Цикл выращивания

Наилучшие показатели по активности культуры достигаются при выращивании гриба на среде, температура которой 15°С. При подаче охлажденного воздуха с относительной влажностью 98— 100% подсыхания среды не происходит при снижении влажности воздуха до 67—70% влажность питательной среды изменяется мало. Амилолитическая активность культуры возрастает до 36 ч, а затем снижается. Потери сухих веществ за 36 ч составляют около 25%. Общая продолжительность цикла выращивания культуры с учетом подготовительных и заключительных операций в камере 48 ч. [c.158]

Получаемые на опытном производстве партии визуально однородных кристаллов начали систематически поставляться промышленности для массовых испытаний в производстве резонаторов. В ходе этих работ было установлено, что кристаллы из различных циклов выращивания не вполне идентичны по свойствам и различаются величиной внутреннего трения при упругих гармонических колебаниях, в результате чего изготовленные из них резонаторы обладают различной добротностью. В условиях опытно-промышленного производства кварца имели место случаи получения [c.11]

Иная картина была получена нами при проверке этих данных в длительных опытах. Установлено, что в таких циклах выращивания спонтанная кристаллизация в растворах гидроксида натрия проявляется уже при скорости роста порядка 3,5 мм/сут. Одновременно предпринимались попытки изучения циркуляции раствора внутри автоклава путем измерения перепада температур между верхней и нижней частями сосуда в зависимости от степени заполнения и температуры. В результате установили, что для каждого заполнения при специфической температуре имеется определенный минимум А7, что связано с различиями коэффициента температурной зависимости удельных объемов воды в исследованном температурном интервале. Как установлено Р. Лодизом [17], перепад температур для пустого сосуда примерно в пять раз больше при каждой температуре, чем для наполненных водой сосудов при малых степенях заполнения. Этот результат показывает, что вода в надкритических условиях характеризуется высокой теплопроводностью. Скорости роста кристаллов не имеют скачкообразных изменений вблизи тех участков кривых, которые показывают минимумы. [c.37]

Капиллярные жидкие включения в слоях роста, расположенных непосредственно над затравкой, образуются в кристаллах, выращенных из растворов с добавками олеата натрия. По аналогии с данными исследований условий захвата маточного раствора водорастворимыми кристаллами можно предположить, что такие включения возникают в результате отталкивания эмульгированных частиц олеата (или продуктов, образующихся при взаимодействии добавки с раствором при высоких параметрах), осевших на поверхность затравки в начале цикла выращивания. Длина некоторых капилляров достигает 1—2 мм, в то время как размер диаметра не превышает 0,005 мм. [c.130]

Для измерения скоростей роста в указанных направлениях использовался следующий прием. В процессе проведения цикла выращивания дважды резко изменялся перепад температур между камерами роста и растворения. При этом, естественно, изменялась скорость роста и, как следствие, концентрация примеси алюминия в кристалле. При последующем 7 облучении в таких кристаллах отчетливо выявляются две резкие зоны изменения интенсивности [c.153]

Внешняя морфология кристаллов кварца, выращиваемых в калиевой системе, весьма сходна некоторые наблюдаемые отличия несущественны. Форма кристаллов синтетического аметиста определяется формой к- и г-затравочных пластин, на которых они наращиваются, отношением скоростей роста основных граней и длительностью цикла выращивания. Разработан также способ получения кристаллов аметиста на затравках, изготовленных в виде полной простой формы (/ - или г-ромбоэдра). По внешнему облику такие кристаллы напоминают природные кристаллы аметиста. [c.193]

Полная непроницаемость соединения в течение всего, зачастую весьма длительного (до 300—400 сут), цикла выращивания. Это условие вытекает из самой сути технологического процесса, в котором, как указывалось выше, рабочее давление достигается и поддерживается за счет определенной степени заполнения внутренней полости и нагрева среды до расчетной температуры. Малейшие нарушения герметичности и связанная с этим утечка рабочего раствора незамедлительно приведет к неисправимым изменениям рабочих параметров, а следовательно, к браку и большим материальным потерям. [c.202]

На рис. 163 представлены результаты исследования зависимости е и от условий выращивания. Параметры синтеза температуру Г, давление р и продолжительность циклов выращивания I — контролировали методами, описанными в гл. 15. Из анализа кривых (см. рис. 163) следует, что диэлектрическая проницаемость алмазов в большей степени зависит от температуры синтеза и в меньшей от р и На tg б существенное влияние оказывает давление и сравнительно слабое — продолжительность процесса синтеза. [c.452]

Рис. 163. Зависимость диэлектрической проницаемости (а) и тангенса угла потерь (б) синтетических алмазов от температуры (1), давления (2) и продолжительности циклов выращивания (3)

Таким образом, совокупность экспериментальных данных по изучению зависимости диэлектрических свойств синтетического алмаза от условий его выращивания подтверждает правомерность вывода о том, что для получения высококачественных монокристаллов требуется устойчивое поддержание р-7-параметров синтеза в течение всего цикла выращивания. [c.453]

Для технологического процесса имеет существенное значение стабилизация расхода и температуры воды, охлаждающей установки. В связи с этим внутренний контур системы оборотного водоохлаждения выполнен без разрыва трубопроводов, т, е. без свободного слива воды на выходе из ростовой установки на каждой ветви водяного истока установок монтируется ротаметр типа РМ-4, который позволяет стабилизировать расход воды по цепям в течение цикла выращивания и по каждому циклу. [c.171]

Нами изучено влияние некоторых технологических параметров на интенсивность травления боковой поверхности монокристаллов ИАГ, выращенных из расплава методом Чохральского в условиях вакуума. Экспериментально установлено, что испарение расплава из тиглей, изготовленных пз сплава на основе молибдена, более интенсивно, чем из иридиевых тиглей. Так, за цикл выращивания кристалла ИАГ продолжительностью 50 ч из тигля первого типа радиусом 3,3 см испарилось около 25 % первоначальной массы расплава. Боковая поверхность монокристаллов, выращенных из этих тиглей, протравливается сильнее, чем в случае выращивания из иридиевых тиглей. [c.220]

Проведя указанные измерения для всех зон, появляется возможность восстановить особенности и проследить за развитием данного кристалла на протяжении всего цикла выращивания. [c.364]

Описанные особенности кристаллизатора широта применимости, возможность проведения многократных циклов выращивания, удобство измерения и коррекции скорости рециркуляции, относительно небольшие размеры, постоянство температуры и, наконец, возможность поддержания сравнительно постоянного пересы- [c.99]

Постоянно меняющиеся условия теплообмена приводят к невозможности создания общей физической модели для полного цикла выращивания монокристаллов. Именно поэтому при создании физических моделей тепло-и массопереноса исследователи вынуждены весь цикл делить на отдельные периоды для каждого периода рассматривается своя физическая модель. Такой подход в настоящее время, видимо, правильный. В противном случае не исключены существенные ошибки. [c.110]

Требуемое количество СОа максимально в начале культивирования (при Х=Хо) и минимально в конце (при Х=Хоо). Автоматическое регулирование практически осуществимо в течение всего цикла выращивания, если требуемое для обеспечения заданного значения pH содержание СОа в газовой фазе выше нуля. Регулирование pH становится невозможным с момента, когда в процессе культивирования содержание СОа в газовой ( разе уже снизилось до нуля, а рост популяции и, соответственно, дальнейшее снижение еще происходит. Таким образом, определить условия регулирования — это значит найти Сока+ и к, при кото рых величина Ссо. при автоматическом изменении становилась бы равной нулю только к моменту вступления популяции в стационарную фазу роста (Х=Хоо). В этом случае уравнение (5.44) приобретает вид [c.305]

Для целей исследования совмещенного процесса химической и биологической деструкции фенола выделенные консорциумы были ступенчато адптированы к внесению перекиси водорода. Для этого в колбы с культивируемыми на минеральной среде с фенолом микроорганизмами в начале цикла выращивания вносили Н2О2 в возрастающих концентрациях, начиная с 0,1 г/л с 12 пассажа. Всего было сделано более 30 пассажей (рис. 1, [c.232]

Для отбора клеток, устойчивых к неблагоприятным или стрессовым факторам, наиболее часто применяют прямую селекцию. После выбора нужной популяции необходимо проверить стабильность устойчивости к неблагопрргятному фактору. Это длительный процесс, включающий многочисленные циклы выращивания и пересадки клеток на среды, содержащие селективный фактор или без него. Из стабильных клонов необходимо попытаться регенерировать растения. Получение растений-регенерантов, а также гибридологический анализ подтверждают генетическую природу при- [c.187]

Помимо указанных типов рельефа, на пинакоиде могут образовываться так называемые поверхности вырождения (см. рис. 18, б). Ориентировка этих поверхностей чаще всего близка к грани положительной дииирамиды Г121 . Основными известными в настоящее время причинами появления таких вырождений являются следующие пониженная щелочность раствора, высокие температуры выращивания, недостаточный массообмен, повышенное содержание примеси алюминия в системе. По мере нарастания кристалла такие поверхности образуют паразитные пирамиды, которые (вследствие того, что они гораздо сильней, чем основная пирамида (с), поглощают структурную примесь алюминия) резко контрастируют на рентгеновских топограммах (см. рис. 18, б) и хорошо визуализируются -облучением. Паразитные пирамиды представляют собой оптический дефект, и соответствующие им участки должны выбраковываться при разделке кристалла на изделия. Установлено также, что поверхности вырождения образуются преимущественно при длительном наращивании кварца и поэтому в основном приурочены к наружным (прилегающим к поверхности роста) участкам кристалла. Очевидно, их формированию, помимо указанных выше внешних причин, способствует также процесс огрубления акцессорного рельефа по мере роста кристалла. Увеличение размера акцессорий, которое, несомненно, происходит с увеличением длительности цикла выращивания, должно сопровождаться возрастанием крутизны их склонов, что [c.93]

Надежность работы манометрической камеры малого объема зависит и от формы гибкой перегородки — разная ее конфигурация дает разную удельную (на единицу площади поверхности мембраны) величину изменения объема камеры при допустимой деформации мембраны. Так, сферические мембраны оказываются в этом плане хуже плоских. Наиболее эффективны слабо выпуклые круглые мембраны, работающие в режиме хлопающих мембран . На рис. 100 приведен один из вариантов разделительной камеры на основе таких мембран. Камера с помощью штуцера присоединяется к манометрическому технологическому вводу. При заливке (обычно дистиллированной водой) разделительной манометрической системы в последней из-за сложности заполнения всегда остается значительное количество воздуха. Это приводит к недостаточности фактического заполнения разделительной системы и работе мембраны на продавливанне . Поэтому они устанавливаются выпуклостью наружу, чтобы работать в режиме схло-пывання. Если можно обеспечить заливку разделительной системы близкую 100%, то мембраны целесообразно устанавливать выпуклостями внутрь. Такие разделительные камеры отличаются простотой изготовления, удобны и надежны в работе. Возможны и другие конструктивные решения. Учитывая большую длительность технологического цикла выращивания кристаллов и высокие требования к стабильности рабочих параметров, на промышленные установки синтеза устанавливается несколько манометров, причем хотя бы часть из них должна иметь различные разделительные системы. [c.294]

Для компенсации потерь АЬОз при выращивании кристаллов граната в состав исходной шихты добавляется сверхстехиометри-ческий избыток оксида алюминия, количество которого устанавливается эмпирическим путем и корректируется после каждого цикла выращивания. [c.173]

Для установки СГВК разработан следующий наиболее оптимальный режим цикла выращивания ИАГ с эрбием при вакуумной технологии (рис. 64) 1) создание в камере вакуума не менее 0,01 Па 2) подъем температуры в камере путем повышения полной мощности нагревателя до 22 кВт 3) сплавление щихты на скорости 80 мм/ч 4) кристаллизация на скорости 8 мм/ч с одновременным увеличением полной мощности от 22 до 24 кВт 5) сни-12 179 [c.179]

В процессе развития грибы потребляют значительное количество органических веществ. Установлено (Е. Я. Калашников), что за цикл выращивания гриба теряется 25% сухого вещества питательной среды и при этом выделяется около 825 ккал тепла на каждый килограмм воздушносухих отрубей. [c.41]

Еще одним необходимым элементом повышения производительности работы оборудования, в котором осуществляется процесс микробиологического синтеза, является выбор режима культивирования, т. е. длительности цикла выращивания и объема сливаемой в конце цикла культуры. Расчет такого режима легко проводится по уравнению (ХУП) мате1иатической модели роста популяции, а осуществление этого режима можно проводить на всех этапах технологической разработки условий культивирования. [c.330]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология