Металлическое состояние и бинарные соединения

О практическом использовании РЗЭ в металлическом состоянии уже упоминалось (с. 70), а также шла речь о применении комплексных соединений РЗЭ в процессах разделения нх смесей и при очистке индивидуальных РЗЭ. Приведем данные об использовапии бинарных и более сложных соединений РЗЭ в различных областях науки и техники [14]. [c.81]

Наибольшие успехи в сопоставлении каталитической активности элемента с его положением в периодической системе были получены для металлических катализаторов. Для них найдены наиболее четкие закономерности и при сопоставлении каталитической активности с рядом свойств твердого тела, например, с параметром кристаллической решетки, числом -электронов и т. д. Однако задача сокращения времени подбора металлических катализаторов не столь актуальна, потому что число проб невелико. При переходе к бинарным соединениям число возможных проб уже составляет величину порядка 10 , а если учесть различные валентные состояния входящих в них элементов и различные кристаллические модификации, то и еще больше. Дальнейшее увеличение числа элементов в катализаторе еще более затрудняет подбор, как и сопоставление каталитических свойств с положением элементов в периодической системе элементов Д. И. Менделеева. [c.6]

Все же, несмотря на сильную связь в молекулах Нг, водород вступает в экзотермические реакции с большинством других элементов, но прп комнатной температуре эти реакции редко протекают с большой скоростью. Многие из образующихся при этом соединений (особенно соединения водорода с неметаллическими элементами, расположенными в правом верхнем углу периодической таблицы) при комнатной температуре являются газами, однако большинство соединений водорода с металлами в обычных условиях находятся в кристаллическом состоянии. Соединения первого типа характеризуются относительно слабыми межмолекулярными силами по сравнению с соединениями второго типа. Формулы большинства наиболее распространенных бинарных соединений водорода приведены в табл. 12.1. По-видимому, в соединениях с наиболее ярко выраженными металлическими элементами водород присутствует главным образом в виде гидрид-иона Н в соединениях с некоторыми металлами — как атомарный водород Н, и, наконец, в соединениях с большинством неметаллов водород связан ковалентными связями, как, например, Н—О—Н. [c.345]

Только в последней главе книги рассматривается кристаллохимия наиболее простых бинарных соединений. Здесь основной акцент сделан на согласовании кристаллохимических данных с диаграммами состояния бинарных систем, на выявлении различных форм образования в них твердых растворов. Особенно детально эти вопросы рассмотрены в металлических сплавах и интерметаллидах. [c.7]

Изучение диаграмм состояния бинарных и более сложных систем очень важно для теории металлических сплавов гафния, так как уже незначительные изменения электронного состояния в системе, вызванные взаимодействием атомов, заметно отражаются на виде диаграмм состояния и на свойствах образующихся фаз. При анализе таких диаграмм можно получить ценные сведения о строении образующихся фаз, влиянии взаимодействующих компонентов на характер протекающих реакций, а также судить о составе и структуре определенных соединений и твердых растворов. [c.319]

Методы, основанные на перекристаллизации из раствора в расплаве одного из компонентов входящих в соединение, применяются в основном для бинарных соединений, для которых известны диаграммы состояния бинарных систем. В этом случае в соответствии с кривой ликвидуса вблизи металлического компонента из раствора в расплаве могут быть получены кристаллы соединений при сравнительно низкой температуре. В работе [331 была показана возможность получения кристаллов соединений [c.96]

Металлическое состояние и бинарные соединения [c.264]

Труднее было применить химические законы к твердым веществам переменного состава, таким, как металлические сплавы, сложные окислы, силикаты и др. Без преувеличения можно отметить, что химия этих веществ на первых порах своего развития обязана применению метода построения диаграмм состояния и состав—свойство. Это, в свою очередь, стало возможным лишь на основе развития физической химии и учения о гетерогенном равновесии и теоретических представлений, развитых Н. С. Курнаковым. Значительное и весьма положительное влияние на изучение систем с фазами переменного состава методом физико-химического анализа оказал принцип единства проявления химического соединения на диаграмме состояния, на химической диаграмме. Опыт показал, что для всех классов соединений — металлических, солеобразных и органических, простейших — типа бинарных соединений между элементами и комплексных — образование нового соединения проявляется на диаграмме состав—свойство сингулярным максимумом. [c.45]

В бинарных металлических системах со сходными диаграммами состояния краевые углы тем меньше, чем ближе точки плавления компонентов. В системах, где образуются химические соединения, смачивание может ухудшаться, если образующийся на межфазной поверхности интерметаллид плохо смачивается жидким металлом. [c.100]

Иногда элементы подгруппы германия называют металлами IVA-группы. Формально в их число входит и сам германий. Однако, как известно, германий является типичным полупроводником с преимущественно ковалентной связью, а следовательно, металлом в свободном состоянии быть не может. Тем не менее в большом числе соединений с более электроотрицательными элементами германий выступает в качестве катионообразователя, что с химической точки зрения отражает металлическую природу элемента. В бинарных соединениях с металлами, т. е. элементами, расположенными слева от границы Цинтля, германий — анионообра-зователь, однако все эти соединения обладают металлическими свойствами, что характеризует германий как плохой анионообра- [c.214]

В гл. 1 (см. раздел 1.6) было показано, что изменение зарядовых состояний примесных центров может быть описано при использовании эффективных зарядов с помощью уравнений квазихимических реакций, одинаковых для кристаллов как с валентной связью (полупроводников), так и с ионной. Поэтому в данном разделе мы исследуем роль примесей в общем случае нестехиометрического бинарного соединения МХ г б С произвольным (но не металлическим) типом связи, включающем в себя как частные случаи полупроводники и ионные кристаллы. Как и в разделах 4.2 и 5.2, будем считать, что примесные ионы размещаются в узлах катионной подрещетки с образованием дефектов замещения донорного или акцепторного типа. [c.159]

Открытие Лауэ диффракции рентгеновских лучей в кристаллической решетке дало возможность проникнуть во внутреннее строение кристаллов. В. Г. Брэггу и В. Л. Брэггу первым удалось не только определить взаимное расположение атомов в кристаллической решетке для ряда солей, но и расстояния между соседними атомами. Полученный экспериментальный материал подтвердил выдвигавшуюся и ранее концепцию, согласно которой кристаллы составлены из сферических атомов или ионов, находящихся между собой в контакте. Однако точное определение радиусов атомов и ионов на основании многочисленного экспериментального материала произвел лишь 14 лет спустя после открытия Лауэ В. М. Гольдшмидт в 1926 г. [ ]. Он установил также, что радиусы ионов не являются постоянными, а зависят от координационного числа и заряда соседних ионов. Полученные им данные показали, что атомы и ионы, из которых строится кристаллическая решетка, не могут рассматриваться как несжимаемые сферы, а наоборот, оказываются склонными к деформации — поляризации в поле соседних ионов. С увеличением координационного числа растет и радиус центрального иона. У бинарных соединений при переходе от структуры с координационным числом 4 (типа ZnS) в структуре с координационным числом 6 (тип Na l) радиус увеличивается на 5% , а при дальнейшем переходе к структуре с координационным числом 8 (тип s l) на 3%. Радиус атома в значительной степени зависит также от типа связи его с соседними атомами. Когда элемент находится в металлическом состоянии, радиусы его атомов резко отличаются от радиусов тех же атомов, когда они связаны в кристаллической решетке ковалентной или ионной связью. Позднейшие исследования показали, что в ряде соединений радиусы ионов имеют среднее значение между радиусами для чисто ионной и для ковалентной связи. С точки зрения квантовой меха- [c.85]

Большинство поставленных в данном разделе вопросов будет рассмотрено на примере тройных смесей, а затем полученные выводы будут, как правило, непосредственно распространены на многокомпонентные смеси. На рис. 5,40 и 5.41 представлены типичные диаграммы Т - X тройных смесей. В отстутствие межмолекулярных соединений может образоваться только одна тройная эвтектика. Поскольку парциальная смешиваемость органических твердых фаз в отличие от металлических систем неизвестна, далее будут рассмотрены только простейшие случаи несмешиваемости твердых фаз и единственная тройная эвтектика. Диаграммы состояния таких систем изображены на рис. 8.10, на котором имеются бинарные и тройные эвтектики и эвтектические впадины . Каждый из компонентов многокомпонентной системы представляется уравнением следующего вида [c.424]

Научные работы посвящены разработке теории смачивания расплавленными металлами поверхности твердых тел (металлов, сплавов, оксидов, карбидов, боридов). Изучал поверхностные свойства чистых металлов и бинарных металлических систем в широких температурных пределах. Исследовал термодинамические свойства литых жидких сплавов, твердых растворов металлов, кнтерметал-лических соединений. Построил диаграммы состояния многих двойных и тройных металлических систем, изучил кинетику смачивания н растекания металлических расплавов по поверхности твердых тел, кинетику и механизм контактного взаимодействия твердых металлов с металлическими расплавами, кинетику роста промежуточных фаз на контактной границе, кинетику и механизм спекания в присутствии жидкой фазы. [82] [c.185]

Галогены образуют простые отрицательно заряженные ионы (галогенид-ионы), а также многоатомные отрицательные ионы (в основном с кислородом). При взаимодействии галогенов почти со всеми элементами синтезируются бинарные и более сложные соединения. Некоторые из этих соединений, например с металлическими элементами, содержат простые отрицательно заряженные галогенид-ионы. Другие соединения галогенов состоят из отдельных электрически нейтральных молекул, которые во многих случаях довольно летучи. В химии галогенов важную роль играют окислительно-восстановительные реакции, поскольку галогены суп1ествуют во многих состояниях окисления. [c.401]

Большинство бинарных полупроводниковых соединений характеризуется склонностью к диссоциации, как в твердом, так и особенно в жидком состояниях. Для проведения технологических процессов, связанных с выращиванием или термообработкой диссоциирующих соединений, необходимо располагать данными о поведении системы в координатах [Р—Т—Х). Соединения этого типа образованы слабо летучим металлическим компоненгом А и сильно летучим компонентом В (N, Р, As, Sb). [c.456]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология