Энергия решетки ионного кристалла

Более совершенная теория Борна и Мейера дает для энергии решетки ионного кристалла выражение [c.334]

Энергия решетки ионных кристаллов. Идеальный ионный кристалл состоит из регулярно расположенных положительных и отрицательных ионов, взаимодействующих электростатически. Ионы несут на себе заряды, кратные заряду электрона заряд на ионе распределен сферически. Основными силами взаимодействия меж- [c.12]

Теория электролитической диссоциации не сразу получила признание. Одним из возражений, которые выдвигались против этой теории, было то, что теория не указывала сил, вызывающих диссоциацию электролитов на ионы в растворе. Энергетические затраты на ионизацию твердых солей довольно велики — энергия решетки ионных кристаллов часто измеряется сотнями кДж/моль. Теория электролитической диссоциации не объясняла, за счет чего могли быть покрыты эти затраты и процесс ионизации в растворе мог стать самопроизвольным. [c.431]

Довольно простое выражение для оценки энергии решетки ионных кристаллов предложено А. Ф. Капустинским [c.334]

Энергию решетки ионного кристалла можно рассчитать с помощью закона Гесса по циклу Борна —Габера с учетом значений теплоты образования соединений, теплоты сублимации компонентов. Так, например, расчет энергии решетки СаЗО проводят по схеме [c.14]

Молекулярные кристаллы (метан, иод, аргон и т. п.) характеризуются малой энергией решетки. Так, для аргона она равна (на моль) всего 7,52 Дж. Образование водородных связей (кристаллы льда) увеличивает энергию решетки (для воды — льда она составляет 4,18 кДж/моль). Кристаллы металлов гораздо прочнее энергия решетки никеля равна 422,18 кДж/моль. Еще выше энергия решетки кристаллов с ковалентной связью атомов так, для алмаза она достигает 710,6 кДж/моль. Того же порядка значения энергии решетки ионных кристаллов (для хлорида натрия 773,3 кДж/моль). [c.275]

Энергия решетки ионного кристалла при Г = О К равна изменению энергии в следующем процессе [АХ] —> (А" ) 4- (Х ). Эта величина может быть определена экспериментально с помощью цикла Борна — Габера. [c.181]

Энергия решетки ионного кристалла А+Х также может быть представлена как сумма энергий парных взаимодействий. Основными слагаемыми парного потенциала в этом случае являются отталкивательный и кулоновский [c.182]

По разности энергий решетки ионных кристаллов оксидов и сульфидов Hg, Ag, Си. В(. Аз, Сс1, 8Ь. 2п. N1, Со. Ре(Н). РЬ. Ва, Ма, 8п(П), А1, 8г. Са [c.305]

Энергия решетки ионного кристалла при О К равна изменению энергии в следующем процессе [c.313]

Одной из характеристик взаимодействия между ионами является энергия решетки ионных кристаллов, которая определяется как энергия, вьщеляемая при соединении газообразных ионов с образованием одного моля твердого вещества [c.130]

Энергия решетки ионных кристаллов. В ионных кристаллах ионы, как имеющие заряд, все взаимодействуют между собой по закону Кулона с силой [c.171]

Обобщение понятия координации. Ионные кристаллы можно рассматривать как один из типов комплексов, поскольку в них катион окружен регулярно расположенными анионами. Анионы одинаково взаимодействуют со всеми соседними катионами и являются как бы обобществленными лигандами. Такой подход весьма полезен при рассмотрении энергии решетки ионного кристалла (разд. Б.З и В.З настоящей главы). [c.223]

Энергия решетки ионных кристаллов [c.315]

ЭНЕРГИЯ РЕШЕТКИ ИОННОГО КРИСТАЛЛА [c.16]

Оставим пока вопрос о взаимодействиях в стороне и остановимся на энергетике процесса гидратации. Если известны как энергия решетки ионного кристалла, так и энтальпия или стандартная свободная энергия растворения кристалла, то нетрудно вычислить изменение энтальпии или свободной энергии, сопровождающее растворение газообразного иона. Мы получаем таким образом термодинамические величины, свободные от каких бы то ни было произвольных допущений. [c.152]

Энергия решетки ионных кристаллов. В кристаллических структурах ионы противоположного знака взаимодействуют друг с другом [c.190]

Формулы энергии решетки ионных кристаллов в форме, удобной для расчетов. Энергия решетки ионного кристалла в той форме, которая была дана Борном (9), неудобна для практического пользования ею. Для расчета по этой формуле необходимо определить рентгеноструктурным м етодом межатомные расстояния, из коэффициентов сжимаемости найти величины для п (или р) и произвести весьма слож ный расчет структурного коэффициента. А. Ф. Капустинскому удалось значительно упростить формулу энергии решетки ионного кристалла при незначительном снижении точности окончательного результат а расчета. [c.193]

Энергия решетки ионных кристаллов....... [c.6]

Ряд эмпирических закономерностей был сформулирован А. Ф. Капустинским. Согласно правилу термохимической логарифмики, между энтальпией образования соединения в расчете на 1 г-экв и логарифмом порядкового номера элемента должна существовать линейная зависимость (если рассматривать ряд соединений с одним и тем же катионом или анионом [199]). А. Ф. Капустинский предложил также простое уравнение для вычисления энергии решетки ионных кристаллов [200]. Эти закономерности нередко использовались А. Ф. Капустинским и его учениками для приближенной оценки термохимических величин. [c.336]

ЭНЕРГИЯ РЕШЕТКИ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ [c.70]

Значения энергии взаимодействия растворенных ионов с окружающими молекулами растворителя достаточно велики они сравнимы с энергиями решетки ионных кристаллов. Изменения в энергии этих взаимодействий при замене растворителей меньше, но они все еще [c.66]

Поскольку величина g, входящая в равенства (1.1) и (1.2), равна Л—Тз, где /г — энтальпия, а — энтропия образования пары дефектов, то стоит рассмотреть энергетические эффекты, сопровождающие этот процесс, несколько подробнее. Энергия решетки ионного кристалла МХ вычисляется при стандартных условиях по реакции [c.14]

Дополнительное определение понятия кристаллической фазы. Кристаллической. чвл.чется фаза, атомы которой образуют строгий дальний порядок, характеризующ,ий внутреннюю и внешнюю симметрию кристалла. Он является следствием периодичности поля кристаллической решетки, распределения электронной плотности и ядер атомов в объеме кристалла. Устойчивые структурные формы подчиняются требованиям минимума свободной энергии. Энергетическая прочность кристалла характеризуется энергией решетки (ионный кристалл) или энергией атомизации (атомный кристалл). Механическая прочность—удельной свободной поверхностной энергией. [c.325]

Наиболее широко применяется выведенное А. Ф. Капустинским следующее уравнение для энергии решетки ионных кристаллов [c.181]

Как изменятся равновесное расстояние и энергия решетки ионного кристалла, если заряд иона возрастет в т раз [c.74]

По урггвнениям (Х. ) рассчитаем энергию решетки ионного кристалла. Для этого 1юдставляем в (Х.35) заряды ионов Zi = 2 Ъг = 1 и Ия = 3 - 0,74 10 м га- =f= 1,81 10 м. Тогда [c.141]

По уравнениям (X. 35) рассчитаем энергию решетки ионного кристалла. Для этого подставляем в (X. 35) заряды ионов 2х = 2 2 = I й 2л = 3 гмвг-ь = 0,74-10 м га- = 1,81-10" м. Тогда [c.150]

Если парциальные заряды еще удается оценить, то гораздо хуже обстоит дело с оценкой диэлектрической проницаемости среды е. Вообще говоря, е определяется атомными поляризуемостями взаимодействующих атомов, влиянием окружающего поля и растворителем. При малых расстояниях е должно быть близко к единице, но непременно больше единицы. Действительно в этом случае силовые линии проходят в основном от атома к атому (в вакууме), однако часть их все же должна пересечь другие атомы пептида и молекулы растворителя с увеличением расстояния е должно увеличиваться, но неясно — до какого значения например, если растворитель — вода, то надо полагать, что и на больших расстояниях е не должно достигать макроскопического значения— 81. Брант и Флори [6, 7], как, впрочем, и другие авторы, считали е постоянным — не зависящим от расстояния между парой рассматриваемых атомов, и приняли для него значение 3,5, близкое к значению высокочастотной диэлектрической проницаемости пептида. В работах Шерага [15,41] значения е варьировались от 1 до 4. Рамачандран [19], ссылаясь на успешные расчеты энергии решетки ионных кристаллов с вакуумным значением диэлектрической постоянной, предлагает остановиться на 1. Вопрос о выборе е мы рассмотрим подробнее на примере аланинового дипептида. [c.107]

Электростатическую разность потенциалов Аф можно определить как энергию, которую нужно приложить для перемещения единичного заряда из середины одной фазы в середину другой. При этом единичный заряд должен обладать такими свойствами, чтобы на него воздействовали только электростатические (силы кулоновского притяжения), но ни в коем случае но химические силы. Эти химические силы и энергия в конечном итоге также име ют электрическую природу, как, например, ван-дер-ваальсовы силы, обменная энергия, а также энергия решетки ионного кристалла, но тем не менее должны быть причислены к химической энергии . Электрический потенциал (гальвани-потенциал) ф некоторой фазы должен быть усредненным значением переменной на атомных расстояниях величины потенциала. В макроскопической области в глубине фазы ф является постоянной величиной. [c.121]

Р н с. 3,8. Схематичехкая кривая зависимости энергии решетки ионного кристалла от межион-ного расстояния. [c.79]

Брант и Флори [4], как, впрочем, и другие авторы, считали б постоянным — не зависящим от расстояния между парой рассматриваемых атомов, и приняли для него значение 3,5, близкое к значению высокочастотной диэлектрической проницаемости пептидной цепи. Шерага и сотр. [12, 34] варьировали значение б — от 1 до 4. Рамачандран [16], ссылаясь на успешные расчеты энергии решетки ионных кристаллов с вакуумным значением диэлектрической постоянной, предлагает остановиться на 1. [c.366]