Расположение частиц на плоскости

Рассеяние света частицами. Теорию опалесценции проще всего построить, рассчитав рассеяние света от одной частицы и перенеся затем полученный результат на совокупность частиц. В простейшем случае рассматривается рассеяние света сферическими частицами, так как только при полной симметрии их формы рассеяние не зависит от положения частицы по отношению к плоскости, образуемой падающим лучом и направлением наблюдения. Если частица имеет анизометрическую форму, то необходимо учитывать зависимость рассеяния от ориентации частицы по отношению к указанной плоскости. При совершенно хаотическом расположении частиц все ориентации их равновероятны, что приводит к усреднению, и рассеяние света вновь подчиняется формуле для частиц сферической формы (при достаточно малых размерах) с некоторым эффективным радиусом. Если по каким-либо причинам анизометрические частицы ориентированы, то формула, описывающая среднее рассеяние от одной частицы, соответствует форме и ориентации частицы в случае полной ориентации или какой-то эффективной форме в случае частичной ориентации. [c.18]

Сравнительно равномерное распределение взвешенных частиц получается в коллекторе с плавными ответвлениями, расположенными перпендикулярно плоскости симметрии коллектора (рис. 10.47, б). Здесь отклонения относительной массы иыли ( в ) в отдельных ответвлениях не превышают 20 %, несмотря на очень неравномерное расиределение расходов газовой фазы (отсутствие распределительных устройств на входе в коллектор). [c.324]

В процессе контакта свежеобразующихся частиц сажи и нефтяных коксов при прокаливании с активными (реакционноспособ-пыми) компонентами дымовых газов (СОг, Н2О, О2 и др.) на различных участках поверхности углерода вследствие ее неоднородности и неодинакового уровня энергии (различный угол расположения базисных плоскостей в кристаллите углерода, наличие гетероатомов, механических дефектов и т. д.) скорость химических реакций и глубина проникновения компонеитов дымовых газов в массу углерода неодинакова, что изменяет рельеф поверхности, обусловливая ее шероховатость и повышенную склонность к адсорбционным явлениям. В результате таких процессов на поверхности углерода одновременно присутствуют участки (центры) повышенной и пониженной активности, нарушающие непрерывность поверхности. По увеличению отношения активных центров к неактивным (поверхностям базисных плоскостей) в процессе контакта с реакцнонноспособными компонентами дымовых газов углеродистые материалы могут быть расположены в ряд графит— -аии-зотронный кокс—>изотропный кокс—>-сажа, т. е. чем менее упорядочен углерод по Le, тем более он склонен к образованию поверхностных комплексов с газами. В таком же порядке увеличивается адсорбционная и каталитическая активность поверхности углеродистых материалов. [c.54]

Одним из простейших примеров указанной закономерности может служить хлористый натрий. Кристаллы его построены из ионов натрия и ионов хлора, которые, чередуясь, располагаются правильными рядами, объединяющимися в плоскостную решетку, в узлах которой в шахматном порядке находятся эти ионы (см. рис. 35). Такие плоскости располагаются в пространстве параллельно одна другой (смещаясь каждая на одно звено) это приводит к образованию пространственной кристаллической решетки. В других случаях расположение частиц в пространстве может быть иным и не таким простым, как у хлористого натрия. Последнее приводит к более сложной геометрической форме самих кристаллов. [c.124]

Наличие у кристаллов граней и постоянство углов между ними свидетельствуют о том, что структура кристалла образована частицами, расположенными на строго определенных расстояниях друг от друга. Пространственная совокупность частиц в структуре твердого тела образует кристаллическую решетку— присущее кристаллу периодически повторяющееся в трех измерениях правильное расположение частиц (атомов, ионов, молекул). Кристаллическая решетка — это математическое (геометрическое) понятие оно может быть определено как группа точек, получающихся при взаимном трехкратном пересечении в пространстве плоскостей трех семейств, причем все плоскости каждого семейства параллельны и равноудалены друг от друга. [c.159]

Весь объем кристалла делится тремя семействами параллельных плоскостей на параллелепипеды, называемые элементарными ячейками. Именно правильная и периодическая повторяемость расположения частиц в структуре кристалла позволяет представить решетку в виде множества элементарных ячеек. [c.159]

Стеклообразное состояние иногда выделяют в особое микрокристаллическое состояние. По микрокристаллит-ной теории А. А. Лебедева, И. В. Гребенщикова и других в стеклах есть центры, вокруг которых намечается ближний порядок расположения част. ш, но дальнего порядка нет. На рис. 37 схематично в плоскости показано расположение частиц в кварцевом стекле и в кристаллическом кварце четвертые связи, которые образуют атомы кремния с атомами кислорода (эти структуры пространственные), не показаны. [c.141]

Кристаллические тела представляют собой совокупность огромного числа атомов, ионов или молекул, упорядоченно расположенных в определенных местах (узлах) пространства и образующих так называемую кристаллическую решетку. Под упорядоченным расположением частиц надо понимать свойство пространственной периодичности (трансляционной симметрии), которым обладает кристаллическая решетка. Иначе говоря, предполагается, что существуют три не лежащих в одной плоскости вектора а, Ь, с, параллельных выбранным осям -Г, у, с, таких, что при перемещении (параллельной трансляции) всего кристалла как целого на длину любого из них (или кратного им) кристалл совмещается сам с собой. Если под а, Ь, с понимать наименьшие их значения при трансляции кристаллической решетки, то они будут называться трансляционными периодами решетки (периодами идентичности). [c.144]

Как видим, эллипс Э является ортогональной проекцией окружности 0 , а эллипс Эг — ортогональной проекцией окружности- Ог. Поэтому отрезок ОР, расположенный в плоскости эллипса, 9 , или отрезок ОМ — в плоскости эллипса Зг могут рассматриваться проекциями отрезка ОС, расположенного в плоскости окружности Ог. При этом угол между отрезками ОР и ОМ, расположенными в плоскостях эллипса Э] и Эг, будет составлять 90 . Все это позволяет координаты любой материальной частицы, находящейся в объеме между электродами, представить в декартовых координатах через ее полярные координаты. Координаты материальной частицы, находящейся в металле (электроде), представим в виде координаты К, а координаты этой же частицы в электролите через К2, естественно координаты частицы в декартовых координатах через полярные координаты,вы-разятся уравнениями соз(90—О]), Ум=2 з п(90—а ). Соответствен- [c.85]

Сопротивление сдвиговому деформирование дилатантных систем обусловлено наличием сил, препятствующих изменению объема системы, т. е. сил, действующих по нормали к плоскостям сдвига и к внешним свободным границам системы. Возникновение нормальных напряжений под действием сдвиговых напряжений является характерной особенностью дилатантных систем. Сопротивление сдвигу обусловлено тем, что увеличение объема, вызванное сдвиговой деформацией, сопровождается затеканием вязкой среды в полости между частицами, так как при кубической упаковке объеме этих полостей (1 -ф ) больше, чем при гексагональной. Быстрая деформация и, соответственно, повышенная величина нормальных напряжений сильнее прижимает частицы друг к другу, препятствуя перемещению частиц и сужая каналы, по которым идет перетекание жидкости в межчастичные полости. Это и ведет к непропорционально сильному увеличению напряжения сдвига с увеличением скорости деформации дилатантной системы. Такой механизм дилатантного поведения можно назвать геометрическим, поскольку он обусловлен переходом между геометрически разным расположением частиц. Ниже (см. формулы (3.12.13) и далее) будет показано, что имеются и иные механизмы. [c.690]

И плоскости, К которым движение дошло позже, отстают по фазе от передних. В то время как частицы какой-либо плоскости проходят через положение равновесия при колебаниях справа налево, частицы, расположенные в плоскостях правее, только начинают свой путь слева направо. Они запаздывают как раз на колебания. На рис. 1.3 показан мгновенный снимок такой модели, в которой волна бежит слева направо, но еще не достигла правого края. Можно видеть, что при колебаниях со сдвинутой фазой возникают зоны, в которых частицы располагаются особенно тесно. Эти зоны сжатия (уплотнения) чередуются с зонами растяжения (расширения). В процессе движения волны эти зоны вновь и вновь возникают со стороны возбуждения и перемещаются с одинаковой скоростью и на одинаковых расстояниях одна от другой вглубь тела направо. Это и есть упругая волна. [c.19]

Поверхность кристалла также входит в двумерные дефекты. Отнесения ее к числу дефектов требуют и формальные соображения (нарушение периодичности расположения элементов структуры), и искажение в расположении частиц вблизи поверхности раздела по сравнению с их расположением вдали от нее. Например, для грани куба галоидов щелочных металлов установлено [Де Бур Я. X., 1959 г.], что плоскость, проходящая через центры анионов, на 0,2 А выше плоскости, проходящей через центры катионов. На глубине кристалла эти плоскости совпадают. Расстояния анион — катион в молекулах газа [Кондратьев В. Н., 1959 г.] на 20% меньше соответствующих расстояний в кристалле, из чего следует, что в поверхностном слое кристалл должен быть уплотнен. [c.11]

В работе использовался численный метод, состоящий в том, что решалась система уравнений движения классической механики для N (равного 50 или 100) одинаковых частиц, расположенных на плоскости [c.352]

Имеются основания полагать, что ход процесса контактного плавления кристаллов зависит от кристаллографической ориентации контактирующих граней кристалла при постоянном давлении в месте контакта и при одинаковой температуре плавления. Причиной этого могут быть различные величины поверхностных энергий для различных граней одного и того же кристалла, неодинаковая величина жидкой прослойки, разделяющей кристаллы при контактном плавлении, различие геометрической структуры расположения частиц на контактирующей плоскости и анизотропии теплопроводности. [c.176]

Диморфные тела потому отличают от настоящих изомеров и полимеров, что в них не замечают разности химических реакций, определяемых разностью расположения (движения) атомов в частицах, а потому диморфизм чаще всего приписывается разности в распределении одинаковых частиц, слагающихся в кристаллы. Хотя такая гипотеза вполне возможна, по духу атомистического и молекулярного учения, но так как при ином расположении частиц нельзя представить полного сохранения распределения в них атомов, а прн всяком испытании химических реакций должно происходить некоторое движение в атомах, то, по моему мнению, нет твердого основания отделять диморфизм от общего понятия изомерии, под которое с блестящим успехом подведены в последнее время случаи право- и левовращающих (плоскость поляризации) органических соединений. [c.369]

Коэффициент ослабления облака дискообразных частиц с толщиной 6, значительно меньшей диаметра й, может быть определен следующим образом. При хаотическом расположении частиц среднее эффективное поперечное сечение одной частицы в плоскости, перпендикулярной лучистому потоку, равно [c.116]

Рнс. 29. Расположение частиц в плоскости скола мусковита [c.88]

Прямая, параллельная оси абсцисс (которая получается в том случае, если интенсивность дифракционных линий не зависит от угла наклона), свидетельствует о полном отсутствии ориентации (т. е. беспорядочном расположении частиц). Уменьшение интенсивности с увеличением угла наклона соответствует увеличению числа частиц, расположенных параллельно поверхности образца. Таким образом, чем круче спадает кривая для данной смазки, тем больше ориентированных частиц лежит на данной плоскости. Исследованные кальциевые смазки отличались между собой по склонности к ориентации содер- [c.47]

Плоские частицы рассматриваемых минералов, как показывают исследования минералогов, укладываются преимущественно базисными плоскостями друг к другу, т. е. частично ориентированно. Только для изометрических пластинок глуховского каолинита часты случаи контактов плоскость — ребро [7]. В двух других измерениях упаковка пластинок беспорядочна. На рис. 4.2 изображена идеализированная схема расположения частиц и образования вторичных (между частицами) пор в таких системах. Для них а) маловероятно образование сплошных вертикальных каналов, сообщение пор соседних слоев носит лабиринтообразный характер б) хотя поры в каждом слое ограничены параллельными плоскостями кристаллов, их трудно назвать щелевидными из-за малой протяженности, часто прерываемой проходами в смежные слои в) расположение частиц в [c.234]

Аппарат для электростатического метода обогащения (рис. П1-11,а) состоит из плоского заземленного проводника 1, расположенного горизонтально, и цилиндрической поверхности 2, расположенной параллельно плоскости 1 и заряженной положительно. Электрическое поле между двумя поверхностями будет иметь максимум интенсивности по вертикальной плоскости 3 и постепенно уменьшаться по мере удаления от нее. Раздробленные частицы компонентов руды, обладающие большей проводимостью, отталкиваются с большей силой и достигают плоскости 1 в местах, удаленных от оси к периферии плоскости. Плоские полюса аппарата сделаны из листового железа, длина их 1,5—2 м. [c.72]

Для правильного изображения кристаллической решетки, наиболее полно передающего структуру кристалла, необходимо соблюдать ряд правил. Одно из них заключается в том, что прямой линией соединяют те частицы, которые находятся на одинаковом и минимальном расстоянии друг от друга. Это дает возможность передвигать клетки, образованные пересекающимися прямыми, вдоль каждой из них на шаг, равный расстоянию между частицами, с тем чтобы они полностью накладывались одна на другую и бесконечно воспроизводили рисунок расположения частиц. Такая операция по переносу объекта параллельно самому себе бесконечное число раз называется трансляцией. Трансляция характеризуется триодом (О, равным расстоянию между двумя ближайшими положениями объекта. На рис. 48, а показано, что в разных направлениях периоды трансляции, равные расстояниям между частицами, различны. Как говорят, вдоль каждого направления имеется своя трансляционная симметрия . Тогда схематически представленное на плоскости рисунка расположение частиц в одном слое гипотетического кристалла может характеризоваться несколькими типами трансляционной симметрии в плоскости tl — з, [c.127]

В связи с рассмотрением строения крахмала и целлюлозы отметим, что в настоящее время в химии успешно развивается новая область—к о н ф о р-мационный анализ (лат. сопГогт1з — подобный). Здесь разрабатываются методы выяснения пространственных структур молекул (установления их конформаций ), а также изучаются способы отображения па плоскости этих структур с сохранением картины взаимного расположения частиц внутримолекулярной структуры, валентных углов и прочих особенностей в конфигурации данной молекулы, как объемного образования. Проблема конформации углеводов имеет большое значение, так как открывает возможность решать вопросы их строения, свойств и использования на практике. [c.238]

В 1815—1817 гг. появились работы Ж. Биопосвященные изучению оптической активности некоторых органических вс-ш еств. Ученый связал эту активность со строением молеку.м изучаемых веществ. Я. Берцелиус в своем обзоре за 1838 г. писал Эти исследования находятся еще в самом начале вероятно, они приведут к результатам большого значения Далее Я. Берцелиус указывал, что химически идентичные веш ества обладают различным вращением плоскости поляризации и что нужны ещ(, кропотливые исследования, чтобы получить надежные результаты и выводы. Н . Био сделал важное наблюдение, что оптическая деятельность органических веществ проявляется как в растворах, так и в парообразном состоянии Отсюда вытекал важный вывод, что способность вращения зависит не от кристаллического строения вещества, т. е. ориентированного расположения частиц, а от дйссимметрии молекул, вызванной различным пространственным расположением в них атомов. [c.213]

Необходимо отметить, что в однородной вязкой среде при ее однородном сдвиговом деформировании полная сила, действующая на слой среды произвольной толщины dx, расположенный параллельно плоскостям сдвигового течения , равна Егулю. Это следствие того, что при однородной деформации скорости сдвига одинаковы на обеих сторонах слоя, и поэтому разность сил вязкого трения т]у, действующих на обе его стороны, равна нулю. При наличии в слое толщиной dx некоторого числа ndx частиц, скорость которых на величину и меньше скорости движения жидкости, течение жидкости замедляется в результате ее трения о частицы. Суммарная сила трения частиц / = bundx уравновешена разностью сил трения на границах слоя ( d . Поскольку у = dutdx, то d = (d u/dx )dx, и тогда [c.717]

При катагенезе происходит дальнейшее уплотнение уже сформировавшейся породы, изменение состава поровых вод, раскрис-таллизация коллоидов, аутигенное минералообразование. В связи с этим происходит и упрочнение структурных связей, намечается формирование новых текстур. В глинистых породах, по данным В.И. Осипова, В.Н. Соколова и В.В. Еремеева, могут существенно различаться способы расположения частиц (микротекстуры). При ламинарной микрослоистой текстуре отмечается высокая степень упорядоченности, ориентации составляющих структурных элементов в плоскости напластования, порода характеризуется отчетливой анизотропией. Размеры пор составляют первые микроны, при низком содержании алевритовых примесей экранирующие свойства высокие. При вихревом турбулентном распределении материала листообразные изогнутые агрегаты глинистых частиц как бы обтекают мелкие алевритовые зерна и другие включения. В глинистых породах турбулентного строения размеры агрегатов могут достигать 20 мкм, диаметры пор изменяются от 0,06 до 10,2 мкм. [c.286]

Затем газ начинает свободно расширяться вплоть до стенок. зеркальи(1 отражающих все частицы и расположенных з плоскостях х — я х = —L — L . Найти распределение частиц, а также плотность числа частиц. [c.99]

Рис. 7. Модель расположения частиц полимера и металла в плоскости (100) гранецен-трированной кубической решетки.

ЛОМ, может потребоваться гораздо меньшее критическое напряжение сдвига, чем для самой металлической частицы. Труднее объяснить влияние газовой фазы, используя только понятие слоев окислов окисленные частицы Со неподвижны в СОг и подвижны в атмосфере Оз. Чтобы обойти эту трудность и сохранить первоначальную интерпретацию [137], можно предположить, что поверхность графита легче покрывается хемосор-бированным кислородом при выдерживании в Ог, чем в СО2 при одной и той же температуре. Однако вызывает сомнение [84] предположение, что атомы углерода, расположенные на плоскостях графита ООО/ , способны хемосорбировать кислород в сколько-нибудь заметных количествах. Правда, поверхности скола графита (особенно частично окисленного) часто состоят [138] из многочисленных ступенек высотой от 10 до 1000 А или больше. Атомы углерода, расположенные на этих ступеньках, способны удерживать адсорбированный кислород, который в свою очередь может увеличивать подвижность частиц. Потребуется еще много труда, чтобы выяснить, действительно ли и каким образом слой хемосорбированного кислорода, поверх которого, как полагают, движутся частицы, перемещается или удаляется, приводя к их неподвижности. [c.205]

При воздействии внешних сил происходит скольжение плоскостей в направлении, нормальном к действию наиболее слабых сил. Однако малое сопротивление сдвигу в одной кристаллографической плоскости не является достаточным критерием для оценки смазывающей способности твердых смазок. Необходима еще высокая адгезия к сопряженной металлической поверхности. У сульфидов п селенидов такую прочную связь с трущейся металлической поверхностью обеспечивают атомы серы и селена, расположенные в плоскости скольжения. Достаточное адгезионное взаимодействие графита с металлом может быть реализовано только при наличии на частицах графита хемосорбированных илп адсорбированных молекул и прежде всего воды. Одновременно с этим в присутствпн паров воды сопротивление графита сдвигу по плоскостям спайности значительно уменьшается за счет адсорбции молекул воды на основных кристаллографических плоскостях. В результате этого создаются условия, при которых сопротивление сдвигу внутри решетки кристаллитов становится значительно меньше адгезин грасрита к поверхности металла, что п обеспечивает эффективное смазывание. [c.65]

Часто существует связь между перестроенным после адсорбции расположением атомов на поверхности и плоскостями спайности соответствующих кристаллических соединений, особенно в случае слоистых структур. Например, расположение частиц на плоскости спайности (111) кристаллов Geb (структура d b) подобно расположению атомов на поверхности при адсорбции I2 на грани (111) германия. [c.371]

Для горного хрусталя известны два видоизменения, отличающиеся весьма легко по отношению к поляризованному свету одно отклоняет плоскость поляризации вправо, другое — влево, и на первом появляются правые, а на втором — левые гемиэдрические площадки, чем и пользуются для устройства поляризационных снарядов. Но при этом физическом различии, обусловливаемом, конечно, некоторым различием в расположении частиц, не замечается не только никаких различий в химических свойствах, но даже нет различия ни в покаэате. е прелом. ения, ви в плотноети самой массы. Совершенно чистый горный хрусталь представляет вещество наименее изменчивое по отношению к удельному весу. Многочисленные и точные определения, сделанные для горного хрусталя Штейнгейлем, показали, что удельный вес его (если кристаллы без трещин) весьма постоянен. Он равен 2,66. [c.456]

Поток жидкости вызывает перенос суспендированных частиц вдоль него. Центр массы частицы движется со скоростью Ыц, соответствующей скорости жидкости в том месте, где она находится. Однако движением, представляющим интерес в нашем случае, будет вращательное движение частицы относительно ее центра массы. Оно легко описывается для тонкой палочкообразной частицы, расположенной в плоскости. ху, как показано на рис. 128. Два конца каждой частицы будут, очевидно, иметь относительно центра массы координаты у, равные -газ1пф и —аз1пф, где 2а— длина каждой палочки и ф—угол ориентации относительно направления Л. Если использовать величину >=йи с1у для обозначения градиента скорости, то два конца палочки будут двигаться со скоростями ра51пф относительно центра массы, движущегося со скоростью В результате, очевидно, получится вращение относительно оси, параллельной направлению 2. [c.499]

Диффузный же слой, расположенный за плоскостью скольжения и не имеющий в дисперсионной фазе резко очерченной границы, состоит из противоионов, общее число которых х в среднем равняется разности между всем числом потенциалобразующих ионов и числом противоионов в адсорбционном слое и определяет собою величийу С-потенциала частицы. Противоионами могут служить любые ионы тех электролитов, которые участвуют в реакциях при образовании золя или же присутствуют при этом в качестве случайных примесей. [c.126]

Ориентированные кристаллы при рассмотрении в оптическом микроскопе имеют форму трехгранной пирамиды (рис. 30). Гео- метрически расположение частиц в плоскости сопряжения может быть представлено схемой рис. 31. Результаты Руайе для случаев эпитаксии галоидных солей со структурами Na l и s l представлены соответственно в табл. 11 и 12. Согласно этим данным, ориентация имеет место лишь в тех случаях, когда различие параметров сопрягаюшихся плоских ячеек не превышает 14 % При эпитаксии КС1/слюда, кроме главной, геометрически возможна ориентация, соответствующая Д = 1% (рис. 32), которая и реализуется экспериментально. [c.89]

Недавно Фрумкин, Петрий и Николаева-Федорович [44 ] показали, что для иона ЗгОв" электрический центр деполяризующей частицы может быть расположен вблизи плоскости х = б. Если предположить, что ж фе, то из уравнений (84) и (85) получают [c.205]

Для того чтобы вызвать направленную ориентацию частиц в образцах исследуемых смазок, Волд [59] выдавливала небольшие их количества в плоскую формочку, разглаживала шпателем для удаления пузырьков воздуха, после чего переворачивала формочку на пло-ское стекло и терла по стеклу взад и вперед. Помешая затем исследуемые образцы под различными углами к направленному пучку рентгеновских лучей, она получала дифракционную картину, которая отражала расположение частиц в кристаллической плоскости, находящейся под углом о к поверхности образца. [c.47]

Более точную картину расположения частиц дают рис. 9, 10, И, на которых изображены проекции иа плоскость траекторий атомов, находящихся в слое толщиной приблизительно 0,8 а, параллельном одной из граней ячейки. Интересен тот факт, что, как видно из относящегося к переходной области рис. 10, механизм разру шения кристаллической структуры состоит не в локализованном вращении пар или больших групп ближайших [c.19]

Большое значение для процесса роста криоосадка имеет явление поверхностной миграции частиц, падаю-Ш.ИХ на поверхность кристалла- Сущность этого явления может быть пояснена на двухмерной модели. Молекулы, находящиеся в углах кристаллической решетки, совершают колебательные движения не только в направлении, перпендикулярном поверхности криоосадка, но также имеют составляющую, расположенную в плоскости криоосадка. Периодическая структура решетки кристалла приводит к периодическому изменению потенциала взаимодействия частиц атомного ряда (периодичность потенциальных ям) в направлении, параллельном поверхности криоосадка, как это изображено на рис. 1-11. Энергетическое состояние молекулы, находящейся в потенциальной яме, вызывает поверхностные колебания молекулы в некоторых пределах Хи Хг. Если молекула приобретает энергию Ещ2 большую, чем Ещ, то она может переместиться в положение Хз. [c.24]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология