Германий монокристаллический

Кремний и германий монокристаллический. Измерение удельного [c.590]

Ниобий в штабиках. Технические условия 16153-80 Германий монокристаллический. Технические условия [c.586]

На примере элемента МНПВО из монокристаллического германия изучают влияние угла падения на качество спектра МНПВО. Поверхность механически отполированного германия покрыта тонкой оксидной пленкой, полосы поглощения которой проявляются при частотах 750 и 860 см". Построив график зависимости интенсивности с максимумами 750 и 860 см от угла падения по спектрам элементов с различными 0, находят оптимальный угол для данной исследуемой системы. Так как толщина оксидной пленки ( 100 нм) меньше глубины проник- [c.141]

Работа 7.2. Определение химического состава и строения поверхностных пленок на монокристаллическом германии [c.143]

Элементы МНПВО из монокристаллического германия чаще всего изготовляются в виде пластин, имеющих большие грани в форме параллелограмма илн трапеции, с числом отражений, равным 20—50 боковые грани наклонены к рабочим поверхностям элемента под углом, большим критического. [c.145]

В области 4000—400 см получают спектры МНПВО исходных образцов монокристаллического германия (р-тин, р>40 Ом-см) после механической шлифовки и полировки (или электромеханической полировки). [c.145]

Цель работы — изучение характера изменения спектров кремнекислородных слоев на поверхности монокристаллического германия в зависимости от их толщины. [c.147]

Если в правом конце лодочки поместить монокристаллическую затравку и образовать одну зону плавления непосредственно рядом с затравкой, то, перемещая зону плавления влево, можно получить весь слиток германия в виде монокристалла с ориентацией кристаллографических плоскостей, какие имела затравка. Если в расплавленную зону ввести легирующую примесь с К <. 1, например 1п, то при прохождении зоны расплава вдоль всего слитка можно достигнуть равномерного распределения примеси и получить образцы с определенным типом проводимости и с определенной концентрацией подвижных носителей заряда в примесном полупроводнике. [c.262]

Повторяя перемещение расплавленной зоны снизу вверх, очищают кремний от примесей, для которых К < 1. Эти примеси собираются в верхней части стержня. Если снизу под поликристаллическим образцом кремния поместить монокристаллическую затравку, то перемещением зоны плавления от затравки вдоль всего стержня можно превратить весь образец в монокристалл подобно тому, как это описано для германия в 1. Однако бор не удаляется и этим методом. В таких случаях большое значение приобретают методы очистки вещества в виде какого-либо из его соединений. [c.263]

Другой путь получения монокристаллов — кристаллизация из газовой фазы в результате транспортных реакций. Наиболее широко они используются для выращивания эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений на монокристаллических подложках из германия, кремния и других полупроводников. Сущность транспортных реакций заключается в том, что твердое вещество, в данном случае полупроводниковое соединение, взаимодействуя по обратимой реакции [c.272]

Области применения и масштабы производства. Прогресс, достигнутый в последнее время в области автоматики, радиоэлектроники и преобразования различных видов энергии, в большой мере обусловлен применением германия в полупроводниковой технике. Он используется в полупроводниковых элементах — диодах и триодах. Германиевые выпрямители по сравнению с селеновыми имеют больший коэффициент полезного действия при меньших размерах. Применяются германиевые фотоэлементы, датчики эффекта Холла и многие другие полупроводниковые устройства. В последнее время большое внимание уделяется устройствам с применением монокристаллических германиевых пленок. [c.173]

Электрические и магнитные свойства. Удельное электрическое сопротивление монокристаллического высокочистого германия при 298 К р=0,48- -0,60 Ом-м. [c.215]

Коэффициент самодиффузии (предэкспоненциальный множитель) германия До= (10,8 2,4) -10- е—м /с, монокристаллического германия в интервале 1053—1203 К >о=7,8-10- м с. [c.217]

Углерод практически нерастворим в германии. В жидком германии вблизи температуры плавления растворимость углерода оценивается в 0,23 % (ат.). По данным различных авторов определена концентрация углерода в монокристаллическом германии от 7-10— до 5,2-10 %. [c.221]

Из соединений с серой известен дисульфид ОеЗа, который выделяется из сильнокислых растворов солей четырехвалентного германия при пропускании интенсивного тока сероводорода. Кристаллический ОеЗг представляет собой белые чешуйки с перламутровым блеском, расплав застывает в янтарно-желтую прозрачную массу и обнаруживает полупроводниковые свойства Температура плавления ОеЗг —825 °С. Моносульфид германия ОеЗ существует в аморфном и монокристаллическом состояниях. Кристаллический ОеЗ темно-серого цвета, плавится при 615 °С. Все халькогениды германия (сульфиды, селениды и теллуриды) обнаруживают полупроводниковые свойства, С фосфором германий дает соединение ОеР. [c.221]

ПИИ полупроводниковым детекторам из сверхчистого монокристаллического германия. Когда ионизирующая частица попадает в детектор, в кристалле германия рождаются пары электронов и дырок, и во внешней цепи, состоящей из источника напряжения и нагрузки, возникает импульс тока, интеграл которого пропорционален количеству рождённых пар носителей и, следовательно, энергии, затраченной на ионизацию. Частица, остановившаяся в кристалле детектора, генерирует таким образом электрический сигнал, пропорциональный её энергии. [c.37]

Прогресс, достигнутый в последнее время в области автоматики, радиоэлектроники и преобразования различных видов энергии, в большой мере обусловлен применением германия в полупроводниковой технике. Он используется для изготовления полупроводниковых элементов — диодов и триодов (транзисторов), заменяющих собой обычные вакуумные радиолампы и отличающихся от них малыми размерами, устойчивостью к вибрации, долговечностью и меньшим расходом электроэнергии. Эти полупроводниковые элементы изготавливаются десятками и сотнями миллионов штук в год [П. Германиевые выпрямители по сравнению с селеновыми имеют больший коэффициент полезного действия при меньших размерах вследствие этого они находят все большее применение. Есть силовые германиевые выпрямители, пропускающие ток в десятки тысяч ампер. Применяются германиевые датчики эффекта Холла и многие другие полупроводниковые устройства [2. В последнее время большое внимание уделяется устройствам с применением монокристаллических германиевых пленок. Из элементарного германия изготавливают линзы для приборов инфракрасной оптики (германий прозрачен для инфракрасных лучей), дозиметры ядерных частиц, анализаторы в рентгеновской спектроскопии. Германий с добавкой индия применяется для низкотемпературных термометров сопротивления, работающих при температуре жидкого гелия [2]. [c.349]

Цена на двуокись германия на мировом рынке составляет 150 долларов за килограмм, на элементарный германий — 270 долларов. Монокристаллический полупроводниковый германий стоит около 600 долларов за килограмм [4]. [c.350]

Представляет собой ненасыщенную полиэфирную смолу ПН-3, пластифицированную диметилфталатом, модифицированную силаном, полимеризуемую системой гидроперекись кумола — ванадиевый ускоритель. Склеивает прн комнатной температуре (18—20° С). Применяется для склеивания крупногабаритных оптических линз, предназначенных для работы в видимой области спектра. Может быть применен для склеивания органического стекла с силикатным латунных и дюралюминиевых коронок с рубином пластин монокристаллического германия. [c.66]

Основной потребитель монокристаллического германия—радиотехника. Германиевый диод размером всего с кукурузное зерно представляет собой пластинку из германия, в которую упирается металлический усик. Он действует как выпрямитель, заменяющий вакуумную диодную лампу, превосходя ее надежностью работы, долговечностью и компактностью. Транзисторы, или германиевые триоды, имеют те же самые преимущества перед вакуумными ламповыми триодами. Действие этих приборов основано на особых свойствах полупроводников, представителем которых является свободный германий. [c.598]

Для технических и научных целей в настоящее время необходимы вещества особо высокой чистоты. Это промышленность полупроводников, атомная, производство люминофоров, некоторые жа(ропрочные и механически прочные материалы, производство материалов для квантовой энергетики (лазеры) и т. д. Достаточно указать, что в важнейшем полупроводниковом материале германии примеси меди и никеля не должны превышать 10- %. Это составляет один атом примеси на миллиард атомов германия или 1 мг на 1 т. С повышением чистоты физические и химические свойства веществ сильно меняются. Например, прочность на разрыв лучших сортов стали составляет 180 кг/мм . Прочность железных усов (тонких монокристаллических нитей из чистого железа) составляет 1200 кг/мм . До 1942 г. считали, что уран имеет температуру плавления, равную 1850 °С. После получения этого металла в чистом состоянии оказалось, что температура его плавления равна 1130°С. Эти примеры показывают практическое значение очистки веществ. Необходимо отметить, что глубокой очистке подвергают уже довольно чистые вещества. [c.65]

Подготавливают поверхность элементов МНПВО из монокристаллического германия (0 = 30° Л" = 20—30) для синтеза юремнекислородных слоев. Механически отполированные элементы промывают спиртом и водой, высушивают. [c.148]

Применение элементов подгруппы германия и их соединений. Германий является одним из основных полупроводниковых материалов, используемых в современной технике. В 1948 г. Бардин, Браттайн и Шоттки на основе особо чистого монокристаллического германия разработали первый полупроводниковый триод (транзистор). С этого момента начинается развитие полупроводниковой электроники, которая, в свою очередь, стимулировала интен- [c.231]

Рассмотрим условия так называемого иодидного процесса, который осуществляется в интервале температур 800—1000 С для кремния и 400—550 С для германия. Этот метод позволяет получить тонкие монокристаллические пленки большой площади. Процесс основан на реакции диспропорционирования субиодидов [c.141]

Материалы механически полированные с обеих сторон монокристаллические подложки германия р-типа диаметром 10—20 мм и толщиной 200—400 мкм германий /г-типа (источник) иод кристаллический (ХЧ) травитель Уайта (НМ0з НР Н20 = 10 1 6) этиловый спирт сухой лед для замораживания ампу-.1ы при откачке. [c.145]

Для кремния применяется бестигельный способ выращивания из расплава по схеме рис. 85. По мере вытягивания монокристалла В из расплава поликристаллический материал А поднимается вверх к нагревателю В для пополнения расплава. Так можно получить монокристаллы до 2 сл в диаметре с малым числом дислокаций. По Чох-ральскому, можно получить слитки монокристаллического германия длиной больше 20 см и диаметром несколько сантиметров. Так получают [c.266]

На конечной стадии технологии — выращивании монокристаллов— германий дополнительно очищается. Выращивают монокристаллы, как правило, по методу Чохральского. Слитки германия расплавляют в вакууме 1-10 —1-10 мм рт. ст., в атмосфере аргона или водорода. В расплав при температуре немного выше точки плавления германия опускают монокристаллическую затравку. По мере подъема затравки германий кристаллизуется на ней, образуя вытягиваемый из расплава монокристаллический слиток с той же кристаллографической ориентацией,что и исходная затравка (рис. 61). Для перемешивания расплава и выравнивания температуры как тигель, так и затравкодер-жатель с растущим кристаллом вращают в противоположные стороны Полученный таким путем монокристаллический германий имеет электропроводность, близкую к его собственной проводимости (60 Ом-см), т. е. остающиеся в нем примеси почти не сказываются на его электрофизических свойствах, ому отвечает содержание электрически активных примесей порядка Ы0" %. [c.203]

Атомы кремния и германия выделяются из тетрахлоридов под действием водорода в потоке газов (газотранспортные реакции) и обычно осаждаются эпитаксиально на горячих подложках. Легирующие примеси вводят, добавляя летучие вещества в тетрахлорид или в систему газообразных веществ в виде отдельного потока, регулируемого игольчатыми вентилями. Этим методом выращивают многослойные монокристаллические пленки с контролируемым содержанием п распределением примесей в слоях. Метод требует очень высокой чистоты и точности обработки поверхности полупроводника, являющегося подложкой. [c.310]

Монокристаллический германий измельчался в агатовой ступке, просеивался через латунное сито с ячейкой 0,2 мм и засыпался в реакционный сосуд. Для удаления кислорода с поверхности германий восстанавливался при давлении 1 мм рт. ст. смесью протия с дейтерием при 500° в течение 20 часов образовавшаяся при этом вода вымораживалась в ловушке при температуре жидкого азота. Было обнаружено, что при восстановлении германия расходуется около 3,5 атомов водорода на один поверхностный атом германия. Повышение температуры до 650° не привело к дальнейшему падению давления водорода. [c.108]

Применение. Г. широко применяется в полупроводниковой технике для изготовления диодов, триодов, транзисторов, кристаллических детекторов и силовых выпрямителей является компонентом многочисленных сплавов с металлами (германи-ды), особенно с V и N5, и специальных оптических стекол. Монокристаллический Г. применяется в дозиметрических приборах и устройствах для измерения напряженности постоянных и переменных магнитных полей, используется для производства детекторов инфракрасного излучения. Г. находит применение также в химической, машиностроительной промышленности, в производстве керамических изделий и эмалей. [c.399]

Для измельчения кремния применяют пластины монокристаллическо-го кремния [14]. При определении бора в кремнии применяют ступку из карбида вольфрама [15]. Кремний и германий также измельчают молотком, заворачивая пробы в полиэтиленовую пленку, и затем пробы промывают в особо чистых кислотах и воде. Стекло измельчают в кварцевой ступке [16]. Карбид кремния измельчают в ударной ступке (рис. 6) из меди [17], 1в ступке из сплава ВК-6, состоящего из , С и Со [18]. Перемешивание проб при приготовлении стандартов для спектрального анализа производится во фторопластовой ступке (рис. 7). Измельчение материала в ступке из сплава ВК-6 [19] производится при помощи механического устройства, показанного на рис. 8. [c.20]

Для практического применения в различных типах полупроводниковых приборов требуется германий с монокристаллической структурой. МоаО К,ристаллы германия обычно получают путем вытягивания из тигля на монокристаллическую затравку или методом зонной плавки [326]. [c.103]

Германий марки ГПЗ-1 предназначен для получения монокристаллического иелегированного и легированного германия, а также специальных целей, марки ГПЗ-2 — для получения монокристаллического легированного германия и других целей, марки ГПЗ-3 — для получения сплавов и заготовок для оптических деталей. Германий поставляется в виде слитков в форме сегмента, каждый из которых упаковывают в полиэтиленовый пакет. Слиток в полиэтиленовой упаковке помещают в картонную или пластмассовую тару и уплотняют мягкой прокладкой, обеспечивающей сохранность его при транспортировке и хранении. Доставка осуществляется любым видом крытого транспорта. [c.214]

Недавно, в результате существенного прогресса в развитии методов измерений, основанных в частности на использовании монохроматического син-хротронного излучения были получены точные данные о влиянии изотопического состава на постоянные кристаллических решёток германия и кремния [31-34]. Исследования изотопического эффекта для кремния представляют особый интерес, поскольку имеются метрологические проекты использования монокристаллического кремния для точного определения числа Авогадро и для создания нового эталона единицы массы в системе СИ [58, 59. [c.67]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология