Неконтролируемая кристаллизация

В структуре алмаза плоскости 111 являются единственно возможными когерентными двойниковыми границами в германии двойники представляют собой очень тонкие пластинки (ламели), которые возникают самопроизвольно в толще кристаллов, образующихся при неконтролируемой кристаллизации переохлажденного расплава. Наличие двойниковых прослоек в кристаллах германия лежит в основе быстрого роста дендритов. [c.235]

Различие в значениях экспериментально получаемых предельных пересыщений приводит к выводу, что линия Оствальда не является воспроизводимой характеристикой (константой) вещества. Отмечены факторы, изменение которых сказывается на пересыщении. С точки зрения теории процесса кристаллизации это объясняется неконтролируемой скоростью зародышеобразования (см. гл. 9). [c.100]

Карбид титана диагностирован в алмазах, обязательно содержащих во включениях гаусманит или пирофанит и имеющих каверны на поверхности. Есть все основания предполагать, что карбид титана присутствует в изучавшихся образцах не во включениях, а в виде фазы, располагающейся на поверхности каверн. Результаты рентгеновского и морфологического исследований показывают, что включения гаусманита и пирофанита представлены поликристаллами, беспорядочно рассеянными в алмазах. Очевидно, что эти минералы образуются в реакционной зоне одновременно с ростом алмаза. Среди изученных кристаллов не обнаружено образцов, в которых фазы гаусманита и пирофанита присутствуют одновременно. Следовательно, процессы образования этих минералов при синтезе алмаза неконкурирующие и отличаются неконтролируемыми в рассматриваемых условиях параметрами. Образование карбида титана, по-видимому, происходит на заключительном этапе синтеза и конкурирует с процессом роста алмаза. Поликристаллический характер изученных включений объясняется относительно высокой скоростью кристаллизации входящих в них фаз. Следует отметить, что ни в одном из образцов не обнаружено включений поликристаллического графита. [c.404]

Путем измерения положения поверхности раздела кристалл — расплав в разные моменты времени (это измерение часто проводится непосредственно в процессе роста оптическими методами) находят скорость кристаллизации при различных температурах термостата. Рассмотрим теперь вопрос о том, можно ли полученные таким путем данные считать фундаментальными или измеряемые величины испытывают неконтролируемые искажения из-за влияния трубки. [c.408]

Если соблюдается условие плоского фронта кристаллизации, то изменения температуры кристаллизации и концентраций примесей в общем случае исключены и граница раздела будет плоской в масштабе нескольких сотен межатомных расстояний. Если же граница раздела искривлена, то распределение температуры, а также примесей вдоль границы раздела может изменяться и вызывать прорастание отдельных пирамид далеко в глубь расплава. В этих неконтролируемых условиях возможно возникновение любых видов нарушений. [c.299]

В агрессивных средах, а также в процессах, где возможны кристаллизация, сгущение, затвердевание и скопление твердых частиц, клапаны очень быстро выходят из строя. Совершенно неработоспособными они оказались в производствах, где возникают неконтролируемые химические реакцип. [c.12]

Кристаллизация вещества из расплава при неконтролируемых условиях обычно приводит к одновременному образованию массы мелких сросшихся кристаллов и затвердеванию расплава. Различают следующие виды такой кристаллизации направленную, противоточную, в тонком слое и зонную плавку. [c.394]

Монокристаллические изделия, как правило, вырезаются из монокристаллических слитков. Однако при резке и механической обработке в монокристалле возникают дефекты структуры, которые могут неконтролируемо изменить его свойства. Кроме того, 70— 90% материала переходят в отходы. В ряде случаев эти отходы пропадают. При производстве изделий из остродефицитных материалов затрачиваются большие усилия на их регенерацию. Поэтому в последние 20—25 лет ведутся интенсивные исследования различных методов получения профилированных монокристаллов. Среди них — метод пластической деформации монокристаллических слитков, литье в формы, эпитаксиальный рост, массовая кристаллизация из растворов в расплавах, кристаллизация из газовой фазы, дендритная кристаллизация. Их преимущества и недостатки рассмотрены в монографии [11]. [c.11]

Простейший способ выращивания кристаллов по ЖК-меха-низму — неконтролируемая кристаллизация расплава. Трудность состоит в том, что конечный продукт, как правило, представляет собой тонкозернистую поликрнсталлическую массу с отдельными монокристальными включениями разных размеров. Типичным примером служат металлические отливки. Иногда удается идентифицировать монокристаллические зерна подходящего размера и выделить их из общей массы для исследований. Обычно для этого используют стандартные металлографические методы исследования, в том числе полировку и соответствующее травление. Но поскольку первоначальное зарождение происходит случайно, крупные кристаллы попадаются редко. [c.175]

Ограничение длительности процесса алмазообразования при спонтанной кристаллизации может быть обусловлено различными причинами, например, неконтролируемыми изменениями р-Т -условий процесса, в частности, снижением давления при образовании из графита более плотного алмаза появлением в реакционной зоне фаз, конкурирующих с ростом алмаза. Как отмечалось, такой фазой является монокристаллический графит. С целью выяснения его роли в процессе кристаллизации алмаза была проведена (в камерах с реакционным объемом 3,5 10 м ) специальная серия экспериментов, которая обеспечила получение для последующего изучения трех групп образцов. К первой отнесены пробы графита с поверхности его контакта с расплавом металла, свободной от алмаза. Ко второй — слои металла преимущественно в виде пленок толщиной от 5-10 до 8-10 м, отделявшие алмаз от источника углерода, одна сторона которых являлась отпечатком с поверхности граней алмаза, а противоположная сторона представляла собой границу металл — графит. Третья группа образцов включала реакционную зону спеков, содержащую металл-растворитель, алмаз и перекристаллизованный графит. [c.375]

Для получения достаточно крупных монокристаллов с минимальным количеством ростовых дефектов стадия зарождения должна быть существенно короче стадии роста. С другой стороны, сильное ограничение (сверху) длительности первой стадии может снизить воспроизводимость вероятностного по своему характеру процесса образования центров кристаллизации. Практически целесообразным можно считать случай, когда длительность стадии зарождения соизмерима с тепловой инерционностью реакционного объема. Что касается длительности второй стадии, то она для системы графит—металл может ограничиваться в интервале от десятка секунд до десятка минут такими условиями процесса, как соотношением металла и графита, неконтролируемыми изменениями р-Т-параметров и т. д. В случае послойной загрузки реакционного объема, когда графит в зоне алмазообразования содержится в большом избытке, ограничение эффективной длительности процесса роста алмаза происходит прежде всего из-за образования в реакционной зоне монокристаллического графита, а также возможного необратимого изменения параметров и химизма среды кристаллизации, например, появления карбидных или других фаз. [c.381]

Если пересыщенный раствор, находящийся вблизи границы метастабильности, подвергнуть таким воздействиям, как изменение давления, температуры, локальное испарение и т. п., то из него легко самопроизвольно выделяются кристаллы. Так как каждый переход границы — даже если он протекает в маленьком объеме — тотчас вызывает в этом месте кристаллизацию, продолжающуюся далее во всей массе, то для характеристики устойчивости подобных растворов существенны не средние значения параметров состояний, устанавливаемые с помощью обычных инструментов, а минимальные отклонения этих параметров в сторону приближения к границе метастабильности. Поэтому устойчивость растворов зависит от того, каких значений могут достигать указанные отклонения. В связи с этим обстоятельством, а также вследствие исключительно малых количеств вещества, достаточных для образования зародыше11, существенными оказываются многочисленные неизвестные и неконтролируемые влияния, названные поэтому случайными-, они способны вызвать кристаллизацию задолго до того, как для регистрируемых средних значений температуры, давления и т. д. достигается граница метастабильности. [c.19]

Приведенный пример показывает, что распределение примеси при кристаллизации в области II сильно зависит от условий про ведения процесса. В связи с проявлением неконтролируемых фак торов распределение примеси является функцией установки Поэтому сопоставление результатов, полученных даже на одно типных установках, но в разных лабораториях, затруднительно, [c.111]

Отметим, что некоторая вариация в относительной интенсивности двух из указанных полос — 1180 м- и 1550сл1 —наблюдаются и для свободных пленок 4,6-полиуретана. Это может быть связано с некоторыми неконтролируемыми вариациями в условиях кристаллизации свободных пленок. Существование прямой связи указанных изменений таких полос в ИК-спектрах поглощения и электронных спектрах поглощения с изменениями в структуре именно поверхностных слоев тонких пленок (рис. 1) свидетельствуют о справедливости заключений, сделанных нами выше. При 10—20%-ном содержании фенантрена в 4,6-полиуретане в ИК-спектрах поглощения проявляются также и полосы поглощения фенантрена, однако, они не налагаются на области, в которых наблюдаются изменения и не мешают идентификации этих изменений. [c.120]

При наиболее старом и еще широко используемом методе Бриджмена расплав и растущий кристалл находятся или в тигле (рис. 6.5, а) или в лодочке (рис. 6.5, б). Тигель или лодочка, изготовленные из более тугоплавкого материала, чем вещество кристалла, заполняется поликристаллическим материалом, П02ме-щается в печь и нагревается до температуры выше точки плавления. Затем тигель с расплавом охлаждают так, чтобы кристаллизация начиналась с заостренного конца. Поскольку объем расплава, находящийся в конусообразной части тигля, невелик, то вероятность образования одного центра кристаллизации увеличивается. Дальнейшее охлаждение проводят так, чтобы изотермическая поверхность, близкая к точке плавления вещества, перемещалась от конца тигля вверх через весь расплав. При этом происходит рост зародыша или зародышей, возникших в заостренном конце тигля в результате получается слиток, повторяющий форму и размер тигля. Слиток будет монокристаллическим, если в заостренной части тигля спонтанно образовался единственный зародыш. Чаще возникает несколько зародышей, но при их дальнейшем росте некоторые из них постепенно выклиниваются, и в направлении температурного градиента, совпадающего с осью тигля, растут одно или несколько крупных монокристаллических зерен. Процессы зарождения и роста, по существу, являются неконтролируемыми и зависят от природы и качества изготовления тигля, от формы фронта кристаллизации и всевозможных изменений условий роста. Если расплав хорошо смачивает материал тигля, то в любой момент роста могут возникнуть новые зародыши у стенки тигля, которые нарушают структуру растущего слитка. [c.288]

Ситуация в известной мере аналогична той, которая возникает при твердофазном взаимодействии ЫаАЮг и А12О3 с образованием смеси когерентных полиалюминатов со структурой р- и р"-фаз. И хотя р"-фаза в системе НагО—АЬОз метастабильна и никогда не была получена в чистом виде, смесь когерентных р- и р"-фаз крайне устойчива за счет энергии когерентного срастания. Более того, величина АО при переходе от когерентной смеси к чистой р-фазе может быть столь мала, что при высокой температуре соизмерима с тепловыми флуктуациями. В благоприятных условиях (высокие температура и активность МагО) нельзя исключить возможность самопроизвольного превращения р-фаза— -когерентная смесь благодаря сильному увеличению энтропии. Поэтому смесь когерентных р- и р"-фаз можно в известных условиях рассматривать как фазу переменного состава. Реально наблюдали [151] необратимый переход от смеси когерентных р- и р"-фаз к р-фазе, но во всех случаях он связан либо с неконтролируемым изменением состава (потери МагО вследствие испарения), либо с появлением жидкой фазы, растворяющей р"-фазу с последующей кристаллизацией р-глинозема [152]. [c.152]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология