Полный коэффициент для роста кристаллов

Число атомов К во фторфлогопите, которое может быть замещено Na, Са, 5г, Сз или КЬ, без ухудшения условий образования и роста кристаллов слюды колеблется от нескольких сотых (Ма, Са) до 0,5 (ЯЬ) формульных единиц. Наиболее легко и полно К замещается близким по размеру ионом Ва + (к> 1 во всем интервале замещений). Активность вхождения изоморфных элементов Сз (КЬ), 5г и Ва зависит от их количества в расплаве, причем характер этой зависимости для разных элементов неодинаков. Для Ыа и Са коэффициент сокристаллизации изменяется незначительно во всем ряду замещений. Для составов, в которых изоморфная примесь по отношению к К имеет значения коэффициента сокристаллизации меньше единицы, температура плавления ниже, чем калиевого фторфлогопита. [c.23]

Фильтрация обычно предшествует следующему этапу — очистке вещества от растворимых примесей путем перекристаллизации. Поскольку коэффициент распределения примеси может быть как больше, так и меньше единицы, т. е. кристаллы при их образовании могут как обогащаться, так и обедняться примесями, причем не известно, какие из них отрицательно влияют на рост кристаллов данного вещества, то рекомендуется следующая тактика выбора оптимального пути очистки перекристаллизацией. На первом этапе работы устанавливается, что является более чистым после перекристаллизации — раствор или выросшие из него кристаллы. Для этого приготавливается раствор, насыщенный по возможности при более высокой температуре, но такой, чтобы она не приводила к его разложению. Этот раствор охлаждают, и в нем идет кристаллизация. Охлаждение лучше производить медленно, с перемешиванием. Образующиеся при этом кристаллы меньше захватывают включений раствора, и разделение примеси происходит более полно. Для замедления охлаждения кристаллизатор ставят в большой сосуд с подогретой до температуры насыщения раствора водой, вместе с которой затем кристаллизатор охлаждается. После полного охлаждения взмученный раствор выливают на фильтр. Профильтрованный осадок промывают на фильтре небольшим количеством растворителя, чтобы убрать оставшийся на кристаллах раствор. [c.134]

Эффективный коэффициент Оэф сильно зависит от захвата примесей в процессе роста кристаллов и при разделении получаемой суспензии [70]. Если при кристаллизации образуются хорошо сформировавшиеся кристаллы, а на стадии фильтрации достигается практически полное их отделение от маточника, то аэф приближается к а. Поэтому эффективность очистки кристаллической фазы от примесей, содержаш,ихся в исходной смеси, существенно зависит от режимов процесса кристаллизации и последующей стадии разделения кристаллизата. [c.80]

Уравнение (3) описывает процессы, приводящие к полному переходу вещества из одного состояния в другое, так что 71 изменяется от нуля до единицы. Представление экспёрименталыных данных в координатах In/In (1 — 7i) А f позволяет определить коэффициент D и постоянную п, которая равна во всех случаях 0,5. Из теории Аврами следует, что такая величина п характерна для лимитируемого диффузией роста кристаллов в виде больших пластин путем утолщения после полного столкновения их ребер. Коэффициент D изменяется экспоненциально с температурой (рис. 9). Найденная графически величина энергии активации равна 6,9 эВ. Она совпадает с оценками, сделанными, например, Фишбахом [131. Такая величина энергии активации близка к энергии процесса самодиффузии (7,1—8,3 эВ) и несколько выше, чем приведенная в литературе для движения вакансий вдоль оси с (5,45 0,05 эВ) [16,с.94—98]. [c.23]

Составы 5гхК1-сс- Гетеровалентное замещение К на 5г приводит к снижению температуры плавления шихты (см. рис. 6) и значительно увеличивает вязкость расплава (см. рис. 7). С увеличением концентрации 5г в расплаве рост кристаллов слюды затрудняется, что, по-видимому, вызвано резким увеличением вязкости расплава. Полная замена К на 5г приводит к образованию микрочешуйчатой слюды, определяемой только рентгеноспектрально. Коэффициент сокристаллизации (см. рис. 8) с увеличением содержания 5г в расплаве уменьшается. Наличие стронция в слюдах увеличивает твердость кристаллов и показатели преломления. [c.23]

Температурный коэффициент полной скорости роста грани кристалла зависит также от температурного коэффициента процесса наслаивания последовательностей. При нуклеационном контроле осаждения температурный коэффициент скорости роста грани также отрицателен. Однако отрицательный температурный коэффициент роста еще не обязательно свидетельствует о нуклеационно контролируемом механизме. [c.307]

Холланд и Линденмейер [61] осуществили измерения полной скорости роста граней, нормальных к оси с, при кристаллизации полиэтилена из разбавленного раствора. В исследуемой области температур 80—92° С (соответствующей времени кристаллизации от нескольких секунд до дней) обнаружены отрицательные температурные коэффициенты роста. Эти опыты подтверждают нуклеационный характер процессов при развитии боковых граней кристаллов. [c.307]

Атомные координаты (х, у, z), локализованные прямыми методами и (или) разностными синтезами Фурье, можно улучшить при помощи уточнения методом наименьших квадратов, который находит наилучшую модель ( F ), аппроксимирующую набор экспериментальных данных ( Fq )- Традиционно большинство кристаллических структур уточняют относительно Fq(, при этом на блюдаемые структурные амплитуды, меньшие, чем тп lFol, считаются ненаблюдаемыми. Величина ет представляет собой экспериментально найденное стандартное отклонение, а m — произвольно взятое значение между 2 и 4. Отбрасывание таких слабых отражений широко используется на практике, так как оно приводит к улучшению окончательных значений параметров добротности (ур. 11.2-14-11.2-16). Метод уточнений включает минимизацию функции w( Fo — F ) с индивидуальными весовыми коэффициентами w для каждой структурной амплитуды. Эта методика обычно приемлема для хороших наборов данных, но оказывается менее надежной для слабо дифрагирующих кристаллов, так как 60-70% экспериментальных данных можно признать ненаблюдаемыми. В таких случаях очевидно, что необходимо включать все значения Fo . В настоящее время наблюдается существенный рост числа структур, уточненных с использованием метода для полного набора данных об интенсивностях относительно Fl в котором минимизируют сумму X w(Fq — Подобная стратегия также позволяет избежать проблем, связанных с расчетом [c.410]

Адсорбционно-кинетический режим наблюдается, если скорость взаимодействия примеси с поверхностью растущего кристалла соизмерима со скоростью его роста, массоперенос из объема среды к поверхности кристалла и издюнение состояния примеси в материнской фазе происходят значительно быстрее сорбции, а миграция примеси в объеме кристаллов протекает пренебрежимо медленно. Тогда примесь равномерно распределена в материнской фазе в любой момент кристаллизации и ее состояние в среде меняется квазиравновесно, а примесь, перешедшая на поверхность кристалла, полностью переходит в объем твердой фазы, так что коэффициент захвата отражает кинетику только адсорбционного процесса. Полный переход адсорбированной примеси в кристаллы подтверждают,, нанример, следующие два факта. [c.59]

Для проверки зависимости Сма(,с (т) была испытана серия образцов с одинаковым Хо = 21°. Как было показано выше (см. гл. IV, 1), у таких образцов предельная величина пластического сдвига, предшествующая хрупкому отрыву, значительно выше, чем у монокристаллов с большими углами Хо- Для кристаллов с Хо — 21° оказалось возможным использовать интервал деформаций от 1 до 22%, что отвечает росту т приблизительно от 50 до 200 Пмм . Микрофотографии нескольких шлифов приведены на рис. 94 полученная количественная зависимость Смаке от т приведена на рис. 95,а, который показывает, что Смаке в полном соответствии с формулой (IV.1) линейно растет с увеличением т , угловой коэффициент составляет макс/т" = 0,22Л ) ммЧГ = 0,22-10-1 смЧдн . [c.183]

Особенностью мартенситного превращения является коллективный сдвиг многих тысяч атомов на небольшие (меньше межатомных) расстояния. Этот переход имеет черты как гомогенного, так и гетерогенного превращения. Причиной перехода является неустойчивость всего объема системы по отношению к малым структурным перестройкам, но осуществляется переход через образование зародышей с последующим их ростом. Обязательным условием кооперативного движения границ раздела фаз при мар-тенситном превращении является полная когерентность межфазной границы матрицы и включения. Перестройку решетки при этом можно представить как деформацию (сдвиговую, дилатаци-онную или смешанную рис. 5.16) с инвариантной плоскостью (причем межфазная граница при этом совпадает с инвариантной плоскостью). Потеря устойчивости кристалла к малой деформации может быть замечена и при температурах вблизи области стабильности фазы, образующейся по мартенситному механизму. В этой области часто наблюдаются аномалии физических (например, отрицательный коэффициент температурной зависимости электросопротиления) и кристаллографических (формирование промежуточных структурных состояний, являющихся центрами зарождения мартенситных кристаллов) характеристик. [c.208]

Способность силиконового каучука к кристаллизации без изменения ориентации сегментов цепи, скорость кристаллизации, низкая температура замерзания и наличие перехода второго рода объясняются слабым межмолекулярным взаимодействием в полимерах, гибкостью и свободой вращения вокруг связей, а также низким температурным коэффициентом вязкости [335, 337, 465, 468]. При низких температурах молекулы силиконового каучука относительно подвижны из-за низкого температурного коэффициента вязкости (часть III, Б, 4) после зарождения центров кристаллизации образуются кристаллы, которые быстро растут, причем равновесие достигается быстро. Молекулы натурального каучука, наоборот, обладают малой подвия<ностью при низких температурах, и поэтому каучук кристаллизуется медленно. Полная кристалличность не достигается ни в одном полимере, поскольку сегменты отдельных макромолекул принадлежат нескольким различным кристаллитам, причем их рост вызывает появление напряжений в некристаллической части полимера и тем самым ограничивает образование кристаллов. [c.219]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология