Давление пересыщения

Отсюда видно, что /о определяется в основном работой Аь,, необходимой для образования зародыша новой фазы, т. е. агрегата молекул, давление пара которого равно давлению пересыщенного пара в системе. [c.96]

Можно получить и пересыщенный раствор, т. е. такой, концентрация вещества в котором выше концентрации вещества в насыщенном растворе (при данных температуре и давлении). Пересыщенные растворы можно приготовить осторожным и медлен- [c.249]

При давлении пересыщенного пара Ртах, отвечающем максимуму кривой р — г [по (ХУ.9)] или превышающем ртах, капля растет самопроизвольно во всей области от г = 0 до г = оо в процессе конденсации, поскольку при всех значениях г рг < р ъ окружающей среде. Эти условия осуществляются в камере Вильсона и во многих случаях в атмосфере при грозовых разрядах. [c.323]

Числа, приведенные в таблице, наглядно показывают быстрый рост / с увеличением х. Обычно этого достаточно для определения критического давления пересыщения, при котором 1п/ равен некоторой произвольно выбранной величине, например единице. [c.300]

Таким образом, условие экстремума энергетической зависимости образования зародыша от его размера совпадает с уравнением Кельвина (И.191). При возникновении зародыша конденсации давление пересыщенного пара р,ф (критическое) должно быть равно давлению насыщенного пара над по- [c.120]

При осаждении таких металлов, как никель, хром и железо,, одновременно с разрядом в металле наблюдается выделение относительно большого количества водорода в пределах общей плотности тока. При электрокристаллизации этих металлов можно установить между металлом и водородом истинное образование сплава. Появляются сильно пересыщенные растворы водорода в металле. При комнатной температуре и атмосферном давлении пересыщение уменьшается, хотя и сравнительно медленно. [c.76]

Исходя из известных моделей и аналитических выран<ений для описания процессов зарождения и роста газовых пузырьков в низкомолекулярных жидкостях получены аналитические выражения, описывающие кинетику роста пузырьков в полимерных системах с учетом модуля сдвига среды, критического давления пересыщения и первоначальных размеров пузырьков. [c.84]

Элементарные сведения из области теории роста кристаллов. Для зарождения кристаллов в растворах или в газовой фазе необходимо довольно значительное общее или местное пересыщение, т. е. превышение той концентрации или давления вещества, при которых в равновесных условиях должна образоваться твердая фаза. На диаграмме растворимости (рис. 104), представляющей собой разновидность диаграмм состояния — графического изображения зависимости фазового состава от температуры, концентраций и давления, пересыщению отвечают точки, лежащие над кривой. [c.243]

Для некоторых реальных систем из этого уравнения вытекают те же следствия, что и из более общего уравнения (3.6). Очень небольшие капли будут испаряться и исчезать даже в условиях насыщенного пара, так как давление пара над каплей велико. Поэтому образование зародышей малого размера — энергетически невыгодный процесс. Новая фаза может образоваться, только когда возникнут капли большого размера, давление над которыми меньше давления пересыщенного пара. Такие капли могут образоваться из молекулярных агрегатов, возникающих при статистических флуктуациях. [c.42]

Уравнение Гиббса — Томсона, следовательно, так же как и более общее соотношение (3.6), позволяет предсказать существование порога, определяемого критическим размером капли. Критическим размером капли можно считать, как это следует из интуитивных соображений, значение радиуса таких капель, давление над которыми равно давлению пересыщенного пара. Отметим, что это определение не совпадает с более общим определением (рис. 3.1). [c.42]

Кривая СО представляет состояние равновесия между жидким и газообразным состоянием, а кривая АО — состояние равновесия между твердым и газообразным состоянием. (Продолжение ОЕ кривой СО представляет давление пересыщенных паров воды, т. е. неравновесное состояние.) На этой же диаграмме можно представить также равновесие между твердым и жидким состоянием с помощью кривой ОВ. При условии, что температура плавления мало изменяется в зависимости от давления, кривая ОВ представляет собой почти прямую линию. В случае воды эта кривая наклонена влево (для большей ясности наклон увеличен), для остальных веществ — вправо (см. далее диаграмму серы рис. 68). [c.147]

Можно получить и пересыщенный раствор, т. е. такой, концентрация которого выше концентрации насыщенного раствора (при данных температуре и давлении). Пересыщенные растворы можно приготовить осторожным и медленным охлаждением насыщенных [фи высокой температуре растворов, например солей ЫагЗгОз и Ha OONa. Пересыщенный раствор представляет собой систему, находящуюся в кажущемся равновесии (А6-> 0). Встряхивание пли внесение в него кристаллов того же вещества, которое находится в растворе, или другого, например изоморфного с ним, вы-. l,lвaeт кристаллизацию происходит выделение избытка растворенного вещества и раствор становится насыщенным. Система таким образом переходит в состояние истинного равновесия, что сопровождается убылью энергии Гиббса. [c.233]

Можно получить и пересыщенные растворы, т. е. такие, концентрации которых выше концентрации насьш1 енного раствора (при данных температуре и давлении). Пересыщенные растворы можно приготовить осторожным и медленным охлаждением насыщенных при высокой температуре растворов (например, НааЗаО.), СНзСООМа и др.). Они представляют собой систему, находящуюся в кажущемся равновесии (АС>0). Встряхивание или внесение в них кристаллов того же вещества, которое находится в растворе, или [c.138]

Таким образом, условие экстремума совпадает с уравненпем Кельвина. При возникновении зародыша конденсации давление пересыщенного пара ркр (крипшеское) должно быть равно давлению насыщенного пара над поверхностью зародыша Рд. Размер зародып1а при этом условш называют критическим /"кр. [c.100]

Уравнения (VIII-14) и (VIII-6) позволяют связать / Gmax с ДГ. Аналогичные уравнения можно записать и для переохлажденного расплава. Только теперь AHv заменяют на теплоту плавления АЯ/, ах — на от-нощение давления паров жидкости и твердого тела. Как и при изменении давления пересыщенного пара Р, скорость зародышеобразования в расплаве сильно зависит от степени переохлаждения и для АГ существует довольно резкая граница, отвечающая его критическому значению. [c.300]

Таким образом, математической моделью нашего процесса является хорошо изученный процесс гибели и размножения с конечным числом состояний [125, 126]. Рассмотрим анализ решений этой модели применительно к однородному микро-стационарному с физической точки зрения процессу нуклеации, т. е. вероятности переходов 1, будем считать постоянными, не зависящими от времени, но зависящими от размеров комплексов. Это условие соблюдается, если в метастабильном расплаве (растворе) поддерживаются постоянные температура, давление, пересыщение и другие внешние параметры. Тогда кинетика процесса описывается однородной системой дифференциальных уравнений с постоянными коэффициентами (основная система дифференциальных уравнений кинетики зароды-шеобразования) [87 ] [c.31]

II.4. Теория конденсации Беккера — Дёринга. Повышенное давлс ние паров над малыми каплями тесно связано с трудностью образования зародышей жидкой фазы в пересыщенном паре. Капли, давление паров которых равно давлению пересыщенного пара, находящегося в контакте с ними, могут быть названы зародышами , имеющими критические размеры. Любая капля большего размера будет, как правило, расти путем присоединения молекул. Любая капля меньшего размера будет стремиться испаряться и в конце концов вообще исчезнет. [c.49]

Нернст (1902) объяснял перенапряжение тем, что в металле образуется пересыщенный раствор водорода (в виде молекул), что замедляет его выделение в виде пузырьков и ведет к повышенному давлению внутри электрода. Последнее согласно формуле (286) повышает потенциал водородного электрода, т. е. дает перенапряжение. Действительно, формально перенапряженный водородный электрод отвечает нормальному, I в перенапряженному, но с повышенным давлением водорода над ним. Например перенапряжение в 0,47 V отвечает давлению, в раз увеличенному. Эти большие давления пересыщения уже сами по себе мало вероятны. Кроме того между растворимостью водорода в металлах и перенапряжением на них не наблюдается параллелизма. Наконец перенапряжение обнаруживают, как указывалось, не только газовые, но и другие электроды, например Ре I Ре++, где не может быть речи ни о каком пересыщении электрода газами. Все эти факты (равно как и ряд других) заставляют отказаться от теории перенапряжения, предложенной Нернстом. Несомненно, однако, что небольшая доля перенапряжения (несколько процентов) зависит от задержки в образовании пузырьков, что подтверждается наблюдениями Мёллера (1909) и др. над зависимостью между поверхностным натяжением на границах газа, электрода и раствора (краевой угол пузырька) от перенапряжения. [c.423]

АС имеет меньший наклон, чем кривая давления пересыщенного пара АВ. К этому же результату можно прийти, сравнивая уравнение Клапейрона — Клаузиуса dpIdT = LIT (vg — vi) с уравнением dpldT)s = -pIT (dvldT)p. Вспоминая решение задачи 33, нетрудно видеть, что последний метод эквивалентен определению знака теплоемкости пересыщенного пара. Мы видим теперь, что при внезапном расширении камеры Вильсона, при котором происходит адиабатическое расширение насыщенного пара, состояние пара изменяется вдоль СА и уходит влево от АВ в область пересыщенного пара. [c.277]

Образованне зародышей происходит в результате Столкновений и соединений ряда молекул в агрегат. Эти агрегаты уже обладают поверхностными свойствами, поверхностная э нергия возникает за счет энергии конденсации. Томсон показал, что вследствие существования поверхностного натяжения да вление насыщенного пара рг над искривленной поверхностью жидкости возрастает с уменьшением радиуса г. Из этого следует, что-в паре, обладающем давлением пересыщения, равным р,, капля жидкости с радиусом, меньшим чем г,"будет испаряться. Капля радиуса г будет находиться в равновесии с паром, капля же радиуса, большего чем г. будет расти в результате конденсаци и пара на ее поверхности. Можно легко показать, что истинное-возрастанне свободной энергии при образовании капли любого радиуса х из пара, подчиняющегося уравнению состояния идеального газа, равно [c.546]