Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Образование галогенидов

    Галогениды и другие соли. Образование галогенидов характе[Тно для всех элементов главной подгруппы второй группы. Они, как правило, хорошо растворимы в воде, кроме фторидов (но не ВеР а). Галогениды бериллия в водном растворе гидролизуются. [c.265]

    С галогеноводородами реагирует и сухой аммиак с образованием галогенидов аммония, например хлорида аммония (нашатырь)  [c.121]


    Спирты как кислоты и основания. Образование галогенидов и эфиров. Окисление и дегидратация 27 [c.3]

    БЕЙЛЬШТЕЙНА ПРОБА (р-ция Бейльштейна), способ обнаружения атомов I, Вг и I в орг. соединениях. Основан на способности СиО при высокой т-ре разлагать галогенсодержащие орг. соед. с образованием галогенидов u(II)  [c.246]

    Гибридизация одной 5- и одной р-орбит ал и (зр- гибридизация) происходит при образовании галогенидов бериллия, а также цинка, кадмия и ртути. Атомы этих элементов в нормальном состоянии имеют на внешнем слое два спаренных -электрона. В результате возбуждения один из -электронов переходит в р-состояние — появляется два иеспаренных электрона, один из которых -электрон, а другой р-электрон. При возникновении химической связи эти две различные орбитали преобразуются в две одинаковые гибридные орбитали ( р-орбитали), направленные под углом 180 друг к другу,— две связи име- [c.167]

    Теплоты образования галогенидов ЭГ при переходе по ряду р — С1 — Вг — 1 быстро уменьшаются. Сказывается это тем резче, чем выше валентность Э н меньше его радиус. У катионов с 18-электронной или незаконченной внешней оболочкой они всегда ниже, чем у катионов типа инертного газа с тем же зарядом и близким радиусом, причем прн переходе по ряду Р — С1 — Вг — I различие сказывается все более резко. [c.483]

    При закономерном возрастании межатомных расстояний энтальпии образования гидридов щелочных металлов мало отличаются друг от друга. В то же время эти величины несравненно меньше энтальпий образования галогенидов этих металлов (ДЯ 00 кДж/моль). Это обусловлено малым сродством к электрону атома водорода, меньшей величиной ОЭО по сравнению с галогенами. [c.296]

    Вследствие особенностей химии фтора фториды металлов во многих отношениях отличны от других галогенидов. Наивысшая окислительная активность и наибольшая ОЭО фтора обосновывают тот факт, что фториды металлов наиболее тугоплавки и термически стабильны по сравнению с другими галогенидами. Ниже приведены энергии Гиббса образования галогенидов кальция  [c.461]

Таблица 21.2. Стандартные энтальпии образования — галогенидов элементов группы 1В, кДж/моль Таблица 21.2. <a href="/info/6530">Стандартные энтальпии образования</a> — <a href="/info/622509">галогенидов элементов группы</a> 1В, кДж/моль
    Для того чтобы облегчить замещение на галоид гидроксильной группы в первичных или вторичных спиртах (I), прибавляют водоотнимающие вещества — безводный хлористый цинк, безводный сульфат натрия и др. однако следует иметь в виду, что под действием этих реагентов может происходить дегидратация спиртов, а последующее присоединение галоидоводорода, присутствующего в реакционной смеси, к образующимся этиленовым углеводородам может привести к образованию галогенидов иного строения (II), например  [c.191]


    Механизм образования галогенидов, по-видимому, заключается в том, что сначала происходит обменная реакция с образованием галоидангидридов органических надкислот, которые далее, при нагревании, распадаются (по радикальному механизму) на углекислоту и галогенид  [c.201]

    Однако в отличие от образования галогенид-ионов образование ионов Н" из молекул Нг — процесс эндотермический. Энтальпия образования Н составляет 144,7 кДж/моль  [c.302]

    ОБРАЗОВАНИЕ ГАЛОГЕНИДОВ. В гл. 5 мы рассмотрели превращение спиртов в алкилгалогениды под действием галогеноводородов. Нпже дан пример такой реакции она может протекать по механизму S l нлн 8 2. [c.408]

    Полное восстановление водородом орг, соед., содержа щих галогены, практически достигается только в присут небольших добавок NHз, что приводит к образованию галогенидов аммония. Можно осуществлять восстанови тельную М. сплавлением орг. в-в с металлами (в частности, с Ка, К, Mg, Са, Т ) при 400-900 С в запаянных трубках или автоклавах. Этот метод, эффективный при определении галогенов, 8, N. Р, 81, Аз, 8Ь, широкого распространения не получил, однако нек-рые его варианты используют в полевых условиях. [c.89]

    Эффективный способ получения простых катионов в комбинации с анионом галогена заключается в прямой реакции металла с галогеном. Большинство металлов легко окисляются по крайней мере наиболее активными галогенами, и образующиеся галогенидные соли, за исключением содержащих катионы Ag, РЬ и Hg , растворимы в воде, откуда их можно извлечь и получить в очищенном виде. О легкости, с которой протекают эти реакции, можно судить по данным об энергиях образования галогенидов щелочных металлов, приведенным в табл. 19.5. Соединение щелочных металлов с фтором происходит со взрывом, а их реакции с хлором и бромом протекают самопроизвольно. [c.350]

Таблица 19.5. Стандартная теплота образования галогенидов щелочных металлов Таблица 19.5. <a href="/info/2776">Стандартная теплота образования</a> <a href="/info/729706">галогенидов щелочных</a> металлов
    Молекулярные полосы испускаются частицами, молекулами и радикалами, присутствующими в пробе или образующимися в процессе атомизации. Их структура зависит от спектральной полосы пропускания диспергирующей системы. Как правило, они имеют вид неструктурированного спектра. Классическим примером являются молекулярные полосы в области 200-400 нм, образованные галогенидами. [c.51]

    Способность вещества терять электроны в водном растворе характеризуется его окислительным потенциалом. Способность вещества присоединять электроны в водном растворе характеризуется его восстаповительпым потенциалом. Щелочные металлы (Ы, На, К, КЬ, Сз, атомы которых имеют электронную валентную конфигурацию ь ) обладают высокими окислительными потенциалами, соответствующими образованию гидратированных катионов с зарядом + 1 [Ь1(тв.) - + е = + 3,05 В]. Щелочноземельные металлы (Ве, М , Са. 8г, Ва, атомы которых имеют валентную электронную конфигурацию. s ") также обладают большими окислительными потенциалами, соответствующими образованию гидратированных катионов с зарядом -ь2[Са(тв.) -> Са" + 2е = -Ь 2,76 В]. Г алогены обладают высокими восстановительными потенциалами, соответствующими образованию галогенид-ионов (Р -Ь 2е -> 2Р < = -Ь 2,86 В). [c.456]

    По-видимому, Лотье впервые описал, что между двумя рядами значений теплот образования галогенидов одновалентных металлов (и галогеноводородов) наблюдается линейная зависимость. Такие же соотношения он наблюдал и ири сопоставлении других аналогичных соединений. [c.150]

    Атомаоные энтропии образования галогенидов металлов подгруппы лития, рассчитанные по данным  [c.164]

    По этому методу можно проводить определение цианидов в смеси с га-логенидами и роданидами. Конечную точку титрования определяют по образованию галогенида серебра, если его произведение растворимости меньше произведения растворимости цианида серебра. Ошибку титрования рассчитывают следующим образом. Если KAgx — произведение растворимости галоге-вида серебра, то в момент появления осадка А Х [c.219]

    Необходимо отметить, что температуры плавления и кипения НР аномально высоки по сравнению с другими галогеноводородами. Причина этого необычного поведения заключается в наличии сильной водородной связи между молекулами НР в жидком состоянии, что уже обсуждалось в разд. 11.5, ч. 1. Поскольку молекула НР имеет небольшой размер и способна образовывать сильные водородные связи, НР очень хорошо смешивается с водой. Но и другие г итогеноводороды, хотя и не способны к образованию прочных водородных связей, тоже хорошо растворимы в воде. Как отмечалось в разд. 15.1, высокая растворимость в воде объясняется реакцией галогеноводородов с водой, приводящей к образованию галогенид-анионов и сольватирован-ного протона Н (водн.). [c.292]


    Значительное выделение теплоты АНш К, 0) при образовании галогенидов натрия можно рассматривать как критерий их устойчивости относительно простых веществ, а возрастание этой величины в ряду Ыа1 — КаВг — ЫаС1 — [c.59]

    Гибридизация одной у- и одной р-о р -бита л и ( р-г и б р и д и 3 а ц и я). Такой тип гибридизации реализуется при образовании галогенидов бериллия, цинка, кадмия и ртути. Атомы этих элементов в основном состоянии имеют во внешнем слое два спаренных -электрона. При возбуждении один -электрон переходит в р сосгояние, таким образом, получаются два неспаренных электрона (s-и р-электроны). При образовании химической связи эти две различные орбитали преобразуются в две одинаковые гибридные орбитали (5р-орбиталн), направленные под углом 180 друг к другу, т. е. две связи имеют противоположные направления (см. рис. 1,35), Экспериментальное определение структуры молекул. ВеГ], 2пГ , СдГ2, HgГJ (Г-галоген) показало, что эти молекулы являются линейными и обе связи металла с атомами галогена имеют одинаковую длину. [c.93]

    Рассмотрим примеры различных видов гибридизации 5 и р-орбиталей. Г ибридизация одной 8- и одной р-орбиталей (зр-гибридизация) происходит при образовании галогенидов бериллия, например ВеРг, цинка, ртути, молекулы ацетилена и др. Атомы этих элементов в основном состоянии имеют на внешнем слое два спаренных 5-электроиа. В результате возбуждения один из электронов -орбитали пер еходит на близкую по энергии р-орбиталь, т. е. появляются два неспаренных электрона, один из которых 5-электрон, а другой р-электрон. При возникновении химической связи эти две различные орбитали превращаются в две одинаковые гибридные орбитали (тип гибридизации — зр), направленные под углом 180° друг к другу, т. е. эти две связи имеют противоположное направление (рис. 20). [c.86]

    Соединения брома, иода, астата (-1). Бром, иод и астат с менее электроотрицательными, чем они сами, элементами образуют бромиды, иодиды, астатиды. Связь Э—Hal в ряду фторид—хлорид-бромид—иодид для одного и того же элемента обычно ослабевает и наблюдается уменьшение устойчивости соединений. Об этом, в частности, свидетельствует сравнение стандартных энтальпий и энергий Гиббса образования галогенидов одного и того же элемента (рис. 150). [c.331]

    Один из способов получения гидроксидов четвертичного аммоння представляет собой двустадиннып сиитоз. Иа первой стадии амин реагирует с алкилгалогеиидом (8к2)-с образованием галогенида четвертичного аммоння  [c.249]

    При 40 °С скорость 1,2-присоединеция увеличивается. Однако продукт реакции, аллилгалогенид, может ионизоваться с образованием галогенид-иона и резонансно стабилизированного аллил-катиона. Более того, при 40 °С становится энергетически возможным присоединение бромид-иона к положительно заряженному концевому атому углерода. [c.504]


Смотреть страницы где упоминается термин Образование галогенидов: [c.304]    [c.28]    [c.324]    [c.52]    [c.654]    [c.655]    [c.355]    [c.297]    [c.350]    [c.50]    [c.107]    [c.244]    [c.646]    [c.194]    [c.179]    [c.180]    [c.508]    [c.28]   
Смотреть главы в:

Основы органической химии -> Образование галогенидов

Основы органической химии 1 Издание 2 -> Образование галогенидов

Основы органической химии Часть 1 -> Образование галогенидов




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте