Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Эвальд

    Поэтому для увеличения числа пересечений сферы Эвальда с узлами приходится пользоваться различными длинами волн к, вращать или [c.269]

    По существу, рентгенограмма представляет собой изображение обратной решетки кристалла. Отраженные лучи направлены вдоль образующих конуса с вершиной в центре сферы Эвальда и пересекаются с фотопленкой по кривым второго порядка (рис. 5.5). Для получения неискаженных изображений развиты методы, в которых благодаря синхронному движению кристалла и пленки плоскость последней [c.269]


Рис. 5.5. Слоевые плоскости в обратном пространстве, сечение ими сферы Эвальда и слоевые линии на рентгенограмме. Рис. 5.5. Слоевые плоскости в <a href="/info/466434">обратном пространстве</a>, сечение ими <a href="/info/196618">сферы Эвальда</a> и <a href="/info/189520">слоевые линии</a> на рентгенограмме.
    Построение с помощью сферы Эвальда, приведенное на рис. 5.7, показывает, что на рентгенограмме получаются слое- [c.276]

    Эвальд и Лим [87] изучили полярографическим методом (применяя стационарный платиновый микроэлектрод) восстановление двухвалентной меди в одновалентную. Потенциал полуволны в реакции [c.57]

    Для объяснения столь значительной растворимости твердых тел в газах при высоких давлениях Эвальд с соавторами [159] предложили (для неполярных молекул) учитывать взаимодействие молекулы растворенного вещества и газа-раство- [c.87]

    Условиям Лауэ можно придать простую геометрическую интерпретацию с помощью построения Эвальда, изображенного на рис. 3. Основным элементом этого построения является сфера распространения, или сфера Эвальда. [c.19]

Рис. 5. Формирование отражений при дифракции электронов (случай малой длины волны излучения и, следовательно, малой кривизны сферы Эвальда). Р — центр сферы Эвальда, О — нулевой узел обратной решетки, О — рефлекс на электронограмме, отвечающий нулевому узлу обратной решетки. Рефлексы на электронограмме являются изображениями узлов обратной решетки в плоскости, перпендикулярной к падающему пучку. Рис. 5. Формирование отражений при <a href="/info/68188">дифракции электронов</a> (случай малой <a href="/info/1016465">длины волны излучения</a> и, следовательно, <a href="/info/1913660">малой кривизны</a> <a href="/info/196618">сферы Эвальда</a>). Р — <a href="/info/431294">центр сферы</a> Эвальда, О — нулевой <a href="/info/1387289">узел обратной решетки</a>, О — рефлекс на электронограмме, отвечающий нулевому узлу <a href="/info/19576">обратной решетки</a>. Рефлексы на электронограмме являются изображениями узлов <a href="/info/19576">обратной решетки</a> в плоскости, перпендикулярной к падающему пучку.
    Величина АЕ а, рассчитанная в [115] методом Эвальда [116, 117], равна [c.180]

    Параметр Эвальда I в (18.22) подбирается обычно таким образом, чтобы достигалась оптимальная сходимость сумм по q и В. В частности, удобно выбрать такое значение чтобы вклад в энергию сумм по В и В был пренебрежимо мал. Тогда [c.180]

    Построение сферы Эвальда ясно показывает, что при данном приближении увеличение размера сферы отражения с ростом энергии пучка характеризуется только появлением новых пучков 26  [c.403]


    Эвальд и др. [23] изучили изомеризацию, катализированную иодом при 180 в интервале давлений О—3000 атл1. Для. К равн величины Д7, определенные экспериментально и рассчитанные, совпадают в пределах точности эксперимента ( Ю%)- [c.440]

    Поверхностные-упрочненные слои, содержащие отрезки (debris) дислокаций, также могут являться экранирующими барьерами для выхода дислокаций П25 ]. Повыщенная склонность поверхностных слоев к деформационному упрочнению отмечалась М. В. Классен—Неклюдовой в 1936 г. Основываясь на явлении поверхностного упрочнения при деформировании металла И. Крамер предполагает, что стравливание упрочненного debris-слоя снижает сопротивление пластическому течению за счет запуска заблокированных поверхностных источников дислокаций. Однако противоречие состоит в том, что растворение поверхностного слоя уничтожает эти ранее существовавшие поверхностные источники, например источники типа Фишера. Между тем, еще в 1924 г. Эвальд и Поляни выдвинули общее представление об удалении поверхностных препятствий скольжению при объяснении по-вь1шения пластичности в среде растворителя. Хотя предложенное ими 1126] обозначение этого эффекта как механизм Эвальда— Поляни не является вполне удачным, поскольку его сущность не могла быть в то время расшифрована из-за более позднего появления дислокационных представлений о механизме пластической деформации, это общее представление охватывает любые виды экранирующих поверхностных барьеров и для краткости может быть названо барьерным механизмом. [c.144]

    С. X. Пайпер с соавторами [341], П. П. Эвальд (по [98]), К. Гесс (по [98]) и другие исследователи наблюдали одну систему четких рефлексов 00/ при изучении смесей н-парафинов. При этом ни в одном случае авторы перечисленных работ не сообщали об отклонении от ад дитивной прямой в изучаемой ими зависимости величины межплоскостных расстояний оо (А) от состава. [c.54]

    Малость длины дебройлевской волны для электрона означает большой радиус сферы Эвальда (см. стр. 268), ее вырождение в плоскость. Это сильно упрощает истолкование электро-нограмм, так как они оказываются прямыми изображениями плоского сечения обратной решетки кристалла. Атомные факторы для рассеяния электронов также пропорциональны атомному номеру, но по своей абсолютной величине они во много раз больше, чем для рентгеновских лучей. Иными словами, электроны взаимодействуют с веществом значительно сильнее, чем рентгеновские кванты. Поэтому они сильно поглощаются веществом, и для исследования его структуры необходимо пользоваться очень тонкими пленками толщиной порядка 10 —10 см, тогда как размеры кристаллов, изучаемых в рентгенографии, порядка 10 см. Исследование необходимо проводить в высоком вакууме. Это делает невозможным применение электронографии для изучения глобулярных белков в их нативном состоянии — вакуум высушит белок. Тем не менее электронография позволяет получить ценные результаты при исследовании фибриллярных белковых структур, синтетических полимеров и других аморфных тел. Существенное преимущество электронографии состоит в том, что она позволяет локализовать атомы водорода (подробное изложение см. в монографиях [31, 32]). [c.275]

    Эвальд, Хаманн и Стэтчбери [76] установили, что равновесие г мс-тра с-изомеризации 1,2-дихлорэтилена при повышении давления несколько смещается в сторону г мс-изомера. Так, при 185° и давлении 20 атм в равновесной смеси отношение концентраций транс- и г мс-изомеров равно 0,48, а при 3000 атм — 0,41. По данным Янагимото [77], равновесие реакции образования тиомочевины из тиоцианата аммония в жидкой фазе (при 220°) смещается давлением в сторону продукта реакции. [c.52]

    Рассмотрим теперь некоторые результаты исследований влияния давления на химическое равновесие реакций, проте-каюш,их с участием ионов. Эвальд и Хаманн [85] нашли, что в водном растворе равновесие диссоциации комплексного иона J3 на ион J и молекулу Jg при повышении давления смещается в сторону Jg константа диссоциации этого иона при 25° и 1000 атм на 20% меньше, чем при атмосферном давлении, Это отвечает увеличению объема при реакции J3—> — J2 +J на 5,4 см /молъ. Проведенные авторами расчеты изменения объема в изученной реакции (без учета сольватационных эффектов) на основании кристаллографических данных о длине связи J — J в молекуле J2 (2,66A) и в ионе Jg (2,95A), а так же об ионном радиусе J" (2,16 A) и атомном радиусе J (1,77 A) дали величину Аг = -1-4,92 см Ыолъ. [c.56]

    Эвальд [74] исследовал влияние давлеяпя до 1500 атм иа ст орость распада пентафенилэтана в растворе толуола при 70°. В этом интервале давлений константа скорости реак- [c.130]

    При интенсивном перемешивании суспензии наблюдается так называемая ударная перекристаллизация [218], И. В. Мелихов и Г, Эвальд отмечают, что исследователи обычно пренебрегают влиянием соуддрения кристаллов осадка друг с другом, с мешалкой и со стенками кристаллизатора иа кинетику сорбции радиоактивных примесей, не учитывая, что при соударении может происходить раскалывание кристаллов, которое, с одной стороны, приводит к увеличению поверхности сорбции, а с другой — к повышению [c.43]


    И. В. Мелихов и Г. Эвальд наблюдали интенсивный изотопный обмен между твердой и жидкой фазами суспензии при механическом перемешивании. Причем оказалось, что при более интенсивном перемешивании возрастает интенсивность изотопного обмена. Этот факт авторы объясняют двумя причинами во-первых, откалыванием частиц размером меньше 10 см и тем самым возбуждением оствальдова созревания и, во-вторых, ускоренной самодиффузией изотопа в объеме кристаллов осадка. Заметим, что авторы пришли к выводу об ускоренной самодиффузии индикаторного изотопа в объеме кристаллов осадка при их интенсивном перемешивании не из прямых опытов по определению коэффициента диффузии в кристалле, а косвенно, на том основании, что наблюдавшийся ими довольно большой (10%-ный) и быстрый (t С, 10 сек) обмен между твердой и жидкой фазами нельзя объяснить за счет малоэффективного и медленного механизма оствальдова созревания. Известно, что диффузия в кристаллах чрезвычайно низкая [10]. Поэтому вероятность ее ускорения под воздействием ударов небольшая. Более вероятно допушение, что существует еще один механизм рекристаллизации в дисперсных системах, интенсивность которого значительно выше интенсивности оствальдова созревания. [c.44]

    И. В. Мелихов и Г. Эвальд [218], считая, что перекристаллизация в суспензии может происходить только по малоинтенсивному механизму оствальдова созревания, пришли к выводу, что при механическом перемешивании суспензии интенсивный изотопный обмен осадка с раствором может быть обусловлен только интенсификацией диффузии ионов в кристаллы вследствие ударов кристаллов о лопасти мешалки и стенки сосуда. Однако прямых опытов, доказывающих такую интенсификацию диффузии в кристаллах, нет. Если же учесть приведенные выше опытные данные по рекристаллизации с термозондом, то опыты И. В. Мелихова и Г. Эвальда находят полное объяснение с точки зрения колебательного механизма рекристаллизации без привлечения маловероятного механизма ударной перекристаллизации [218]. [c.158]

    Сфера Эвальда проходит через нулевой узел обратной решетки О. Ее центр Р расположен в начале волнового вектора падающей волны iJ2n., конец которого расположен в нулевом узле обратной решетки. Из геометрического построения на рис. 3 ясно, что условия Лауэ выполняются для всех тех узлов обратной решетки, которые лежат на сфере Эвальда. При этом каждому вектору обратной решетки Н, попадающему на сфе- Рис. 3. Построение ру Эвальда, отвечает своя рассеянная Эвал . [c.19]

    Баэрлекен Эвальд. Коррозия углеродистых и легированных сталей соединениями серы. Доклад на ежегодном съезде немецкого научного общества по искусственному жидкому топливу и химии угля. Нефть и уголь , № 8, Гамбург, 1958. [c.100]

    Эквивалентное описание возможно с помощью построения сферы Эвальда. Для электронного пучка, падающего на двумерную решетку, сфера Эвальда состоит из сферы отражения, пересекающей стержни обратной решетки, которые проведены из каждого ее узла перпендикулярно поверхности. Стержни обратной решетки, как можно полагать, возникают из линий пересечения двух конусов отражения при трехмерном изобра-женпи предполагаются три конуса отражения, которые пересекаются в узле решетки. Построение Эвальда для сечения (Но) стержней обратной решетки представлено на рис. 2. Длина волны электрона К связана с его энергией Е выражением [c.403]


Библиография для Эвальд: [c.204]    [c.209]    [c.57]   
Смотреть страницы где упоминается термин Эвальд: [c.440]    [c.442]    [c.157]    [c.11]    [c.224]    [c.224]    [c.304]    [c.268]    [c.269]    [c.269]    [c.269]    [c.52]    [c.131]    [c.131]    [c.132]    [c.124]    [c.111]    [c.128]    [c.124]    [c.21]    [c.213]   
Основы радиохимии (1969) -- [ c.419 ]

Теория резонанса (1948) -- [ c.276 ]

Химическое равновесие и скорость реакций при высоких давлениях Издание 3 (1969) -- [ c.58 , c.67 , c.69 , c.128 , c.180 , c.183 , c.194 , c.286 , c.287 ]

Основы химической кинетики (1964) -- [ c.440 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте