Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Двумерные растворение

    Усиление взаимодействия дисперсной фазы со средой (лиофильности) способствует самопроизвольному диспергированию. Здесь можно вновь отметить глубокую общность процессов диспергирования и растворения, поскольку растворение, например кристаллов, определяется соотношением энергии сольватации Ц7а и энергии разрушения решетки с учетом энтропии смешения. Этим же условием характеризуется неограниченное растекание пленок (стр. 89), представляющее собой не что иное, как двумерное растворение. [c.228]


    Этому условию удовлетворяют молекулы с полярными группами, хорошо взаимодействующие с водой. Так, некоторые вещества жидкие (олеиновая кислота) и твердые (камфора)] растекаются по поверхности воды самопроизвольно. Этот процесс может быть назван двумерным растворением. Пленки других веществ (стеариновая кислота) получают нанесением на поверхность воды раствора этих веществ в каком-либо летучем растворителе (например, бензоле) с последующим его испарением. [c.98]

    Увеличение содержания растворенного вещества в участках с повышенным значением термодинамического потенциала определяется разностью химических потенциалов в объеме и в данной локальной области и производной химического потенциала по концентрации. В результате такого процесса адсорбции на локальных поверхностях раздела роль имеющихся в объеме раствора включений в процессе кристаллизации в значительной мере уменьшается вследствие обогащения растворенным веществом поверхности раздела воды и включений. На поверхности последних нарушается существовавшее размерное и ориентационное соответствие между решеткой включения и возникающей новой фазой, и это включение уже не может служить готовым центром кристаллизации, на котором возникают двумерные зародыши новой фазы. [c.188]

    Постановка задачи. Общее решение. Аналогично тому, как это делалось в 1, рассмотрим двумерную задачу массообмена частицы с потоком, считая заданной концентрацию Соо растворенного вещества вдали от частицы начальное (при = 0) распределение концентрации в потоке всюду постоянно и равно Соо- На поверхности частицы в начальный момент = О начинается химическая реакция, протекающая в диффузионном режиме. [c.315]

    На покрытие в условиях грунта действует комплекс факторов, создающих в нем различные механические напряжения. Однако практически наибольшее влияние на изменение защитной способности покрытий трубопроводов во втором периоде оказывают напряжение растяжения, приложенное в момент нанесения внутренние термоупругие напряжения растяжения, возникающие вследствие перепадов температуры напряжения растяжения, возникающие под влиянием внутреннего статического давления в трубопроводе добавочные напряжения о , возникающие в материале покрытия у вершины трещин под влиянием двумерного давления молекул поверхностно-активной среды, роль которой выполняет почвенная влага с растворенными в ней веществами, а также под влиянием расклинивающего действия почвенных частиц /.  [c.74]

    А1(х) ТО возникнет плоскодонная ямка травления, которая после перемещения ступени исчезнет. Наоборот, при образуется тонкий туннель вдоль дислокации. Нормальная скорость пропорциональна частоте появления двумерных зародышей [18], а тангенциальная характеризует скорость их расширения при перемещении ступеней. Отношение можно регулировать введением ингибирующих и стимулирующих примесей в раствор, избирательное действие которых аналогично действию полирующих электролитов. Примеси, находящиеся в мета л л еГ могут оказыв ать двоякое действие с одной стороны, при сегрегации примесей на дислокациях уменьшается их химическая активность, так как релаксируют напряжения (поэтому старые дислокации травятся труднее), а с другой стороны, увеличивается растворение, так как вследствие изменения химического состава области выхода дислокации понижается коррозионная стойкость. [c.60]


    Возникшие ассоциаты продолжают расти до размеров, определяемых физико-химическими свойствами дисперсионной среды и дисперсной фазы, и затем коагулируют. Важное значение имеет геометрия молекул, составляющих дисперсную фазу (ассоциаты). Наиболее упорядоченная укладка в ассоциате будет в том случае, если молекулы полициклических ароматических углеводородов упорядочены в двумерной плоскости. В случае иространственной конфигурации молекул ароматических углеводородов будут формироваться рыхлые бессистемные коагуляты. Образующиеся за счет сил межмолекулярного взаимодействия ассоциаты на более поздних стадиях подвергаются химическим превращениям. Появление ири этом сшивок между молекулами в кристаллите в дальнейшем сильно затрудняет их растворение, а на более глубоких стадиях делает его невозможным. [c.170]

    На основе предложенного Странским и Каишевым механизма роста и растворения и вообще равновесия двумерных кристаллов выведено [360] уравнение линейной скорости кристаллизации, пропорциональной скорости образования двумерных зародышей  [c.93]

    Поскольку мерой скорости растворения кристалла служит скорость образования вогнутых двумерных зародышей на поверхности растворяющегося кристалла, и эта скорость пропорциональна то уравнением (5.24), а следовательно, и (5.25) описывается в принципе и процесс растворения. Исходя из молекулярно-кинети-ческой теории, уравнения, аналогичные (5.24) и (5.25), можно вывести также для линейной скорости роста и испарения жидких [c.93]

    Дальнейшим развитием молекулярно-кинетической теории роста и растворения кристаллов является дислокационная теория. Теория несовершенного роста кристаллов, или теория дислокаций [363— 368], является современной теорией и претендует на наиболее полное описание роста кристаллов из газовой фазы. Она объединяет все лучшее из существовавших до нее теорий. Основная идея ее заключается в том, что плоским двумерным зародышем новых атомарных или молекулярных слоев является дислокация — чисто геометрическое нарушение в кристаллической решетке. Дислокация обеспечивает наличие готовых ступеней на поверхности грани кристалла независимо от расстояния продвижения ступеньки, благодаря чему рост кристаллической грани становится непрерывным, так как разрастание слоя происходит достаточно быстро и считается, что оно не лимитирует скорости кристаллизации. [c.96]

    Если при добавлении какого-либо растворимого вещества поверхностное натяжение жидкости снижается, то, согласно уравнению Гиббса, это вещество должно адсорбироваться на поверхности. При достаточной адсорбции на поверхности образуется мономолекулярный слой растворенного вещества. Например, приходящаяся на одну молекулу площадь, соответствующая предельному значению на рис. П-13, равна 52,0 А , что приблизительно отвечает величине, ожидаемой для плотноупакованного слоя ионов додецилсульфата. Таким образом, разумно считать, что Г представляет собой двумерную концентрацию поверхностно-активного вещества в мономолекулярной пленке. [c.72]

    В приведенном выше объяснении я возникает как разность двух поверхностных натяжений, но физически проявляется как сила, действующая на единицу длины барьера, разделяющего две поверхности. Модель двух разделенных подвижным барьером поверхностей, на одной из которых имеются не проходящие за барьер адсорбированные молекулы растворенного вещества, оказалась очень плодотворной. Молекулы адсорбционной пленки обладают двумерной поступательной энергией, и давление в пленке я можно рассматривать как результат бомбардировки барьера этими молекулами, точно так же как давление [c.72]

    Механизм 1. Импульсом для создания математических моделей реальных гетерогенных каталитических систем, в которых возможно возникновение сложных и хаотических колебаний, послужила работа [146], в которой исследован механизм возникновения хаотических колебаний, состоящий из двух медленных и одной быстрой переменной. Большинство математических моделей, описывающих автоколебания скорости реакции на элементе поверхности катализатора, двумерны, поэтому они не пригодны для описания хаотического изменения скорости реакции. Механизм возникнования хаоса из периодического движения для кинетической модели взаимодействия водорода с кислородом на элементе поверхности металлического катализатора предложен и проанализирован в работе [147]. Модель учитывает основные стадии процесса адсорбцию реагирующих веществ, взаимодействие адсорбированных водорода и кислорода, растворение реагирующих веществ в приповерхностном слое катализатора. Показано, что сложные и хаотические колебания возникают в системе с кинетической моделью из трех дифференциальных уравнений, два из которых описывают быстрые процессы — изменение концентраций водорода и кислорода на поверхности катализатора, и третье уравнение описывает медленную стадию — изменение концентрации растворенного кислорода в приповерхностном слое катализатора. Система уравнений имеет вид [c.322]


    Пассивацию могут вызывать также и солевые пленки, образующиеся при растворении металла. Согласно адсорбционно-электрохимической теории пассивности пассивация связана с появлением на поверхности металла монослоя или даже долей монослоя адсорбированного кислорода. Адсорбированный кислород изменяет энергетическое состояние поверхностных атомов, блокирует активные центры растворения металла и изменяет структуру двойного слоя. Иногда необходимо учитывать одновременно пассивацию за счет образования как фазовых, так и двумерных оксидных или гидрооксидных слоев. Поэтому пленочную и адсорбционно-электрохимическую теории не следует противопоставлять друг другу. [c.367]

    Пассивацию могут вызывать солевые пленки, образующиеся при растворении металла. Пленочная теория развивалась в работах В. А. Кистяковского, Н. А. Изгарыщева, Г. В. Акимова, Ю. Эванса и др. Согласно адсорбционно-электрохимической теории пассивности (Б. В. Эршлер, Б. Н. Кабанов, Я. М. Колотыркин и др.) пассивация связана с появлением на поверхности металла монослоя или даже долей монослоя адсорбированного кислорода. Адсорбированный кислород изменяет энергетическое состояние поверхностных атомов, блокирует активные центры растворения металла и изменяет структуру двойного слоя. Иногда необходимо учитывать одновременно пассивацию за счет образования как фазовых, так и двумерных окисных или гидроокисных слоев. Поэтому пленочную и адсорбционно-электро-химическую теории не следует противопоставлять друг другу. [c.382]

    Интересно, что уравнение Ленгмюра, полученное на основании модели локализованной адсорбции газов на поверхности твердого тела, часто хорошо описывает адсорбцию растворенных веществ на поверхности лсидкости (поверхности раздела раствор — газ), при которой адсорбция не локализована, так как молекулы подвин ны и образуют двумерную газо- или жидкоподобную пленку. Однако парадоксальность этого факта лишь кажущаяся. Те основные положения модели Ленгмюра, которые не являются состоятельными при адсорбции газов на твердой поверхности, соблюдаются при адсорбции из растворов поверхность жидкости идеально однородна, и взаимодействие адсорбированных молекул в адсорбционном слое мало отличается от взаимодействия их в растворе. К тому же оно сравнительно ослаблено за счет взаимодействия молекул растворенного вещества с молекулами растворителя и практически не влияет на адсорбцию. [c.219]

    Рассматривается нестационарный процесс массообмена капли (или пузыря) с потоком несжимаемой жидкости при большйх числах Пекле. Поле течения, в общем случае нестационарное, предполагается известшзтм, задача считается двумерной (плоской или осесимметричной). Вдали от капли задана концентрация растворенного компонента, а также ее распределение вне и внутри капли в начальный момент времени. Массоперенос может при этом лимитироваться сопротивлением непрерывной или дисперсной фазы либо проходить в условиях, когда эти сопротивления соизмеримы. [c.275]

    Таким образом, область ядра дислокации растворяется чрезвычайно.бьктро, а периферийные участки значительно медленнее., Тем не менее вследствие конкуренции двух процессов растворения деформированных объемов и поверхностных ступенек ( двумерных зародышей ), имеющих ортогональные векторы скорости, травление может идти в глубину (образуются туннели ) и распространяться в ширину (возникают плоскодонные ямки травления, особенно после ухода дислокаций из данного места). Какой из процессов окажется преобладающим, зависит от соотношения. между нормальной скоростью растворения (в глубину) и тангенциальной скоростью (вдоль поверхности). Если А. [c.59]

    Для объяснения сложной формы анодных кривых, наблюдаемых при растворении металлических осадков с поверхности твердых электродов, рассматривают два состояния осадка на поверхности электрода - адсорбционное и кристаллизационное. В адсорбционном состоянии связь металла с поверхностью электрода прочнее, чем связь в соответствующей кристаллической решетке. При этом количество осажденного металла не превышает величин, необходимых для образования монослоя. Формирование кристаллической структуры начинается с появлением двумерных зародышей, которые возникают лишь при осаждении второго слоя. Ход процесса электронакопления определяется природой взаимодействия осаждаемый металл-электрод и условиями электролиза (потенциал, время накопления, концентрация иона в растворе и т.п.). При небольших т и С основной вклад в образование осадка вносят адсорбционные силы. Увеличение продолжительности электролиза и концентрации иона металла приводит к заполнению поверхности электрода и увеличению вклада кристаллизационной составляющей. При этом на анодной кривой растворения осадка металла могут наблюдаться два пика, соответствующие двум состояниям металла. На рис. 11.6 в качестве примера приведены анодные кривые [c.426]

    При наличии большего числа компонентов условие (3.10) может быть выполнено для более сложного разделения. Выполнение условия (3.10) будет минимизировать непродуктивную область 2 и уменьшать область 1 на рис. 3.1. Полосы растворенных веществ будут более концентрированными, и продукт будет выходить из колонки быстрее, так как последняя часть питания вводится выше по колонке. Первоначальное теоретическое предсказание было сделано Ванкатом [37] и расширено на двумерную систему [38]. [c.169]

    Рис. 5.3.2. а — схематическое изображение последовательности импульсов для селективного возбуждения многоквантовой когерентности данного порядка р основной элемент или составной модуль последовательности повторяется без промежутков N раз, при этом фазы всех импульсов внутри модуля увеличиваются шагами на Аф = 2t /N б— строительный блок, представленный на рис. а, состоит из короткого периода свободной прецессии Дгр, окаймленного с двух сторон интервалами Т и Г со средними гамильтонианами Жр и -Жр, подобранными таким образом, что. ЗЯрТ = Ж рТ в — многоквантовый спектр бензола, растворенного в жидком кристалле, полученный с помощью неселективного возбуждения в спектре, соответствующем проекции двумерного спектра на ось ui, проявляются линии всех порядков Р = О, 1.....6 линии различных порядков р можно выделить с помощью пропорциональных времени приращений фазы г — то же самое, что и на рис. в, но с избирательным возбуждением спектральных линий порядков р = О и 4 с помощью последовательности импульсов, приведенной на рис. а, с Лф = 2тг/4. (Из работы [5.11].) [c.323]

    Здесь Й2 сторона двумерного зародыша — изменение свободной энергии, необходимое для растворения одного поверхностного слоя решетки в функции от длины ребра куба а — работа образования двумерного зародыша. Или, учитьшая, что 1 2 = = сопз1/АГ и <3 = сопз1/ДТ, уравнение (5.24) можно привести к виду [c.93]

    Изотермы двумерного давления / = Од — а от концентрации зависят от свойств ПАВ для органического вещества с явно выраженными поверхностно-активными свойствами кривая F — С круто поднимается вверх, а для ПАВ с явно выраженными электролитными свойствами она имеет 5-образный вид (рис. 3). При переходе от индивидуального к гомологическому ряду ПАВ зависимость F от С становится менее заметной, особенно при низких дозах растворенного вещества. Добавление к раствору ПАВ другого ПАВ (например, к раствору лаурилсуль-фата короткоцепочечного алкиларилсульфоната) ослабляет межмоле-кулярное взаимодействие в первом ПАВ, и наблюдается взаимодействие между молекулами разных ПАВ через клатраты воды, результатом которого является образование комплекса типа ПАВ — вода — ПАВ [17]. [c.197]

    С другой стороны, в 1927—1928 гг. Косселем и Странским был развит молекулярно-кинетический подход к рассмотрению кристаллизационных явлений. Важную роль в их теории играет так называемое положение на половине кристалла . Это положение является самовоспроизводимым если кристалл достаточно большой, то присоединение или отрыв одной частицы от этого полонгеиия не вызывает никаких изменений — ни геометрических, ни энергетических. При равновесии с окружающей средой вероятности присоединения и отрыва от положения на половине кристалла равны между собой и работа отрыва одной частицы равна энергии решетки кристалла (на одну частицу). Эти свойства положения полукристалла превращают его в своеобразный эталон сравнения вероятностей элементарных процессов отрыва и присоединения и к другим местам на поверхности кристалла. Таким образом, из данных определения работ отрыва частиц при различных их положениях на кристаллической поверхности выявились важные следствия о структуре разного типа кристаллографических граней как в состоянии равновесия, так и при их росте или растворении, т. е. была создана наглядная полуколичественная картина всего процесса кристаллизации. Из нее следует, что рост плотпоупакованных граней кристалла энергетически затруднен из-за необходимости предварительного образования стабильных в отношении дальнейшего роста двумерных комплексов. Однако на этом этапе внутренняя связь между трактовками Косселя — Странского и Фольмера оставалась невыясненной. [c.5]

    Эта связь была установлена лишь после того, как в 1934 г. Странским и мной было введено понятие средней работы отрыва , учитывающее отклонения от положения на половине кристалла , которые появляются в начале и в конце каждого ряда при растворении верхних слоев кристаллических граней. Этими отклонениями нельзя пренебрегать в случае кристаллов малых размеров. При помощи этого понятия стал возможен молекуляр-но-кипетический вывод основных термодинамических зависимостей, использованных в теории Фольмера, какими являются уравнения Томсона — Гиббса о давлении паров малых кристаллов уравнение Гиббса — Вульфа о равновесной форме кристаллов работы образования двумерных и трехмерных зародышей и другие. Мною и Странским, а впоследствии в более строгом — в математическом отношении — виде Беккером и Дёрипгом была дана молекулярно-кинетическая трактовка кинетики образования кристаллических зародышей и линейной скорости кристаллизации. Полученные при этом выражения содержат экспоненциальный член, в показателе которого фигурирует работа образования соответствующих зародышей в ее зависимости от пересыщения, [c.5]

    Эксперимент с растворением шара, в отличие от опыта с ростом, до сих пор не получил обстоятельной молекулярно-теоретической трактовки. Поэтому мы ограничимся противопоставлением областей, соответствующих истинным граням роста, остальным частям поверхности. Строительные элементы в гранях роста связаны прочнее, чем во всех других участках поверхности. С этим согласуется тот факт, что на этих гранях их связь самая слабая. Согласно (7) сумма работ отделения от блока и из верхней плоскости блока равна работе, требуемой для изъятия строительного элемента из объема решетки таким образом, (бо —eaд) — —(ео — бвн) = 2(ёо — е ). Чем меньше одно из слагаемых, тем больше другое. Строительные элементы, способные к отделению, появляются только тогда, когда в верхней плоскости решетки возникает люк. Наименьшая ямка, у которой краевые строительные элементы характеризуются средним значением х > Х1 СЦиоо представляет собой двумерный полый зародыш. Можно убедиться, что полый зародыш при недосыщении А[х по форме и величине в точности совпадает с двумерным зародышем на плоскости решетки при том же по величине пересыщении. Для других частей поверхности такая работа образования двумерного полого зародыша отсутствует, и поэтому на них отделение строительных элементов протекает легче. Отсюда следует, что растворение истинных граней роста должно протекать постепенно, начинаясь у краев. Условия для образования плоских граней везде отсутствуют и в результате возникает тело с закругленной поверхностью, на котором области истинных граней роста выступают в виде тупых углов или ребер. [c.112]

    Здесь уместно еще привести экспериментальные доказательства теоретически обосноваппого двумерного зародышеобразования. Наблюдения скачкообразного изменения толщин мыльных пленок Ж. Перрена [85] получили развитие в работе Р. Марселена [86], применившего аналогичный метод к исследованию топких кристаллических пластинок. Метод состоит в микроскопическом исследовании интерференционно окраски. Этим путем Р. Марселену удалось доказать, что как у полученных расщеплением листочков слюды, так и при росте или растворении кри- [c.114]

    В работе [22] было установлено, что волны могут существенно стимулировать массоперенос даже в случае регулярных двумерных золи, когда нет обновления поверхности и диффузионной пограничный слой достигает твердой стенки при длинах пленки, меньших, чем в случае безволнового течения. Кроме того, концентрация растворенного вещества осциллирует во времени с частотой, близкой к частоте волн, но, вообще говоря, со сдвигом по фазе. Интенсивность этих осцилляций убывает вниз по потоку и становится пренебрежимо малой на расстояниях, где газожидкостная система приближается к равновесному состоянию. Средняя по времени концентрация в точке смешения у подошвы волны сильно зависит от чисел Рейнольдса и Вебера. Следовательно, не существует универсального соотношения т) = /(Ро), как это было в случае безволнового течения. [c.122]

    Предложено много различных функциональных зависимостей / часть из них базируется на результатах экспериментальных исследований, часть — на теоретических моделях. Одной нз важнейших теоретических функций является изотерма адсорбции Лэнгмюра [2]. Лэнг-мюровская модель адсорбции из растворов предполагает, что, как и при адсорбции газов (см. разд. Х1У-3), на поверхности имеется определенное число центров (или мест) адсорбции, на каждый из которых приходится площадь а все адсорбированные частицы взаимодействуют только с центрами адсорбции и не взаимодействуют друг с другом таким образом, адсорбция ограничена лишь монослоем. Однако применительно к адсорбции из растворов эту модель, по-видимому, целесообразно представить несколько иначе. Адсорбция все еще ограничена монослоем, но теперь этот слой рассматривается как идеальный двумерный раствор вещества и растворителя, молекулы которых занимают в монослое одинаковую площадь а°. Латеральные взаимодействия, отсутствующие в модели фиксированных центров, исключаются из мо-лели идеального двумерного раствора с помощью предположения об их независимости от состава монослоя. В первом варианте определяется свойствами решетки твердого тела, тогда как во втором варианте это — свойство адсорбированных частиц. В обеих моделях адсорбционные свойства системы целиком определяются взаимодействием адсорбат— твердое тело, при этом адсорбция представляется как конкуренция между молекулами растворенного вещества и растворителя. [c.309]


Смотреть страницы где упоминается термин Двумерные растворение: [c.251]    [c.125]    [c.175]    [c.126]    [c.484]    [c.39]    [c.39]    [c.287]    [c.175]    [c.107]    [c.113]    [c.73]    [c.36]   
Курс коллоидной химии 1984 (1984) -- [ c.90 , c.228 ]

Курс коллоидной химии 1995 (1995) -- [ c.98 , c.251 ]

Курс коллоидной химии (1984) -- [ c.90 , c.228 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Двумерные



© 2025 chem21.info Реклама на сайте