Диаграммы электронные

Рис. 23. Контурные диаграммы электронной плотности связывающей (а) и разрыхляющей (6) орбиталей в Н/

I. ДИАГРАММА ЭЛЕКТРОННЫХ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ СОСТОЯНИИ (ДИАГРАММА ЯБЛОНСКОГО) [c.362]

Контурные диаграммы электронной плотности. Определив вариационным методом коэффициенты волновой функции, построенной по методу ЛКАО, можно рассчитать распределение электронной плотности, [c.152]

Постройте диаграмму электронных уровней комплексов Ре(Н2 0) и Ре(СН)б" в рамках теории валентных связей и теории кристаллического поля. Кратко сопоставьте полученные модели электронного строения комплексов. [c.250]

Рис. 27. Контурные диаграммы электронной плотности в молекуле О.,.

Важную информацию о связи в кристаллах можно получить с помощью так называемого фурье-преобразования рассеяния рентгеновских лучей на электронах кристаллической решетки монокристалла. Так как в кристалле электронная плотность периодически изменяется, снимают диаграммы электронной плотности, на которых проводят линии одинаковой электронной плотности. [c.111]

Воспользовавшись диаграммами электронной плотности, рассмотрим еще раз различные типы связи в твердых телах. На рис. А.бЗ, а и б приведены диаграммы электронной плотности [c.145]

Переключатель колонка поставить в положение <.<КЭП . Поворотом ручки 7 ( мост ) по часовой стрелке установить напряжение 2 б по вольтметру 6. Ручку 4 ( масштаб ) установить в положение 1 1. Включить тумблеры прибор и диаграмма электронного потенциометра. Ручками 2 иЗ ( установка нуля ) вывести перо [c.158]

Волновая функция % называется связывающей МО. Рассмотрим ее подробнее. На рис. 35, а пунктиром нанесены исходные атомные орбитали и сплошной линией — молекулярная орбиталь, те и другие как функции расстояния от ядер А и В,, а также диаграмма плотности электронного облака. В нижней части рис. 35, а дана условная контурная диаграмма электронной плотности, напоминающая топографическую карту. Орбиталь и электронная плотность ец/ обладают осевой симметрией (цилиндрической), определяемой симметрией равновесной конфигурации (Г) ). По свойствам симметрии орбиталь называют а-орбиталью. В пространстве между ядрами значения. и выше, чем было бы оно для изолированной атомной орбитали. Соответственно выше здесь и плотность электронного облака. Это означает, что для связывающей молекулярной орбитали вероятность пребывания электрона в межъядерной области велика. Отрицательный заряд между ядрами притягивает к себе положительные заряды обоих [c.100]

Рис. 57. Контурная диаграмма электронной плотности в квадратном комплексе Цф

Рис. 58. Контурная диаграмма электронной плотности молекулы СО

Рис. 59. Контурные диаграммы электронной плотности отдельных МО молекулы СО л — молекулярная Зо-орбнталь 6 — молекулярная 4о орбиталь в — высшая занятая молекулярная 5<г-орбиталь

Рис. 61. Контурные диаграммы электронной плотности гомонуклеарных молекул элементов 2-го периода

Рис.. 62, Контурные диаграммы электронной плотности молекул гидридов элементов

Рис. 63. Контурная диаграмма электронной плотности молекулы

Построение энергетических диаграмм (электронных уровней) взаимодействующих атомов. [c.119]

Рис. 80. Контурная диаграмма электронной плотности основного состояния молекулы Щ

Рис. 57. Диаграмма электронно-колебательных уровней в электронном

Рассмотрим, пользуясь этой диаграммой, электронное строение двухатомных молекул N2, О2 и Р2. В молекуле N2 всего 14 электронов. Четыре из них занимают К -оболочки атомов азота, и 10 валентных электронов расселяются на молекулярных орбиталях. Электронная структура молекулы N2 [c.122]

Контурные диаграммы электронной плотности для первых 10 элементов, рассчитанные по методу Хартри — Фока, приведены на рис. 12.14. Диаграммы показывают, что, несмотря на большие различия числа орбитальных электронов, для большинства атомов радиус в основном состоянии одинаков, потому что возрастающий заряд ядра приводит к тому, что электроны располагаются более тесно. [c.398]

На рис. 14.9 представлена контурная диаграмма электронной плотности для устойчивых двухатомных молекул от Нг до Рг. Приведенные электронные плотности были рассчитаны по методу Хартри—Фока. [c.442]

Рис. 8.3-5. Диаграмма электронных переходов железа, показывающая возникновение Ка- и К/3-

Рис. 20. Энергетическая диаграмма электронно-колебательных переходов по Франку-Кон-дону

Используя волновые функции, полученные в предыдущей задаче, постройте контурную диаграмму электронной плотности для основного состояния нафталина. В этих целях воспользуйтесь вычислительной машиной или программируемым калькулятором. Вычислите волновые функции для решетки с периодом 0,28 А, Обратите внимание, что вследствие симметрии вычисления необходимо проводить только для четвертой части точек. [c.38]

В ходе эксперимента на диаграмме электронного самописца КСП-4 записывали поочередно значения напряжений 11 и где 1] — напряжение между контактами 1 л2,й.и2 — между контактами 3 и 4. Мерой длины трещины являлось отношение Ь /и2, которое изменялось с ростом трещины. Длину трещины определяли по градуировочному графику вида /1/ /2 =/ 1/Ь), где / — текущая длина трещины, а 6 — ширина образца. [c.154]

Более подробно можно рассмотреть принцип с помощью корреляционной диаграммы электронных состояний реагентов и продуктов реакции (см. рис. 30). [c.625]

Принцип построения корреляционной диаграммы, связывающей электронные состояния реагентов и продукта реакции, в общем точно такой же, как и при построении корреляционной диаграммы электронных состояний реакции этилен циклобутан (см. рис. 30). Основной уровень реагентов — (Х1) ( ) (Хг) и шесть электронов содержатся по два на трех основных молекулярных орбиталях Хх. Хг и тс. Символ симметрии этого состояния (8) выводится так же, как это было сделано ранее на рис. 30 — (-1-1) (-1) (-1-1)2 = -1-1, или (8) (рис. 35). Следующий по энергии — первый возбужденный уровень — (Х1) ( ) (Х2) (ЗСз) возникает при переходе одного электрона с высшей занятой МО Хг на низшую свободную МО Хз, он имеет символ А (-1-1)2(-1-1) (-1)(-1-1) = -1 или (А). При других переходах возникают следующие возбужденные уровни, расположенные в порядке возрастания энергии на р 5 слева, их символы симметрии приведены там же. [c.630]

Из диаграммы электронных состояний на рис. 35 следует, что основные состояния (Х1) ( )ЧХ2) и (СТо)2 л)2(ст )2 непосредственно коррелируют между собой и, следовательно, реакция легко проходит термически без большой энергии активации. Первое возбужденное состояние этиленди-енового комплекса должно коррелировать с 6-м возбужденным состоянием циклогексена однако правило непересечения приводит к корреляции его с 1-м возбужденным состоянием циклогексена, но с преодолением значительного энергетического барьера (горб АЕ на энергетической кривой). Отсюда следует вывод, что реакция легко проходит термически и не проходит при фотохимическом возбуждении. Этот общий вывод подтверждается экспериментом. Остальные корреляции электронных состояний приведены на рис. 35. [c.631]

Для рассматриваемого процесса легко построить и корреляционную диаграмму электронных состояний (рис. 44). [c.637]

Рис. 44. Корреляционная диаграмма электронных состояний для реакции бутадиен циклобутен

Правая часть рисунка характеризует процесс нагрева неэкранированного спая термопары в магнитном поле, снятый на диаграмме электронного потенциометра с верхним пределом измерения 30 С. Характерен резкий нагрев спая в момент включения генератора (точка В). При выключении (точка О) спай термопары охлаждается. В левой части рисунка видно, что спай, защищенный экраном, не нагревается. [c.51]

Ковалентная связь. На рис. 22 представлено образование связывающей и разрыхляющей МО молекулы Нг из АО, а также диаграмма плотности вероятности (плотности электронного облака). В нижней части рис. 22, а и б приведены условные контурные диаграммы электронной плотности, напоминающие топографические карты. В пространстве между ядрами значения ф5 и ф5р выше, чем были бы они для изолированной атомной орбитали. Соответственно выше здесь и плотность электронного облака. Это означает, что для молекулярной орбитали вероятность пребывания электрона в межъядерной области велика. Отрицательный заряд между ядрами притягивает к себе положительные заряды обоих ядер и в то же время экранирует их друг от друга, уменьшая их взаимное отталкивание. В результате наблюдается значительное понижение энергии электрона в поле двух ядер молекулы по сравнению с энергией электрона в атоме. Общее понижение энергии —результат преобладающего понижения потенциальной энергии электрона. Поэтому система из двух ядер и электрона оказывается более устойчивой, чем система разъединенных ядер, иными словами, вследствие понижения потенциальной энергии электрона возникает химическая связь. Характерной ее особенностью является коллективизирозание электрона всеми (здесь двумя) ядрами молекулы. Такая связь называется ковалентной. В основе хими- [c.69]

На рис. 58 представлена контурная диаграмма электронной плотности р для молекулы СО и на рис. 59 —для каждой из ее орбиталей [36]. Карты электронной плотности для отдельных орбиталей молекулы СО (рис. 59) показывают, что каждая из них простирается на всю молекулу. Этот вывод справедлив и для многоатомньк систем. Важность его в том, что подтверждается делокализация к олекулярных орбиталей (в отдельных случаях МО может быть частично или полностью сконцентрирована вблизи отдельных атомов или атомных групп молекулы, например 1ст-, 2а- 5а-МО в молекуле СО). Как видно из рис. 59, в, высшая занятая МО 5а имеет ярко выраженный р-характер. Она в основном концентрируется около ядра углерода, и электроны на ней образуют так называемую неподеленную пару. Особенность lit -МО (рис. 59, г) в том, что электронная плотность на ней сильно сдвинута к ядру кислорода. [c.152]

Рис. 82. Контурная диаграмма электронной плотности орбитали 1за2ри молекулы

Рис. 85. Контурная диаграмма-электронной плотности орбитали В1 12 15стЗро

Рис. 87. Контурная диаграмма электронной плотности орбитали О 12 1x03 0

Представим состояние РП на диаграмме электронных термов. На рис. 3 показаны электронные термы основного синглетного состояния и первого возбужденного триплетного состояния как функции координаты реакции. Разница энергии РП в триплетном и синглетном состояниях Е и Е , соответственно) связана с обменным взаимодействием [c.20]

Мы обозначаем все характеристические рентгеновские линии, образующиеся из вакансий в К-оболочке, как К-линии. На рис. 8.3-5 показана диаграмма электронных переходов железа. К-вакансия может быть заполнена электронами с уровней Ьг, Ьз или Мз г- Переход Ьз —>К приводит к рентгеновскому излучению с энергией 6,404кэВ (1,9360 A). Эта рентгеновская линия обозначается Fe К-Ьз или Fe Kai. Другая Ка-линия, Каг, соответствует переходу L-2 — К. Обе линии являются диаграммными, поскольку правила отбора соблюдены. Так как разность энергии между этими двумя линиями крайне мала и спектрометр не всегда их разрешает, то для этого дублета используют обозначение К-Ьз 2 (или Ка). Линии, включающие переходы с оболочек М и N, называют К/З-линиями. К/З-линии имеют более высокую энергию (меньшую длину волны), чем Ка-линии. Первоначальное обозначение рентгеновских линий (Ка, Куб) ввел в 1920 г. Зигбан. Сейчас предпочитают использовать более систематическое обозначение по ИЮПАК (К-Ьз, К-Мз,2), включающее начальное и конечное состояние атома (табл. 8.3-5). [c.65]

Првдстввл нм запись строения электронной оболочки атома называется электронной формулой атома. Электронная формула в сочетании с энерге-тицеской диаграммой электронной оболочки атома отражают его электрон-ную конфигурацию. [c.90]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология