Кислорода арсениде галлия

Рис. 10.5-5. СТМ Фотография одного адсорбированного атома кислорода на поверхности арсенида галлия (а). Кривые 1/(1]/ получены для свободных областей поверхности и занятых кислородом (б) [10.5-10].

Оценка спектроскопических возможностей имеет большое значение для дальнейшей работы с атомным разрешением и является основной целью аналитической химии поверхности. Главная проблема заключается в том, что локальный потенциальный барьер не специфичен для определенного элемента. Таким образом, анализ все еще ограничен в большой степени случаями, когда компоненты известны. На рис. 10.5-5 видно, как единственный атом кислорода, адсорбированный на поверхности арсенида галлия, четко наблюдается на СТМ-фотографии (режим ТПТ). Кривая < //< 7 для поверхности арсенида галлия с адсорбированным атомом кислорода отличается от аналогичной кривой для чистого арсенида галлия. [c.373]

Для определения газообразующих примесей в арсениде галлия рекомендованы метод вакуум-плавления для определения кислорода и водорода [347], а также масс-спектрометрический метод с применением масс-спектрографа с искровым ионным источником 178]. В последнем методе [78] определяют углерод, азот, кислород, а также литий, магний, серу и кремний. [c.198]

Этот метод также использовали Бейли и Росс [159] для определения кислорода в арсениде галлия. Анализируемый образец в виде тонкой пластинки толщиной 0,05 мм и площадью 20—50 мм покрывали тонким слоем металлического лития. После прокатывания в атмосфере азота образец облучали 5 мин в реакторе [/ = 2-10 нейтрон см х сек)]. Затем выделяли F химическим методом. Была достигнута чувствительность —7 10 г. [c.111]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ВОДОРОДА В ГЕРМАНИИ, ИНДИИ, ГАЛЛИИ, АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ И ФОСФИДЕ ИНДИЯ МЕТОДОМ ВАКУУМ-ПЛАВЛЕНИЯ [c.124]

Определение кислорода и водорода в германии, индии, галлии, арсениде галлия и фосфиде индия производят методом вакуум-плавления на приборе ГЕОХИ (рис. 1). [c.124]

Анализ арсенида галлия и германия ведут при 1800° С в графитовых капсулах. Время экстракции — 15 мин. Полноту экстракции газа из пробы и возможность сорбции газа на металлических возгонах проверяли в опытах с добавлением известного количества окиси к металлу (отдельно для каждого образца). Ошибка определения в этом случае не превышала 10%. Чувствительность определения кислорода — 3 10-3% , водорода 3. ю- %. [c.124]

ОПРЕДЕЛЕНИЕ КИСЛОРОДА И ВОДОРОДА В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ МЕТОДОМ ВАКУУМ-ПЛАВЛЕНИЯ [c.166]

Химико-спектральное определение бора в германии и пленках германия. Определение кислорода и водорода в германии, индии, галлии, арсениде галлия и фосфиде индия методом вакуум-плавления. ..... [c.523]

Определение кислорода и водорода в галлии методом вакуум-плавления Арсенид галлия, фосфид галлия. [c.523]

Определение кислорода и водорода в арсениде галлия методом вакуум [c.523]

Как следует из полученных данных, в указанном интервале температур электропроводность германия и арсенида галлия в водороде растет, в кислороде уменьшается. Электропроводность бромистой меди возрастает как в водороде, так и в кислороде. [c.135]

Рис. 4. Изменение электропроводности арсенида галлия в присутствии водорода (сплошные линии) и кислорода (пунктирные линии) со временем при давлении 28 км рт. ст. и различных температурах

Если сравнивать изменение электропроводности образцов под влиянием адсорбированных водорода и кислорода в одинаковых температурных условиях, то получаем такие соотношения для германия и арсенида галлия I Д(т 1 о, > I А(7 1 н для бромистой меди Да о, < Аа н,- [c.138]

Эти неравенства хорошо согласуются с адсорбционными данными (см. табл. 1). Действительно, на германии и арсениде галлия кислород адсорбируется больше, чем водород, на бромистой меди наблюдается обратное явление. [c.138]

На рис. 10 показаны результаты, полученные при исследовании КРП арсенида галлия в присутствии кислорода (давление 3,5 мм рт. ст.) и в вакууме. Данные об изменении работы выхода электрона из изучаемых образцов в кислороде при соответствующих температурах (табл. 3) согласуются с адсорбционными данными. Те образцы, на которых мы наблюдаем большее изменение работы выхода при адсорбции газа, а значит и большее изменение заполнения поверхностных уровней, показывают большую скорость адсорбции (см. рис. 6, б). Изменение КРП в атмосфере кислорода для всех катализаторов проявляется уже через 5—10 мин., постоянное значение при лю- [c.141]

Рис. 10. Температурная зависимость КРП арсенида галлия в вакууме (/) и в присутствии кислорода (2)

В пользу такого механизма взаимодействия адсорбированных молекул кислорода с поверхностью адсорбента (германия, арсенида галлия — полупроводников /г-типа) говорит также наблюдаемая для них корреляция между изменениями КРП и электропроводности. Это находится в соответствии с представлениями зонной теории, согласно которым для электронных полупроводников (в данном случае германия и арсенида галлия) кислород, понижающий проводимость, должен повышать работу выхода электрона вследствие понижения уровня Ферми. [c.142]

Таким образом, выводы о направлении электронных переходов при адсорбции кислорода на германии и арсениде галлия, сделанные нами на основе данных по изменению электропроводности, находят подтверждение при измерении работы выхода электрона в этих условиях. [c.142]

В вакуумных условиях, в водороде и кислороде при давлениях 1,58—100 мм рт. ст. и температурах 20—350°С исследована электропроводность полупроводников изоэлектронного ряда германия (германий, арсенид галлия и бромистая медь) и обнаружена симбатность между изменением адсорбционной активности и проводимостью этих образцов. Была измерена также работа выхода этих образцов (по контактной разности потенциалов) в вакууме, в кислороде и в пропилене при 50—250°С и в парах изопропанола при 20—50 С. Найдено, что в случае адсорбции кислорода на германии и арсениде галлия существует корреляция между изменением электропроводности и работы выхода, а в случае бромистой меди подобной корреляции нет. Экспериментальный материал рассмотрен с позиций электронной теории адсорбции и катализа на полупроводниках. [c.350]

Содержание углерода н кислорода в эпитаксиальных слоях арсенида галлия [c.11]

В маркировке полупроводниковых материалов обозначают не только тип легирующей примеси, но и те свойства, которые наиболее важны для практического применения, а иногда и способ получения. Например, марка BKЭФ-10 ,2 характеризует кремний (К), полученный бестигельной зонной плавкой (Б), электронного типа проводимости (Э), легированный фосфором (Ф) с удельным сопротивлением 10 Ом См и временем жизни неосновных носителей 0,2 мкс арсенид галлия АГДЦЗ,5-17 — дырочного типа (Д), легирован цинком (Ц) с концентрацией дырок 3,5-10 . Фосфид галлия, применяемый для фотодиодов, маркируется, например, так ФГЭТК-К/ЗО [Э—электронного типа, ТК — легирован теллуром, кислородом, К — красное свечение р—п-перехода, 30 — яркость свечения, кд/м (нит)1. [c.56]

Остановимся на примерах образования различных структур вычитания. Если нагревать в вакууме оксид цинка ZnO, то некоторая часть атомов кислорода покидает кристалл, и состав фазы становится другим ZnOi.j . Если нагревать GaAs в замкнутом пространстве, то атомы As покидают кристалл до тех пор, пока над арсенидом установится давление, равное равновесному давлению паров мышьяка при данной температуре над фазой GaAsj. ,. Число вакансий в структуре арсенида галлия зависит от Г и от объемов кристалла и окружающего пространства. Равновесная система [c.136]

Примесями, которые ограничивают электрофизические свойства пленок ОаАз, являются в основном кремний и кислород [6]. Кроме того, в качестве некоторых примесей могут выступать медь, железо, хром, олово, селен, сера, углерод. Основными источниками загрязнения являются примеси исходных продуктов (соединения мышьяка и галлия), натечка воздуха в газовую систему при эпитаксии и кварцевые тигли. Кварц растворяется галлием и является поставщиком кремния, который может давать донорные и акцепторные уровни. Контролируемое введение кислорода в систему позволяет уменьшать содержание кремния в арсениде галлия и тем самым улучшать его электрофизические свойства (рисунок) [7]. Ниже приводится влияние кислорода на содержание кремния [c.156]

Новый метод описан Кониси и Какамура (1971). Поскольку сверхчистый арсенид галлия содержит только 0,3 млн кислорода, 0,1 МЛН азота и 0,5 млн углерода, его пытались использовать в качестве обыскриваемого электрода для определения газов в железе, никеле и меди. Установлено, что при межэлектродном зазоре 40—50 мкм вклад обыскриваемых электродов остается постоянным. При использовании подобных электродов из арсенида галлия давление в источнике при определении кислорода и азота должно составлять 5-10 и 2-10 мм рт. ст. соответственно такое остаточное давление можно легко получить даже без криосорбционной откачки и отжига. Результаты анализов обсуждены в разд. 12.4.В. [c.386]

Кониси и Накамура (1970) использовали образцы нержавеющей стали NBS-1091 и NBS-1092 для сравнения значений, полученных с использованием метода образец—образец и образец—GaAs-электрод. Для образца NBS-1091 первый метод дал 1500 вес МЛН кислорода, а второй 150 вес. млн . Согласно сертификату, образец содержит 131 вес. млн кислорода. Соответствующие значения для образца NBS-1092 870, 68 и 28 вес. МЛН . Аналогичные данные приведены для ряда других основ, включая зонно-очищенное железо, различные виды стали, никель, медно-никелевые сплавы, бескислородную медь и сверхчистое золото. В большинстве случаев содержание кислорода и углерода в электродной паре образец—арсенид галлия ниже, чем в паре образец—образец. Для азота использование в качестве электрода арсенида галлия не улучшает результаты. Коэффициенты относительной чувствительности для всех трех элементов были выбраны меньше 3. Интересно отметить, что в случае золота высокой чистоты использование электрода из арсенида галлия не приводит к улучшению чувствительности определения по кислороду и азоту. Вероятно, золото не адсорбирует газы, поэтому применение арсенида галлия неэффективно. [c.389]

Арсенид галлия при обычных условиях устойчив к влаге и кислороду воздуха. При нагревании на воздухе GaAs начинает окисляться при 600° С, в вакууме —около 850° С — начинает диссоциировать [164]. Арсенид галлия — полупроводник. [c.99]

Выбор материала для и.зготовления тиглей во многих случаях ограничивает возможности применения тигельных методов выращивания монокристаллов. Основным при выборе материала является выявление возможных взаимодействий между тиглем и расплавом, для чего проводят многочисленные и разносторонние исследования. Например, для выращивания монокристаллов кремния и арсекида галлия используют кварцевые тигли и лодочки. Расплавленный кремний реагирует с кварцем при образовании моноокиси, которая, растворяясь в кремний, насыщает раствор кислородом. Это приводит к тому, что монокристаллы кремния содержат около 10 атомов кислорода на 1 слг . Присутствие кислорода в монокристаллах кремния оказывает специфическое и нередко отрицательное влияние на их свойства. При выращивании монокристаллов арсенида галлия при температурах выше 900° С происходит реакция между кварцем и расплавленным галлием, которая приводит к загрязнению расплава кремния. В случае тугоплавких веществ вообще нет материалов для изготовления тиглей. Поэтому все большее значение приобретают бести- [c.300]

Арсенид галлия на воздухе устойчив по отношению к водйным парам и кислороду. При нагревании начинает заметно окисляться около 600°С. В продуктах окисления наряду с оксидами галлия и мышьяка содержится арсенат галлия GaAs04. Выше 600°С GaAs медленно диссоциирует на элементы по уравнению [c.140]

Использование высокочистых исходных веществ дало бозг,1ожность получить эпитаксиальные слои арсенида галлия с электрофизическим параметрами, близкими к теоретическим [20 -22]. Однако и в этих уело виях, как видно из табл. 2, концентрация примесей, особенно кислорода и углерода, достаточно высока. [c.5]

Миграция кислорода при плазменном анодировании кремния исследовалась в [41, 42]. Т. Сугано [41] пришел к выводу, что наряду с переносом кислорода происходит перенос кремния. Аналогичные результаты получили авторы работ [43—45], показавшие, что при окислении арсенида галлия наблюдается миграция не только кислорода, но также мышьяка и галлия. [c.348]

С мышьяком и сурьмой галлий также образует соединения состава 1 1 [1088]. Антимонид галлия легко получается сплавлением исходных элементов. Для получения арсенида такой синтез представляет серьезные трудности, так как при температуре плавления арсенида давление пара мышьяка очень велико. Еще в большей степени это относится к фосфиду. Поэтому последний лучше получать косвенным путем, например действием на металл фосфористого водорода при 900—950° С [445]. Прямой синтез GaP может быть осуществлен в расплаве висмута, используемого в качестве индифферентного растворителя [496]. GaN, GaP, GaAs, GaSb — устойчивы по отношению к кислороду и влаге воздуха и лишь с трудом разлагаются кислотами. От нитрида к антимониду наблюдается постепенное нарастание металлических свойств. Все эти соединения являются полупроводниками. [c.23]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология