Кристаллы определение размеров

Требование к исследуемому образцу. Для получения дифракционного эффекта требуется кристалл определенного размера. Последний зависит от коэффициента рассеяния и быстроты поглощения лучей в веществе поток электронов полностью поглощается при прохождении через слой в несколько микронов рентгеновские лучи дают достаточную интенсивность рассеяния при пересечении слоя в 1 мм для ощутимого рассеяния потока нейтронов нужны уже не миллиметры, а сантиметры. Поэтому для рентгеноструктурных исследований необходим монокристалл с размерами в пределах 0,1 —1,0 мм. В частности, можно использовать игольчатые (нитевидные) кристаллы очень небольшого поперечного сечения. Для нейтронографического исследования обычно требуется более массивный монокристалл — размером в 0,5—1 см (что, впрочем, существенно зависит от интенсивности первичного пучка нейтронов). Получение таких монокристаллов часто составляет самостоятельную техническую проблему. Наоборот, в электронографии можно пользоваться лишь кристаллическими пленками. Обычно они создаются путем кристаллизации вещества на аморфной, прозрач- [c.172]

Если кинетические кривые и функции распределения в каждом из этих опытов достаточно хорошо совпадают друг с другом, то предлагаемым методом определения кинетических параметров кристаллизации можно пользоваться. После каждого эксперимента из общего числа кристаллов отбирают случайным образом не менее 15 проб, которые затем фотографируются. После фотографирования определяются размеры кристаллов на этих фотографиях, доля кристаллов определенного размера, с помощью которых затем строятся функции распределения. Фотографирование можно проводить с помощью микрофотонасадки типа МФН-12, смонтированной на поляризационный микроскоп типа МИН-8. По полученным фотографиям определяют распределение кристаллов по размерам (объемам). Таким образом, в результате проведенных экспериментальных исследований становятся известны кривые изменения концентрации, равновесной концентрации, температуры раствора в ходе процесса, функции распределения кристаллов по размерам в некоторых последовательных временных точках. Так, на рис. 3.19 представлены функции распределения кристаллов щавелевой кислоты по объемам в различных временных точках. Эксперименты проводились при различных начальных концентрациях, температурах раствора при различных темпах охлаждения и чис- [c.303]

В испарителе 4 около половины поданной воды образует небольшие кристаллы льда. Большая часть образовавшегося рассола вместе с кристаллами льда центробежным насосом подается через испаритель для увеличения количества центров кристаллизации и получения кристаллов определенного размера. Остальная часть рассола нз испарителя направляется в сепаратор 7, где кристаллы льда всплывают наверх, а рассол, пройдя через панели с отверстиями, частично подается для орошения испарителя, а частично удаляется из установки, охлаждая встречный поток воды в теплообменнике 3. Для промывки кристаллов льда от пленки рассола сепаратор 7 орошается пресной водой. В верхней части сепаратора имеется скребок 8, приводимый в движение электродвигателем. Скребок захватывает ледяную массу и направляет ее в плавитель 6. Сюда же из испарителя 4 турбокомпрессором 5 подаются пары воды, где они конденсируются при контакте с тающим льдом, образуя готовый продукт — пресную воду. Пресная вода, охладив поток соленой воды в теплообменнике 2, выводится из установки. [c.9]

Ситалловые изделия обычно формуют из исходного стекла методом литья, прессования, вытягивания или термопластической технологии, после чего полученные полуфабрикаты подвергают термической обработке. При термообработке по двухступенчатому режиму на первой стадии в области более низких температур в стекле образуются центры кристаллизации, а затем при более высоких температурах происходит рост кристаллов определенных размеров. Если возможно образование нескольких кристаллических фаз, режим термообработки подбирается так, чтобы получить ситалл с необходимым соотношением фаз, с тем или иным фазовым составом. [c.203]

Большой интерес представляет скорость изменения числа кристаллов определенного размера. В упомянутой выше работе Шеппарда и Ламберта авторы дают (без какого бы то ни было обоснования) уравнение [6]. Из анализа кривых (... эти авторы делают вывод о механизме процесса созревания. В одной из работ нами показано, что уравпение [6] по теоретическим соображениям не может выражать зависимость г/ от I в сколько-нибудь широких пределах. Поэтому следует проверить как приложимость уравнения [6] к нашим данным, так и выводы Шеппарда и Ламберта, касающиеся механизма процесса укрупнения кристаллов бромистого серебра. [c.198]

Этим самым мы получаем ответ на вопрос о причине процесса укрупнения. Если процесс укрупнения с начала до конца является физическим созреванием, то единственной его причиной является различие растворимости кристаллов разных размеров. Как нами было указано экспериментальные данные по скорости роста кристаллов определенных размеров могут быть использованы для проверки приложимости уравнения растворимости к случаю кристаллов бромистого серебра разных размеров. Когда зависимость растворимости кристаллов бромистого серебра от их размеров определяется уравнением [7], скорость роста кристаллов [c.200]

Таким образом, скорость свободного осаждения кристаллов определенного размера можно определить графическим или расчетным путем. [c.269]

Одним из наиболее обычных спосо(бов достижения пересыщения жидкости является процесс охлаждения. Если растворяемость вещества понижается с. понижением температуры, го некоторая часть его будет выпадать при охлаждении медленное охлаждение при регулировке скорости в перемешиваемой системе может привести к образованию кристаллов определенного размера. Выход кристаллов может быть несколько увеличен, если некоторая часть растворителя испарится во время процесса охлаждения. [c.215]

Аппаратом для осуществления кристаллизации высаливанием может служить обычный бак с мешалкой. В тех случаях, когда необходимо получить кристаллы определенных размеров и чистоты, применяют специальные аппараты. [c.193]

Кристаллизация высаливанием или путем обменного разложения может проводиться в простых баках с мешалками. Однако, если необходимо получить кристаллы определенного размера или чистоты, используется аппарат специальной конструкции. В ряде случаев для компенсации теплоты реакции требуется предварительное нагревание или охлаждение растворов. [c.30]

Кристаллизация из раствора применяется преимущественно при переработке неорганических веществ. Часто данный процесс используется с целью получения продуктов в виде кристаллов определенных размеров и формы. При кристаллизации из растворов появляется [c.9]

Наряду с химическим взаимодействием реагирующих веществ в процессе карбонизации имеет место образование осадка в виде кристаллов определенных размеров. [c.129]

В качестве одного из вариантов при проведении опытов можно в отдельных случаях провести карбонизацию в присутствии затравки кристаллов определенных размеров. Для этого бикарбонат от предыдущих опытов (или заводский) просеивают через сита на отдельные фракции. В качестве затравки берут ту или иную фракцию кристаллов в количестве 10% от ожидаемого выхода бикарбоната. Указанное количество затравки вносят в раствор, подвергшийся предварительной частичной карбонизации (примерно, спустя 40—50 мин. после начала опыта, что соответствует 80—85% карбонизации). [c.132]

Наиболее распространен буферный метод осаждения, осуществляемый в каскаде из трех-четырех агитаторов непрерывного действия. Каскад рассчитывают по результатам лабораторного опробования процесса по этим результатам строят график изменения степени выделения кристаллов определенного размера по времени. Рассмотрим метод расчета каскада для частного случая осаждения (см. рис. 47). [c.140]

Требование к исследуемому образцу. Для получения дифракционного эффекта требуется кристалл определенного размера. Последний зависит от коэффициента рассеяния и быстроты поглощения лучей в веществе поток электронов полностью поглощается при про.хождении через слой в несколько микронов ренггеновские лучи дают достаточную интенсивность рассеяния при пересечении слоя в 1 мм для ощутимого рассеяния потока нейтронов нужны уже не миллиметры, а сантиметры. Поэтому для рентгеноструктурных исследований необходим монокристалл с размерами в пределах 0,1 —1,0 мм. В частности, можно использовать игольчатые (нитевидные) кристаллы очень небольшого поперечного сечения. Для нейтронографического исследования обычно требуется более массивный монокристалл — размером в 0,5—1 см (что, впрочем, существенно зависит от интенсивности первичного пучка нейтронов). Получение таких монокристаллов часто составляет самостоятельную техническую проблему. Наоборот, в электронографии можно пользоваться лишь кристаллическими пленками. Обычно они создаются путем кристаллизации вещества на аморфной, прозрачной для электронов подложке. При этом, как правило, возникает не монокристальная, а поликристалличе-ская пленка. Для структурного анализа, однако, важно, чтобы кристаллики пленки имели в ней некоторую преимущественную ориентацию. Добиться кристаллизации такой текстурированной пленки удается не всегда. [c.128]

Сажа из моноксида jj-лерода. Интерес, проявляемый к этому препарату, вызван тем, что сажа используется для выращивания кристаллов графита среднего размера, которые лишь незначительно слипаются в более крупные агрегаты. Для получения препарата над тонкодисперсным чистым железом (например, нз карбонилов железа) пропускают СО при 400—700 °С. В зависимости от температуры получают кристаллы определенного размера 5 нм (400 °С), 10 нм (500 °С), 20 нм (700 °С). Следует иметь в виду, что соединения железа, загрязняюш,ие препараты, удается удалить дополнительной очисткой (см. разд. Чистый аморфный углерод ). [c.670]

Постоянную W называют константой Вульфа. Очевидно, что она постоянна для кристалла определенного размера и с его увеличением уменьшается (a,= onst, а /, увеличивается). В соответствии с соотношением (11.179) закон Вульфа гласит условием минимума поверхностной энергии равновесного кристал- [c.105]

Хейер [178] оптическим путем измерял зависимость / от а на кристаллах уротропина, арсенолита и иода при их росте в откачанных запаянных стеклянных трубках. Для всех трех веществ наблюдались две последовательные стадии бездефектный и дефектный рост. Вторая стадия заключалась в том, что по достижении кристаллом определенного размера на его гранях появлялись обнаружимые дефекты, а скорость роста подчинялась линейному закону на первой стадии, когда кристалл был еще невелик, действовал квадратичный закон. Эти результаты согласуются с предсказаниями Бартона, Кабреры и Франка [41], если предположить, что появление видимых дефектов соответствует существенному повышению плотности дислокаций, причем расстояния между ступенями оказываются меньше или сравнимыми с Xs. Измеренные коэффициенты конденсации оказались, вообще говоря, меньше единицы даже в линейной области, что может свидетельствовать о влиянии инородного газа в системе. [c.458]

На чистоту бисфенола А существенное влияние оказывают размеры получаемых кристаллов. Крупнокристаллический продукт, как правило, отличается более высоким качеством. Кроме того, он легче поддается фильтрации и центрифугированию. Образованию более крупных кристаллов способствует небольшое количество центров кристаллизации. Для получения крупных кристаллов раствор бисфенола А пере-охлаадают. Росту кристаллов способствует введение в перенасыщенный раствор в качестве затравки кристаллов определенного размера [192]. [c.57]