Рекомбинация на стенках

Для того чтобы решить систему этих уравнений, можно пренебречь флуоресценцией и дезактивацией возбужденных молекул Вг2, так что удельная скорость реакции 1 = 2/а, где —среднее число фотонов, поглощенных 1 см в 1 сек. Удобно также допустить, что определенная доля атомов Вг, ударяющихся о стенку, захватывается стенкой, давая Вг2. В действительности же коэффициент рекомбинации на стенке должен, конечно, зависеть от стационарной концентрации атомов Вг, химической природы стенки, концентрации других примесей, которые могут влиять на абсорбцию атомов Вг, и т. д. [c.289]

Реакция СН3 с олефинами пе происходит в трубках из пирекса небольшого диаметра (15 мм). Интенсивная реакция идет в трубках диаметром 70 мм. Раст и др. [70] объясняют это быстрым исчезновением радикалов СИ3 при рекомбинации на стенках. Если это так, то рекомбинация на стенках должна конкурировать с чрезвычайно эффективной рекомбинацией СНо в газовой фазе. [c.321]

Эффективность рекомбинации на стенках может зависеть от давления или состава. Если механизм обрыва на стенках идет по схеме Х2 (газ) + И ХШ + X (газ , где IV — участок стенки, тогда с увеличением будет изменяться скорость как прямой, так и обратной реакции. [c.386]

Нойес [21] провел численный расчет для особенно интересного случая более высоких давлений, когда рекомбинация радикалов в объеме но второму порядку конкурирует с рекомбинацией на стенках по первому порядку. [c.389]

Можно показать, что в области условий, при которых бутан образуется в системе путем гомогенной бимолекулярной рекомбинации и гетерогенной рекомбинации на стенках, от- [c.229]

На третьем этапе происходит обрыв цепей (д —ж). Он происходит в результате соединения (рекомбинации) атомов в объеме реактора, захвата атомов его стенкой с последующей рекомбинацией на стенке, образованием неактивного радикала при взаимодействии активных частиц с примесями. [c.197]

При низком давлении газа в реакторе активные центры быстро достигают стенки реактора, адсорбируются на ней и рекомбинируют происходит обрыв цепей на стенке. Если вероятность е рекомбинации на стенке мала (е << 1), то обрыв цепи происходит после многократных столкновений активного центра с поверхностью и не лимитируется их диффузией к поверхности. [c.420]

Хотя считалось, что по сравнению с другими реакциями реакция хемилюминесценции О -Ь NO-пpи давлении 1 мм рт. ст. является простым бимолекулярным процессом рекомбинации [109], согласно имеющимся экспериментальным данным, предпочтителен кинетический механизм третьего порядка [11, 110]. Такой механизм подтвержден при исследовании [13] кинетики излучения в области давлений (10—250) 10 мм рт. ст., где показано, что интенсивность свечения начинает зависеть от давления ниже 60-10 3 мм рт. ст. Хорошее согласие с этой величиной получено независимо в работе [ПО]. При давлениях выше 60-10" мм рт. ст. двоякая роль частицы М, участвующей как в рекомбинации, так и в тушении N02, приводит к независимости интенсивности излучения от [М]. Высказано предположение [13], что гибель атомов кислорода в результате быстрой диффузии при низких давлениях и рекомбинации на стенке, которой раньше пренебрегали [109], приводит к наблюдаемому [109] второму порядку реакции О + N0 + М- Однако при достаточно низких давлениях (вплоть до 0,1-10" мм рт. ст.) Беккер, Грот и Тран [204], используя сферический сосуд объемом 220 м , убедительно показали протекание реакции рекомбинации как по третьему, так и второму порядку с преобладанием последней при давлениях ниже 1 10-3 рт ст. [c.333]

При гиперзвуковых скоростях протекание реакций в газе может существенно сказаться на теплоотдаче. При этом, по-видимому, можно не учитывать тепловыделение при рекомбинации на стенке, если степень ионизации невелика. Но влияние каталитической стенки может быть очень сильным из-за воздействия магнитного поля на градиент концентрации (см. раздел / 1,В,2). [c.51]

При действии на газ внешнего ионизатора равновесная концентрация ионов Паэ достигается не сразу. Предполагая, что образование ионов происходит только под действием постороннего ионизатора (причём в каждом кубическом сантиметре газа образуется в 1 сек. д новых пар ионов), а исчезновение ионов имеет место только путём их взаимной рекомбинации, и ограничиваясь случаем, когда рекомбинацией на стенках можно пренебречь по сравнению с рекомбинацией в объёме (как это имеет место в случае больших давлений), можем написать [c.117]

При малых давлениях газа возвращение ионизованных частиц газа в нейтральное состояние происходит путём рекомбинации электронов с положительными ионами. При этом рекомбинация на стенках играет настолько преобладающую роль, что рекомбинацией положительных ионов и электронов в объёме газа в большинстве случаев можно пренебречь. [c.257]

Ещё большую роль при реакциях в газовом разряде играют стенки той аппаратуры, в которой происходит реакция в разряде. Подобно тому как в обычных разрядах при низких давлениях газа на стенках идёт постоянная рекомбинация положительных ионов и электронов, при разложении молекулярных газов в разряде на атомные на стенках происходит рекомбинация атомов, лимитирующая концентрацию атомарного газа. Особенно сильно рекомбинация атомных газов происходит на металлических поверхностях. На процесс рекомбинации сильно влияют обработка поверхности стенок и наличие на ней адсорбированных плёнок. Поэтому для уменьшения рекомбинации на стенках и для увеличения концентрации активно го газа в объёме при использовании активного водорода для какой-либо реакции стеклянные стенки отравляют фосфорной кислотой, водяным паром или кислородом при использовании активного хлора стенки отравляют метаном и т. д. Рекомбинация атомарных газов па стенках (особенно на металлических) зависит от температуры стенок и сильно уменьшается при её повышении. [c.682]

Рекомбинация атомов и радикалов. При рекомбинации радикалов свободные валентности исходных веществ исчезают и образуется насыщенная молекула. Процессы такого типа маловероятны по энергетическим соображениям, и чаще осуществляется рекомбинация на стенках или при тройном столкновении. Однако с увеличением числа атомов в радикале возможность [c.126]

Обрыв цепей обусловлен гетерогенной рекомбинацией на стенке радикала ОН [c.73]

В уравнения (9—4) и (9—5) входят три неизвестные нам величины 5, 5 и р . Первые две однозначно связаны со значениями вероятности рекомбинации на стенке е и на стержне е . Значение г на стенке сосуда может быть вычислено из данных по измерению нижнего предела в отсутствие стержня. Измеряя при наличии стержня и подставляя соответствующие значения 5 в уравнение (9—4), можно вычислить. 1 и [c.55]

Учет рекомбинации на стенке активных центров [c.59]

Адсорбированный стенкой атом С1, вследствие рекомбинации на стенке или вследствие того, что на него налетает другой атом С1 из объема, превращается в молекулу Gig. Последняя десорбируется в объем и на стенке снова освобождается место для захвата новых атомов I. [c.184]

Измерение энергии активации элементарных реакций свободных радикалов представляет собой очень трудную задачу, несравненно более трудную, чем измерение брутто-энергии активации реакции между молекулами. Свободные радикалы являются частицами весьма неустойчивыми, быстро исчезающими, вследствие рекомбинации на стенке или в объеме. Поэтому весьма затруднительно поддерживать постоянной и определять концентрацию свободных радикалов, особенно в газовой фазе. [c.14]

Необходимо добавить, что причины предельных явлений далеко не всегда исчерпываются описанной здесь схемой преимущественной рекомбинации радикалов в объеме или на стенке. Это особенно относится к жидкофазным процессам, где рекомбинация на стенке вообще не играет роли. Но в принципе причиной предельных явлений всегда служит смена в преобладании скоростей генерации или обрыва цепей. Однако механизмы генерации и обрыва во многих случаях недостаточно ясны для того, чтобы можно было дать количественную характеристику наблюдаемых предельных явлений. [c.31]

При проведении экспериментов на лабораторных установках было получено, что время разогрева до воспламенения в слое для угля тощего с 0130Н0М становится меньше, чем время разогрева у такого реакционного угля как бурый, но без озона. А там, где угли без озона не воспламенялись, с озоном воспламенение имело место [4], т. к. озон расширяет нижний предел воспламеиения. Озон подводился по охлаждаемой трубке непосредственно к слою. Это исключало его разложение до подвода к частицам угля. Температура воспламенения бурого Назаров-ского угля (средний размер частиц 63 мк) снизилась в пылевзвеси с 360 до 200—210° С, а тощего с 630 до 580° С. Концентрация озона в первом случае была 0,4%, а во втором 0,1% из-за его рекомбинации на стенках. Процент выгорания угольной пыли с озоном и без озона нри одной и гой же температуре и длине реакционной камеры приледеп в таблице. [c.114]

Поверхностные реакции играют важную роль во многих приложениях, использующих процессы горения, как, например, в случае рекомбинации на стенке при самовоспламенении ( 10.3), при горе- [c.100]

Эффективность рекомбинации на стенках может зависеть от давления или состава. Если механизм обрыва на стенках идет по схеме Х2 (газ) 2 Х У + X (газ), где [c.386]

Одновременно с указанными реакциями могут также идти 1 другие, но их значение в общем развитии процесса несущественно, хотя при определенных условиях, например постоянной температуреи давлениях до 0,5 кПа, они могут привести к обрыву цепной реакции. Это реакции рекомбинации на стенках [c.19]

Исчезновение воспламенения и при понижении и ири повышении давления объясняется двояким способом обрыва цепей БО- первых, возможностью обрыва цепей при столкновении атомов и радикалов со стенкой (например, рекомбинация на стенках, Н, О и ОН, например по реакщш 4, схемы на стр. 21) во-вторых, при их столкновениях с молекулами [c.24]

VI,Б,2. Влияние химических реакций. Краткий анализ влияния химических реакций дан Ликоудисом в работе [Л. 60]. Используя результаты расчетов теплообмена при отсутствии магнитного поля [Л. 17], он показал, что магнитное поле увеличивает вклад в теплоотдачу диффузии и рекомбинации на стенке. Если пристеночные эффекты включить в тепловой баланс (см. раздел II,Д), умножив каталитический член в уравнении (39) на число Le, то теплоотдача увеличится. Более подробное обсуждение этих вопросов содержится в работе (Л. 60]. [c.62]

Одним из процессов гибели И,, особенно существенным при низкой концентрации И., является рекомбинация на стенке. Ири Ш1зких давлениях, когда длина пробега И. больше или соизмерима с размерами сосуда, содержащего газ, время жизни И. в отсутствии электрич. и магнитных полей определяется просто временем пробега его между стенками. При больших давлениях время жизни определяется временем диффузии И. к стенкам и равно Х х /2В, где X — расстояние между стенками, О — коэфф. диффузии И. Если в газе имеется одинаковая концентрация положительных И. и электронов (или отрицательных И.), то диффузия их к стенкам происходит с одинаковой скоростью (т. наз. амбиполярная диффузия). Коэфф. амбиполярной диффузии определяется средним значением подвижностей диффундирующих ноло-нштельиых и отрицательных И. (или электронов) [c.161]

При малых давлениях газа рекомбинация на стенках играет настолько преобладающую роль, что рекомбинацией положительных иопов ц электронов в объёме газа можно пренебречь. [c.118]

Наблюдая за развитием процесса сгорания по одновременной регистрации распространения пламени, например фотографическим методом, и массовой скорости сгорания — по изменению давления, мы всегда отмечаем, тотчас после искровою пробоя, некоторый променлуток времени, в течение которого не наблюдается ни видимого распространения пламени, ни повышения давления. В течение этого времени происходит рождение начального очага горения вследствие развития реакции в объеме, нагретом искрой. Когда ско-])ость реакции возрастает до такой величины, что скорость тепловыделения начинает заметно превышать скорость теплоотвода (в электроды и свенап газ), а скорость образования активных центров превышать скорость их гибели (в результате дезактивирующих столкновений в объеме или рекомбинации на стенках, в частности также на электродах), реакция переходит в стадию самопроизвольного развития и распространения по объему заряда. [c.52]

Число ионизаций, производимых электронами плазмы при этих условиях, во много раз больше, чем число возбуждений. Каждый акт нонизации приводит в конечном итоге к акту рекомбинации на стенках. Поэтому [c.345]

Реакция (3) была изучена непосредственно Гартеком и Копшем С" ). Ее энергия активации равна 6000 кал/моль. Скорости реакции рекомбинации на стенке атомов водорода и радикалов ОН были недавно измерены Смитом (i ). Его данные находятся в хорошем согласии с результатами, полученными при обработке экспериментов по окислению водорода. [c.24]

Если принять также, что 2 1-101 см /моль сек, = 10 И моль см сек и го = 3 см, то тогда уравнение (XIII.4.10) может быть решено для М > [(/сЬ) /(16г А 2/о)] == = 9-10" молъ см = 16 мм рт. ст. (при 25°). Если коэффициент рекомбинации на стенке меньше чем 1, эта величина соответствен яо уменьшается. Может быть показано, что при суммарном давлении до избытка 100 мм рт. ст. эффект стенки, вероятно, мал. [c.290]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология