Элементы V группы бинарные соединения

В табл. 43 выделены символы элементов, дающих бинарные соединения с тетраэдрическим расположением атомов хотя бы с одним из равноудаленных от IV группы элементов. [c.466]

Имитация структуры простых веществ р-элементов IV группы наблюдается также в ряде бинарных соединений типа А В 1 и А В ч (где А и А —элементы II и I групп соответственно, В и В " — р-элементы VI и VII групп). Ниже приведена часть периодической таблицы Д. И. Менделеева, в которой выделены символы элементов, дающих бинарные соединения с тетраэдрическим расположением атомов в структуре хотя бы с одним из равноудаленных от IV группы элементов [c.540]

Среди изученных пока карбидов силицидов, нитридов, сульфидов и других групп бинарных соединений металлов, как и у свободных металлов и их окислов, соединения переходных элементов имеют явное преимущество перед аналогичными соединениями непереходных металлов. [c.41]

Однако, если объединить заранее химические элементы и выписывать их не в порядке атом ных номеров, а по подгруппам (сверху вниз) периодической системы, то такая систематика будет в значительной мере лишена обоих указанных недостатков (см. табл. 27). В такой последовательности и целесообразно давать обзор соответствующих групп бинарных соединений с описанием их физико-химических свойств. Причем тройные и более сложные соединения элементов, принадлежащих одной области, будут иметь много общего с соответственными бинарными соединениями, и обзор их поэтому можно давать вслед за соответствующими бина р ньши соединениями, т. е. описание проводить не по строкам, а по столбцам. [c.266]

В соответствии с закономерным развитием электронных структур атомов характер химической связи (а следовательно, структуры и свойств) однотипных соединений в периодах и группах периодической системы изменяется закономерно. На примере бинарных соединений элементов второго периода [c.246]

В соответствии с изменением типа химической связи и структуры в свойствах бинарных соединений проявляется более или менее отчетливо выраженная периодичность. Об этом, например, свидетельствует характер изменения по периодам и группам стандартной энтропии, температуры плавления, энтальпии и энергии Гиббса образования в зависимости от порядкового номера элемента с положительной степенью окисления (рис. 130), В изменении параметров отчетливо проявляется также вторичная периодичность (рис. 131). [c.247]

В ходе кривых для разных типов бинарных соединений, естественно, проявляются и различия. Так, максимальная стабильность у галидов и сульфидов приходится на s-элементы I группы, у оксидов — на [c.248]

Имитация структуры простых веществ р-элементов IV группы наблюдается также в ряде бинарных соединений типа А"В и А В (где А и А — элементы II и I групп соответственно, В и В " — р-элементы VI и VII групп). [c.466]

Рис. 14-19. Температуры плавления (а) и кипения (б) бинарных соединений различных элементов с водородом. В пределах каждой группы периодической системы температуры плавления и кипения закономерно возрастают

В ходе кривых для разных типов бинарных соединений, естественно, проявляются и различия. Так, максимальная стабильность у галидов и сульфидов приходится на 5-элементы I группы, у оксидов — на 5-элементы И группы. Далее, у 5-элементов в целом наиболее устойчивы фториды, хлориды устойчивее бромидов в свою очередь бромиды устойчивее нитридов. Такая же разница в стабильности характерна для большинства р-элементов, но выражена менее резко. У -элемен-тов закономерности сложнее. [c.273]

В элементах побочных подгрупп изменение химических свойств в вертикальном направлении имеет свою специфику. В ПШ-под-группе от 8с к Ьа и Ас основные свойства элементов заметно усиливаются от амфотерных (у 5с) к ярко выраженным основным (Са— Ас), затем при достройке и /-подуровней при одном и том же числе слоев с элементами главных (А) подгрупп возрастает влияние увеличивающегося заряда ядра на валентные электроны. Это приводит к тому, что у элементов побочных подгрупп, в атомах которых завершается формирование внутренних слоев, может наблюдаться с увеличением Z возрастание ионизационных потенциалов, уменьшение химической активности, торможение нарастания радиусов атомов, ослабление основных свойств (например, в ряду Си — Ag— Аи). Химическая активность в этом ряду убывает с возрастанием порядкового номера, о чем свидетельствуют значения энергии Г иббса для бинарных соединений этих металлов. На золото сильное влияние оказывает лантаноидное сжатие. [c.92]

В настоящее время изучается обширная группа полупроводниковых материалов, представляющих собой химические (большей частью бинарные ) соединения. Интересно отметить, что среди этих соединений хорошими проводниковыми свойствами обладают соединения элементов, равноотстоящих от середины таблицы Менделеева, например вещества состава A i , где А — элемент III группы, а В — элемент V группы. Примеры полупроводников подобного рода фосфиды галлия и индия (GaP, InP), арсениды тех же метал- [c.458]

Ill группа. В этой группе бор по химическим свойствам сильно отличается от других элементов. Это объясняется малым радиусом атомов бора, и ион В имеет сильное электрическое поле и обладает большой поляризующей способностью. В бинарных соединениях бор проявляет большое сродство к кислороду и меньшее к галогенам. Эти свойства бора в значительной степени проявляются и в его комплексных соединениях. Аквосоли и аммиакаты он практически не образует, так как молекулы воды и аммиака в сильном электрическом поле атомов бора подвергаются диссоциации с отщеплением протона. [c.393]

Промежуточные значения АЕ (в пределах —0,1-ь4,0 эВ) характерны для полупроводников. Наиболее типичными примерами веществ с полупроводниковыми свойствами являются германий (Д = 0,б6 эВ), кремний (Д =1,14 эВ), бинарные соединения элементов П1 и V групп (А 1В ), П и VI групп (А В ) (ОаАз— [c.311]

Подгруппа титана. Общая характеристика элементов подгруппы титана. Валентная электронная конфигурация элементов 1УВ-группы (п — 1)(Рпб . Наличие четырех валентных электронов предопределяет возможность реализации высшей степени окисления +4, а энергетическая неравноценность этих электронных состояний служит причиной проявления переменных низших степеней окисления (+3 и +2), что характерно для титана. В бинарных соединениях элементы подгруппы титана выступают исключительно в качестве катионообразователей. В то же время эти элементы образуют и комплексные катионы, и ацидокомплексы, что свидетельствует об их амфотерности в широком смысле слова. [c.390]

В бинарных соединениях элементы группы IB проявляют степени окисления +1, - -2, +3. Соединения высших степеней окисления окрашены. Устойчивость их в ряду Си — Au растет. [c.401]

Практически во всех своих соединениях элементы группы П1В проявляют степень окисления - -З. При этом устойчивость бинарных соединений от 5с до Ас растет. Соединения чаще всего белые кристаллические вещества. [c.426]

В бинарных соединениях актиниды проявляют степени окисления от -(-2 до +6. Для элементов первой группы (от ТН до Ст) наиболее характерны +4 и +6, а для более тяжелых---(-3. [c.447]

В бинарных соединениях элементы группы IVB проявляют степени окисления +2, +3, +4. При этом стабильность соединений Э и в пределах группы от Ti к Hf снижается, а для соединений 3+ — растет. Поэтому Ti" " сравнительно легко восстанавливается до более низких степеней окисления, а для Zr и Hf почти во всех их соединениях характерна степень окисления +4. [c.455]

Иногда элементы подгруппы германия называют металлами IVA-группы. Формально в их число входит и сам германий. Однако, как известно, германий является типичным полупроводником с преимущественно ковалентной связью, а следовательно, металлом в свободном состоянии быть не может. Тем не менее в большом числе соединений с более электроотрицательными элементами германий выступает в качестве катионообразователя, что с химической точки зрения отражает металлическую природу элемента. В бинарных соединениях с металлами, т. е. элементами, расположенными слева от границы Цинтля, германий — анионообра-зователь, однако все эти соединения обладают металлическими свойствами, что характеризует германий как плохой анионообра- [c.214]

В соответствии с закономерным развитием электронных ipvi тур атомов свойства однотипных соединений в периодах и группах периодической системы изменяются закономерно (рис. 104). Р к смотрим бинарные соединения элементов второго периода [c.197]

Положительная поляризация атомов водорода наблюдается в его многочисленных соединениях, являющихся ковалентными при обычных условиях это газы (НС1, НзЫ), жидкости (НаО, НР, НМОз), твердые вещества (Н3РО4, Н2310з). Свойства этих соединений сильно зависят от природы элемента, с которым непосредственно связан водород. В частности, для соединений, содержащих связи Р—Н, О—Н и N—Н, особо характерна водородная связь. Вследствие этого НР, НаО и НзМ проявляют аномально высокие температуры плавления и кипения по сравнению с однотипными бинарными соединениями водорода, образованными остальными элементами данной группы (рис. 156). Аналогичный ход кривых наблюдается и в величинах теплот испарения этих соединений. [c.292]

Смешанный вид химической связи встречается в бинарных соединениях элементов, из которых один — металл, а другой — неметалл и электроотрицательности элементов отличаются недостаточно для того, чтобы связь считать ионной. Здесь имеется группа соединений, включающая отдельные халькогениды (например, AI2S3), пниктогениды ( a3N2), карбиды (ВегС), силициды (СагЗ ). Природа химической связи в этих соединениях — ковалентная сильно полярная или, как говорят, смешанная между ионной и ковалентной. Поэтому данные соединения проявляют свойства как ковалентных, так и ионных соединений, но не в полной мере. Большинство из них — солеобразны, как и ионные соединения. Однако в водных растворах они разлагаются, как многие ковалентные бинарные соединения, например [c.341]

Полупроводники характеризуются удельным электрическим сопротивлением от 10 до 10 Ом-м. К полупроводникам относятся простые вещества, находящиеся при условиях, близких к нормальным, в твердом состоянии В, С, 81, Се, 8п, Р, Аз, 8Ь, 8, 8е, Те, I. Полупроводниками являются многие бинарные соединения оксиды (2пО, РеО), сульфиды (2п8, С<18), пниктогениды (СаАз, 2п8Ь), карбиды (81С), а также сложные соединения. Наиболее распространенные бинарные соединения полупроводников можно определить по простому правилу — это должны быть соединения по числу валентных электронов изоэлектронные бинарному соединению из атомов IV главной подгруппы. То есть это соединения элементов только четвертой, третьей и пятой, второй и шестой групп периодической системы. Ширина запрещенной зоны в полупроводниках изменяется от 0,08 эВ (у металла Зп) до 5,31 эВ (у неметалла С(алмаз))- [c.635]

Многоэлементные вещества, в формулах которых одна из составляющих содержит не связанные между собой атомы нескольких элементов, а также одноэлементные или многоэлементные группы атомов (кроме гидроксидов и солей), рассматривают как бинарные соединения, например SO, IO2F3, SBrOjF, r0(02)2, [c.15]

Галлий и индий образуют с р-элементами V группы периодической системы бинарные соединения типа А" (например, ОаР, ОаАз, 1п5Ь и др.). В преобладающем большинстве соединений типа А" В электронные орбитали р -гибридизованны кристаллические решетки этих соединений имеют структуру, характеризующуюся тетраэдрическим расположением химических связей. Многие из этих алмазоподобных соединений — полупроводники. Их используют как материал для выпрямителей переменного тока, датчиков, термоэлектрических генераторов и др. [c.270]

VII А-группу составляют шесть элементов водород Н, фтор F, хлор С1, бром Вг, иод I и астат At. F, С1, Вг и I образуют семейство галогенов (от греч. hals — соль и genes — рождающий). Это объясняется их способностью образовывать бинарные соединения тица Na l за счет проявления ими окислительных свойств. Атомы всех шести элементов склонны Присоединять по одному электрону (Э- -е = Э ), достраивая свою электронную оболочку до устойчивой оболочки атомов ближайшего благородного газа. Эти элементы, за исключением астата и отчасти иода, — типичные неметаллы. Показатели их главных свойств приведены в табл. 17. [c.209]

Атомы всех элементов с IVA-по VIIA-rpynny устанавливают с атомами водорода ковалентные связи, что приводит к образованию отдельных молекул, и поэтому соединения элементов названных групп с водородом являются летучими веществами с низкими температурами кипения. Если бинарные соединения называть по более электроотрицательному элементу, то соединения водорода с элементами второго периода следует называть метан СН< — карбидом водорода, аммиак NH3 — нитридом водорода, воду Н2О — оксидом водорода и фтороводород HF — фторидом водорода. [c.213]

Галогениды 5 - и р-элементов. Галогенидами называют бинарные соединения галогенов с более электроположительными элементами. Галогениды 5- и р-элементов существенно различаются по свойствам. Галогениды металлов 1А и ПА групп (кроме галогенидов бериллия) —типичные ионные соединения. За исключением Сар2, они хорошо растворимы в воде, обладают кристаллическими решетками с высокими значениями координационных чисел (6 или 8), плавятся и кипят при высокой температуре, в растворе и расплаве проводят электрический ток. [c.408]

Как правило, -элементы не дают бинарных соединений определенного состава с водородом (кроме I, II и III групп). Весьма характерны для них карбиды, нитриды, фосфиды, бориды и т. п. Переходные элементы могут образовывать соединения, не имеющие аналогов среди соединений непереходных элементов, типа [Ре(СО)5]2, [Fe( 0)2(N02)], K[Nb( 0)5], Ks [Fe( N)sNO], (я-С.5Н5)2ре. Для тяжелых переходных 5 -элeмeнтoв характерны кластерные соединения, в которых наряду с ковалентными связями имеют место связи металл—металл (М—М) типа (ТабС1б)2С12- [c.499]

Правило октета позволяет определить размещение элементарных полупроводников и компонентов полупроводниковых соединений в Периодической системе. В самом деле, насыщенные ковалентные связи могут существовать в кристаллах Si, Ge, a-Sn, Р, As, Sb, S, Se, Те, I2, которые расположены компактной группой на границе между типичными металлами и неметаллами. В химическом отношении, следовательно, элементарные полупроводники, как правило, обладают амфотерными свойствами. Наиболее ярко выражены полупроводниковые свойства у элементов IV группы, кристаллизующихся в структуре алмаза с тетраэдрической ориентацией атомов. Полупроводниковые свойства характерны и для бинарных соединений, составные элементы которых равноотстоят от элементов IV группы (AiiiB ",AiiB "i, АШ " ). Сумма номеров групп, в которых находятся компоненты этих соединений, равна восьми, что соответствует общему количеству валентных электронов на формальную единицу. По этому признаку формируются так называемые изо-электронные ряды кремния, германия и серого олова [c.319]

Радиусы атомов элементов VIA-группы соответственно меньше, чем атомов VA-группы. Поэтому халькогены не огдают электроны и не превращаются в элементарные катионы, но они присоединяют электроны, так как сродство к электрону у них высокое, и образуют Э -. Правда, такие ионы существуют только в бинарных соединениях халькогенов с активными металлами в кристаллическом состоянии и расплавах. В водных растворах они гидролизуются (переходят в более устойчивые ионы), например [c.240]

В соответствии с преобладающим типом химической связи в бинарных соединениях реализуются pa3jjH4Hue кристаллические структуры плотно упакованные ОЦК и другие для металлидов (к.ч. 8, 12 и более), менее плотно упакованные (к.ч. 6, 8) для солеобразных ионных кристаллов и "рыхлые" структуры с невысокими координационными числами (к.ч. < 4) для ковалентных соединений. В последнем случае возможно также образование слоистых, цепочечных и молекулярных кристаллических структур. Изменение типа кристаллической структуры в зависимости от характера химической связи в бинарных соединениях можно проследить в так называемых изоэлектронных рядах. Изоэлектронным рядом называют последовательность соединений с одинаковым средним числом валентных электронов на атом. Наиболее известны и показательны в этом отношении изозлектронные ряды соединений, компоненты которых расположены симметрично относительно элементов IVA-группы. Четыре валентных электрона на атом обеспечивают возникновение пространственных тетра.эдри ческих структур с ковалентным типом связи у простых веществ этой группы. [c.258]

Например, в соединениях С(1зР2 и С(ЗР2 общее число валентных электронов на формульную единицу (пе) равно соответственно 16 и 12, а число атомов анионообразователя (Л а) — 2 и 2. Для dзP2 получаем 16/2 + Ьд, = 8, т.е. Ьа = О (анион-анионные связи отсутствуют). В случае dP 12/2 + 6а = 2, т.е. = 2 (присутствуют две анион-анионные связи на формульную единицу). Это правило применимо лишь для бинарных соединений з- и р-металлов, а также -элементов с полностью завершенной -оболочкой (подгруппы меди и цинка). Для пе]1еходных металлов с дефектной -оболочкой это правило трудно использовать, поскольку заранее невозможно оценить число валентных электронов металла, участвующих в образовании связей. Кристаллохимическое строение анионоизбыточных фаз достаточно сложно. Часто в структурах существуют слои, цепочки или изолированные группы из нескольких атомов анионообразователя. [c.261]

Свойства бинарных соединений элементов рассматриваемой группы от углерода к сиинцу меняются довольно закономерно. Это особенно характерно для соединений без кратных связей типа ЭХ4 (X — галогены, водород). Почти все они имеют молекулярную структуру, однако устойчивость таких соединений для углерода намного выше, чем для остальных элементов. Оксиды и сульфиды углерода резко отличаются по свойствам от аналогичных соединений остальных элементов для первых характерна молекулярная структура, для вторых—атомная (полимерная) структура с переходом к преимущественно ионной у 5п и РЬ. [c.222]

Другие бинарные соединения водорода. Среди бинарных соединений водорода различают следующие их группы солеподобные гидриды s-элементов группы IA, щелочноземельных металлов, металлоподобные гидриды elvi /-элементов, ковалентные водородные соединения /7-элементов. [c.380]