Обратное отражение

Очевидно, что функция р,(с) также аддитивна и есть набор скалярных функций (хДс), г = 1,. . N. Условие взаимной однозначности означает, что существует обратное отражение с( л), а условие (3.12) — что угол между [c.120]

Во время ряда опытов проведено непосредственное измерение локальных тепловых потоков в районе экранов по методу ЦКТИ 13], для чего был применен типовой двухсторонний переносной радиометр ЦКТИ, регистрирующий как прямые, падающие на экранные поверхности тепловые потоки (/пад, так и обратные, отраженные тепловые потоки от экранных поверхностей камеры охлаждения [c.43]

Маленькие кристаллиты, имеющие различные ориентации кристаллических плоскостей, дают дифракцию в виде концентрических конусов (рис. 28.6). Эта дифракционная картина, зафиксированная на плоской пленке (рентгенограмма), состоит из сравнительно резких концентрических колец, расположенных на фоне некогерентного рассеяния, и по меньшей мере одного заметного аморфного гало (рис. 28.5 и 28.7). Дифракционные картины аморфного и кристаллического образцов существенно отличаются друг от друга (рис. 28.7). У хорошо закристаллизованного образца имеются две области отражения (рис. 28.6) прямое отражение (0° < < 20 < 90°) — концентрические конусы /, II и /// и обратное отражение (90° < 20 < 180°)—концентрические конусы IV и V. [c.118]

Сцинтилляторы, которые наиболее часто применяются для гамма-спектрометрии, представляют собой одиночные кристаллы йодида натрия, активированного таллием. Сцинтилляционные спектры гамма-излучения состоят из одного или более острых характерных фотоэлектрических пиков, соответствующих энергиям источника гамма-радиации. Поэтому эти спектры полезны для идентификации, а также для обнаружения гамма-излучающих примесей в препарате. Кроме характерных пиков, в спектре обычно имеются и другие пики, обусловленные вторичным воздействием радиации на сцинтиллятор и его окружение, таким, как обратное отражение, аннигиляция позитронов, суммирование совпадений и флуоресцентные рентгеновские лучи. Кроме того, в результате рассеяния гамма-фотонов в сцинтилляторе и окружающих материалах возникают щирокие полосы, известные как спектры Комптона (эффект Комптона). Калибровка прибора производится с помощью известных образцов радиоактивных изотопов, энергетические спектры которых определены. Форма спектров будет различной в зависимости от используемых приборов это определяется различной формой и размерами кристаллов, применяемыми защитными материалами, расстоянием между источником излучения и детектором, а также типами дискриминаторов, используемых в амплитудных анализаторах импульсов. При использовании спектра для установления подлинности радиоизотопов необходимо сравнивать спектр исследуемого образца со спектром известного вещества, радиоактивность которого измерена тем же прибором и при тех же условиях. [c.78]

Наблюдаемый молекулярный поток обычно оказывается меньше (Ра-<1), чем для случая, когда отражение от стенок было бы полностью диффузным [3.65, 3.68, 3.76—3,84]. Автор работы [3.77] предположил, что такое уменьшение потока может быть обусловлено рассеянием молекул на неровностях очень шероховатой стенки пор, даже если каждый элемент этих неровностей рассеивает диффузно. Девис и др. [3.81] поддержали эту гипотезу п первую теоретическую модель де Маркуса [3.80], воспроизводящую измеренные плотности потока. Они применили метод Монте-Карло к простым геометрическим моделям капилляров при размерах внутренней шероховатости до 15 /о радиуса капилляра плотпости молекулярного потока могут быть на 20% меньше, чем в случае диффузного отражения от гладких стенок. Таким образом, тангенциальная составляющая импульса сохраняется в среднем по направлению, противоположному плотности потока. Этот эффект мох<ет быть очень существенным внутри малых пор газодиффузионного фильтра. Это кажущееся обратное отражение от очень шероховатых поверхностей может быть представлено в теории молекулярного течения соответствующим граничным условием на гладкой стенке. Такое граничное условие может быть сформулировано с помощью коэффициента аккомодации тангенциального импульса, большего единицы [3.52, 3.85], или с помощью коэффициента обратного рассеяния, заеденного Берманом [3.82] по аналогии с максвелловским коэффициентом зеркального отражения 1—/. Если / — доля диффузно рассеянных молекул и 1—f — доля обратного рассеяния, то коэффициент 3к в формуле (3.29) для длинного капилляра круглого [3.82] или кольцевого [3.83] сечения будет [c.65]

Камеры с цилиндрической пленкой для измерения прямого и обратного отражений с использованием методики Дебая—Ше- [c.123]

На рис. 2.42, б представлено отношение амплитуд обратного (т.е. назад к преобразователю) и зеркального отражений. При малых значениях параметра Рэлея сигнал обратного отражения очень мал, а при значениях параметра Рэлея порядка [c.192]

Широко используемая система ДМЭ обратного отражения, предназначенная для ЭОС-измерений, показана на рис. 8 [55, 68]. Система сеток действует как фильтр, пропускающий электроны с высокой энергией, следовательно, для получения нормального спектра ток электронов, достигающих индикаторного экрана, необходимо дифференцировать по напряжению. На практике для увеличения чувствительности дифференцирование часто проводят дважды. В системе, изображенной на рис. 8, две крайние сетки С1 и С4 заземлены, а две средние сетки Сг и Сз соединены вместе и действуют в качестве задерживающих, и их потенциал медленно развертывают от нуля до энергии первичного пучка. Задерживающий потенциал накладывает на потенциал развертки небольшое модулирующее напряжение. Переменная составляющая тока коллектора регистрируется, и ее [c.427]

Из приведенных выше данных видно, что микроударное воздействие вызывает в микрообъемах поверхностного слоя различного рода остаточные напряжения, и в том числе сжимающие напряжения I рода, обусловливающие появление в металле наклепа. Для определения глубины наклепанного слоя применяли рентгенографический способ, позволяющий снимать рентгенограммы методом обратных отражений. Исследованию подвергали плоскость образца до и после микроударного воздействия, а также после снятия с этой плоскости тонкого слоя металла (толщиной 10—40 мкм). [c.110]

Снятие кривой зависимости числа импульсов от уровня дискриминации показало, что она в основной своей части представляет прямую линию [290], как это видно из рис. 42, где приведена кривая распределения для Если прямолинейную часть кривой продлить, то она пересекается с осью абсцисс в определенной точке V, которая характеризует энергию излучения. Оказалось, что положение точки пересечения для данного радиоактивного изотопа мало зависит от обратного отражения, толщина препарата, расстояния источник — детектор. [c.215]

При сейсмической разведке с помощью искусственных взрывов в земной коре вызываются эластичные колебания, которые регистрируются сейсмографами или геофоном. Эти приборы позволяют установить структуру и глубину залегания отдельных наслоений горных пород и составить их геологический профиль. При сейсмической разведке большое развитие получил метод обратного отражения волн. Радиус регистрации обратного отражения волн достигает 120 км от места взрыва. [c.188]

Р и с. 192. Калибровочная кривая для определения содержания W в Fe по величине обратного отражения -частиц. [c.405]

Метод обратного отражения по Бергу — Баррету. Схематически этот метод иллюстрируется на фиг. 1.16. На пленке [c.37]

Фиг. 1.16. Метод обратного отражения по Бергу — Баррету для исследования совершенства кристаллов [43].

Измерение толщины тонких покрытий при помощи обратного отражения радиоактивных лучей, сб. Применение меченых атомов в физике и технике , Издатинлит, 1955. [c.211]

Радиометрический метод основан на использовании обратного (отраженного) р-излучения. [c.275]

В потоке электронов отдельные частицы взаимодействуют друг с другом [4]. Рассеяние электронов ведет к распространению электронного излучения по всем направлениям, Сле.довательно, и электронорезист (рис. Vn. 1) экспонируется в тех местах, куда первоначально не направлялся пучок электронов. Поток электронов в слое резиста делят на излучение, сохраняющее направление первоначального пучка, и обратно отраженное электронное излучение. На рис. VH.2 показаны рассчитанные методом Монте-Карло траектории 100 электронов в слое резиста на подложке при разных ускоряющих напряжениях. Хорошо заметна доля электронов, имеющих направление первоначального пучка, и рассеянных. При 10 кВ рассеянные электроны расходятся на расстояние около [c.214]

В некоторых фотоэлектрических нефелометрах [74, 78] измеряется величина отношения ге, до- интенсивности рассеяния под данным углом 0 к интенсивности рассеяния под углом 90° (/эо ). Если при этом в кювете происходит обратное отражение пучка, то аналогично соотношению (3.75) [c.263]

Рассеяние ультразвука на- неровной поверхности зависит от параметра Рэлея Рц = 2консо5б, где к — волновое число он — среднеквадратическое отклонение высоты неровностей б — угол падения на дефект. Анализ реальных трещин сварных соединений показал, что в зависимости от причин, их породивших, они относятся либо к гладким с малым параметром Рэлея, либо имеют большие неровности, тогда параметр Рэлея велик. В первом случае обратное отражение от трещины мало, а во втором дефект довольно хорошо выявляется совмещенным преобразователем при наклонном падении. Иногда вместо ал вводят р —средний радиус кривизны неровностей. Соответствующий измененный параметр Рэлея лучше характеризует шероховатость дефекта с точки зрения рассеяния ультразвука. [c.123]

Определение содержания компонента смеси с больщим г цо эффекту обратного отражения -лучей [c.367]

Метод измерения прямого и обратного отражения (метод Дебая — Шерера) (рис. 28.9). По этому методу узким пучком мс5-нохроматических рентгеновских лучей облучают маленький цилиндрический образец, причем короткие участки дифракционных конусов (дуги) ограничены полоской пленки (рис. 28.10), которую [c.120]

Для получения надежных статистических результатов прн использовании метода Монте-Карло необходнмо рассчитать траектории нескольких тысяч электронов, что требует большого машинного времени. По этой причине на практике для предсказания рассеяния электронов используют аналитические модели, в которых предполагается, что потеря энергии в результате рассеяния складывается из трех составляющих рассеяния под малым углом (РМУ) нз пучка в полимере, рассеяния под большим углом (РБУ) в подложке и обратного отражения (00) в полимере. Для определения РМУ в резисте используют две аналитические модели. Гринейх и Ван Дузер [10] построили свою модель на основе теории рассеяния Ленца, по которой угловое распределение рассеянных электронов определяется интегрированием уравнения Больцмана по всему пространству. В упрощенном подходе используют [c.217]

Для измерения коэффициентов обратного отражения необходимо в составе гониофотометра использовать специальный прибор. Для предотвращения помех, препятствующих попаданию падающего света в фотометр, необходимо предусмотреть расщепитель пучка. До сих пор проведено не так много экспериментов но обратному отражению поверхностей обычных про- [c.453]

По существу эта трубка представляет собой дифракционный прибор обратного отражения с полем зрения, ограниченным конусом, под половинным углом примерно в 35° к направлению обратного отражения. В случае необходимости этот ограничивающий угол можно расщирить в принципе возможно также [c.114]

При переходе от зарегистрированной прибором активности к абсолютной радиоактивности препарата нужно учитывать ряд эффектов, обусловленных параметрами выбранной измерительной аппаратуры, взаимным расположением препарата и счетчика и свойствами измеряемого радиоактивного изотопа. В результаты измерений вводятся поправки, учитывающие разрешающее время счетной установки, фон, эффективность счетчика к данному виду излучения, геометрические условия измерений, поглощение излучения в стенках счетчика и в слое воздуха между препаратом и счетчиком, поглощение излучения материалом препарата (само-ослабление), обратное отражение излучения от подложки, на которую нанесен препарат, а также разветвленность схем распада измеряемых радиоактивных изотопов. Значения поправочных коэффициентов получают либо расчетным путем, либо экспериментально. Многие эффекты оказываются взаимосвязанными, например, величина коэффициентов поглощения, самоослабления и обратного отражения зависит от геометрических условий эксперимента. Поэтому при выполнении точных работ следует отдать предпочтение методам калибровки измерительной аппаратуры. [c.61]

Вследствие значительного рассеяния (З-частиц и обратного отражения их в препарате Рис. 12. График поправок на са- форма калибровочной кривой мопоглощение весьма сложна, чтобы вывести [c.50]

Поскольку положение дифракционных линий, для которых угол Брэгга близо-к к 90°, очень чувствительно к малым изменениям параметров решетки, для наиболее точного их определения используют дифракционные линии, соответствующие углам отражения. максимально возможной величины. Если одновременно получить дифракционные линии для большого угла от материала, пара.метры решетки которого точно известны, например подмешиванием этого материала к испытываемому, то параметры рещетки можно определить с большой точностью. Размер рентгенограмм определяют длиной волны падающего пучка, благодаря чему при удачном выборе длины волны обычно можно Д0стг1гнуть обратного отражения для больгних углов Брэгга. [c.225]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология