Линейные и плоские дефекты

Дефекты в кристаллах могут возникнуть при механических воздействиях, деформациях, когда появляются всевозможные макродефекты (трещины, сдвиги и т. п.). В процессе выращивания кристаллов несоблюдение необходимых условий может вызвать образование линейных дефектов, перемещений (дислокаций) целой группы частиц. К сложным искажениям кристалла относятся плоские дефекты, при наличии которых поликристаллические тела могут состоять из набора блоков, зерен, соединенных между собой и произвольно ориентированных. [c.141]

Что такое линейные и плоские дефекты кристаллов и каким образом они возникают [c.381]

Влияние линейных и плоских дефектов на свойства твердых тел. Более сложным видом нарушений структуры кристалла являются линейные дефекты или дислокации. Их возникновение обусловлено нарушением местоположения целой группы частиц, размещенных вдоль какой-либо воображаемой линии в кристалле. Возникновение дислокаций требует большой энергии, поэтому их число мало зависит от температуры кристалла и в обычных кристаллических образцах имеет порядок 10 —10 в 1 см . Как правило, дислокации образуются в процессе выращивания кристалла или при его механической и термической обработке. [c.81]

ЛИНЕЙНЫЕ И ПЛОСКИЕ ДЕФЕКТЫ [c.62]

Вместо применения,,АРД-диаграммы можно пойти по более -старому и казалось бы более простому пути, использовав круглые дисковые отражатели в форме отверстий с плоским дном, варьируемых по диаметру и расстоянию в сравнительно большем числе эталонных образцов. Эквивалентный отражатель может быть найден путем подбора, при необходимости с применением линейной интерполяции, и для не слишком сильно различающегося расстояния. Однако такие наборы (комплекты) эталонных образцов дороги и пригодны только для относительно небольшого диапазона размеров дефектов и расстояний до их. К тому же у наборов образцов, стандартизованных в США (см. главу 34), поперечный размер не слишком велик, так что лри широко раскрытых звуковых пучках может сказаться мешающее воздействие боковых стенок. Для более значительных расстояний, (около 0,5 м), которые достаточно часто встречаются при контроле, изготовить серии (комплекты) эталонных образцов практически нельзя. Поэтому метод АРД-диаграмм является более универсальным. Если бы все изготовители одновременно со своими искателями поставляли и такие диаграммы, можно было бы сэкономить еще и на пересчете стандартных величин. Однако уже имеются программируемые карманные компьютеры, которые могут выполнить вычислительную работу даже и по компенсации затухания [1135]. [c.379]

Вероятность того, что образуется осколок объемом V, обусловливается, тем, что внутри объема V разрушение не происходит и что оно наступает в приграничном бесконечно малом объеме (1У. Это разрушение может быть вызвано, согласно предпосылкам, плоскими или линейными дефектами. [c.14]

Расчеты, основанные на принципах линейной механики разрушения, базируются на определении и применении значений вязкости разрушения в условиях плоской деформации. Эти условия, как правило, более жесткие, по сравнению с рабочими условиями, для большинства сосудов давления, выполненных из сталей пониженной прочности, в которых разрушению обычно предшествует существенная локальная пластическая деформация у конца инициирующего дефекта. Консервативный характер получаемых результатов, сложная экспериментальная техника и необходимость определения размеров и остроты реальных дефектов с высокой степенью точности — все это обусловило сравнительно редкое применение расчетов, основанных на принципах линейной механики [c.163]

Такого сорта дефекты могут быть достаточно протя-. женными в одном или нескольких направлениях соответственно они будут линейными (один размер много больше размера атома), плоскими, объемными. Напри- мер, пора и трещина — объемные дефекты. [c.86]

ГЧ УЛьпые кристаллы. Кристаллы, состоящие из соверщенно оди-нaк JBыx элементарных ячеек, называются идеальными. Образующиеся в реальных условиях кристаллы могут несколько отличаться от кристаллов идеальных. Реальные кристаллы построены из некоторого числа блоков правильного кристаллического строения, расположенных приблизительно параллельно друг другу, ио все же несколько дезориентированных. Это явление называется мозаичностью структуры кристаллов, которая ведет к возникновению дислокаций, т. е. линейных, а также поверхностных и объемных дефектов структуры, образующихся 1з процессе роста кристаллов или же при пластической деформации. Помимо дислокаций в реальных кристаллах образуются также участки неупорядоченности, локализованные обычно около отдельных узлов решетки, — так называемые плоские дефекты. [c.72]

Обращают на себя внимание малые значения толщины диффузионной зонь1, составляющие единицы атомных монослоев, что не соответствует физ ическим представлениям о механизме объемной взаимодиффузии. Указанное противоречие разрешается, если принять, что наряду с вакансионным механизмом массотереноса в сплавах замещения заметный вклад в общий диффузионый поток (особенно при комнатной температуре) дает массоперенос по линейным и плоским дефектам структуры — дислокациям и межзеренным границам. [c.90]

Мезофазные сферы в момент их возникновения и при последующем росте, по данным световой микроскопии в поляризованном свете, а также дифракционного и рентгеноструктурного анализов, являются оптически одноосными положительными кристаллами гегсагональной системы. Показанные на рис. 2-4, а изгибы слоев приводят к тому, что на краях они перпендикулярны к касательной поверхности сферы. Это, по-видимому, способствует начальной коалесценции. В условиях относительно низкой подвижности мезофазы и случайной взаимной ориентации коалесцирующих сфер образования простой слоистой структуры не происходит. При этом возникают структуры, отличающиеся множеством дефектов упаковки слоев линейных, изгибов, нарушений непрерывности. Исследования профилей рефлексов (002) рентгенограмм мезофазы с учетом эффектов гьбсорбции и поляризации рентгеновских лучей, а также фактора рассеяния атомов углерода показывают, что средние значения межслоевого расстояния 002 равны примерно 0,350 нм [2-89]. Отдельные пачки слоев с разными значениями межслоевого расстояния имеют размеры до 2 нм. При нагревании сферы мезофазы могут расщепляться и приобретать относительно плоскую конфигурацию. То же происходит и при графитации мезофазы. Флуктуация межслоевых расстояний у графитирующейся мезофазы наивысшая. [c.46]

При анализе выражения (11.12) понятия простоты для математической и физической модели существенно различаются. Простые функции p(>v) могут иметь очень сложный физический смысл. Особенно трудно объяснить наиболее простую с математической точки зрения равномерно неоднородную поверхность, когда p(X)= onst. Функция p( )= onst не может быть связанной со структурной неоднородностью поверхности, так как ей отвечает одинаковое количество адсорбционных мест для элементов кристаллической решетки с различной размерностью (точечные дефекты, линейные дефекты и ребра кристаллов, плоские поверхности), что принципиально невозможно. [c.26]

Линейная механика разрушения. Наиболее эффективно проблема хрупкого разрушения решается с помощью линейшй механики разрушения. Анализ напряженного состояния в зоне острой трещины упругого материала в сочетании с критическим коэффициентом интенсивности напряжений при плоской деформации (/С/с) позволяет найти условия, при которых трещина будет быстро распространяться [54]. Определив вязкость разрушен1йя, устанавливав допустимые величины дефекта и остроту надреза, которые при заданном напряжении не будут распространяться. При этом для каждой части конструкции необходимо исполь ю-вать соответствующую ей вязкость разрушения, так как метал" . листа, шва и зоны термического влияния сварки имеет разную , вязкость при разрушении. Этот метод применяется при выборе высокопрочных материалов (а , = 150 кгс/мм ) дорогостоящих конструкций или когда разрушение конструкции приводит к катастрофическим последствиям. [c.162]

Дислокационная модель разрушения кристаллов. В работах [923—944] предприняты попытки объединить представления теории дислокаций и кинетической концепции разрушения. Такой подход к решению проблемы разрушения кристаллических тел привлекателен тем, что учитывает реальные особенности строения продеформированных кристаллов — наличие дислокаций, которые во многом предопределяют механические свойства. Существование дислокаций обеспечивает возможность образования устойчивых трещин в телах, не содержащих грубых дефектов. Согласно оценкам [967] в кристаллах могут существовать тонкие плоские трещины с линейными размерами вплоть до 10 —Ю СуИ. Если бы вокруг этих трещин не было дислокаций, то трещины самопроизвольно захлопывались бы с образованием призматических дислокаций, поскольку упругая энергия дислокации меньше, чем поверхностная энергия трещины. При наличии скопления дислокаций становится возможным возникновение трещин. Как показано в [968], если ряд одноименных дислокаций останавливается препятствием, то большие перенапряжения вблизи головной дислокации могут вызвать локальное разрушение связей и образование микротрещин. [c.477]

Определенное представление о характере течения непосредственно в окрестности линии сопряжения плоской и криволинейной поверхностей дает анализ экспериментальных профилей скорости, аппроксимированных степенной формой U/Ug = /[( у/й)Трудность состоит в том, что в качестве поперечной координаты в пограничном слое необходимо использовать такое направление, которое при любом значении у тл z совпадает с нормалью к стенке, являясь вместе с тем и нормалью к соответствующим изотахам. Указанное направление, характеризующееся криволинейной координатой можно определять, например, путем графического дифференцирования с использованием достаточно подробных данных о поле изотах в анализируемом сечении двугранного угла. Далее зависимости и/и g = /д) целесообразно построить в логарифмических координатах, что дает возможность просто и сравнительно точно определить показатель степени 1/п в профиле скорости. Пример представления таких зависимостей для различных значений у и z показан на рис. 3.11 для модели Ro при х = 1105 мм (х = 0.85). Видно, что если отступить от классической схемы деления пограничного слоя в рамках стенки и закона дефекта скорости, то измеренное распределение скорости можно с удовлетворительной точностью аппроксимировать двумя линейными зависимостями с различными показателями степени ( 1//i)j — для внутренней и ( 1/п)ц — для внешней областей слоя. Такие данные, полученные в направлении размаха двугранного угла, дают возможность представить изменение величины 1/п в самой области взаимодействия пограничных слоев и за ее пределами, которое для областей I и П приведено на рис. 3.12, б, о в виде зависимостей ( l/n)j = /( у, z) и ( l/ )jj = f (у, z) соответственно для моделей Ro и R6". Для сравнения (рис. 3.12, а) показаны аналогичные данные в двугранном угле, образованном пересекающимися под прямым углом плоскими гранями (R = оо). В последнем случае распределение показателя степени как во внутренней, так и во внешней частях пограничного слоя симметрично относительно биссекторной плоскости угла ( у = z = 0). Немонотонный характер зависимостей ( l/n)f = /( у, z) и ( l/ )ff = f(y, z) по размаху двугранного угла вызван [c.187]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология