Геометрия с плоским кристаллом

В любой кристаллической решетке через различные узлы можно провести множество плоскостей (например, в простейшей кубической решетке можно провести плоскости через ее грани, через плоские диагонали, через объемные диагонали различных порядков и т. д.) с различными межплоскостными расстояниями (рис. 18, б). Для построения всей геометрии данного кристалла необходимы сведения о всех межплоскостных расстояниях, кото- [c.214]

Геометрия складывания в плоских кристаллах в таком виде, как мы ее рассмотрели, не позволяет делать никаких выводов о происхождении мор- [c.438]

Геометрия с плоским кристаллом [c.210]

Р II с. 7. Геометрия спектрометра с плоским кристаллом а — план б — поперечный разрез. [c.211]

Теплопроводность материала формообразователя должна быть достаточно высокой. Это способствует выравниванию температуры в зоне кристаллизации, получению плоской границы раздела фаз и заданной геометрии растущего кристалла. Лучший отвод выделяющейся скрытой теплоты кристаллизации при повышенной теплопроводности материала формообразователя обеспечивает к тому же возможность увеличения скорости выращивания. [c.121]

Влияние геометрии теплового поля кристаллизатора на качество кристаллов. Влияние формы поверхности фронта кристаллизации (ПФК) на качество выращиваемых кристаллов общеизвестно. Различают ПФК плоскую, вогнутую или выпуклую по отношению к расплаву. Лучшие кристаллы фторфлогопита получены при плоской ПФК, отражающей отсутствие радиальных градиентов в кристаллизаторе. При выпуклой и особенно вогнутой ПФК всегда существует возможность поликристаллического или дендритного роста кристалла, возникновения термических напряжений в кристалле, захвата примесей на фронте кристаллизации 64 [c.64]

Для успешного решения многих задач, связанных с исследованием интенсивности когерентного и некогерентного рассеяния рентгеновских лучей кристаллическими и аморфными телами, требуется использование монохроматического излучения. В связи с этим получение мощных монохроматических источников заслуживает большого внимания. Использование фокусирующих монохроматоров [1—3] приводит к значительному выигрышу в интенсивности по сравнению с плоскими монохроматорами. В случае фокусирующих монохроматоров интенсивность отраженного пучка, его спектральный состав и геометрия существенным образом зависят от размера и яркости источника (фокуса рентгеновской трубки), совершенства кристалла, используемого в качестве монохроматора, и условий фокусировки [4]. [c.116]

Геометрия дифракции 4.1. Классификация дифракционных методов. 4.2. Методы неподвижного кристалла (метод Лауэ о плоской и цилиндрической пленкой, метод расходящегося пучка). 4,3. Методы движущегося монокристалла (символы, соотношения между цилиндрическими координатами узла обратной решетки и положением соответствующего дифракционного пятна, периоды идентичности на неподвижных пленках, индицирование нулевой слоевой линии), 4,4, Метод Вейссенберга (экспериментальные детали, интерпретация рентгенограмм по Вейссенбергу). 4.5. Прецессионный метод Бюргера. 4.6. Методы для кристаллов о беспорядочной ориентировкой (индицирование рентгенограмм поликристаллов, определение неизвестных постоянных решетки). 4.7. Прецизионное определение периодов [c.322]

В приборах со сфокусированным пучком злектронов сигнал рентгеновского излучения довольно слабый, и можно полагать, что он исходит из точечного источника. Поэтому рентгеновские спектрометры с полной фокусировкой, работающие с изогнутым кристаллом, более широко используются по сравнению с спектрометрами, имеющими плоский кристалл. Спектрометры последнего типа обычно используются в рентгеновском эмиссионном анализе при возбуждении с помощью рентгеновской трубки. В спектрометре с полной фокусировкой типа Иоганссона, схема которого приведена на рис. 5.3, точечный источник рентгеновского излучения, образец, кристалл-анализатор и детектор перемещаются по одному и тому же кругу радиуса R, называемому кругом фокусировки. Более того, кристалл изгибается так, чтобы кристаллические плоскости имели радиус кривизны 2R, а сама поверхность кристалла шлифуется до кривизны радиуса R. При такой геометрии все рентгеновские лучи, выходящие из точечного источника, будут падать на поверхность кристалла под одним и тем же углом 0 и фокусироваться в одной и той же точке на детектО ре. Этим обеспечивается максимальная эффективность сбора рентгеновского излучения в спектрометре без потери высокого разрешения по длинам волн. Очевидно, что в случае плоского кристалла угол падения рентгеновских лучей будет изменяться по длине кристалла, что. приводит к уширению и возможному наложению пико1В, вследствие чего уменьшаются максимальная интенсивность пика и отношение сигнал/фон. Хотя применение щелей Соллера дает возможность получить более параллельный пучок лучей, падающих на кристалл, однако и в этом случае не удается избежать потери интенсивности сигнала. [c.193]

По-видимому, более открытую тетраэдрическую структуру преимущественно имеют комплексы с более объемистыми лигандами — алкилзамещенным салицилальдимином и аминотропоними-ном, в то время как менее о бъемистые заместители благоприятствуют образованию комплексов с геометрией плоского квадрата. Комплексы со смешанными лигандами этого типа могут иметь в растворе как тетраэдрическую, так и квадратно-плоскостную конфигурацию иногда эти два типа геометрии встречаются вместе в кристалле. [c.41]

Отсутствие каких-либо закономерностей возникновения локальных неоднородностей в кристаллах создает трудности в определении методов и способов их устранения. Больщое значение придается геометрии поверхности раздела между твердой и жидкой фазами. При хороше.м перемешивании расплава концентрация примесей в ием постоянна в любой точке объема. Поэтому поверхности равной концентрации в кристалле будут расположены в плоскостях, параллельных фронту кристаллизации. В случае кривизны фронта в сечении кристалла должна наблюдаться неравномерность свойств, закономерно изменяющаяся от центра к периферии слитка. В связи с этим представляет интерес выявление возмож-1ЮСТИ получения плоского фронта при выращивании кристаллов и а существующих печах, определение факторов, с помощью которых можно управлять тепловым полем в кристалле и расплаве вблизи фронта кристаллизации. [c.204]

Полное описание цепи требует такой же метрической информации, как и в случае конечных групп. Нелишне будет отметить, что если учитывается геометрия цепи, т. е. точное пространственное расположение атомов в кристалле, то повторяющаяся единица (кристаллографическая) может оказаться крупнее, чем простейшая химическая . Кристаллографическая повторяющаяся единица представляет расположение атомов, которое воспроизводит рассматриваемую структуру при повторении в той же ориентации, т. е. с помощью простого переноса в одном, двух или трех направлениях. Химическая повторяющаяся единица не связана с ориентацией. Это различие показано на рис. 1.3, а для цепи HgO. Химическая повторяющаяся единица состоит из одного атома Hg и одного атома О если же рассматрн )ать геометрическую конфигурацию (плоской) цепи, то выявляется повторяющаяся единица, содержащая 2Hg-f20. Дополнительными примерами могут служить формы АХз-цепей, создаваемых гетраздрическими группами АХ4 с двумя общими ьершннами (Х-атомы) (разд. 23.12.5), одна из них включена в рис. 1.3,6. [c.22]

Имеется много методов поддержания фиксированного количества вещества на пути инфракрасного пучка. В большинстве из них образец распределяется изотропно, но если вещество может быть получено в виде больших монокристаллов, можно исследовать дихроизм инфракрасного поглощения, пропуская пучок плоско поляризованного света через кристалл и измеряя поглощение в зависимости от ориентации кристалла относительно заданных осей. Таким путем можно изучать в благоприятных случаях геометрию молекул или упаковку молекул в решетке (или и то, и другое). До сих пор число таких исследований невелико [96, 97, 99], но эта область представляет интерес для дальнейшей работы. Исследования дихроизма инфракрасного поглощения протеинов и полипептидов были очень плодотворны, и в соответствующих работах можно найти описание деталей метода [136а]. В настоящей главе мы рассматриваем приготовление только изотропных образцов. [c.296]

Адсорбция на однородной плоской поверхности твердого тела при малом (нулевом) ее заполнении весьма чувствительна к геометрии молекул. Молекула адсорбируемого вещества (адсорбата) испытывает действие межмолекулярных сил только с одной стороны — со стороны поверхности иолубесконечного кристалла адсорбента (а не со всех сторон, как в сжатых газах, жидкостях и твердых телах). Поэтому константа Генри адсорбционного равновесия, представляющая одну из термодинамических характеристик межмолекулярного взаимодействия ад- [c.182]

По мере того как структуры кристаллов и длины связей в молекулах становились известными более точно, естественно, были сделаны попытки найти соответствие между геометрией твердой поверхности и ее адсорбционной способностью или каталитической активностью (Лэнгмюр, Адкинс, Бэрк [15]). Большая молекула может адсорбироваться предпочтительно или более легко подвергаться каталитической реакции, если она способна сесть на поверхность, так, чтобы ее атомы расположились особенно благоприятным образом по отношению к плоской решетке атомов поверхности твердого тела. Такого рода представления лежат в основе мультиплетной теории катализа Баландина [16]. Эта теория была успешно использована для интерпретации многих работ по дегидрированию и сходным реакциям. Баландин, однако, отрицал необходимость хемосорбции реагирующих веществ предполагалось, что катализ осуществляется под действием физических сил, но эта точка зрения не получила общего признания. Существование структурного фактора в катализе было подтверждено другими работами, [c.489]

Движение экситона по кристаллу очень напоминает движение свободной квантовой частицы в пустом пространстве. Стационарным состоянием свободной частицы является состояние с определенным импульсом. Ее пси-функция — плоская волна. Геометрия пространства, в котором движется частица, проявляется в динамике частиц. В частности, именно однородность пространства имеет своим следствием тот факт, что импульс любой величины и любого направления (импульс — вектор) есть сохраняюш,аяся величина. Это позволяет заданием импульса характеризовать стационарные состояния свободной частицы. [c.291]

Прокаливание саж при температуре около 3000 °С формирует достаточно протяженные, правильно ориентированные графитовые слои, изгибающиеся на ребрах полиэдрических частиц графитированной термической сажи (ГТС) [3—5]. При таких температурах сажа освобождается от всех неорганических примесей, а последующая длительная обработка водородом при температуре около 1000 °С [8] удаляет с ее поверхности кислородные комплексы, которые в небольших количествах образуются при охлаждении ГТС в процессе ее производства. Обработанная водородом графитированная термическая сажа (ОВГТС) представляет собой хорошую модель полубесконечного кристалла графита, а ее поверхность — базисную грань этого кристалла. Благодаря однородной плоской поверхности ГТС является идеальным адсорбентом для разделения молекул, различающихся по геометрии [14—16]. [c.18]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология