Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Диэлектрические зависимость от структур

    Основываясь на современных исследованиях Н-связи, можно сделать предположение, что процесс поляризации существенно зависит от перемещения и положения протона Н-мостика в электрическом поле. Так, в работах [206, 660] при рассмотрении влияния среды на структурную форму комплекса с водородной связью (КВС) отмечается зависимость этой формы от диэлектрической проницаемости среды. При исследовании водородной связи О—Н---М обнаружено, что с повыщением диэлектрической проницаемости раствора происходит переход КВС из молекулярной формы в ионную с последующей диссоциацией комплекса при более высоких значениях е раствора [660, 661]. Существенно, что перенос протона вдоль Н-связи в КВС, как установлено в работе [662], вызывается реорганизацией среды. Хотя влияние среды на связь О—Н---0 мало изучено, высокая подвижность протонов в структуре льда все же д ет основание предполагать, что в образуемых при определенных величинах сорбции КВС возможна миграция протона Н-связи. [c.246]


    Большое число работ убедительно демонстрирует отличие свойств жидкости, находящейся вблизи поверхности, от свойств в ее объеме [14, 36, 87, 114, 466—475]. Так, обнаружена аномалия диэлектрических свойств [469, 470], эффект ск ачкообразно-го изменения электропроводности [470], изменение вязкости в зависимости от расстояния до твердой- стенки [114, 471, 472], появление предельного напряжения сдвига жидкости при приближении к поверхности твердого тела [14, 473, 474]. Для набухающего в водных растворах 1 а-замещенного монтмориллонита обнаружена оптическая анизотропия тонких прослоек воды [36] найдено изменение теплоемкости смачивающих пленок нитробензола на силикатных поверхностях [475]. Установлено отличие ГС от объемной жидкости по растворяющей способности, температуре замерзания, теплопроводности, энтальпии. В. Дрост-Хансеном опубликованы обзоры большого числа работ, содержащие как прямые, так и косвенные свидетельства структурных изменений в граничных слоях [476—478]. В качестве косвенных доказательств автор приводит, в первую очередь, существование изломов на кривых температурной зависимости ряда свойств поверхностных слоев. Эти температуры отвечают, согласно Дрост-Хансену, разной перестройке структуры ГС. Широко известны также работы Г. Пешеля [479] по исследованию ГС жидкостей (и, прежде всего, воды) у поверхности кварца в присутствии ряда электролитов. [c.170]

    Измеряя температурную зависимость диэлектрической проницаемости газа, можно найти электрический дипольный момент его молекулы и поляризуемость а ар. Для этого обрабатывают экспериментальные данные о зависимости от 1/Г по методу наименьших квадратов И находят коэффициенты Ап В линейной зависимости (19.10) и, следовательно, Од и ц. От поляризуемости молекул зависит так называемое дисперсионное взаимодействие атомов и молекул, которое играет важную роль в свойствах жидкостей и растворов, в процессах адсорбции, конденсации и др. Поляризуемость молекул важна при учете взаимодействия их с электромагнитным полем. Ею определяется интенсивность рассеяния света молекулами, в частности комбинационное рассеяние света (КР). Спектроскопия КР — важный метод исследования структуры. молекул. [c.75]

    Диэлектрометрия. Под этим термином объединены методы анализа, основанные на измерении диэлектрической проницаемости (ДП) веществ, которая отражает зависимость диэлектрической поляризации от изменения концентрации, структуры или состава межэлектродной среды. [c.6]


    В справочнике приведены данные по различным методам получения пленок, по структуре пленок, методам ее исследования и зависимости структуры и параметров пленок от технологии по физическим свойствам полупроводниковых, диэлектрических, ферромагнитных, пьезоэлектрических и сверхпроводящих пленок. Справочник является универсальным справочным пособием для инженеров и конструкторов радиоэлектронной аппаратуры, разработчиков интегральных микросхем и радиоэлектронных элементов, научных работников, аспирантов и студентов. [c.664]

    Температурная зависимость логарифма диэлектрической проницаемости воды приведена на рис. 3.11. Как следует из зависимости, кривая имеет два прямых участка I (0-4Г С) и II (41-100° С) с точкой перегиба при 41° С. Наличие двух участков прямой свидетельствует о существовании двух диэлектрически активных структур воды с энергией активации [c.113]

    Несмотря на широкий круг используемых в различных работах материалов — сорбентов, значительно отличающихся по структуре и физико-химическим свойствам, можно отметить общие, наиболее типичные явления, обнаруживаемые при сорбции воды. Так, диэлектрические изотермы в зависимости от наклона г йа, как правило, можно разделить на несколько участков. Каждому соответствует определенный, характерный для данного интервала влажности материала процесс поляризации. Очевидно, что поляризация и диэлектрическая проницаемость [c.242]

    Велики трудности создания математически разработанной теории растворов электролитов. Было бы очень просто, если бы можно было рассматривать такую систему, как совокупность заряженных шариков-ионов в растворителе, представляющем собой непрерывную среду с диэлектрической проницаемостью е. Такая модель не может дать согласия с опытом. Ведь надо учесть совокупное действие ряда факторов изменение а растворителя в зависимости от природы ионов и их концентрации, влияние собственного объема ионов, влияние концентрации несвязанного растворителя, возможность формирования сложных (тройных и др.) частиц, изменение энергии сольватации ионов с концентрацией раствора, неполноту диссоциации электролита, изменение структуры раствора с его концентрацией. Обилие этих факторов и различный их вклад (в зависимости от природы компонентов раствора, его концентрации и температуры) делает невозможным их строгий количественный учет во всей совокупности. Современный уровень квантовомеханического и электростатического подходов совершенно недостаточен для этого. [c.173]

    Все исследования, упомянутые выше, проведены на фиксированных частотах. Однако, так как гетерогенная структура эмульсий может давать диэлектрическую дисперсию, обусловленную поляризацией поверхности раздела, то необходимо принять во внимание зависимость удельной электропроводности эмульсий от частоты, как и от концентрации. Результаты, приведенные на рис. У.27, не достаточны для количественного анализа электропроводности вследствие неустойчивости величины электропроводности водной фазы, использованной в опытах. Вместе с тем, диэлектрическая проницаемость является величиной устойчивой и достаточно воспроизводимой, поэтому ее можно использовать для количественного анализа. [c.367]

    На рис, V,52 дан график частотной зависимости е и х для суспензий двух образцов А и В первый содержит 0,012 М раствор КС1, второй — 0,13 М раствор КС1. На рис,У,53 и V.54 приведены зависимости этих величин в комплексной плоскости для образца А. Как видно, диэлектрическая дисперсия в этих образцах много больше величины, предсказываемой теорией Вагнера для структуры, не имеющей оболочек. Таки.м образом, эту диэлектрическую дисперсию можно рассматривать как эквивалентную описанной выше (см. стр. 351) и обозначенной Тр. Другими словами, результаты приблизительно можно выразить уравнениями- [c.382]

    Для предварительной оценки величин удерживания было предпринято немало попыток связать их с термодинамическими, электрическими и геометрическими свойствами неподвижных фаз анализируемых веществ. Многие группы веществ обнаруживают известную зависимость относительных величин удерживания от электрических характеристик неподвижных фаз или разделяемых компонентов (дипольный момент, диэлектрическая проницаемость, поляризуемость), хотя, например, дипольный момент представляет собой некоторую суммарную величину и нельзя ожидать простой связи между ним и величинами удерживания. Такая связь наблюдается лишь в тех случаях, когда структура растворителя и растворенного вещества сравнительно проста п доля полярных групп не слишком велика. Особенно трудно устано- [c.183]

    Температурная зависимость диэлектрической проницаемости имеет сложный вид, зависит от структуры веществами применяемой для измерения частоты. [c.251]

    Изменение характера температурной зависимости диэлектрической проницаемости при прохождении точки плавления объясняется изменением структуры вещества. Подобные скачки диэлектрической проницаемости наблюдаются при плавлении многих веществ (циклогексанол, жирные кислоты). [c.251]


    Зависимость диэлектрической проницаемости от структуры молекул [c.252]

    Исследования релаксационных процессов, ширины, тонкой и сверхтонкой структуры линий ЯМР дают большой объем сведений о структуре диэлектрических кристаллов, металлов, полупроводников, полимеров, характере межмолекулярных взаимодействий в твердых соединениях. Изменения в спектрах ЯМР при появлении движения дают возможность исследовать процессы плавления, кристаллизации (полимеризации), структурирования и др. Изучение температурной зависимости ширины линии позволяет найти энергию движения, влияющего на сужение линии. Можно определить вид движения молекулы или иона (одноосное вращение, сферическое вращение, диффузия и др.) и пр. [10-12]. [c.378]

    Обнаруженная четкая корреляция между диэлектрическими свойствами (про юдн.мостью. диэлектрической проницаемостью и диэлектрическими потерями) и структурой полимера, его физическим и фазовым состоянием позволяет использовать атн свойства, нх частотную или температурную зависимость для оценки структуры полимеров и се изменения. [c.377]

    Способность к образованию ковалентных связей (I - Q), напротив, более свойственная ионам карбония, так как ионы Н , по электронной структуре близки к инертным газам, а карбкатионы содержат во внешней 2р-оболочке неспаренный электрон. Поскольку процессы катионной полимеризации олефинов осуш,ествляются в неводных средах с низкой или умеренной диэлектрической проницаемостью, участие карбкатионов в ионных взаимодействиях с жесткими основаниями зависит от их реакций с р- и 71-электронами мягких оснований (олефины), при этом двойственное поведение ионов карбония как жесткой, так и мягкой кислоты в зависимости от конкретных условий полимеризации ответственно за итог конкуренции различного типа возможных реакций в системе. [c.43]

    Представленные на рис. 1 зависимости изменения диэлектрических потерь tgб и проницаемости е позволяют установить ряд закономерностей, обусловленных изменением структуры битумов под действием температуры. В соответствии с данными работ [И—15] с повышением температуры диэлектрическая проницаемость битумов увеличивается, что вызывается понижением вязкости и ориентацией в электрическом поле новых диполей, оторвавшихся от молекулярных ассоциатов. При определенных температурах диэлектрическая проницаемость достигает максимального значения. Максимум на кривой температурной зависимости диэлектрической проницаемости в для дисперсных систем [18] и битумов [14, 15] можно считать пределом, при котором происходит окончательное разрушение молекулярных ассоциатов и соответственно над молекулярной структуры битумов и переход структуры в однофазную систему — истинный раствор. Температура перехода Т в битумах со структурой гель более высокая, чем в битумах со структурой золь-гель или золь (см. рис. 1, табл. 1). [c.82]

    Изменение структуры осадка серебра в зависимости от состава электролита и плотности тока исследовалось неоднократно, однако лишь некоторые авторы пытались связать структуру осадка с природой растворителя. Таким примером может служить работа [452], где величины наиболее вероятного числа образующихся на катоде кристаллических центров серебра пг) поставлены в связь с диэлектрической проницаемостью растворителя. [c.143]

    Несравненно существеннее влияние на получаемый результат вычисления диэлектрической проницаемости структуры самой гетерогенной системы, которую представляет адсорбент, адсорбат и незаполненное пространство пор. Мы проанализировали степень этого влияния [21, 22] на форму диэлектрической изотермы (зависимость ео от объемной концентрации адсорбата при постоянной температуре), на форму диаграмм Кола и Кола и на смещение измеряемой частоты релаксации относительно действительной частоты релаксирующей фазы. Д. Бруггеман получил аддитивные функции диэлектрической проницаемости для систем различной структуры.I [c.236]

    Рпс. .19. Частотная зависимость (сй = 2я/) диэлектрической проницаемости тройной системы, имеющей слоистую структуру (1гриведена на рис. .18). [c.351]

    Иначе говоря, во многих случаях правильнее идти от простых кинетических моделей к более сложным, а не наоборот, как в рассмотренных выше примерах. Для этого в ферментативной (и в общем случае в химической) кинетике существуют три уровня исследований. На первом из них рассматривают концентрации исходных соединений и продуктов реакции в зависимости от времени. На втором уровне рассматр.ивают зависимости уже скоростей реакций от концентрации субстратов, продуктов, ингибиторов, активаторов и других эффекторов. Наконец, на третьем уровне рассматривают зависимости тех же скоростей реакций, но уже от условий — pH, температуры, ионной силы, давления, диэлектрической проницаемости и т. д., а также от структуры реагирующих веществ. Первые два уровня необходимы для выяснения кинетического механизма реакции и выявления соответствующей кинетической схемы и в целом все три уровня служат для выявления химического механизма реакции. Следует отметить, что для реакций, катализируемых лизоцимом, исследования на любом из этих уровней явно недостаточны для подведения сколтжо-пибудь значительных итогов, в том числе и в отношении кинетической схемы реакции. [c.186]

    С целью создания научных и технологических основ получения новых видов функциональных стеклокристаллических материалов проведен синтез, исследованы структурные особенности и определены основные свойства проектируемых материалов. Установлены корреляционные зависимости между структурой, фазовым составом и физико-химическими свойствами материалов. Разработаны биоактивный стеклокристаллический кальцийфосфатный материал для костной хирургии, спеченный стеклокристаллический материал с низкими диэлектрическими характеристиками для насадок облучающих устройств, диэлектрический стеклокристаллический материал на основе полярных фаз с высоким коэффициентом пироэлектричества. [c.22]

    Тангенс угла диэлектрических потерь неокисленного ПЭВД проявляет небольшую зависимость от частоты (кривая 2 на рис. 7.32) [157, с. 126] в весьма широком интервале частот - от 10 до 10 ° Гц tgS изменяется незначительно. Низкие значения tg6 объясняются, очевидно, высокой чистотой образца. Таким образом, ПЭВД является высококачественным диэлектриком с низкими потерями в широком диапазоне частот. Диэлектрические потери в области высоких частот связаны с полярными группами. В области средних частот потери связывают с дефектами кристаллической структуры в местах разветвлений цепи. Следует отметить, что в ПЭВД в небольшом количестве может присутствовать [c.155]

    Рассмотренные теории строения двойного электрического слоя впоследствии были модифицированы многими исследователями (Фрумкнн, Бокрис, Эршлер и др.). Одно из направлений модификации состояло в учете эффекта дискретности специфически адсорбированных ионов, который проявляется при малых заполнениях поверхности электрода. В других работах принималась во внимание зависимость диэлектрической проницаемости среды, в которой образуется двойной электрический слой, от напряженности электрического поля и природы ионов в растворе. В некоторых модификациях учитывалась конечность объема, занимаемого ионами в двойном слое. Несмотря на большое число работ в этой области, еще не достигнуто полного понимания структуры двойного слоя и сил, действующих на ионы при протекании электрохимических реакций. [c.130]

    Данные по величинам вкладов неполярных групп пептидов в А2 при различных температурах представлены в табл. 4.3 [32]. Как видно из этой таблицы, указанные значения возрастают (для метиленовой и валиновой групп) или практически постоянны (для лейциновой группы) в интервале от 298 до 308 К. Известно, что температурная зависимость теплоемкости воды имеет минимум при 308 К, что влияет на сеть водородных связей, определяющих структуру воды, а структура воды играет важную роль в гидрофобных взаимодействиях [33]. Можно заключить, что максимум на температурной зависимости вкладов неполярных боковых цепей в /12 объясняется изменениями в структуре воды. Гидрофобные взаимодействия между боковыми группами пептидов усиливаются в промежутке 298-308 К. Тем не менее, при рассмотрении температурных зависимостей гидрофобных взаимодействий есть указания на их линейное усиление [34], по крайней мере, до 333 К. Расхождение мнений можно объяснить следующим. При изучении температурной зависимости вкладов боковых цепей в Л2 необходимо, как минимум, учитывать два определяющих эффекта первый - усиление гидрофобных взаимодействий вследствие ослабления гидрофобной гидратации при увеличении температуры второй - ослабление гидрофобных взаимодействий за счет увеличения влияния цвиттерионных заряженных групп вследствие уменьшения диэлектрической константы воды. Влияние полярного растворителя, такого как вода, на межмолекулярные взаимодействия очень велико из-за диэлектрического экранирования зарядов на атомах. Благодаря понижению диэлектрической константы воды диэлектрическое экранирование зарядов будет уменьшаться при увеличении температуры. Таким образом, влияние гидрофильных (заряженных и полярных) групп будет сильно мешать гидрофобным взаимодействиям неполярных групп при высоких температурах. [c.198]

    Пока толщина жидкой прослойки или пленки остается больше суммарной толщины граничных слоев с особой структурой, влияние лоследних проявляется только через соответствующие изменения электростатической и молекулярной составляющих расклинивающего давления. В самом деле, изменение растворяющей способности граничных слоев жидкости и их диэлектрической проницаемости может изменить распределение ионов в двойном электрическом слое, как в его плотной части, так и диффузной [70, 143]. Структурные изменения граничных слоев вызовут и соответствующие изменения частотной зависимости диэлектрической проницаемости е ( ) и приведут к ее анизотропии, что может повлиять на величину дисперсионных сил. [c.224]

    Другой особенностью изменения диэлектрической проницае- мости и потерь в полимерах является их чувствительность не только к изменениям сегментальной подвижности, но и к проявлениям под- вижности боковых и концевых групп, а также отдельных звеньев макромолекулы. Поэтому исследование температурной зависимости tg позволяет получить полный спектр времен релаксации полимера. Благодаря высокой чувствительности и возможности проводить исследования в широком диапазоне частот, изучение диэлектрических свойств является прекрасным способом исследования структуры полимеров, недостаточно еще распространенным применительно к эла--стомерам. Однако метод не лишен и недостатков. Высокая проводимость эластомеров, наполненных техническим углеродом, приводит к высоким значениям и искажению вида частотной и температурной зависимостей и tg 3. Кроме того, исследование неполярных эластомеров требует, как правило, введения полярных добавок, при выборе которых следует учитывать возможность изменения в их присутствии подвижности полимерных молекул. [c.552]

    Для выяснения характера распределения атомов хлора в ХСПЭ Нерсесян и Андерсен [59] использовали метод кинетического анализа, основанный на различиях в скоростях реакции между хлоридами и аминами в зависимости от структуры хлорида, степени основности амина, диэлектрической проницаемости растворителя и температуры реакции. [c.37]

    В свою очередь, фаза высокого давления — стишовит — стала предметом изучения ее возможных структурных трансформаций при барическом воздействии с переходом в структурные типы СаРг [70], СаС12 [37, 65, 71—75], а-РЬОг [76], РегМ [77], пирита [78]. Например, недавние расчеты методом ФЛЭП диэлектрических и динамических характеристик, упругих свойств стишовита и их изменений в зависимости от внешнего давления позволили детально описать фазовый переход стишовита (при Р 6А ГПа) с образованием орторомбической структуры типа СаС12 и определить свойства данной модификации диоксида кремния. [c.160]

    По температурной зависимости диэлектрической прони-даемости е можно определить температуру перехода структуры битума из дисперсной в истинный раствор Т и температуру хрупкости от тепловых напряжений т/р.- [c.88]

    Следовательно, индивидуальные особенности диэлектрических параметров отдельных кристаллов синтетического алмаза определяются количественным содержанием дефектов в объеме кристаллов, их природой, структурой, размерами, формой и отражают локальные условия алмазообразования. Очевидно, этим объясняется зависимость диэлектрических свойств алмазов от условий выращивания. Как правило, все исследованные кристаллы алмаза были получены в закалочном режиме охлаждения ( 33 °С в 1 с) от температуры синтеза. Следовательно, можно полагать, что состав включений и неоднородное распределение компонентов среды кристаллизации в них зафиксированы при закалке. [c.452]

    Ионные радиусы элементов в существенной мере зависят от координации кислородного окружения в структуре решетки. В связи с этим при выявлении корреляционной зависимости каких-либо характеристик кристаллов от ионных радиусов входящих в состав этих кристаллов элементов необходимо учитывать занимаемую указанными элементами позицию в структуре кристалла. Ионы и ТК занимают в структуре гранатов додека-эдрическую позицию (в случае нарушения стехиометрии граната при недостатке АР+ лишь небольшая часть указанных ионов может замещать А1 + в а-позиции). В соответствии с этим на рис. 77 представлена зависимость измеренной на частоте 1 кГц диэлектрической постоянной гранатов от ионного радиуса и замещающих иттрий ТК +, находящихся в восьмерной координации. Как видно, от линейной зависимости в наибольшей мере отклоняется ЬизА150 2. Это может быть объяснено тем, что Ьи +, характеризующийся наименьшим ионным радиусом из всех ТК, в большей мере входит в решетку кристалла в октаэдрическую позицию (а-узлы) [8]. [c.198]

    Рентгеновские, диэлектрические и термические исследования в интервале температур 300—900 К керамики состава Bi2V05 5 предприняты в [166]. Выяснилось, что в ванадате висмута имеют место два фазовых превращения при 730 и 835 К. При температуре 780 К одновременно происходят ферроэлектрические и кристаллографические превращения, в то время как при 835 К меняется лищь структура. Аномалии диэлектрической постоянной и тепловыделения наблюдаются при обеих температурах. Тепловые эффекты и изменения энтропии при 730 К выще, чем при 835 К. Ферро-электрическая керамика состава Bi2V05 изучена в [167] главным образом в отношении частотной зависимости диэлектрических свойств. [c.265]

    Температурно-частотные зависимости диэлектрических характеристик керамики состава Ва2ВШ2МЬзО]5 с тетрагональной структурой изучены в [171]. В интервале температур 80—420 К обнаружено существование высокочастотной релаксации. В дополнение к этому низкочастотная дисперсия позволяет отнести этот материал к ферроэлектрикам. [c.265]

    Структура, фазовые превращения и диэлектрические свойства висмутсодержащей керамики состава Bi203-Zn0-Nb205 со структурой пирохлора описаны в [452]. Исследовано соотношение между орторомбической и кубической структурами. Обсуждается влияние висмута на разупорядочение кубической структуры. Отмечаются превосходные диэлектрические свойства, низкие диэлектрические потери, высокая диэлектрическая постоянная со стабильными частотной и температурной зависимостями. [c.314]


Смотреть страницы где упоминается термин Диэлектрические зависимость от структур: [c.424]    [c.31]    [c.190]    [c.106]    [c.55]    [c.33]    [c.255]    [c.129]    [c.515]    [c.264]   
Введение в физику полимеров (1978) -- [ c.197 ]




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте