Фосфиды ЯМР-спектры

При исследовании монокристаллических образцов арсенида и фосфида галлия [288—290] была предпринята попытка определения стехиометрического состава молекулярных кристаллов, что потребовало подбора условий для создания ионного пучка, адекватно отражающего состав исследуемого образца. Масс-спектры, полученные испарением ОаАз и ОаР при облучении оптическим квантовым генератором, были представлены ионами Оа+, Ав+, Азг" и Оа+, Р+, Рг" ", однако не всегда удавалось получить достаточно надежную воспроизводимость относительной распространенности этих ионов. [c.221]

В настоящее время уже нашли практическое применение выпускаемые промышленностью светодиоды на основе карбида кремния, фосфида галлия, а также излучатели инфракрасного света на основе арсенида галлия. Ниже приведены основные достижения в области создания таких светодиодов н более подробно рассмотрены работы, посвященные созданию светодиодов на основе соединений типа которые многие исследователи считают перспективным материалом для диодов, излучающих в видимой области спектра. Значительная часть работ по инжекционной электролюминесценции посвящена исследованию физики этого явления. Именно благодаря успехам в исследовании механизма люминесценции и природы центров излучательной и безызлучательной рекомбинации удалось разработать технологию получения эффективных светодиодов на основе карбида кремния н фосфида галлия. В первую очередь это относится к фосфиду галлия с красным цветом излучения. Для карбида кремния и фосфида галлия с зеленым излучением эти вопросы менее ясны, а для соединений типа Л в они исследованы еще в меньшей степени. [c.34]

Сообщается также о пригодности твердых растворов типа Оа ,.А11.Р [4] и 1п, .0ад.Р [8] для изготовления светодиодов с зеленым цветом свечения. В табл. 1 приведены параметры для лучших образцов светодиодов. Параметры промышленных светодиодов заметно ниже, чем у указанных выше лабораторных образцов [9, 10]. Промышленные светодиоды на основе фосфида галлия имеют яркость свечения 5—40 нт в красной области спектра при токе через диод 5—20 ма, а в зеленой области спектра — до 50 нт при токе через диод -30 ма диоды на основе карбиду кремния имеют яркость свечения в желтой области спектра около 20 нт при токе через диод 15—20 ма [4]. [c.35]

На основании химических свойств и изучения строения ацето-фосфидов физическими методами (ИК-, УФ-, масс-спектры, спектры ЯМР Ш и Ф) высказано предположение что строение фосфидов отличается от строения их азотных аналогов. [c.98]

Ввиду того что спектры данных стекол недостаточно разрешены, особенно в случае арсенидов, невозможно оценить вклад в уширение резонансных спектров каждого из названных факторов. Размытие спектров резонансного поглощения стеклообразных арсенидов может также отражать тот факт, что при стеклообразовании арсенидов изменения структуры ближнего порядка в них отличаются от изменений структуры фосфидов. [c.129]

Недавно авторы [1] изучали спектры э. п. р. ионов трехвалентного железа в арсениде галлия и определили = 2,045 0,002. Положительный сдвиг --фактора наблюдался также при изучении Ре + в арсениде индия [2] и фосфиде галлия [31, в целом ряде соединений [4]. Во всех случаях угловая [c.42]

В технике широко применяются арсенид, в меньшей степени фосфид и антимонид галлия, а также твердые растворы арсенида с фосфидом галлия или этих галлиевых соединений с аналогичными соединениями алюминия и индия. Они используются для изготовления разнообразных полупроводниковых устройств — выпрямителей, транзисторов, детекторов ядерного излучения, приборов, использующих эффект Холла, и т. п., а также лазеров [80], Сейчас широко начинают применяться люминесцентные источники света в виде полупроводниковых диодов. Отличаясь малой инерционностью, они легко сочетаются с другими элементами электронных схем. На этой основе развивается новое направление электроники — оптикоэлектроника. С помощью фосфида галлия получают источники зеленого и желто-зеленого светов твердые растворы фосфида с арсенидом дают свечение от желтого до красного. Арсенид и антимонид галлия дают инфракрасное излучение 0,85—0,90 и 1,6 мкм соответственно. На основе арсенида галлия и других материалов этой подгруппы работают лазеры как для видимой, так и для инфракрасной областей спектра. Из других полупроводниковых соединений галлия начинает входить в практику селенид GaSe [80]. [c.245]

В спектре масс InP были обнаружены в относительно больших концентрациях Ра, Рз, Р4, Р5 и Тпа, но ни в одном из случаев, в пределах чувствительности метода, не наблюдались ионы, состоящие из индия и фосфора одновременно. В этом отношении фосфид индия отличается от арсенида галлия и антимонида индия. [c.34]

При определении фосфора в кремнийфосфорорганических соединениях применяют [194] низкотемпературный (охлаждаемый) фульгуратор (рис. 62). Пробу растворяют в органическом растворителе (эфире, ацетоне, гептане, метаноле, нормальном пропаноле, толуоле) и наливают в сосуд 2 фульгуратора. С целью уменьшения испарения и предупреждения воспламенения пробы ее охлаждают до и во время экспозиции. В зависимости от температуры вспышки растворителя для охлаждения применяют следующие смеси ацетон — сухой лед метанол — сухой лед лед — вода и холодную воду. Спектр возбуждают высокочастотной искрой от генератора ДГ-2 и регистрируют на спектрографе ИСП-28. Для приготовления эталонов в растворитель вводят различное количество фосфора в форме дибутил-фосфида и кремния в форме тетраэтоксисилана. В качестве внутреннего стандарта используют серу, введенную в форме тиодигликоля. [c.150]

Превращение воды в фосфин в результате реакции с фосфидом магния было использовано Убишем [2063]. Несмотря на то что это соединение образует пики в области спектра, обычно свободной от фона и что тяжелые изотопы фосфора не мешают определению дейтерия, фосфин не является идеальным материалом для масс-спектрометрического анализа, так как он принимает участие в адсорбции и обмене на стенках вакуумной камеры. [c.86]

Бора фосфид (0,2 г) In (30), Bi, Ga, Ge, Pb, Sn, Те (100), Sb (10 ). 1. Метод испарения примесей на воздухе смесь с Na l (2 1), 1600°С, 90 сек. 2. Перем. т. 16 а, 1 мин, съемка спектров двух конденсатов на одно место пластинки [24]. [c.379]

В ИК-снектрах диметилацетилфосфида (I) и метилдиацетилфосфида (II) наблюдаются две карбонильные полосы и V2. Введение второй ацетильной группы не изменяет положения этих полос (табл. 2). В спектрах соответствующих амидов V и VI введение второй ацетильной группы вызывает резкое повышение частоты (на 50 лt ). Это связано, по-видимому, с повышением кратности связи С—О из-за распределения заряда между двумя атомами кислорода. Это сопоставление свидетельствует против амидного резонанса в фосфидах. [c.64]

Из других полупроводниковых материалов следует отметить важность улучшения системы очистки ОаР и 1пАз. Фосфид галлия является одним из основных материалов для изготовления светодиодов, излучающих в видимой области спектра. Для изготовления светодиодов на ОаР, излучающих зеленый свет, необ- [c.157]

Как уже отмечалось выше, существенную роль в определении взаимного энергетического положения уровней играет взаимное отталкивание уровней и зон. Простейшие примеры такого отталкивания — это расщепление на полосы У1 и Уг в С, Ое и 51 вследствие взаимодействия С — С 2 , 51 35 — 51 35, Ое 45—Ое 45 и довольно сложиый характер молекулярных уровней молекул и кристаллов N2, О2 (гл. 3),, 4 [26, 465], 5в [466-468], Аз, 5Ь, В1 [407],5е,Те [469],где нет переноса электронной плотности от одного атома к другому, однако пространственное ее распределение изменяется существенным образом по сравнению со свободными атомами за счет образования а- и я-связей и неподеленных пар. Продемонстрируем это явление на примере фосфидов цинка и меди и оксианионов непереходных элементов. Рентгеновские и рентгеноэлектронные спектры интересующих нас фосфидов представлены на рис. 76. В ОаР уровень Оа 3 расположен довольно глубоко и слабое взаимодействие Оа Зй —Р 3 лриводит лишь к незначительному добавочному максимуму в Р 2,з-спектре. Максимум Р 2,3 имеет обычное значение, близкое, например, к значению в ВР, где нет ана- [c.153]

С этим хорошо согласуются химическая активность неподеленной пары фосфора в таких соединениях и отсутствие у карбонильной группы свойств, характерных для изолированной карбонильной группы кетонов. Интересно отметить наличие барьера вращения вокруг связи Р—С=0, с чем связано появление доказанной с помощью ИК-спектров и спектров ПМР цис-грранс-шожрш фосфидов [c.98]

При изучении природы и характера химической связи в кристаллах методами рентгенографического анализа возникает ряд трудностей при интерпретации интенсивностей изме-ренпых рентгеновских дифракционных спектров. Интенсивность рассеянных рентгеновских лучей чувствительна не только к состоянию атомов в кристалле, но и к степени его совершенства. Большинство реальных монокристаллов, полученных к настоящему времени, не идеально мозаичные и не идеально совершенные. Теоретические же расчеты рассеяния рентгеновских лучей существуют только для этих двух крайних случаев. Целью настоящей работы являлось измерение отражательной способности рентгеновских лучей полярных плоскостей (111) и (ПГ) монокристаллов фосфида галлия и сравнение результатов эксперимента с теоретическими значениями этих величин. [c.72]

Спектры стеклообразных фосфидов имели вид асимметричного, частично разрешенного пика, который может быть разложен на две перекрывающиеся линии различной интенсивиости (рис. 2, б). Положение более интенсивной линии [c.126]

Аналогичные спектры были также получепы для кристаллических и стеклообразных арсенидов с той лишь разницей, что спектры последних не разрешены (рис. 3, б). По аналогии со стеклообразными фосфидами можно представить резонансный спектр арсенидного стекла в виде суперпозиции двух линий, соответствующих двум различным зарядовым состояниям олова. Полученные в результате графического разложения спектра стеклообразного Сс1А52, легированного 5п, параметры двух линий приведены в табл. 3. [c.127]

Получены /С-э.миссионные спектры в чистом (красном) фосфоре и фосфидах бора, галлия и индия. Результаты работы сравниваются с данными других авторов. Показано, что [c.276]

Соединения индия, галлия, алюминия, бора с азотом, фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом являются интерметаллическими, но, как правило, со строгим атомным соотношением 1 1. Излишек одного из компонентов в расплаве выделяется при затвердевании в виде второй фазы. Эти соединения в совокупности обладают более широкой гаммой полупроводниковых свойств, чем вещества IV группы, и у них наблюдаются новые, прежде неизвестные свойства. Ширина запрещенной зоны этих веществ лежит в пределах от 0,17 (InSb) до 2,25 эв (GaP), что позволяет использовать некоторые из них в высокотемпературных приборах. Арсенид галлия —более перспективный материал для солнечных батарей, чем кремний. Будучи почти таким же тугоплавким, он имеет в полтора раза большую ширину запрещенной зоны и почти в три раза большую подвижность основных носителей тока. Он работает как полупроводник в интервале от минусовых температур до 500°. Это эффективный полупроводниковый источник света для ближней инфракрасной области, а фосфид галлия — для красной и зеленой области спектра. Многое обещают преобразователи солнечной энергии на основе фосфида индия. [c.187]

Синтезирован и спектрально охарактеризован смешанный фосфидо-фосфениевый комплекс гафния 47 (К = Е1). При низких температурах в спектре Ф-ЯМР наблюдаются два сигнала (К = Су), при более высоких температурах комплекс проявляет динамическое поведение и дает только один сигнал (энергия активации 6 ккал/моль) [68]. [c.82]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология