Применение ионного проектора

Применение ионного проектора для адсорбционных исследований еще только начинается. Поэтому пока трудно проводить подробное сравнение достижений, полученных с применением этого метода и методов флэш-десорбции и обычного электронного проектора. В настоящее время число систем, которые можно успешно исследовать в ионном проекторе, ограничено вследствие того, что для получения изображения требуются мощные поля, а также из-за десорбции адсорбированного слоя под влиянием поля и электронной бомбардировки. Однако огромная важность ионного проектора как метода исследования адсорбции совершенно очевидна из уже выполненных работ, а дальнейшие технические усовершенствования должны сильно расширить область его применения. [c.248]

ПРИМЕНЕНИЕ ИОННОГО ПРОЕКТОРА [c.207]

Другой проблемой, с которой обычно сталкиваются при проведении адсорбционных исследований с применением метода ионного проектора, является диссоциация в поле. Например, адсорбированная молекула углеводорода мон- ет терять свободно свисающие атомы водорода они либо непосредственно отрываются под действием поля, либо, если эти атомы водорода находятся достаточно далеко от поверхности, они теряются за счет ионизации в поле. Молекула углеводорода может также расщепляться при адсорбции. Разумеется, с помощью ионного проектора невозможно установить, являются ли адсорбированные частицы исходной молеку-,лой углеводорода или ее осколками. Тем не менее применение ионного проектора для исследования адсорбции веществ типа углеводородов обещает дать важную информацию. Например, в лаборатории авторов было показано, что ацетилен на вольфраме при температуре ниже 700 К неподвижен. Поэтому можно ожидать, что ионный проектор поможет обнару/кить некоторые структурные особенности, присущие ацетилену в процессе адсорбции. [c.213]

Оригинальны по замыслу опыты, в которых применение ионного проектора сочеталось с масс-спектрометрией десорбируемых молекул. Значение приводимых данных для катализа несколько снижается спорностью распространения выводов [c.5]

Данная статья посвящена краткому изложению теоретических вопросов в ней описаны также некоторые применения электронного и ионного проекторов в каталитических исследованиях, проводимых в настоящее время главным образом в Чикагском университете. Здесь не делается попытки дать полный обзор всех работ в этой области и поэтому работы, не связанные непосредственно с каталитическими проблемами, не рассматриваются. Дано краткое описание экспериментальных методов. [c.104]

Электронный и ионный проекторы а их применения 105 [c.105]

Электронный и ионный проекторы и их применения [c.107]

Электронный и ионный проекторы и некоторые их применения для катализа и хемосорбции. [c.182]

Теоретич. основы действия электронного и ионного проектора. Применение их для изучения хемосорбционных слоев на металлах. [c.182]

Вывод о том, что автоэмиссионная микроскопия может с успехом применяться для изучения роста кристаллов, по нашему мнению, является недостаточным. Дело в том, что она уже используется в этой области, и применение новой методики, как и должно быть в таком случае, не только решает какие-либо давно поставленные задачи, но и ставит новые. Ионный проектор во всех случаях дает возможность исследовать элементарные структуры и элементарные механизмы. Электронный проектор, особенно при импульсном питании, предоставляет широкий спектр возможных наблюдений кинетики процессов. [c.170]

Существует два основных подхода к конструированию трубки для каталитических исследований полное погружение запаянного проектора в жидкий гелий или водород, описанное Гомером [19 . и непрерывная откачка трубки, примененной впервые Мюллером для исследования ионной эмиссии и приспособленной позднее Эрлихом [9] для изучения хемосорбции методом эмиссии электронов. [c.184]

Ионный проектор оказался наиболее полезным в области металлургии. Именно здесь проявились открываемые им возможности исследования атомной решетки и атомных дефектов, о которых можно только косвенно судить на основании других методов. В превосходном обзоре по применению ионного проектора Мюллер [40] привел ряд примеров исследования дефектов в кристаллах металлов. Допо.инительными методами являются масс-спектроско-пия, поверхностная адсорбция и диффузия, два последних имеют важное значение для катализа. [c.211]

Подробный обзор по вопросам, относящимся к ионному проектору, его работе и применениям, опубликован Мгол.пером [69], [c.202]

Основными методами изучения Д. в кристаллах служат электронно-микросконич. наблюдение расположения атомных плоскостей в кристаллах декорирование Д. примесями с наблюдением в видимом или ИК-свете металлографич. травление точек выхода Д. на поверхность кристалла изучение фигур спирального роста с применением фазовоконтрастной микроскопии, многолучевой интерферометрии и ионного проектора поляризационно-оптич. определение внутренних напряжений, рентгеновские исследования, а также измерения электропроводности, плотности и комбинации этих методов. [c.573]

Имеются различные способы получения более яркого изображения. Это, во-первых, воздействие внутри проектора путем экранирования острия от поля небольшой катушкой [43] (которая может потенциально явиться источником загрязнений в каталитических исследованиях) и, во-вторых, внешнее воздействие путем фотоэлектронной интенсификации изображения [31]. Катушка применяется для ослабления поля вблизи острия и обеспечения более высоких разностей потенциалов между острием и экраном для получения необходимых полей на острие. В результате более высокого напряжения ионы приобретают большие кинетические энергии перед их соударением с экраном. Следовательно, более яркие изображения получают с соответствующим уменьшением времени экспозиции (до стократного). Наиболее успешная внешняя фотоэлектронная интенсификация изображения осуществлена Мюллером и др. [31] они смогли получить мельчайшие разреши-Д1ые детали изображения при усилении около 10 . Ири таком усилении применение ионной микроскопии в катализе представляется весьма перспективным. [c.211]

Автоэлектронная микроскопия и метод ионного проектора. Количественные сведения об элементарных процессах и энергиях активации диффузии примесных атомов или молекул, адсорбированных на поверхностях металлов, а также данные о подвижности собственных атомов кристалла, можно получить с помощью автоэлект-ронного микроскопа К В этом случае благодаря применению сильных электрических полей (величины порядка 10 ej M) происходит эмиссия электронов с острия исследуемого материала, нагреваемого в высоком вакууме и служащего катодом. Для этого используют нити из тугоплавких металлов (например, Pt, W, Fe, Мо), имеющие полусферическое острие с малым радиусом кривиз- [c.364]

Большие успехи в изучении X. достигнуты в последнее время благодаря применению новейших физико-химич. методов исследования. Напр., изучение X. на металлич пленках (N1, Р1), полученных в ультравакууме (10 —10 мм), показало, что такие пленки обладают большой ненасыщенностью. Молекулы На, Оа II других газов хемосорбируются на них без энергии активации. Малые значения динольного момента этпх хемосорбированных слоев, обнаруживаемые измерениями работы выхода электронов, указывают на образование ковалентной связи. Вероятно, в ней участвуют -электроны металлов. В присутствии загрязнений может наблюдаться энергия активации за счет хпмич. реакции адсорбата (На, Оа) с этими загрязнениями. Энергия активации при X. на металлах может указывать также на растворение газа в поверхностном слое. Изучение хемосорбированных слоев на металлах методами дифракции медленных электронов эмиссионного электронного и ионного проекторов показало в ряде случаев кристаллохимич. соответствие структуры хемосорбированного слоя и объема металла и резкую зависимость структуры хемосорбированного слоя и величины X. от кристаллографич. индекса грани. Напротив, при адсорбции Оа и J. на Ое-было обнаружено отличие структуры хемосорбированного слоя от объема адсорбента. [c.313]

Перед тем как переходить к описанию действия ионного проектора и дать сведения о его применении, следует выяснить, какое разрешение имеет электронный проектор. На первый взгляд кажется, что разрешение связано с дебройлевской длиной волны электронов, создающих изображение. Однако при внимательном рассмотрении этого вопроса становится ясно, что нужно учитывать длину волны электронов, ударяющихся об экран, которая соответствует конечному напряжению и потому очень мала. В большинстве случаев (за исключением, вероятно, получения изображений молекул) фактором, ограничивающим разрешение, является статистическое распределение скоростей электронов перпендикулярно направлению эмиссии [1, 10]. Можно показать, что при величине В кинетической энергии электронов, движущихся в поперечном направлении, разрешение с1 равно [c.114]

Ниже приводятся краткие сведения о технике экспериментов, проводимых с применением электронного и ионного проекторов.. Изготовление колб для проекторов. Колбы для проекторов могут быть изготовлены из пирексовых круглодонных колб произвольного размера, но некоторые исследователи предпочитают иметь плоские экраны. Нижнюю часть колбы покрывают суспензией виллемита в растворе коллодия, к которому добавлено несколько капель бутилфталата, являющегося пластификатором. После тщательной сушки (испарения амилацетата, служащего в качестве растворителя) колбу медленно нагревают в печи до 400—500° С. При этом коллодий разрушается, оставляя довольно стойкий налет люминофора. Последний еще более стабилизируется и приобретает электропроводность при напылении на него алюминия или платины. Более простое в изготовлении, но менее совершенное покрытие получается смачиванием слоя люминофора платиновым раствором марки Хановия с последующей сушкой и нагреванием до 200—400° С. Покрытие, получаемое этим методом, имеет удовлетворительную электропроводность, но отличается меньшей отражательной способностью, вследствие чего изображения обладают пониженной яркостью. Электрические вводы для анода и петли, несущей острие, осуществляются с помощью впаев вольфрама в стекло нонекс (рис. 3). Анодный ввод соединяется внутри колбы с экраном при помощи тонкого слоя платины, наносимого из раствора, или для этого используется [c.146]

В предыдущей главе читатель познакомился со всем разнообразием видов нанокластеров, наносистем и наноструктур. Как уже отмечалось, одной из основных характерных черт таких объектов является наличие у них развитой поверхности. Поверхность конденсированного состояния вещества обладает столь больщим разнообразием свойств и применений, что это стимулировало развитие известных и привело к появлению ряда новых специфических методов. Это прежде всего методы, основанные на регистрации электронов в различных применениях дифракция электронов, полевые методы — полевая электронная и ионная спектроскопия (спектроскопия электронного и ионного проектора), различные виды электронной микроскопии, электронная РФС-, УФС- и Оже-спектроскопия, далее следует дифракция рентгеновского излучения с применением синхротронного излучения, методы ЕХАРЗ, XANS. Методы оптической, ИК- и спектроскопии комбинационного рассеяния, мессбауэровской спектроскопии весьма эффективны как для изучения состояния поверхности, так и для изучения внутренних слоев нанокластеров. Наконец, остаются, конечно, востребованными хорошо разработанные методы ЯМ и ЭПР радиоспектроскопии. [c.40]

Обзор, посвшценный приложениям методики автоэмиссионной микроскопии (электронных и ионных проекторов) к проблемам роста кристаллов, главньш образом к начальным стадиям роста, в том числе роста двумерных кристаллов. Кратко изложены основы техники эксперимента и интерпретации электронно- и ионно-оптических изображений в опытах с проекторами. Подробно обсуждены, следующие направления исследований рост и зарождение трехмерных кристаллов при конденсации из атомного пучка иа тугоплавком металле рост и растворение двумерных кристаллов одного переходного металла на другом, кинетика этих процессов и область равновесия между ними двумерные скопления, возникающие при конденсации на относительно холодной подложке двумерные и одномерные ассоциации, изучаемые в атомном масштабе (ионный проектор) кристаллические наросты как следствие одномерных перемещений — во всех этих случаях наряду с изложением фактов анализируется их достоверность с методической точки зрения. Кратко изложены применения проекторов к многослойньш кристаллическим образованиям нитевидным кристаллам, эпитаксиальньм наростам, электролитическим осадкам. [c.402]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология