Температура разрыхления кристалла

В этом параграфе будут рассмотрены процессы взаимодействия (интеркристаллические реакции), происходящие преимущественно при относительно высоких температурах — выше температуры разрыхления кристалла (см. гл. IX), когда диффузия атомов (ионов), занимающих узлы решетки, происходит достаточно быстро, чтобы они могли принять непосредственное участие в реакции. [c.145]

Плавление—переход кристаллического минерала в жидкое состояние — осуществляется в результате увеличения внутренней энергии кристалла. При повышении температуры минерала возрастают тепловое колебание атомов и их диффузия в кристаллическом пространстве, а также число дефектов в решетке (вакансий, или дырок). В итоге при некотором значении Т кристаллическая структура твердого тела распадается на легкоподвижные частицы, соизмеримые с объемом элементарной ячейки. Вещество переходит в жидкое состояние, отличающееся высокой пластичностью. Подавляющая часть кристаллов плавится с небольшим увеличением объема (на 2—6%), что связано с разрыхлением структуры по границам между упорядоченными областями. Некоторые кристаллы (лед, висмут, германий) плавятся с уменьшением объема. Это обусловлено изменением структуры вещества в жидком состоянии. [c.112]

Можно предположить, что в случае сравнительно высоких температур, при которых происходит кристаллизация из расплава (300—400°), наряду с явлением перекристаллизации имеет место диффузия в твердой фазе. Предположение это находится в согласии с установленным Г. Тамманом фактом, что при такой температуре наступает разрыхление кристаллической решетки, делающее возможным диффузию в кристаллах и реакции в твердой фазе. Кроме того, наличие диффузии радия в кристаллах нитрата бария при 200—300° установлено экспериментально О. Ханом. [c.65]

Проявлениями. К тому же, после затухания равномерной коррозии появляется сильная местная коррозия поверхности. Вследствие этого покровный слой разрыхляется и смесь новых продуктов коррозии и веществ старого слоя беспорядочно осаждается на поверхности. Этой беспорядочной коррозии приписывается также рост , наблюдаемый у алюминия высокой чистоты, который, как доказано, наступает при температурах выше 190—200° С (температурный порог, начиная с которого преобладает беспорядочная коррозия). Межкристаллитная коррозия исключается как причина приведенного увеличения объема продуктов коррозии, так как подобное разрыхление поверхности наблюдалось и при испытаниях отдельных кристаллов алюминия (испытания проводились в течение длительного времени при достаточно высоких температурах воды [61]). [c.526]

Температура. Температура является одним из основных факторов, влияющих на эманирующую способность кристаллов Это влияние связано с изменениями состояния вещества. Особенно сильное влияние температура оказывает с момента разрыхления кристаллической решетки. Проблемой влияния температуры на эманирующую способность занимались многие исследователи. [c.256]

Хлопин [ ] первоначально дал два объяснения этой интересной особенности систем с расплавами по сравнению с растворами. Первое состояло в том, что при тех температурах, при которых изучалось распределение, происходит разрыхление решетки и может происходить диффузия ионов радия, достаточная по скорости для быстрого выравнивания концентрации радия в образовавшихся смешанных кристаллах (см. Состояние радиоактивных изотопов в твердой фазе ). [c.267]

Чтобы перейти из одного узла решетки в другой, атом должен преодолеть определенный энергетический барьер, зависящий от энергии связи в кристалле. Переход атомов при тепловом двил<еиии из одних положений равновесия в другие называется самодиффузией, а минимальная энергия, необходимая для этого перехода, называется энергией активации при самодиффузии, или энергией разрыхления решетки. Атомы, перешедшие в другое положение равновесия, называются дислоцированными, а незанятые узлы — вакантными (рис. 20). Образующиеся в кристалле вакантные узлы не остаются незанятыми. Чем выше температура, тем больше дислоцированных атомов и вакантных узлов. Вместе с тем число их даже при температурах, близких к плавлению, не превышает 2,0% Из-за хаотичности теплового движения атомов в некоторых участках кристалла могут оказаться не отдельные дислоцированные атомы и вакантные узлы, а их скопления, приводящие к значительному местному отклонению энергии, плотности и упаковки атомов от среднего значения энергии, плотности и упаковки. [c.78]

Взаимодействие дефектов нередко наблюдается при температурах значительно ниже температуры разрыхления кристаллов, когда вероятность перемещения атомов, занимающих места в узлах регулярной рещетки, весьма мала. Возможность ассоциации дефектов в этих условиях связана чаще всего либо с диффузией подвижных междоузельных ионов примесей , либо с тем, что взаимодействие происходит в области дислокаций и межблочных поверхностей, т. е. в местах с ослабленными связями и повышенной концентрацией вакансий, где вследствие этого диффузия примесей значительно облегчена. [c.165]

Чтобы избежать перекристаллизации и изменения поверхности кристаллов во время адсорбции, что могло отразиться на эманирующей способности соли, в качестве адсорбента была использована суспензия, хранившаяся в течение нескольких лет, и адсорбция производилась в течение очень краткого времени — 5 мин. Таким путем исключались перекристаллизация и изменение поверхности адсорбента. В качестве примера приведе-дены кривые зависимости коэффициента эманирующей способности от температур для сокристаллизованных сернокислого и азотнокислого бария и радия. Из рис. 145, 146 видно, что в случае гомогенного распределения изотопов радия эманирование при комнатной температуре ничтожно мало. Резкий скачок на кривой имеет место при температуре разрыхления решетки. В слу- [c.262]

Если возбужденный уровень центра захвата близок к зоне проводимости, а температура опыта не слишком низка, то энергия активации, требуемая для перевода центра в возбужденное состояние, может оказаться достаточной и для его ионизации. В других случаях, к числу которых относится оптическое освобождение электрона из / -центров, обнаруживаемое по появлению фотопроводимости, требуется дополнительная тепловая энергия, так что по существу ионизация происходит фототермически. Ионизовать центры окраски щелочно-галоидных кристаллов только путем нагревания не удается из-за большой глубины центров, требующей температуры, значительно превышающей температуру разрыхления решетки (см. гл. IX). [c.42]

Но существуют и реакции, при которых взаимодействие идет непосредственно между веществами, находящимися в твердом состоянии. Такой процесс возможен лишь в том случае, если атомы (ионы) реагирующих веществ обладают при данной температуре достаточной подвижностью, чтобы между ними мог происходить обмен местами. Температура, при которой амплитуда колебаний атомов достигает необходимой для этого величины, называется температурой разрыхления кристаллической решетки Гр, или температурой Там-мана. Для большинства солей она составляет примерно одну и ту же долю от абсолютной температуры плавления Гпл, а именно TpAiG.S Тпл- Это объясняется тем, что обе эти температуры определяются прочностью связей между частицами, образующими кристалл. [c.262]

Помимо рассмотренной диффузии примесей по регулярной решетке, в химии люминофоров существенное значение имеет диффузия вдоль дислокаций и субграниц, тем более что речь идет о перемещении малых количеств примеси. Ослабленность связей вблизи дислокаций и повышенная концентрация вакансий, источником которых являются дефекты этого типа (см. гл. V, 1), приводят к росту коэффициентов диффузии и к тому, что введение примесей в кристаллы становится возможным при температурах значительно ниже температуры разрыхления решетки. Особенно большую роль это играет в случае порошковых люминофоров, характеризующихся высокой плотностью линейных и поверхностных дефектов и малыми размерами кристаллов. [c.294]

Используя чувствительность кристаллической структуры сополимеров трифторхлорэтилена и винилиденфторида к термообработке, можно оценить при прочих равных условиях влияние надмолекулярной организации полимера на процесс структурного разрыхления пленок, деформируемых в жидкости. В [76] пленки фторлона Ф-ЗМ отжигали при температуре 60 - 120 °С (ниже температуры плавления кристаллов) в условиях, исключающих возможность усадки, чтобы ослабить возможное влияние дезориентации макромолекул в аморфной части. Как показано ниже, отжиг полимерных образцов вызывает изменение механических характеристик пленки предел вынужденной высокоэластичности увеличился на 20%, предел текучести на 27%, а относительное удлинение при разрыве сократилось на 125% симбатно относительному удлинению при разрыве уменьшается поглощение жидкости [c.39]

Молекулярно-кинетическая теория плавления исходит из положения. что уменьшение степени порядка в расположении частиц твердого тела начинается задолго до плавления в связи с увеличива-юп1,ейся тепловой подвижностью частиц с повышением температуры. При этом растет число точечных дефектов структуры, что способствует разрыхлению кристаллической решетки. С дальнейшим повышением температуры в непосредственной б.тизости от кристалло-графпческп правильное расположение частиц теряет устойчивость, причем решающая роль в разрушенип да.льного порядка переходит к появляющимся более или менее значительным флуктуациям плотности, в которых участвует значительное число атомов. [c.8]

Пикрат аммония состоит из двух хромоизомеров бензоид бесцветен, а хиноид имеет окраску от желтого до красного. Бензондный изомер либо имеет мало лабильных электронов, либо вовсе их не имеет, поэтому он не абсорбирует свет, т.е. бесцветен. Хиноидный изомер имеет лабильные электроны, свободный период которых совпадает с периодом коротких световых волн более длинные волны поэтому не абсорбируются, но отражаются. Степень разрыхления лабильных электронов в пикрате аммония зависит до некоторой степени от ряда влияний температуры, щелочности, концентрации соответственно изменяется окраска. В зависимости от этих влияний получаются желтые, оранжевые, или красные кристаллы, а отдельные кристаллы могут быть внутри красными, а снаружи желтыми и наоборот, что на самом деле наблюдается при получении кристаллов. [c.259]

При 920°С на кривых нагревания для кальцита и арагонита наблюдаются пики, связанные с разложением карбоната кальция, при котором выделяющийся углекислый газ увлекает с собой торон из кристаллов. Сименс подтвердил правильность этого объяснения природы пиков путем взвешивания нагретых образцов. Пик на кривой арагонита при 530°С обусловлен переходом от структуры арагонита к структуре кальцита атомы торона легче выделяются из кристаллической решетки во время ее перестройки. Цименс доказал наличие этого перехода путем изучения структуры образца арагонита с помощью метода Дебая — Шерера до и после нагревания до 600°С. Подъемы кривых при 600 и ИОО С Цименс объясняет разрыхлением решеток карбоната кальция и окиси кальция. Согласно предсказаниям Таммана [ТЗ], для солей и окислов металлов при температурах, равных примерно половине их абсолютных температур плавления, должно происходить разрыхление решеток, способствующее повышению подвижности частиц, расположенных в узлах решетки. Для окиси кальция температура, равная половине абсолютной температуры плавления, составляет 1150° С. [c.244]

При повышении температуры энергия решетки уменьшается вследствие разрыхления решетки под действием тепловых колебаний, в то время как внутренняя энергия увеличивается. У большинства кристаллов энергия решетки в пределах от 0°К до комнатной температуры изменяется незначительно — на величину порядка 1 ккал1моль. [c.70]

Бауден [50, с. 279] предложил модель пластического течения по механизму возникновения и необратимого развития сдвиговых деформаций в небольших дискообразных участках структуры стекла подобно движению дислокаций в кристалле. Предсказываемая обеими моделями зависимость предела вынужденной эластичности от температуры, скорости деформации и гидростатического давления находится в хорошем согласии с имеющимися экспериментальными данными [50, 129], причем предполагаемое этими моделями разрыхление структуры косвенно подтверждается результатами исследования межмолекулярного взаимодействия [125] и тепловых эффектов при деформации [124]. [c.100]

Шлаковое стекло с добавкой 3% Т102. Кристаллизация стекла данного состава происходит с увеличением объемного веса от 2.87 до 2.99 г/си . Однако усадка образцов составляет 3—5 %. Оптимальный режим кристаллизации, по данным исследования скорости прохождения ультразвука, — предварительный нагрев до 700°, выдержка 1 час, последующий подъем температуры до 1000°, выдержка 2 часа. При термообработке при температуре 700° наблюдается значительное снижение скорости прохождения ультразвука, в интервале температур 800—1000° — интенсивное возрастание этого показателя, при температуре выше 1000° —укрупнение кристаллов, приводящее к разрыхлению структуры — снижению показателей упругих свойств шлакового камня (рис. 2, таблица). [c.151]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология