом. Оба способа успешно используются, поскольку весовой способ практически не зависит от теплофизических свойств кристаллизуемого вещества. При этом задача существенно упрощается, и более того, возникает возможность использования надежной теплоизоляции и различных средств измерительной техники для оптимизации процесса, без нарушения условий кристаллизации. Получил развитие и телевизионный метод контроля диаметра растущего монокристалла, основанный на учете свечения мениска. Он базируется на изучении зависимости амплитуды и длительности видеосигнала от яркости и размеров наблюдаемого объекта (рис. 103 б). Передающая камера устанавливается перед окном кристаллизационного аппарата так, чтобы в поле зрения постоянно находились мениск и часть кристалла вблизи фронта роста. С помощью маркера на экране монитора оператор выбирает для измерения определенную строку изображения, то есть задает ординату контролируемого сечения монокристалла и мениска. Для контроля сечения, отличного от кругового, используется угловой датчик. В этом случае проекция сечения синхронизируется с определенным угловым положением. Точность измерения диаметра растущего монокристалла телевизионным методом 3% и зависит от линейности развертки и точности измерения длительности видеосигнала. [c.145]

В работе [2] приводится наиболее полная классификация емкостных кристаллизаторов, которая базируется на следующих соображениях. Одной из наиболее важных характеристик рассматриваемых кристаллизационных аппаратов является способ контакта кристаллов с пересыщенным раствором. В соответствии с этим все емкостные кристаллизаторы могут быть разделены на аппараты с циркулирующим раствором и с циркулирующей суспензией. В кристаллизаторах с циркулирующим раствором пересыщение создается в одной части аппарата, а затем пересыщенный раствор поступает во вторую, где и происходит контакт с кристаллами. К аппаратам с циркулирующей суспензией следует отнести кристаллизаторы, в которых кристаллы подаются в зону создания пересыщения. Пересыщение раствора в обоих случаях создают или охлаждая его в теплообменнике, или удаляя часть растворителя (выпариванием при постоянной температуре либо одновременным испарением и адиабатическим охлаждением). Следствием каждого из этих процессов является создание пересыщения вне зависимости от того, работает аппарат с циркуляцией раствора или суспензии. С этой точки зрения в каждой из групп кристаллизаторов можно выделить охладительные, вакуумные и испарительные аппараты. [c.11]

В массообменных аппаратах малые концентрации дисперсной твердой фазы в потоке сплошной среды встречаются сравнительно редко. Это может иметь место, например, в кристаллизационных аппаратах на начальных стадиях периодических процессов или при периодическом растворении малых количеств дисперсного материала ближе к конечной стадии процесса. В большинстве реальных случаев концентрации дисперсной фазы в потоке сплошной вязкой среды не позволяют считать процесс динамического взаимодействия частицы и потока независящим от наличия других частиц. Иными словами, характер движения дисперсных частиц и иотока сплошной среды [c.66]

В общем случае можно считать, что интенсивность вторичной нуклеации пропорциональна суммарной площади поверхности всех кристаллов и величине площади внутренних поверхностей кристаллизационного аппарата усиление пересыщения раствора и его перемешивания также приводят к увеличению интенсивности вторичного зародышеобразования. [c.157]

Еще один способ избавиться от мелких кристаллов в выгружаемом продукте — это растворить их в осветленном подогреваемом маточном растворе между кристаллизационными аппаратами многокорпусной установки. Анализ математического описания такой схемы процесса показывает, что, хотя число частиц, выводимых из зоны кристаллизации с осветленным маточным раствором и растворяющихся при его подогреве довольно [c.168]

Эксплуатация кристаллизационных аппаратов осложняется образованием твердого слоя кристаллизующегося вещества на внутренних поверхностях аппаратов, около которых существует наибольшее пересыщение растворов при изогидрической и при изотермической кристаллизации. Образующиеся инкрустации значительно повышают термическое сопротивление и ухудшают теплопередачу между кристаллизующимся раствором и греющим или охлаждающим агентом. [c.184]

I - кристаллизационные аппараты 2 - конденсаторы 3 - пароструйные насосы 4 - барометрический конденсатор [c.505]

ВЫПАРНЫЕ И КРИСТАЛЛИЗАЦИОННЫЕ АППАРАТЫ [c.195]

С целью устранения основных недостатков кристаллизационных аппаратов [c.221]

При эксплуатации кристаллизаторов приходится оперировать большими количествами горячих концентрированных растворов, обладающих агрессивными или токсическими свойствами, паром, горячей водой, движущимися механизмами. Все это представляет опасность. Трудоемкими производственными операциями в ряде производств являются открытая выгрузка и очистка аппаратов от отложений вручную. Особенно опасна очистка кристаллизаторов от корок налипающих кристаллов. Эта работа должна выполняться в строгом соответствии со специальными инструкциями. Твердые отложения, забивающие аппаратуру, растворяют горячей водой, острым паром, растворителями. Перед пуском кристаллизационных аппаратов трубопроводы проверяют и при необходимости промывают от осадков горячими растворами или водой. [c.271]

При получении монокристаллов наиболее широко применяются однократные методы нормальной направленной кристаллизации. Используются горизонтальные кристаллизационные аппараты (метод Капицы) и вертикальные аппараты с перемещением температурного градиента вдоль неподвижной ампулы с материалом (метод Обреимова—Шубникова) или с перемещением ампулы относительно неподвижного температурного градиента (метод Бриджмена). Очень распространен вариант, когда температурный градиент создается между двумя печами, разделенными тепловым экраном (метод Стокбаргера). Кристаллизацию проводят с использованием затравки, сосуда, остроконечного или капиллярного, с затравочным участком, способствующим росту монокристалла. Температурный градиент может создаваться и в направлении от внутренних областей материала к периферии, в результате чего образуется крупный монокристаллический блок (метод Киропулоса). [c.57]

При полной регенерации осадительной ванны с установкой вакуум-выпарных и кристаллизационных аппаратов образуются сточные воды, содержащие сульфат натрия. [c.57]

Эти преимуш,ества обусловили широкое распространение паро- и газоструйных насосов в различных отраслях промышленности в технике существует целый ряд производств, проведение технологического процесса в которых возможно только при условии применения струйных вакуумных насосов. Так, в химической промышленности для удаления газа из вакуум-холодильных и вакуум-кристаллизационных аппаратов при осуществлении процессов дистилляции, сушки и выпарки используют в основном многоступенчатые пароэжекторные насосы. С развитием вакуумной металлургии возникло новое направление — метод внепечной обработки жидкого металла. Проведение процесса дегазации металла в ковше стало возможным благодаря разработке и применению в промышленных [c.3]

Кристаллизационные аппараты перед заполнением их горячим раствором рекомендуется ополаскивать маточным раствором или прогреть паром. [c.116]

Один из современных вариантов этого способа применительно к регенерации растворов осадительных ванн вискозного производства описан в [61]. Аппаратурно-технологическая схема включает два каскада вакуум-кристаллизационных аппаратов для [c.156]

Смесь осадительной ванны и кристаллов глауберовой соли, охлажденная до 5 °С, в четвертой камере кристаллизационного аппарата отбирается и с помощью масса-насосов 25 непрерывно подается через распределительный бак 14, в два (из трех) конусных сгустителя 11. Каждый сгуститель оборудован мешалкой для перемешивания холодной массы. Отделяющийся при этом маточный раствор скапливается в верхней части конуса сгустителя и через двухконусный улавливатель 12 стекает в сборный бак 21. [c.127]

Наиболее современными кристаллизационными аппаратами являются вакуум-кристаллизаторы, но, к сожалению, они неприменимы для кристаллизации растворов, имеющих большую склонность к вспениванию при кипении, и для растворов, содержащих ценные (или токсичные) летучие компоненты. [c.44]

Наконец, с энергетической точки зрения, применение вакуум-кристаллизационных аппаратов более выгодно, так как выделяющееся при выпадении кристаллов тепло полезно расходуется на выпаривание растворителя. В охладительных же кристаллизаторах это тепло необходимо отводить с охлаждающим агентом. [c.195]

Многосекционная кристаллизация. Рост кристаллов не всегда происходит достаточно быстро, чтобы можно было получить крупные кристаллы в одном кристаллизационном аппарате. В таких случаях применяется последовательная многосекционная (многокорпусная) кристаллизация. Маточный раствор, выходящий из предыдущего аппарата (корпуса) и содержащий кристаллическую фазу, непрерывно перетекает в последующий аппарат, где продолжается образование и рост новых зародышей, а также рост кристаллов, поступивщих из предыдущего аппарата. Условия кристаллизации в каждом из аппаратов обычно неодинаковы. Некоторые из них задаются независимо (давление в аппаратах при вакуум-кристаллизации), другие являются функциями процесса (температура и концентрация маточного раствора в аппаратах). [c.153]

Кристаллизация во взвешенном слое. Атмосферные и вакуумные кристаллизационные установки со взвешенным слоем и циркуляцией раствора отличаются от всех других типов кристаллизационных аппаратов тем, что зона создания пересыщения и крнсталлораститель разделены, а управление этими зонами позволяет регулировать процесс кристаллизации. При этом во взве-и енном слое имеет место классификация кристаллов по размерам, и для получения продукта с заданным содержанием деловой фракции необходимо осуществлять правильный отбор классифицированного продукта. [c.211]

Наряду со спеканием компактный вольфрам высокой плотности получают также методами осаждения из газовой фазы, электрохимическим и плазменным осаждением, дуговой, в том числе гарннссажной, и электронно-лучевой плавками, выращиванием монокристаллов в специальных кристаллизационных аппаратах с использованием электронного и плазменного нагревов (электронно-лучевая зонная плавка, плазменно-дуговая плавка). Плавка вольфрама в дуговых и электронио-лучевых печах обеспечивает эффективную очистку от примесей и получение крупных заготовок массой до 3000 кг, предназначенных для изготовления листов, профилей, труб и других изделий методами фасонного литья, прессования, прокатки. Для измельчения зерна с целью повышения технологической пластичности применяют модификаторы и раскислителя (например, карбиды циркония, ниобия и т. д.), а также гарниссажную плавку с разливкой металла в изложницу. Для снижения содержания примесей и одновременно создания более мелкозернистой структуры используют дуплекс-процесс электронно-лучевая плавка+электродуговая плавка Наиболее глубокая очистка от примесей реализуется при выращивании монокристаллов вольфрама. При этом у вольфрама появляются особые свойства, присущие только монокристаллическому состоянию, в частности анизотропия свойств, более высокая по сравнению с поликристаллами эрозионная стойкость, высокая устойчивость к расплавам и парам щелочных металлов, к термоциклированию, облучению, лучшая совместимость со многими неорганическими, в том числе металлическими, материалами и т. д. [c.398]

VII. 114. Примеры кристаллизационных аппаратов. Охладительный кристаллизатор Кристалл . Приведенная выше классификация может быть проиллюстрирована описанием некоторых промышленных аппаратов. На рис. VII.7 показан охладительный кристаллизатор типа Осло Кристалл . Это очень хорошо известный тип кристаллизационных установок, описанный Ф. Джеремисеном и X. Сваное (Jeremiasen, Svanoe, 1932]. Согласно нашей классификации он является 1) охладительным с непосредственным теплообменом 2) непрерывного действия с перемешиванием 3) с внешним созданием пересыщения 4) с циркулирующим маточным раствором либо с циркулирующей пульпой. Это зависит от скорости циркуляции и поддерживаемого уровня кристаллов 5) со значительным классифицирующим действием, поскольку кристаллы отводятся со дна сосуда. [c.265]

С целью увеличения разделительного эффекта в колоннах со свободным падением кристаллов нами были испытаны установки с Д.ЛИНОЙ рабочей части до 90 см. В результате исследования установлено, что простое увеличение высоты кристаллизационной колонны не дает заметного увеличения разделительного эффекта. Увеличение ВЭТС с ростом длины колонны может быть вызвано неэкспонерщиальным распределением примеси по высоте кристаллизационного аппарата. Характер распределения примеси по вы- [c.41]

Для изогидрической кристаллизации в настоящее врег.м применяются различные типы кристаллизационных аппаратов с псевдоожшсепныг<1 с.иоем. Несмотря на разнообразие конструкцил, ка дьИ из рассматриваемых аппаратов можно представить состоящим из трех основных эле-(. ентов, выполняющих определенные технологические функции ) сме- [c.38]

Такт образом, решение перечислен.шх частных задач позволяет пмучить описание процесса в отдельных элементах кристаллизационных аппаратов и, соответственно, получить описание процесса в целом. [c.39]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология