Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Кристаллораститель

    Полагаем, что частицы в поперечном сечении кристаллорастителя — в среднем одинаковые сферы с диаметром (1. Выше было получено, что силу трения, действующую на единицу массы /-й фазы, можно представить в виде [c.214]

    При постоянной линейной скорости роста кристаллов Л нужный объем кристаллорастителя примерно равен  [c.220]

    Кристаллизаторы со взвешенным слоем растущих кристаллов комбинируются из резервуара-отстойника (кристаллорастителя), наружного трубчатого теплообменника и циркуляционного насоса, соединенных в замкнутый контур. Суспензия крупных кристаллов отводится из нижнего конуса кристаллорастителя, а маточный раствор — сверху, однако большая его часть вместе со свежим раствором поступает в циркуляционный насос и продолжает движение по контуру мелкие кристаллы длительное время находятся во взвешенном состоянии в средней части кристаллорастителя, постепенно укрупняются и опускаются вниз. [c.252]


    Поскольку температура в кристаллорастителе меняется незначительно, равновесная концентрация С может быть описана линейной функцией температуры  [c.314]

    Концентрацию раствора на выходе из кристаллорастителя можно определить из условия, согласно которому кристаллизация при пересыщении, составляющем 5 % от предельного, практически прекращается [2  [c.315]

    Определение рабочей высоты кристаллорастителя [c.315]

    Для определения рабочей высоты кристаллорастителя необходимо располагать значениями порозности слоя, скорости раствора и коэффициента массопередачи. [c.315]

    Рабочая высота псевдоожиженного слоя должна составлять 0,75 от высоты кристаллорастителя до уровня отводящего патрубка, т. е. с учетом сепарационного пространства [2] получим Я = 6/0,75 = 8 м. [c.316]

    Рещая систему уравнений (10.12), (10.13) находим концентрацию и температуру раствора на входе в кристаллораститель. Подставив а эту систему уравнений известные величины, получим  [c.316]

    Концентрация раствора в испарителе равна концентрации раствора, поступающего в кристаллораститель  [c.316]

    Диаметр кристаллорастителя находим из уравнения расхода  [c.317]

    Подставив значение 1/ц р, получим диаметр кристаллорастителя  [c.317]

    Проверка расчета кристаллорастителя. Масса кристалла в слое  [c.317]

    Методика расчета кристаллорастителя и емкости для растворения соли сводится к определению объемов и линейной скорости раствора в различных сечениях аппаратов. [c.16]

    Изменение пересыщения раствора в кристаллорастителе от начального его значения ДСд до конечного ДС перед смешением с новой порцией горячего раствора определяется зависимостью [c.16]

    Для кристаллорастителя следует принять е > 0,85 т > 0,4 X X 10- Ус / р 0,01ч,тогда ДС =0,118 ДС . [c.16]

    Линейная скорость раствора в сечениях кристаллорастителя и емкости для растворения соли определяется по известным критериальным уравнениям [ 8]. [c.17]

    Высота конической и цилиндрической частей обеих емкостей принята цо 1,5 м с учетом необходимости выравнивания скорости потока жидкости по сечению аппарата и поддержания осветленного слоя в верхней части аппаратов высотой не менее 0,5 м. Поскольку скорость растворения соли при температуре 60 - 70 С значительно выше скорости кристаллизации, а объем емкости для растворения кристаллов значительно превышает объем кристаллорастителя из-за низкой линейной скорости раствора при одинаковых высотах аппаратов, подробный расчет узла растворения производить не следует. Тем более, что под зту емкость можно приспособить имеющиеся в цехах отстойники раствора. В любом случае важно, чтобы в верхней части емкости для растворения соли линейная скорость восходящего потока жидкости не превышала 0,0015 м/с. [c.17]


    Рассмотрена технология перекристаллизации мелкокристаллического сульфата аммония на установке с охладительным кристаллизатором типа Кристалл . Приведены методика расчета кристаллорастителя и техническая характеристика установки различной производительности по соли с размером кристаллов более 1 мм. Ил. 1. Библиогр. список 9 назв. [c.69]

    В свою очередь, уравнения (2.64) и (2.65) описывают изменение концентрации целевого компонента во флегме и в пленке по высоте укрепляющей части обогатителя. Связь между двумя частями обогатителя, плавителем и кристаллорастителем устанавливается посредством уравнений материального баланса. [c.111]

    Исследование эффективности работы фракционных кристаллизаторов было начато с определения времени достижения установившегося режима. Установившимся считался такой режим, когда температура в кристаллорастителе устанавливалась постоянной и концентрация (или температура кристаллизации) периодически отбираемого целевого компонента также сохранялась постоянной (рис. 2.21). [c.114]

    Экспериментальное определение фд и проводилось следующим образом. После вывода аппарата на установившийся режим работы, когда колонна полностью заполнялась кристаллами, содержимое кристаллорастителя сливали через штуцер на уровне раздела фаз. Затем колонну разогревали до полного плавления кристаллов, а переливной патрубок оставляли открытым. Через него сливалась избыточная масса, образующаяся за счет разности плотностей твердой и жидкой фаз. Ее взвешивали. Из уравнения сохранения массы вещества в колонне [c.116]

    С этой целью воспользуемся более подробной ячеечной моделью аппарата и циркуляционные кристаллорастители с восходящим и нисходящим прямотоком разобьем на ряд отдельных ячеек, как это показано на рис. 3.13. Предполол<им, что размеры ячеек достаточно малы и характеризуются постоянным по высоте содержанием дисперсной фазы. Остановимся на расчете вероятности перехода дисперсной частицы определенного размера из ячейки с номером i в ячейки (—1 и г-Ь 1. Моделировать движение частицы внутри ячейки будем с учетом случайных воздействий F в уравнении (1.125) на нее со стороны сплошной фазы, связанных с пульсациями объемного содержания дисперсной фазы. Возмущающее воздействие со стороны сплошной фазы проявляет себя только в момент взаимодействия дисперсных частиц. Отсюда вероятность того, что некоторая частица изменит свою скорость на пути dx, равна произведению полного сечения взаимодействия частицы с двухфазной средой S вз (X, Е) на длину dx [23] или, для некоторого конечного пути л 1, [c.185]

    При ее написании учитывался тот факт, что дисперсные частицы имеют направленное движение во всех ячейках, кроме циркуляционных кристаллорастителей с восходящим и нисходящим прямотоком. Так, для вероятностей перехода имеем [c.189]

    По уравнению (3.102) был рассчитан профиль кристаллорастителя со взвешенным слоем и затем изготовлен ступенчатый корпус аппарата, соответствующий рассчитанному [34]. Проведенные эксперименты на модельной системе показали (рис. 3,18), что найденный профиль корпуса аппарата обеспечивает постоянство содержания твердой фазы по высоте взвешенного слоя. Сравнение профиля кристаллорастителя, рассчитанного согласно (3.102), и данных о геометрических размерах промышленных кристаллизаторов [35] показывают их хорошее соответ- [c.194]

    Кристаллизатор с циркуляцией осветленного маточника (рис. 3.15) состоит из кристаллорастителя 1, трубчатого теплообменника 2 и циркуляционного насоса 3. Циркулирующий осветленный маточник непрерывно смешивается с исходным рас- [c.113]

    На стадиях Кр1 и Крг чаще всего применяют скребковые кристаллизаторы типа труба в трубе , реже — аппараты емкостного типа [34]. В последнем случае обычно используют каскад, состоящий из двух или трех последовательно соединенных аппаратов [52, 133]. Заметим, что в емкостных кристаллизаторах получаются более крупные кристаллы, нежели в скребковых [34]. Для увеличения размеров кристаллов после скребковых кристаллизаторов часто устанавливают кристаллорастители [132], которые представляют собой вертикальные цилиндрические аппараты с рамной мешалкой. Кристаллизаторы охлаждаются жидким этиленом или пропаном. [c.117]

    Весьма эффективны кристаллизаторы с трехфазным псевдоожиженным слоем. Один из таких аппаратов (а.с. № 683768) состоит из двух секций (рис. 4.19) секции охлаждения 1 и роста кристаллов 10. В секции охлаждения помещено несколько горизонтальных решеток 5, на которых находятся слои насадки 4 высотой 80—150 мм из легкого полимерного материала. В верхней части этой секции расположены оросительное устройство 3 и сепаратор 2 для отделения капель раствора от отработанного хладоагента. В кристаллорастителе имеется перегородка И, отделяющая зону циркуляции кристаллизующейся смеси от зоны осветления маточника во внутренней циркуляционной трубе 6 помещена пропеллерная мешалка 8. [c.143]

    Таким образом, в этих конструкциях пересыщение создается в зоне, свободной от твердой фазы, а снимается в псевдоожиженном слое кристаллов преимущественно на их рост (из-за наличия небольшого пересыщения, при котором скорость образования зародышей невелика). Кристаллы растут, медленно опускаясь вниз корпуса 1, и через выгрузное устройство 7 выводятся из аппарата. В этих конструкциях наблюдается частичная гидравлическая классификация кристаллов по размеру по высоте кристаллорастителя 1. Вот почему в рассматриваемой классификации кристаллизаторов данный аппарат относится к типу SPR. [c.211]


    С естественной или принудительной цирку- ляцией, с внутренними или выносными гре- ющими камерами, снабженные солеотдели- телями, классификаторами кристаллов или Н кристаллорастителями со взвешенным слоем кристаллов и др. Для экономии тепловой энергии применяют многокорпусные вьшар-ные батареи. Размеры получаемых кристал- [c.253]

    Типичная схема вакуумной кристаллизационной установки приведена на рис, 10.1. Исходный раствор поступает во всасывающую линию циркуляционного насоса I, где смешивается с циркулирующим раствором и направляется в испаритель 2. В испарителе, находящемся под вакуумом, происходит понижение температуры раствора вследствие испарения части растворителя до точки кипения, соответствующей остаточному давлению в аппарате. Пересыщенный в результате охлаждения раствор поступает по барометрической трубе в кристаллорастительгде происходит кристаллизация, Образовавшаяся суспензия кристаллов удаляется из нижней части кристаллорастителя. Вакуум в кристаллизационной установке создается с помощью барометрических конденсаторов 4— 6 и паровых эжекторов 7— 0. [c.312]

    На рисунке приведена технологическая схема перекристаллизации сульфата аммония с использованием охладительного кристаллизатора типа Кристалл и с учетом требований к схемам регулируемой кристаллизации. Сульфат аммония а после центрифуг (можно не промывать соль конденсатом) поступает по трубе 1 в емкость 2 для растворения мелкокристаллической соли при 60 - 70°С. Насыщенный горячий раствор сульфата аммония из емкости 2 непрерывно постз ает на всас циркуляционного насоса 12, где смешивается с основным потоком раствора после кристаллорастителя 6. Смесь растворов с температурой 40 — 50°С охлаждается в холодильнике 4 (или 5) на 2 — 3°С оборотной водой, циркулируемой насосом 13 через трубчатый холодильник 14, к пересыщенный раствор в кристаллорастителе 6 проходит через слой [c.14]

    Следовательно, производительность кристаллорастителя составит С = = 0,882 ДСдИ р кг/ч. При ДС < 2,5 кг/м С = 2,2 Ур, откуда при С = 1000 кг/ч Й р > 1000 2,2 = 455 м /ч. [c.16]

    В соответствии со структурной схемой потоков (рис. 2.18), аппарат может быть разделен условно на три зоны зону охлаждения (крнсталлораститель), очистки (обогатитель) и плавления (плавитель). В кристаллорастителе при создании пересыщения происходит образование зародышей и рост кристаллов. Образующиеся кристаллы увлекают с собой достаточно большое количество примесей, следовательно, требуется дальнейшая их очистка. В зоне обогащения по высоте устанавливается такой температурный градиент, чтобы максимальная температура была выше, а минимальная — ниже температуры кристаллизации исходной смеси, подаваемой на разделение. Образовавшиеся кристаллы из верхней части аппарата (кристаллорастителя) под действием силы тяжести перемещаются, увлекая за собой маточную жидкость, относительно температурного поля в направлении более высоких температур и плавятся. Часть образовавшегося расплава (флегма) противотоком к кр сталлам перемещается в область низких температур и кристаллизуется. Ta < lм образом, по высоте аппарата происходит перераспределение целевого компонента между фазами (флегмой и маточной жидкостью). В результате этого высокоплавкие компоненты перемещаются в горячую, а легкоплавкие — в холодную часть аппарата. [c.106]

    Концентрация целевого компонента в пленке на входе в зону очистки соответствует его концентрации в маточной жидкости, покидающей крнсталлораститель ( п 1 =,//= ). Навстречу кристаллам движется поток флегмы Сф, обогащенной целевым компонентом, с концентрацией Сф. В реальных колонных аппаратах приходится учитывать массоперенос, обусловленный циркуляционными потоками, турбулентной диффузией и другими факторами, нарушающими регулярный режим. Продольное перемешивание уменьшает среднюю движущую силу и может в некоторых случаях существенно снижать эффективность работы колонны [31]. При рассмотрении общего случая работы аппарата (рис. 2.18) принимается, что исходный расплав Со с концентрацией Со поступает в зону очистки. К этому потоку из нижней (укрепляющей) части обогатителя приходит поток флегмы Сф с концентрацией oi и, смешиваясь, оба потока Сф 4-Со поступают в исчерпывающую часть обогатителя с концентрацией Со2-Концентрация пленки Са в месте ввода питания не меняется. Целевой компонент Сц выходит из плавителя с концентрацией Сц, а поток маточника См из кристаллорастителя с концентрацией См Принимая массовые расходы потоков, а также коэффициенты массопередачи и продольного перемешивания постоянными по всей высоте зоны очистки, считая, что концентрация целевого компонента в уравнениях выражена в массовых долях, можно составить уравнения материальных балансов для кристаллизатора в целом  [c.108]

    Для кристаллизации чаще всего применяют роторные кристаллизаторы типа Вотатор (от 2 до 6), последовательно или параллельно соединенные между собой. Так как в этих аппаратах обычно образуются мелкие кристаллы, то, как правило, устанавливают емкостные или колонные кристаллорастители [13]. [c.121]


Смотреть страницы где упоминается термин Кристаллораститель: [c.211]    [c.312]    [c.314]    [c.317]    [c.359]    [c.15]    [c.17]    [c.17]    [c.108]    [c.108]    [c.109]    [c.115]    [c.192]    [c.114]   
Производство циклогексанона и адипиновой кислоты окислением циклогексана (1967) -- [ c.213 , c.217 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте