Поляризованное излучение

В заключение следует подчеркнуть, что если результаты расчетов, как в рассмотренном примере, зависят от отнесения полос, проведенное отнесение следует проверить, используя данные, полученные при изучении монокристалла поляризованным излучением (гл. 5). [c.118]

Соотношения для s-поляризованного излучения находят из приведенных выше выражений заменой индекса р на S. Значения Рр и для системы О—2 можно получить подстановкой (63а) и соответствующего соотношения для s-волны в формулы (61а) и (616). [c.460]

Часто при изучении процессов в возбужденном состоянии исследуют поляризацию люминесценции. Схема установки для измерения поляризации люминесценции аналогична схеме для измерения спектров люминесценции. Различие заключается в том, что при измерениях поляризации перед объектом на пути возбуждающего света помещается неподвижный поляроид. Следовательно, люминесценция возбуждается поляризованным излучением. На пути измеряемого света после объекта помещают вращающийся поляроид. Определяют разность интенсивности люминесценции при параллельном расположении поляроидов /ц и при скрещенных поляроидах /х- Затем рассчитывают коэффициент поляризации люминесценции как отношение [c.68]

Повышения интенсивности рассеянного света можно добиться с помощью достаточно интенсивных световых потоков или мощных лазеров. Качество регистрации рассеянных квантов можно повысить, имея совершенное оптическое и электронное оборудование. Применение лазеров стимулировало развитие этой, уже ставшей классической, области спектроскопии. Лазеры не только повысили чувствительность спектроскопии обычного (спонтанного) комбинационного рассеяния, но и стимулировали развитие новых методов, основанных на вынужденном, например на антистоксовом, комбинационном рассеянии, носящем название когерентного антистоксового рассеяния света (КАРС) или, в частности, резонансного комбинационного рассеяния (РКР). При возрастании интенсивности падающего лазерного излучения становится значительной интенсивность рассеянного стоксового излучения. В этих условиях происходит взаимодействие молекул одновременно с двумя электромагнитными волнами лазерной vл и стоксовой V т = Vл — v , связанных между собой через молекулярные колебания с VI,. Такая связь (энергетическая) между излучением накачки и стоксовой (или антистоксовой) волной может привести к интенсивному поляризованному излучению на комбинационных частотах, другими словами— к вынужденному комбинационному рассеянию. Причем в этих условиях оказывается заметной доля молекул, находящихся в возбужденном колебательном состоянии, и в результате на частотах Гл + VI, возникает интенсивное антистоксово излучение. [c.772]

ЛИНЕЙНО ПОЛЯРИЗОВАННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ. [c.169]

Возникновение переменного электрического дипольного момента в молекуле цег(В) под влиянием переменного магнитного поля может быть качественно объяснено на основе спиральной модели молекулы, которая наиболее удобна для описания оптической активности. Такая модель подсказана экспериментами по распространению линейно поляризованного излучения в микроволновом диапазоне (А, 3 см) на отрезках левых и правых спиралей из медной проволоки диаметром 6...7 мм и длиной 10 мм. В этих экспериментах доказано вращение плоскости поляризации совокупностями произвольно ориентированных спиралей одного типа. [c.175]

Рис. 9.6. Отражение линейно поляризованного излучения на границе раздела оптически непоглощающих сред.

Величина отражения, а следовательно, и контраст спектра МНПВО зависят определенным образом от состояния поляризации (например, излучение, проходящее через спектрометры. иН-20 или UR-10, частично поляризуется). Для выделения 5- и р-компонеит поляризованного излучения применяют поляризаторы различного тина. Желательно использовать такие поляризаторы, которые не изменяют длины оптического пути и могут быть размещены неносредственно перед входной щелью монохроматоров. [c.140]

Регистрацию спектров выполняют в р-поляризованном излучении, помещая поляризатор в соответствующем положении перед щелью спектрофотометра, при максимальном усилении и максимально допустимом для данного разрешения полос в спектрах значении щелевой программы. [c.152]

При измерения спектров данным методом пучок ИК-излучения направляется под уг юм на поверхность пластины полупроводника, прозрачней в ИК-области, проходит внутрь пластины и отра.жается от металла, проходя при этом через исследуемый слои и поглощаясь в нем на частотах, соответствующих веществу слоя. Фактор поглощения излучения AR в слое определяется оптическими постоянными мета. 1ла (пз, з), слоя ( 2, з), показателем преломления полупроводника Пи углом падения излучения на границу раздела полупроводник — металл и направлением его поляризации. Максимальное значение факторов поглощения так же, как и для поглощения света в слое на поверхности металла, достигается при наклонных углах падения и в /з-поляризованном излучении. [c.153]

Отражение линейно поляризованного излучения на границе двух непоглощающих сред к которым относятся многие ди- [c.179]

В качестве источника монохроматического, линейно поляризованного излучения в эллипсометрах обычно используют серийные квантовые генераторы (например, гелий-неоновый лазер ЛГ-75, 1=632,8 нм). Механический модулятор М, выполненный в виде корончатой вертушки или диска с прорезями, превращает непрерывный световой поток в переменный, что облегчает усиление и последующую регистрацию полезного сигнала, снимаемого с выхода фотоэлектронного умножителя (ФЭУ). [c.183]

Часто при изучении процессов в возбужденном состоянии исследуют поляризацию люминесценции. При этих измерениях практически всегда люминесценцию измеряют под прямым углом к направлению распространения возбуждающего света. Схема установки для измерения поляризации люминесценции аналогична схеме для измерения спектра люминесценции. Различие заключается в том, что при измерениях поляризации перед объектом на пути возбуждающего света помещается неподвижный поляроид — устройство для поляризации света. Следовательно, люминесценция возбуждается поляризованным излучением. На пути измеряемого света после объекта помещают вращающийся вокруг своей оси поляроид. Определяют разность интенсивности люминесценции при параллельном расположении плоскостей поляризации поляроидов / и перпендикулярном расположении плоскостей поляризации поляроидов (скрещенные поляроиды). Затем рассчитывают коэффициент поляризации люминесценции как отношение [c.158]

Если в волокне молекулы расположены параллельно, то его спектр, полученный с применением поляризованного излучения, будет характеризоваться различной интенсивностью некоторых полос поглощения в зависимости от направления колебаний электриче- [c.90]

Рис. 10.7. Определение линейно-поляризованного излучения при помощи поля-

Без множителя 2 уравнение выражает интенсивность поляризованного излучения абсолютно черного тела. [c.443]

В спектрах НПВО порошков отсутствуют коротковолновое рассеяние и эффект Христиансена, которые встречаются в абсорбционных измерениях [16, 60]. Порошки можно суспензировать в летучем растворителе, а затем, испарив его, осадить на поверхность элемента (однако в случае анизотропных порошков может происходить их самопроизвольная ориентация на поверхности, что сказывается на спектрах при использовании поляризованного излучения). Порошки можно наносить на липкую ленту, которая затем легко поджимается к элементу. Лучшие результаты получаются для довольно тонко растертых и однородных по размеру частиц порошков, и, конечно, липкий слой должен быть полностью покрыт порошком и не проявляться в спектре. [c.106]

Световая микроскопия сегодня чаще всего использует поляризованное излучение, поскольку кристаллизация и ориентация обусловливают эффект двойного лучепреломления. В частности, для получения информации об упорядоченном состоянии надмолекулярных образований предлагается [6] использовать экспериментальную зависимость рассеяния поляризованного света от величины угла рассеяния. [c.354]

Вследствие различия в поглощении правой и левой волн оптически активное вещество в области собственного поглощения не только поворачивает плоскость поляризации света, но и превращает линейно поляризованное излучение в эллиптически поляризованное. Мерой эллиптичности служит величина [c.292]

Далее приступают иеиосредстиеино к съемке спектров МНПВО. Приставку с элементом устанавливают в кюветном отделении и Р1астраивают ее по соответствующей методике в той области, где отсутствуют полосы поглощения полистирола. Настроив приставку, вводят диафрагму и растягивают спектр иа всю шкалу самописца. В интервале 4000—400 см снимают спектры МНПВО для пеполяризовапиого и поляризованного излучения. Идентифицирование ио.чос поглощения производят в соответствии с табличными данными. [c.142]

Для определения состава слоев, присутствующих в. зоне контакта кремний — алюминий, измеряют интенсивность р-компо-ненты излучения, прошедшей через пластину полупроводника толщиной 250—350 мкм и слой диэлектрика, отразившейся от металла и обратно прошедшей через слой и полупроводник. Для увеличения чувствительности измерения выполняют при угле падения света на полупроводник, равном его углу Брюстера (6 = агс1д/2 ), при котором достигаются наименьшие потери энергии р-поляризованного излучения при отражении его на границе воздух — полупроводник и наибольший угол отражения излучения от металла (для 51 в средней ИК-области /21 = 3,42 и соответственно 0 16°). [c.154]

Если на такую пластину толщиной 1 направить линейно поляризованное излучение, то / -составляющая излучения совершит на пути (1 число колебаний Щр = с11/.р (рис. 9.11,а), в то время как -составляющая — число колебаний т.1. = (ЦХь. В результате на выходе из пластины между L- и / -составляющими излучения возникнет разност1> фаз [c.185]

Цель работы — изучение закономерностей отражения поляризованного излучения от поверхностн твердых веществ различной природы — диэлектрика, полупроводника, металла. [c.192]

Угол вращения а зависит от длины полны к поляризованного излучения, от толщины / слоя оптически актииной среды, через которую проходит световой луч, от природы (состава) оптически активной среды, ее плотности, от природы растворителя, концентрации растворенного оптически активного вещества, температу )ы. Величина а прямо пропорциональна толщине / слоя среды, через которую прошел светово луч, и кон центрации оптически активного вещества (в определенные пределах). [c.589]

Зная оптич. постоянные в-в, можно в спектрах отражения выделить смещение и искажение форм спектральных полос и изменение их интенсивности, вызванные не оптич. эффектами, а изменениями структуры отражающей пов-сти или хим. р-циями. Так, напр., при исследовании спектра отражения пленки из полиметилметакрилата, нанесенной на подложку из золота, полоса, соответствующая валентному колебанию С=0, оказывается смещенной в высокочастотную область (примерно на 10 см ) и имеет асимметричную форму. Такие искажения возрастают при увеличении толщины пленки и уменьшении комплексного показателя преломления материала подложки. На искажение полос сильно влияет также угол падения излученяя и поляризация падающего пучка. Для оценки искажений в спектрах отражения Определяющую роль играет или действительная, или мнимая часть комплексного показателя преломления подложки в зависимости от оптич. св-в последней. При использовании поляризованного излучения можно определить пространств, ориентацию молекул, образующих пленку на отражающей подложке, и характер их взаимод. с подложкой. Одвако необходимо предварительно тщательно учесть роль оптич. эффектов в искажении спектров отражения. [c.395]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология