Энергия истинная

Как правило, ст-комплекс неустойчив и имеет энергию, очень близкую к энергии истинного переходного состояния. Отсюда следует, что хорошим приближением к энергии активации является разность энергий ст-комплекса и исходной молекулы. Эта энергия называется энергией катионной локализации 1. Для бензола [c.260]

Очевидно, что энергия истинной молекулы меньше энергии любой из канонических структур поэтому делокализацию следует рассматривать как стабилизирующий фактор. [c.58]

Перевод книги выполнен по возможности ближе к тексту оригинала. Это в некоторых случаях приводит к употреблению терминологии, мало распространенной в нашей литературе, например единица рентгеновского излучения киловольт-пик, истинные коэффициенты поглощения энергии, истинное поглощение энергии и т. д. Однако все понятия достаточно объяснены в тексте и не затрудняют чтение материала. В заключение пользуюсь случаем выразить благодарность Г. П. Булгаковой за ценные замечания и советы, сделанные при просмотре рукописи, [c.4]

Если энергия первичного излучения равна 1 Мэе, то около половины дозы от бесконечно протяженного однородного источника обусловлено 7-квантами с энергией, меньшей или эквивалентной 0,5 Мэе для низких значений 2 [131 ]. Для целей грубой оценки мы предположили, что этим двум группам квантов можно приписать среднюю энергию, равную соответственно 0,25 и 0,75 Мэе. Для группы 7-квантов с малой энергией ослабление в стенках камеры будет примерно на 6% больше, чем для группы с большей энергией. Отсюда следует, что при измерении двух равных доз, одна из которых обусловлена только излучением с энергиями от 0,5 до 1 Мэе (среднее 0,75 Мэе), а другая — и этим излучением и излучением со средней энергией 0,25 Мэе, показания прибора будут в первом случае примерно на 3% выше, чем во втором. Так как рассеянное излучение ответственно только за половину дозы, то полученный нами результат окажется меньше величины полной дозы только на 1—2%. В настоящей работе пользовались полными коэффициентами ослабления. В указанном выше диапазоне энергий истинный коэффициент ослабления вряд ли вообще изменяется, и поэтому, если бы мы им воспользовались вместо введенного нами коэффициента, то влияние энергетической зависимости оказалось бы значительно меньшим. Кроме того, такая замена должна привести к более точным результатам при большом объеме ионизационной [c.40]

Результат 4. Тот факт, что наименьшее собственное значение есть абсолютный минимум величины Е, является чрезвычайно интересным результатом. Однако, вообще говоря, он бесполезен для описания энергий истинных основных состояний атомов или молекул, так как вследствие требований, накладываемых принципом Паули, эти состояния обычно не являются низшими собственными состояниями соответствующих гамильтонианов. Так, например, основное состояние атома лития есть (1х) 2з, а не (1х) . [c.16]

Радикалы NHg димеризуются с образованием гидразина. Электронная конфигурация NHg есть ax) b y 2ax) biY. Из рис. 1 снова можно увидеть, что копланарное сближение по пути наименьшего движения запрещено. В любом случае это не имеет отношения к делу, поскольку плоская молекула гидразина N2H4 должна иметь высокую энергию. Истинная структура представляет собой гош-форму симметрии С . Сближение но пути наименьшего движения в этой точечной группе разрешено, поскольку, как показано на схеме (Ю), должно иметь место хорошее перекрывание двух наполовину заполненных орбиталей типа Ь . Два радикала BHj ( 1)2(62)2(205) могут реагировать, сближаясь по пути наименьшего движения заторможенной формы симметрии с образованием В2Н4 в основном состоянии. [c.285]

Как правило, сг-комплекс неустойчив и имеет энергию, близкую к энергии истинного переходного состояния. Отсюда следует, что хоропшм приближением к энергии активахщн является разность энергий <г-комплекса и исходной молекулы, называемая энергией катионной локализации Ц. Для бензола [c.323]

Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) — эмиссия электронов, вызываемая бомбардировкой тел электронами [7]. Электроны, бомбардирующие поверхность тела, называются первичными электроны, эмиттирован-ные телом, — вторичными. Вторичные электроны могут эмиттироваться как со стороны облучаемой первичным пучком поверхности тела (ВЭЭ на отражение ), так и — в тонкопленочных эмиттерах — со стороны поверхности, противоположной облучаемой (ВЭЭ на прострел ), Отношение числа электронов N2, испускаемых телом, к числу падающих на него за то же время первичных электронов N1 называется коэффициентом ВЭЭ о данного тела 0 = N 2 N1 = ИгОи /а — первичный и вторичный токи соответственно). Значение а зависит от свойств и структуры эмиттера, состояния его поверхности, энергии первичных электронов Ер и угла падения первичного пучка на поверхность эмиттера. В потоке вторичных электронов имеются две группы электронов истинно вторичные — электроны вещества, получившие от первичного пучка достаточно энергии для выхода в вакуум, и отраженные (упруго и неупруго) — часть первичного пучка, отразившаяся от поверхности эмиттера. При малых Ер (Ер < < 0,1 кэв) основную долю вторичных электронов составляют упруго отраженные электроны. С ростом Ер доля упруго отраженных электронов быстро уменьшается и при Ер > 0,1 кав составляет лишь несколько процентов всей ВЭЭ. Истинно первичные электроны имеют энергии от О до 50 эе. Наиболее вероятная энергия истинно вторичных электронов составляет 1,5—3,5 эв и при Ер > > 20 эв практически не зависит от Ер. Неупруго отраженными условно принято считать электроны вторичного пучка, энергия которых превышает 50 эв. Отношение числа неупруго отраженных электронов к числу первичных электронов Т] = N2 (Е2 > 50 эв)Иг называется коэффициентом неупругого отражения (в /2 входят и упруго отраженные электроны, но число их мало и на величинеТ1 не сказывается). В металлах и полупроводниках максимальное значение ст лежит в пределах 0,5—1,8. В некоторых диэлектриках (MgO, щелочногалоидные кристаллы) о значительно больше (10—20). Это обусловлено тем, что в таких материалах запрещенная зона велика Eg 6-Н12 эв), сродство к электрону мало (х < 1 эв), вследствие чего медленные электроны с энергией, лежащей между % и Eg, могут из большой глубины без потерь энергии подходить к поверхности тела и выходить в вакуум. При наложении на диэлектрик сильного электрического поля, направленного от эмиттирующей поверхности вглубь слоя (т. е. ускоряющего вторичные электроны к поверхности), о значительно возрастает. Обычно сильное поле создается бомбардировкой тонкого слоя диэлектрика на металлической подложке электронами с Ер, при котором о > 1. В результате поверхность диэлектрика заряжается положительно относительно металлической подложки до потенциала, близкого к потенциалу коллектора, на который отсасывается ток ВЭЭ. Ток ВЭЭ, возникающий в присутствии сильного электрического поля в эмиттере, состоит из двух компонент малоинерционной, быстро следующей за изменениями первичного тока (эта часть ВЭЭ называется вторичной электронной эмиссией, усиленной полем, ее инерционность <10 сек), и само-поддерживающейся, существующей и при отсутствии первичного пучка, после того как осуществлена первоначальная зарядка слоя. В некоторых случаях ВЭЭ с электродов вакуумных приборов, подвергающихся бомбардировке электронами, является нежелательным паразитным эффектом. Для его устранения электроды покрывают веществами с малым а углерод (сажа, ак-вадаг), титан, цирконий, дисилициды переходных ме- [c.457]

Модель объединенного атома для молекулы, очевидно, дает верхнюю оценку для величины корреляционной энергии, поскольку, во-первых, все нужные пары электронов присутствуют и в объединенном атоме и, во-вторых, все они занимают в объединенном атоме меньшую область пространства, чем в молекуле. Вместе с тем такая модель молекулы весьма нереалистична, потому что 1) в ней ошибочно учитывается сильное отталкивание атомных остовов, возникаюш ее при Л—-> О, и 2) внутренние электроны, оказываются более прочно связанными с ядрами ввиду увеличившегося заряда ядра. Рассматривая в методе ЛКАО-МО коэффициенты перед АО, убеладаемся, что низкие МО довольно точно могут быть аппроксимированы орбиталями электронов атомных остовов молекулы эти электроны сосредоточены в непосредственной близости от ядер. Напротив, в модели объединенного атома энергии соответствующих низких орбиталей очень далеки от энергий истинных орбиталей. Модель объединенного атома, исторически возникшая из рассмотрения простейшего иона Щ, оказывается, таким образом, полезной только для гидридов, но не для более сложных молекул, содержащих по нескольку атомных остовов. [c.95]

Согласно (21.34) энергетический параметр равен разности энергий атома и иона, если обе эти величины вычисляются с помощ.ью одних и тех же атомных радиальных функций. Можно также сказать, что ( есть энергия замороженного иона , распределение электронов в котором осталось таким же, как было в атоме до удаления электрона п1. Очевидно, что Е больп]е энергии истинного иона ( незамороженного ), вычисленной с помош,ью уравнений Фока. [c.246]

ЧТО конформация ванны для этой формы не соответствует минимуму потенциальной энергии. В процессе вращения модели, при котором из одной формы ванны получается другая, система проходит через конформацию, в которой бушпритное взаимодействие проявляется в значительно меньшей степени и заслонение С—Н-связей несколько ослаблено по сравнению с заслонением в исходной форме ванны. Такая конформация соответствует истинному минимуму энергии для гибкой формы и ее называют [19] формой искаженной (скошенной) ванны или твист-формо11 (см. рис. 2-3, Б). В данной книге для обозначения обычной конформации гибкой формы будет использован термин искаженная ванна . Вычислено [13], что энергия этой формы на 1,6 ккал,моль меньше, чем энергия истинной ванны, и на 5,3 ккал/моль больше энергии формы кресла. [c.54]

Направленность химической валентности. Рассмотрим вкратце физические основы явления направленности валентности. Пожалуй, наиболее простую формулировку этой проблемы дал Паулинг и хотя эта формулировка содержит ряд произвольных допущений, она дает все же достаточно хорошую для наших целей картину физической сущности вопроса. Раньше было отмечено, что если одному и тоА1у же значению энергии соответствует некоторое число различных волновых функций, то любая линейная комбинация этих волновых функций также является приемлемым решением волнового уравнения (см. 19.11). Кроме того, мы еи-дели, что если волновые функции получены на основе известных приближенных допущений, то, даже если эти волновые функции и не соответствуют в точности одному и тому же значению энергии, истинная волновая функция после устранения приближений окажется линейной функцией приближенных волновых функций . [c.264]

Следует также сказать, что размеры стабильного за-родыща зоны очень малы. Если бы поверхностная энергия отсутствовала, то они были бы равны нулю. Однако поверхностная энергия истинных выделений настолько велика, что процесс истинного выделения не может происходить при комнатной температуре. В основном именно этой причиной объясняется наличие стадии предвыделения. [c.99]

Энергая делокализации (ЭД) равна разности энергий истинной молекулы и гипотетической молекулы с локализованными двойными связями типа этиленовых. Физический смысл выифыш в энергии за счет обобществления электронов. [c.455]

Руководство по физической химии (1988) -- [ c.282 ]

Химическая кинетика и катализ 1974 (1974) -- [ c.158 , c.397 , c.414 ]

Химическая кинетика и катализ 1985 (1985) -- [ c.136 , c.420 , c.430 ]

Курс физической химии Издание 3 (1975) -- [ c.647 ]

Курс химической кинетики (1962) -- [ c.66 , c.76 ]

Практикум по физической химии Изд 4 (1975) -- [ c.232 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология