Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Две произвольно расположенные поверхности

    В химической технологии лучистый теплообмен наиболее часто встречается в следующих случаях когда более нагретое тело заключено внутри другого (например, нагретый аппарат находится внутри помещения) излучающие поверхности расположены параллельно два излучающих тела произвольно расположены в пространстве. [c.275]

    Модель сегментов, расположенных произвольно на поверхности сфер, позволяет свести расчет степени превращения сферы радиусом — х к вероятностной задаче. Для этого рассмотрим совокупность всех сфер радиусом ао — х, выделенных во всех зернах. Как и выше, совокупность сегментов, вырезаемых на сферах всеми зародышами, реальными и воображаемыми, совпадает с совокупностью сегментов, полученных в модели, в которой сегменты произвольно расположены на сфере, так как вероятность получения произвольной конфигурации одна и та же. [c.317]


    Процессы, происходящие в коре больших полушарий, чрезвычайно сложны и мало исследованы. Мы все еще не знаем, каким образом мозг инициирует произвольные движения мышц. Установлено, однако, что сигналы, выходящие из мозга по направлению к мышцам по эфферентным волокнам, генерируются в больших моторных нейронах двигательной зоны коры эта зона расположена в виде полосы, идущей через весь мозг и прилегающей к сенсорной зоне (рис. 16-5). Аксоны моторных нейронов образуют пирамидный тракт, проводящий импульсы вниз к синапсам в спинном мозгу и оттуда к нервно-мышечным соединениям. Последние представляют собой специализированные синапсы, в которых происходит высвобождение ацетилхолина, передающего сигнал непосредственно мышечным волокнам. Волна деполяризации, проходящая по поверхности клетки и Т-трубочкам (гл. 4, разд. Е, 1 рис. 4-22, Д), инициирует высвобождение кальция и сокращение мышцы. [c.329]

    Во всяком случае, определение при дальнейшем развитии этого метода значений энергий отрыва электрона с поверхностных образований и соединений представляет значительный интерес, так как позволит расположить электроно акцептор ные и электронодонорные уровни молекул, адсорбированных на поверхности полупроводников, на правильной высоте по отношению к зонам и уровню Ферми. До сих пор их расположение по высоте производится произвольно. [c.223]

    Пусть мы имеем два открытых сообщающихся между собой сосуда (рис. 2), заполненных однородной жидкостью уд. в. т- Возьмем некоторую произвольную точку А и расположим в ней начало осей координат. Обозначив ординаты точек, лежащих на поверхности жидкости в сосудах I и II, через г и можем для точки А написать р ра + если рассматривать точку А принадлежащей к сосуду I, и если рассматривать ее как точку, принадлежащую к сосуду II. [c.42]

    Наличие на поверхности реакции шероховатостей существенно изменяет картину обтекания поверхности и соответственно величину диффузионного потока к поверхности. Под шероховатостями мы подразумеваем выступы над поверхностью тела произвольной формы, которые расположены на достаточно больших расстояниях друг от друга. Среднее расстояние между шероховатостями должно быть велико по сравнению с их размерами. Последние мы будем характеризовать высотой 1, [c.166]

    В работе -Скотта [1] было отмечено, что при произвольной засыпке колец Рашига в колонну элементы насадки определенным образом ориентируются по отношению к внутренней поверхности стенки у одних ось цилиндра перпендикулярна поверхности стенки, другие касаются стенки своей боковой цилиндрической поверхностью. Подсчет того и другого расположения элементов в различных по высоте участках колонны показал, что такое ориентирование э.чементов насадки имеет статистический характер на всех участках элементов, ориентированных перпендикулярно к стенке — 26%, а элементов, касающихся стенки своей боковой поверхностью — 52%. Остальные кольца расположены наклонно по отношению к стенке колонны. К этим данным довольно близки результаты Киршбаума [2], получившего соответственно 42 и 58%. В этом случае наклонные к стенке элементы учитывались как элементы, перпендикулярные к стенке колонны. [c.174]


    Так, кривые, описывающие реакцию зерна простой формы (эллипсоид, прямоугольный параллелепипед, гексагональная призма и т. д.), при любых соотношениях размеров твердых частиц все расположены в достаточно узкой области, заключенной между кривыми / и III на рис. 8.3—8.9. Этот результат применим и к зерну произвольной формы, если только оно ограничено выпуклой поверхностью. Таким образом, относительные размеры зерна оказывают лишь ограниченное влияние на форму кривых, описывающих превращение, если зерно по меньшей мере удовлетворяет предыдущему уравнению. [c.256]

    Можно представить себе, что на сфере радиусом — х расположены шаровые сегменты, имеющие размеры сегментов, вырезанных на этой сфере зародышами так, что центр каждого из них моя ет с одинаковой вероятностью оказаться в любой точке поверхности. Будем говорить тогда, что сегменты расположены на сфере произвольно. [c.317]

    Свиль, отпечатки от силикатного стекла, в виде нитей длиной до 30 мм, видимые перпендикулярно к поверхности листа, а также под углом больше чем 30 Допускается не более 5 шт. на лист Не допускается Допускается не более 4 шт. на лист, из них 2 могут быть расположены на расстоянии не меньше 50 мм друг от друга. Остальные 2 произвольно в поле листа [c.99]

    Несколько слов о константе Холла. При произвольном направлении магнитного поля (не близком к плоскости уг), перпендикулярной к направлению открытости) константа Холла изотропна и определяется объемом V, заключенным внутри той части поверхности Ферми, которая расположена в одной ячейке обратной решетки (мы для определенности предполагаем, что с ростом энергии гофрированный цилиндр увеличивается)  [c.240]

    Если две произвольно расположь ы,е поверхности являются абсолютно черными телами, то лучистое тепло [c.375]

    Смачиваемая поверхность может быть получена в результате нанесения слоя, снаружи которого произвольно расположены группы первичного спирта, такие, как (СН)зСН2(СН2)пОН. [c.936]

    Вернемся к рассмотрению изотропного однородного материала и изучим процесс распростраиения в этом материале произвольного возмущения (волны). Назовем фронтом волны поверхность S = S t), отделяющую область покоя от области, в которой частицы пришли в движение (предполагается, что S t) существует и является гладкой поверхностью). Рассмотрим точку А на поверхности S t) и введем в этой точке локальный декартов базис (v. Si, S2), где V — нормаль к S t), наиравлепиая в сторону движения S t) Si, S2 расположены в касательной плоскости к S t) в точке А расстояния вдоль осей выбранного локального базиса будет обозначать соответственно через п, i, I2. Предположим, что при прохождении фронта волны среда остается сплошной (условие неразрывности массы), тогда [c.26]

    Таким образом, зону горения малой протяженности, со сколь угодно сложным процессом внутри нее, всегда можно заменить неподвижно11 поверхностью сильного разрыва 2 прп условии, что на этой поверхностп будут расположены фиктивные источники массы, импульса и энергии нужной интенсивности. Легко видеть, что при этом будут охвачены все возможные виды колебаний в трубе. Действительно, задавая произвольным образом значения у, /) и 5 по обе стороны 2, можно, как это видно из системы [c.125]

    Так как плотность и показатель преломления аморфного кремнезема близки к соответствующим величинам кристобалита и тридимита, то Айлер предположил, что концентрацию поверхностных гидроксильных групп можно было бы оценить по этим кристаллическим структурам. Исследование кристаллической грани 100 р-кристобалита, которая была выбрана автором, привело к заключению, что на каждом участке площади поверхности, равном 50,2 А , имелось два более низко расположенных уровня атомов кремния, не несущих гидроксильных групп, и два выше расположенных уровня атомов кремния, в которых каждый атом 51 удерживал по две группы ОН. Это давало концентрацию 8 0Н-групп/нм2. Аналогичные расчеты для поверхности тридимита дали концентрацию 4,6 ОН-групп/нм . Пери и Хенсли [67] продолжили рассмотрение кристобалита и отметили, что если выбирается грань 100 , то действительно каждый атом кремния должен удерживать две группы ОН, давая значение концентрации 8 0Н-групп/нм2. Если бы такие гидроксильные группы могли попарно удаляться произвольным образом, то, согласно расчету, выполненному по методу Монте-Карло, на поверхности должно было бы оставаться 4,56 0Н-групп/нм2 в виде лпбо парных групп ОН (две группы на одном атоме 51), либо смежных, вицинальных групп ОН (одна группа на одном атоме 5 , но две группы ОН расположены рядом). [c.877]

    Для прозвучиваиия под углом к поверхности изделия используются преломление и преобразование видов волн для различных граничащих веществ эти явления характеризуются проницаемостью эхо-импульсов согласно табл. 5—8 в Приложении. В воде над сталью, т. е. при работе в иммерсионном варианте, каждый из этих углов в изделии с обоими видами волн можно настраивать произвольно, изменяя угол падения от О до 27°. При контактном варианте можно аналогичным образом расположить преобразователь для продольных волн в сосуде со звукопроницаемым дном, заполненном жидкостью. Такое расположение на практике себя не оправдало. Вместо него применяют твердые клинообразные промежуточные элементы (рнс. 10I.37), к которым прочно прижимают или приклеивают преобразо.ва-тель,,  [c.235]


    Таким образом, если предположить, что четыре связи данного атома углерода расположены в пространстве так же, как соответ-ствуюш,ие связи между атомами в молекуле метана, то угол между каждыми двумя связями будет равен ar os (—1/3) = 109° 28. Такие углы называются тетраэдрическими или углами связей. В тех случаях, когда связь образована различными атомами, углы связей ( валентные углы) могут значительно отличаться от приведенного выше значения, однако они всегда являются тупыми. Обозначим углы, дополняющие валентные углы до 180 через 0. Если теперь не накладывать никаких иных ограничений, кроме постоянства дополнительных углов 0, то связи главной цепи, показанные сплошными линиями на рис. II. 1, будут произвольным образом располагаться на поверхностях конусов, полученных последовательными вращениями образующих, длина которых соответствует длине связи I, относительно предыдущих связей, а угол при вершине конуса равен удвоенному 6. Расположение связей на конусах вращения обозначается с помощью так называемых углов внутреннего вращения Ф, которые отсчитываются от плоскостей, образованных данной связью и предшествующей и последующей связями (см. рис. II.1). Легко видеть, что обоснованность на атомном уровне примененного в предыдущей главе вероятностного подхода к оценке свойств цепных молекул определяется тем, что углы Ф могут принимать [c.69]

    Совершенно иной тип концентрических сферолитов представляют оолиты. Оолиты состоят из очень тонких игл определенного веш ества, например арагонита (СаСОз), расположенных сферическими слоями вокруг центра. Оси игл расположены вдоль сферических поверхностей, но на самой поверхности ориентированы произвольно. Возможно, что эти оолиты образовались при перекристаллизации шаровых агрегатов гораздо более мелких кристаллитов, хотя, как это происходило, совершенно неясно. [c.256]

    Франкенгайм помещал капли водных растворов изучаемых веществ на поверхности стекла и некоторых кристаллов. По мере испарения жидкости происходила кристаллизация растворенного вещества на поверхности подложки, и осадок изучался микроскопически. На стекле и других аморфных веществах росли изолированные кристаллы, произвольно ориентированные друг относительно друга, но параллельные подложке определенной плоскостью. Такая ориентация называется в настоящее время аксиальной текстурой роста (гл. 6, п. 4). Чем чище стекло и чем спокойнее капля, тем меньше число произвольно ориентированных кристаллов. По словам Франкенгайма, плоскости, по которым кристаллы соприкасаются со стеклом, всегда одни и те же. Они не зависят от концентрации, толщины капли, темпера-тз ры и от того, вертикально или горизонтально расположено стекло. [c.9]

    Если в качестве облучаемой поверхности берется плоскость, то центры пулеравномерных источников необходимо расположить так, чтобы формы следов излучений источников сомкнулись друг с другом, полностью заполнив рассматриваемую плоскость. Еслн в качестве облучаемой поверхности берется не плоскость, а произвольная поверхность, то для достижения оптимального распределения потоков необходимо соблюдение двух условий. Первое связано с тем, что если излучение падает на наклонную (по отношению к источнику) плоскость, то получается пуленеравномерпость, поскольку, например, прямоугольный след превращается на наклонной плоскости в трапецию, которая принадлежит уже к классу нуленеравномерных форм. Вот почему источники излучения всегда должны располагаться вдоль облучаемой [c.57]

    Градиентная зонная плавка. Метод градиентной зонной плавки применяют для перекристаллизации заранее синтезированных поликристаллических слитков в монокристаллы и как метод изготовления эпитаксиальных слоев, легированных примесью. Предположим, что требуется нарастить на монокристаллическую подложку арсенида галлия п-типа слой арсенида галлия р-типа. Используем установку, изображенную на рис. 6.32. Расположим на подставке монокристаллическую пластину GaAs п-типа, покрытую тонким слоем галлия, легированного акцепторной примесью, и покроем ее сверху второй пластиной арсенида галлия. Выведем печи на рабочий режим и включим радиационный нагрев. Между верхней поверхностью нижней пластины и нижней поверхностью верхней пластины установится небольшой температурный градиент АТ. Во время нагрева обе пластины будут постепенно растворяться, и при достижении температуры Ti между ними образуется насыщенный раствор. В результате включения источника радиационного нагрева температура нижней пластины достигает значения T a, а температура верхней пластины — значения Гз, причем Гз>Г2>Г]. По высоте раствора устанавливается градиент температуры и концентрации. В результате диффузии растворенного компонента верхний слой обедняется компонентом В, а нижний слой раствора обогащается этим компонентом и становится пересыщенным это приводит к постоянному растворению верхней пластины и росту нижней. Если поддерживать по высоте нерасходуемого слоя растворителя, толщина которого может быть произвольно малой, по- [c.341]

    Рассмотрим жидко,стную систему, находящуюся в равновесии. Пусть имеется сосуд, содержащий объем жидкости или газа (рис. 6). Расположим внутри объема этой жидкости произвольным образом плоскость АВ, которая разделит массу жидкости на две массы I и //. Если отбросить массу II, то для того, чтобы равновесие остального объема не нарушалось, необходимо в каждой точке поверхности АВ ввести силы, уравновешивающие воздействие массы II на оставшуюся часть жидкости. [c.15]

    Степень превращения а (х, 1) для совокупности сфер радиусом — х определяется как доля общей поверхности, покрытая однш или многими сегментами. Тогда величина 1 — а (ж, i) — доля поверхности, оставшаяся свободной. Рассмотрим вероятность т (х, 1) того, что данная точка поверхности не покрыта никаким сегментом (поскольку эта вероятность мала, на каждой сфере располоялено в среднем много сегментов). Сегменты расположены на сфере произвольно, поэтому эта вероятность одинакова для всех точек сфер радиусом ао — х. Если предположить, что число рассматриваемых сфер и сегментов достаточно велико, чтобы получить усредненную статистическую модель, то вероятность ш (х, ) того, что данная точка оказалась не покрытой сегментом, соответствует доле тех точек поверхности, которые оказались непокрытыми, т. е. доле непрореагировавшего вещества [c.317]

    Дисперсность сажи характеризуется либо размером ее частиц, либо величиной удельной поверхности. По данным рентгеноструктурного анализа, элементарные частицы, из которых состоят вторичные агрегаты, сложены из мельчайших кристалликов графитовой структуры (8). Каждый такой кристаллит состоит из слоев графитовой решетки, которые образованы шеспигранниками углеродных атомов, причем отдельные параллельные слои не строго упорядоченно расположены друг относительно друга, как это наблюдается у графита, а повернуты друг к другу совершенно произвольно (рис. 2). Поэтому свойства сажи отличаются от свойств графита, а именно сажа не обладает смазывающим действием и имеет [c.105]


Смотреть страницы где упоминается термин Две произвольно расположенные поверхности: [c.246]    [c.84]    [c.14]    [c.57]    [c.48]   
Смотреть главы в:

Теплопередача и теплообменники -> Две произвольно расположенные поверхности

Теплопередача и теплообменники -> Две произвольно расположенные поверхности




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Лучистый теплообмен произвольно расположенных поверхностей высокой степени черноты



© 2025 chem21.info Реклама на сайте