Элементарная ячейка ромбоэдрическая

Каждые три элементарные ячейки ромбоэдрической гексагональной решетки, например, могут быть объединены в гексагональную колонну, которая весьма напоминает элемент пчелиных сот, но отличается от них наличием узла решетки в центре шестиугольника. [c.61]

Основные трансляции элементарной ячейки ромбоэдрической структуры в прямоугольной декартовой системе имеют координаты (а. О, 0 [c.25]

Тиомочевина (H2N—С5—ЫН2> кристаллы в виде орторомбических призм (ао=5,50 А 6о=7,68 А Сд—8,57 А) 4 молекулы в элементарной ячейке Каналы (ромбоэдрические призмы) 0=5,8—6,8 А Оо—10,1 А а—104,5°) 6 молекул в элементарной ячейке [c.86]

Графит состоит из непрерывного ряда слоев, параллельных основной плоскости, гексагонально связанных атомов углерода. Ближайшее расстояние между атомами в плоскости составляет 0,142 нм, а между соседними слоями 0,3345 нм. Величина энергии связи между атомами углерода в плоскости составляет по различным данным от 340 до 420 кДж/г-атом, а величина энергии связи между слоями не превышает 4,2-8,4 кДж/г-атом, Возможны два типа идеальной кристаллической решетки фафита гексагональная с четырьмя атомами углерода в элементарной ячейке и ромбоэдрическая структура. [c.7]

Из сравнения рис. 2.7 с табл. 2,3 можно видеть, что, хотя среди кристаллографических систем мы поместили тригональную и гексагональную, рис. 2.7 включает ромбоэдрическую и гексагональную решетки. Причина этого различия заключается в следующем. Все кристаллы с единственной осью симметрии 3-го или 6-го порядка могут быть отнесены к гексагональной решетке (элементарной ячейке) это значит, что все точки, изображенные на рис. 2.12 светлыми кружками, имеют одинаковое [c.64]

PiK. 6.3. Альтернативные ромбоэдрические элементарные ячейки в структуре [c.291]

Необходимо пояснить обозначения и 1с, приведенные в табл. 3.6. Если сосчитать число точек в элементарных ячейках на рис. 3.15, а—г, оно окажется равным 8, 6, 8 и 1 соответственно. Во всех случаях, за исключением г (когда решетка примитивна), эти величины кратны значениям 2(, приведенным в таблице. Причина этого заключается в том, что на рнс. 3.15 сетки изображены в своих наиболее симметричных конфигурациях, и структуру удобнее всего описывать с помощью элементарной ячейки, ребра которой соотнесены с имеющимися элементами симметрии. Такая элементарная ячейка обычно больше, чем наименьшая ячейка, которую можно было бы выбрать без учета симметрии она содержит 2с точек (атомов). Так, кубическая ячейка алмаза содержит 8 атомов, но структуру можно также описать с помощью тетрагональной ячейки, содержащей 4 атома, или с помощью ромбоэдрической ячейки, содержащей 2 атома (2 в табл. 3.6). Сетка (10, 3) на рис, 3,30, которая лежит в основе структуры ВгОз, представляет собой пример сетки, где 2с и 2 совпадают простейшая топологическая ячейка имеет 2 = 6, и таким же является значение 2, для наиболее симметричной (тригональной) формы этой сетки. [c.112]

Рис. 10.14. а —выбор ромбоэдрической элементарной ячейки в структуре флюорита. Ионы Са + находятся в центрах всех граней малых кубов, но показаны лишь ионы, необходимые для выделения ромбоэдрической ячейки б и [c.178]

Полимерная цепь полистирола в кристаллическом состоянии образует спираль типа 2 3—1, так же как полипропилен и полибутен-1. Элементарная ячейка ромбоэдрическая. Образцы со степенью кристалличности примерно 0,40 и с Г...5% атактичности были исследованы Дейнтоном, Ивенсом, Хоу-аром и Мелиа (1962) в температурном интервале 20...310К, Абу-Иза и Долом (1965) в интервале температур 220...550К и Карашем, Бейером и О Рейли (1965) в области температур от 300 до 525 К. В области температур от 80 К до температуры стеклования, по-видимому, нет различия между теплоемкостью полукристаллического изотактического и атактического полистирола. За исключением результатов, полученных при низкой температуре Абу-Иза и Долом, которые, по-видимому, [c.185]

В ромбоэдрической решетке за оси выбираются три узловых ряда, равнонаклонные к оси симметрии третьего порядка, создающие примитивную элементарную ячейку в форме ромбоэдра а=Ь = с и ц=р = (рис. 13,г). Оси ромбоэдрической координатной системы обозначены на рисунке через Хц, Ул, л, два независимых параметра решетки через ац и ал. Но ту же решетку можно описать и в гексагональной системе координат (оси Хн, Ун, н, параметры решетки Пн, Сн)- Гексагональная элементарная ячейка в этом случае непримитивна, она содержит два узла на телесной диагонали на высотах 7з и /з по 2. Поэтому ромбоэдрическую решетку часто называют и гексагональной дважды центрированной. [c.34]

В ромбоэдрической решетке за оси выбираются три узловых ряда, равнонаклонные к оси симметрии третьего порядка, создающие примитивную элементарную ячейку в форме ромбоэдра а = Ь — с и а = р=у (рис. 14, г). Оси ромбоэдрической координатной системы обозначены на рисунке через Хя, ц, два независимых параметра решетки — через а и ар. Но ту же решетку можно описать и в гексагональной системе координат (оси Хн, Ун, 2н, параметры решетки Сн, Сн). Гексагональная элементарная ячейка в этом случае не- [c.34]

Было проведено сравнительное изучение структуры и летучести кристаллических продуктов, образовавшихся в процессе согидролиза вившл- и этилтрихлорсилана (или метилтрихлорси-лана), взятых в различных соотношениях. Кристаллы с различным п изоморфны. Их структура может быть описана в рамках ромбоэдрической сингонии / 3. Основу структуры составляет кубический каркас, в вершинах которого расположены атомы кремния, соединенные но ребрам через атомы кислорода. Органические радикалы присоединены к атому кремния. Параметр элементарной ячейки строго линейно изменяется при варьировании состава твердого раствора. С ростом числа метильных групп в молекуле гетерооктамера растет упорядоченность в расположении заместителей, а введение этильного радикала приводит к обратному эффекту. [c.70]

Сверхструктуры флюорита. Кубическая структура флюорита (СаРг) уже была представлена на рис. 6.9. Ту же структуру можно отнести к ромбоэдрической элементарной ячейке (а = = 7,02 А, а = 33,3°), содержащей две формульные единицы, как это показано на рис. 10.14, а. В ромбоэдрической модификации LaOF расположение ионов р и 0 таково, что симметрия действительно понижается до тригональной, поскольку атомы оказываются связанными осью третьего порядка, проходящей толь- [c.177]

Рис. 10.14. а —выбор ромбоэдрической элементарной ячейки в структуре флюорита. Ионы Са + находятся в центрах всех граней малых кубов, но показаны лишь ионы, необходимые для выделения ромбоэдрической ячейки б и в — структуры двух модификаций ЬаОР (см. текст). [c.178]

С состав оксида находится в интервале Рео,э4бО— Feo,8750, а при более низких температурах приближается к граничному. При 570 °С оксид имеет состав Feo.gaO, а при еще более низких температурах происходит диспропорцнонирование на a-Fe+Fea04 [2], так что синтез следует проводить при температурах >570 °С с последующей закалкой. При температуре 200 К наблюдается переход второго рода, который происходит в интервале температур и сопровождается возникновением антиферромагнетизма и очень небольшими структурными преобразованиями с понижением симметрии до ромбоэдрической [3] параметр элементарной ячейки меняется с составом почти линейно, например а = 4,3010 А для 48,56 ат. % железа и а = = 4,2816 А для 47,68 ат. % железа. Предполагается [4], что в структуре закаленных образцов состава Feo.gO вакансии располагаются периодически в виде кластеров, окружающих (по тетраэдру) ту тетраэдрическую пустоту шаровой упаковки ионов 0 , в которую внедряется один из ионов Fe + отношение числа вакансий к числу катионов в таких пустотах равно -3,2 1 [4]. [c.260]

Рис. 22.2. Кристаллическая структура низкотемпературной (ромбоэдрической) модификации СзСЫ. а —элементарная ячейка (ионы Сз+ заштрихованы) б — сечение элементарной ячейки, иллюстрирующее упаковку ионов Сз+ и СМ4 .

Примечательной особенностью бора является сложность структур его полиморфных модификаций твердость некоторых из нпх близка к алмазу. Ромбоэдрическая а-форма бора В12 (индекс обозначает количество атомов В в элементарной ячейке) образуется при разложении боранов или BI3 при 800— 1200 С. Эта форма считается термодинамически нестабильной по сравнению с -ромбоэдрическим бором Вю5, который кристаллизуется из расплава очень чистого бора или образуется при отжиге других форм бора выше 1500 °С это одна из легкодоступных модификаций. Восстановление ВВгз водородом на танталовой нити при температурах 1200—1400 °С сопровождается образованием а-тетрагональной формы В50. Стеклообразный бор, а также тонкие нити из него, обладающие высокой прочностью на разрыв, практически аморфны на дифракто-грамме присутствуют лишь два размытых кольца. В структурах всех трех модификаций бора, а также некоторых боридов, богатых бором, содержатся икосаэдрические группы В,2, образующие основную часть каркаса, в некоторых случаях присутствуют также дополнительные атомы В. [c.169]

В структуре a-Bi2 все атомы бора принадлежат икосаэдри-ческим группам, расположение которых близко к кубической плотнейшей упаковке. Этот тип упаковки может быть описан с помощью ромбоэдрической элементарной ячейки с углом, близким к 60°. Если икосаэдры В12 расположены во всех узлах ромбоэдрической решетки (рис. 24.2, а), то шесть атомов бора каждого из них (атомы двух противолежащих граней) могут образовать связи с атомами В других икосаэдров (В—В 1,71 А). Эти связи направлены вдоль ребер элементарной ячейки и образуют трехмерный каркас, в котором каждый икосаэдр связан [c.169]

Очень интересна структура Hg. Ртуть кристаллизуется в ромбоэдрической решетке, которая, однако, весьма близка к кубической гране-центрированной. Элементарная гранецентрированная кубическая ячейка в качестве примитивного параллеле-лппеда имеет острый ромбоэдр с углом а=60°. Любая деформация такого ромбоэдра (в данном случае речь идет о деформации вдоль главной оси) влечет за собой исчезновение целого ряда элементов симметрии решетки в частности, пропадают осей третьего порядка и все оси симметрии четвертого порядка. Это обстоятельство влечет за собой выбор в качестве элементарной ячейки, по правилам Бравэ, уже не этого искаженного куба, превратившегося в ромбоэдр, а примитивного ромбоэдра, имеющего в этом случае ту же симметрию и вчетверо меньший объем. Структура ртути, таким образом, может быть получена из плотнейшей кубической упаковки, если последнюю деформировать (сжимать) по оси третьего порядка до тех пор, пока примитивный ромбоэдр не изменит своего утла с 60 до 72°32. [c.269]

Рис. 7.12. Завпснмость числа молекул воды, содержащихся в ромбоэдрической элементарной ячейке (э, я.) шабазита, обмененного на разлпчные одно-и двухвалентные катионы, от ионного радиуса катиона [42].

Сравнение рис. 16.8, й и б показывает, что ниже 7.v на дифрактограммах появляются дополнительные линии (отмечены звездочками). Эти дополнительные линии относятся к аптифер-ромзгнитной сверхструктуре. Хотя, как отмечалось выше, истинная симметрия антиферромагнитной фазы ромбоэдрическая, в первом приближении ее можпо рассматривать как кубическую с удвоенными параметрами элементарной ячейки высокотемпературной парзма1 Нитиой фазы. При 80 К <.Тк) а-=8,85 А, а при 293 К >Ты) а-=4,43 А (рис. 16.7). Объемы элементарных ячеек относятся, следовательно, как 8 (. Дополнительным ли- [c.146]

В работе [38] вьшолнен комплекс расчетов по моделированию особенностей структуры концентрационных политипов на примере системы A1N—О. В указанной системе известен [31] ряд многослойных структур, образованных блоками разного химического состава с общей формулой (А1Ы) , А120з, где z — целое число. Способы упаковки блоков определяют существование структур гексагональной (Я) или ромбоэдрической (R) симметрий. Экспериментально зафиксированы 21R, 21R, VIH, 1бЯи 32Я-и)литипы (число перед индексом симметрии указывает количество атомных слоев в элементарной ячейке). [c.109]

Основным дефектом синтетических аметистов, как, впрочем, и всех ромбоэдрических кварцевых кристаллов, выращиваемых из растворов карбоната калия, является трещиноватость. Длительное время массовое растрескивание аметистов во время выращивания и при охлаждении кристаллов препятствовало промышленному освоению методики синтеза. Широким распространением пользовалось мнение о том, что основной причиной растрескивания синтетических аметистов является гетерометрия. Этому в значительной степени способствовали результаты прецизионных измерений параметров элементарной ячейки кварцев с различными структурными примесями. Исследование несоответствия параметров в кристаллических слоях кварца с различным содержанием структурной примеси алюминия позволило установить причины растрескивания затравок в синтетических кристаллах. Было выделено два характерных морфологических типа трещин, вызванных, соответственно, напряжениями сжатия и растяжения. Зеркальные трещины сжатия рассекали затравку параллельными, пересекающимися под углом, близким к прямому, рядами и возникали при охлаждении сформировавшегося кристалла. Трещины разрыва имеют пилообразный профиль. В их полости между ребристыми поверхностями разрыва возможны двухфазные включения минералообразующей среды, что свидетельствует о нарушении сплошности кристалла во время его роста. [c.185]

Этот раздел касается некоторых вопросов, трактовка которых иногда встречает затруднения в кристаллографической литературе. Речь идет о том, что одно и то же аналитическое описание часто используют по отношению к кристаллическим структурам с совершенно различными геометрией и топологией. Наглядным примером служит структура, описываемая ромбоэдрической элементарной ячейкой с атомами М в позиции (ООО) и атомами X-—в (V2 V2 V2). Так описываются структуры типа s l (8-координация М и X), если а = 90°, и типа Na l (6-координация М и X), если а=60°. Такое разночтение появляется, если имеется (по меньшей мере) один переменный параметр, который может влиять либо на форму элементарной ячейки (напрнмер, иа величину угла а в ромбоэдрической ячейке, на отношение осей гексагональной или тетрагональной ячейки), либо иа позицию атома в элементарной ячейке. Ниже приведены соответствующие примеры. [c.321]

Смотреть страницы где упоминается термин Элементарная ячейка ромбоэдрическая: [c.179] [c.465] [c.95] [c.31] [c.427] [c.65] [c.112] [c.290] [c.295] [c.303] [c.321] [c.355] [c.515] [c.668] [c.105] [c.147] [c.65] [c.290] [c.295] [c.303] [c.260] [c.355] [c.515] [c.668]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология