Температура разрыхления

При росте температуры зависимость скорости отгонки от химической формы примеси и вида основы уменьшается. Если температура отгонки превышает температуру полного освобождения примесей [471], совпадающую с температурой разрыхления кристаллической решетки [1433], которая составляет 0,55—0,60 абсолютной температуры плавления основы, различие в форме нахождения примеси в основе уже не имеет значения. [c.244]

Вследствие своеобразия вида концентрата и возможной неполноты выделения некоторых примесей эталоны проводят через операцию отгонки. Эталонирование метода испарения облегчается тем, что в образцах допустимо присутствие посторонних, в том числе летучих, компонентов в концентрации до 0,1% и тем, что способ приготовления эталонов (составление механических смесей, введение из раствора, сокристаллизация) не играет роли, если температура испарения превосходит упомянутую выше температуру разрыхления кристаллической решетки основы. Разумеется, требование близости химического состава примесей в эталонах и пробах остается в силе. Вопрос о том, в каком виде нужно вводить примеси в эталоны, чтобы избежать систематической ошибки анализа, следует решать экспериментально. Например, установлено, что определение 1п и Оа в элементарном кремнии возможно по эталонным механическим смесям, содержащим окислы элементов, а определение В и 2п — по эталонам, содержащим элементарный бор и металлический цинк [292]. [c.247]

Повышение температуры твердого тела выше температуры Таммана, иначе называемой температурой разрыхления кристаллической решетки, вызывает резкое возрастание эманирующей способности. [c.764]

Изучая поведение ряда веществ при нагревании, Тамман назвал температуру, при которой начинается разрыхление кристаллической решетки, температурой разрыхления . Найденные им значения этой величины составляют 0.5—0.6 от абсолютной температуры плавления. [c.256]

Температура разрыхления сульфата бария около 770° (температура плавления 1580°) отношение температуры разрыхления к температуре плавления составляет 0.56. Для хлористого бария было получено отношение, равное 0.54. [c.257]

В этом параграфе будут рассмотрены процессы взаимодействия (интеркристаллические реакции), происходящие преимущественно при относительно высоких температурах — выше температуры разрыхления кристалла (см. гл. IX), когда диффузия атомов (ионов), занимающих узлы решетки, происходит достаточно быстро, чтобы они могли принять непосредственное участие в реакции. [c.145]

Таким образом, связь температуры возникновения большинства кристаллофосфоров с температурой разрыхления кристаллической решетки обусловлена рядом причин, но в конечном итоге дело сводится к необходимости обеспечить достаточную подвижность [c.297]

Ряд особенностей кристаллофосфоров обусловлен тем, что они представляют собой твердые растворы весьма малого количества активатора или собственных дефектов в основании люминофора (здесь мы имеем случай, когда количество переходит в качество). В частности, по этой причине нельзя пренебречь процессами, которые протекают при температурах, лежащих существенно ниже температуры разрыхления кристаллической решетки (в химии твердофазных реакций эти процессы обычно не учитываются). Малая концентрация точечных дефектов позволяет рассматривать кристаллофосфоры как разбавленные твердые растворы, во многом подобные жидким растворам электролитов, и применять термодинамические методы, близкие к тем, какие используются в химии газов и водных растворов. Термодинамика является стержнем всего курса физической химии кристаллофосфоров, который изложен в данной книге. Применение ее вовсе не означает, как это иногда предполагают, что соответствующие процессы считаются вполне равновесными. Такие процессы вообще редко встречаются в химии, и тем не менее термодинамика весьма успешно применяется в цветной металлургии, в ракетной технике и во многих отраслях химической промышленности. Именно на основе термодинамики и, в первую очередь, ее статистических методов удается разобраться в механизме активации кристаллофосфоров и во мно- [c.319]

Гпл — температура плавления Гр — температура разрыхления кристаллической решетки t — время [c.327]

О примечательном факте соответствия температуры освобождения примесей температуре разрыхления решеток, соответствующей, по данным Таммана 0,57 от абсолютной температуры плавления исследуемых соединений, свидетельствует табл. 37. Явление освобождения примесей из кристаллической решетки, конечно, лучше прослеживается на легколетучих примесях. [c.364]

Таким образом, существенно (даже и для очень летучих примесей), чтобы температура нагревания пробы в процессе испарения была выше температуры разрыхления решетки основной составляющей пробы. В этом случае возможное различие в характере распределения примесей в пробах и эталонах не играет роли и не отразится на результатах анализов. [c.364]

Известно, что для извлечения из пробы летучих примесей, входящих изоморфно в состав основных ее составляющих, необходимо, чтобы температура нагревания пробы была выше температуры разрыхления решетки основной ее составляющей на величину 0,57 от абсолютной температуры плавления этой составляющей [4]...Хлориды присутствуют в рудах в виде микрофаз, микровключений, и для успешного их выделения из руд нет необходимости доводить температуру проб до температуры разрыхления решеток. Продолжительность нагревания проб сказывается на полноте испарения соединений. Вопрос о скорости парообразования веществ мало изучен, и величины скоростей известны только для нескольких элементов. Почти нет данных [c.14]

Различие в скоростях испарения может быть сглажено, если температура источника возбуждения достаточно высока для того, чтобы вся проба перешла в расплав, или, если температура превысит температуру разрыхления кристаллической решетки основы и добавок (Виниченко, 1956). Поэтому метод добавок для порошковых проб минерального сырья должен применяться с осторожностью. [c.106]

Чтобы избежать перекристаллизации и изменения поверхности кристаллов во время адсорбции, что могло отразиться на эманирующей способности соли, в качестве адсорбента была использована суспензия, хранившаяся в течение нескольких лет, и адсорбция производилась в течение очень краткого времени — 5 мин. Таким путем исключались перекристаллизация и изменение поверхности адсорбента. В качестве примера приведе-дены кривые зависимости коэффициента эманирующей способности от температур для сокристаллизованных сернокислого и азотнокислого бария и радия. Из рис. 145, 146 видно, что в случае гомогенного распределения изотопов радия эманирование при комнатной температуре ничтожно мало. Резкий скачок на кривой имеет место при температуре разрыхления решетки. В слу- [c.262]

Если возбужденный уровень центра захвата близок к зоне проводимости, а температура опыта не слишком низка, то энергия активации, требуемая для перевода центра в возбужденное состояние, может оказаться достаточной и для его ионизации. В других случаях, к числу которых относится оптическое освобождение электрона из / -центров, обнаруживаемое по появлению фотопроводимости, требуется дополнительная тепловая энергия, так что по существу ионизация происходит фототермически. Ионизовать центры окраски щелочно-галоидных кристаллов только путем нагревания не удается из-за большой глубины центров, требующей температуры, значительно превышающей температуру разрыхления решетки (см. гл. IX). [c.42]

Взаимодействие дефектов нередко наблюдается при температурах значительно ниже температуры разрыхления кристаллов, когда вероятность перемещения атомов, занимающих места в узлах регулярной рещетки, весьма мала. Возможность ассоциации дефектов в этих условиях связана чаще всего либо с диффузией подвижных междоузельных ионов примесей , либо с тем, что взаимодействие происходит в области дислокаций и межблочных поверхностей, т. е. в местах с ослабленными связями и повышенной концентрацией вакансий, где вследствие этого диффузия примесей значительно облегчена. [c.165]

Но существуют и реакции, при которых взаимодействие идет непосредственно между веществами, находящимися в твердом состоянии. Такой процесс возможен лишь в том случае, если атомы (ионы) реагирующих веществ обладают при данной температуре достаточной подвижностью, чтобы между ними мог происходить обмен местами. Температура, при которой амплитуда колебаний атомов достигает необходимой для этого величины, называется температурой разрыхления кристаллической решетки Гр, или температурой Там-мана. Для большинства солей она составляет примерно одну и ту же долю от абсолютной температуры плавления Гпл, а именно TpAiG.S Тпл- Это объясняется тем, что обе эти температуры определяются прочностью связей между частицами, образующими кристалл. [c.262]

Помимо рассмотренной диффузии примесей по регулярной решетке, в химии люминофоров существенное значение имеет диффузия вдоль дислокаций и субграниц, тем более что речь идет о перемещении малых количеств примеси. Ослабленность связей вблизи дислокаций и повышенная концентрация вакансий, источником которых являются дефекты этого типа (см. гл. V, 1), приводят к росту коэффициентов диффузии и к тому, что введение примесей в кристаллы становится возможным при температурах значительно ниже температуры разрыхления решетки. Особенно большую роль это играет в случае порошковых люминофоров, характеризующихся высокой плотностью линейных и поверхностных дефектов и малыми размерами кристаллов. [c.294]

Природа плавня оказывает заметное влияние на температуру возникновения кристаллофосфора. Так, при получении ZnS- l-лю-минофоров замена Na l хлоридом магния или переход к прокаливанию в среде H H-H2S без плавня приводит к сдвигу начала появления голубого свечения в сторону высоких температур. Это можно объяснить влиянием минерализующих агентов на температуру разрыхления решетки. В этой связи следует упомянуть, что, как было показано на примере dBrz-Pb, введение в шихту веществ, образующих с основанием фосфора эвтектику, температура плавления которой всегда ниже температуры плавления чистого вещества (см. рис. 112), приводит к соответствующему снижению [c.296]

Для иллюстрации наших выводов можно привести некоторые данные-из литературы об исследовании промышленных коксов. Я. О. Габинский и Г. М. Исаров [373] прокаливали кокс разных заводов в нейтральной и окислительной атмосфере при температуре от 800 до 1150° и определяли происходившие изменения прочности и трещиноватости кокса. Установленные ими изменения свойств кокса легко объяснить изменениями его структуры. Прокаливание готового кокса в атмосфере азота не вызывало-особых изменений прочности и трещиноватости кусков кокса. Очевидно, что этот кокс достиг стадии завершения своей структуры. Напротив, прокаливание в окислительной атмосфере, особенно в токе углекислого газа, приводило к заметному увеличению количества и протяженности трещин. Трещиноватость кокса, прилегающего к стенам камеры печи, увеличивалась меньше, чем кокса из середины печи (рис. 218). Причем это явление наблюдалось при прокаливании в разной среде и при различной температуре. Разрыхление кусков кокса, появляющееся в наиболее сильной окислительной атмосфере, более сильно было выражено в частях кусков, удаленных от стенок коксовой печи. Выдерживание кокса при наивысшей температуре выравнивало структуру коксов, полученных из разных углей. В этой работе было установлено также, что после прокаливания при 1000° в атмосфере СОг дробимость кокса в большинстве случаев возрастала (испытано методом сбрасывания), а показатели ситового состава для всех коксов становились почти одинаковыми. [c.334]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология