Фотоэлектрический эффект обратный

Квантовые представления в короткий срок были успешно применены во многих областях физики. В частности, явление фотоэлектрического эффекта, изученное А. Г. Столетовым (1888), и обратное ему явление — излучение электромагнитных колебаний ыри бомбардировке металлов электронами, как было показано Эйнштейном (1905), хорошо объясняются на основе квантовых представлений. [c.29]

Оптика в широком смысле слова есть наука о взаимодействии электромагнитного поля любых частот с веществом. Основные явления, возникающие при этом, следующие отражение, преломление и поглощение, дисперсия, обратное излучение, фотоэлектрический эффект и др. В связи с таким определением оптических свойств [c.395]

Этот процесс возникновения фотонов из энергии быстро движущихся электронов называется обратным фотоэлектрическим эффектом. [c.69]

С нагретого катода, ускоренный при помощи высокого положительного потенциала, приложенного к мишени. Рентгеновские лучи образуются в основном за счет замедления электронов в веществе мишени, т. е. в процессе, обратном фотоэлектрическому эффекту оба явления описываются уравнением [c.19]

Получение рентгеновских лучей. Описание рентгеновской трубки дано в гл. III и IV. В такого рода трубках протекает процесс, обратный фотоэлектрическому эффекту — происходит образование световых квантов в результате замедления быстро движущихся электронов. [c.144]

Рентгеновские лучи. Рентгеновские лучи занимают в спектре область от 2,0 до 0,005 нм (между ультрафиолетовыми лучами и -j-лучами радиоактивного излучения). Обычным их источником является обратный фотоэлектрический эффект. Поле, ускоряющее электроны, которые вызывают рентгеновское излучение, имеет напряжение порядка от тысяч до сотен тысяч вольт. Для разложения рентгеновских лучей в спектр дифракционными решетками служат грани кристаллов. [c.719]

Можно поставить вопрос, не происходит ли в отсутствие ионов обратимая реакция между красителем и растворителем (пусть с малым квантовым выходом и с быстрой обратной реакцией). Подобные скрытые окисления — восстановления, по мнению ряда исследователей [69, 70, 71, 73], являются причиной фотоэлектрического эффекта на покрытых красителями электродах. Рабинович [82] обнаружил также, что неносредственно наблюдаемое обратимое восстановление тионина ионами двухвалентного железа производит сильный фотогальванический эффект. [c.82]

В рентгеновской трубке электроны, испускаемые накаленной нитью, ускоряются под действием налагаемой разности потенциалов V, а затем ударяются о твердую мишень и останавливаются. Значительная часть общей кинетической энергии такого электрона превращается в фотон. Такое явление называется обратным фотоэлектрическим эффектом. Если вся энергия электрона, равная еУ, превращается в фотон, то частота такого фотона (рентгеновских лучей) может быть вычислена по уравнению фотоэлектрического эффекта еУ = к (энергией ионизации можно в данном случае пренебречь, поскольку она мала по сравнению с другими величинами). Если при замедлении электрона скорость его не падает до нуля, то частота испускаемого рентгеновского кванта будет несколько меньше предельного значения. [c.69]

Рентгеновские лучи. Рентгеновские лучи занимают в спектре коротковолновую область, примерно от 10—20 до 0,05 А, расположенную между ультрафиолетовыми лучами и Y Лучами радиоактивного излучения. Обычным их источником служит обратный фотоэлектрический эффект возбуждение излучения при ударах быстрых электронов о металлические и другие поверхности. В соответствии с малыми длинами волн частоты рентгеновских лучей очень велики и эти лучи состоят из больших фотонов с энергией 10 "—10 1 э. Поэтому для их возбуждения электроны должны нести кинетическую энергию такого же порядка величины, т. е. иметь достаточную скорость. Легко подсчитать, что для этого поле, ускоряющее электроны, должно иметь напряжение порядка от тысяч до сотен тысяч вольт. Более медленные электро- [c.105]

Фотоэлектрический эффект был открыт в 1887 г. Г. Герцем и вскоре же подробно изучен русским физиком А. Г. Столетовым. Явление это состоит в испускании электронов металлами, а также некоторыми полупроводниками (селен), при их освещении. Большинство металлов дает этот эффект лишь при их освещении ультрафиолетовыми лучами, обладающими большой энергией щелочные металлы, атомы которых легко отщепляют электроны, дают этот эффект и под действием более мягких лучей — лучей видимого света. По своей сущности это явление как бы обратно образованию электромагнитных излучений (лучей Рентгена) при действии катодных лучей (электронов) на металлы. [c.74]

Фотодиоды (ФД) выполняют обратные функции по сравнению с СД или ПЛ. Они преобразуют оптические сигналы в электрические. Здесь используется фотоэлектрический эффект, при котором в результате падения лучей света создаются носители электрических зарядов и появляется электрический ток (рис. 1.7). [c.15]

Сцинтилляторы, которые наиболее часто применяются для гамма-спектрометрии, представляют собой одиночные кристаллы йодида натрия, активированного таллием. Сцинтилляционные спектры гамма-излучения состоят из одного или более острых характерных фотоэлектрических пиков, соответствующих энергиям источника гамма-радиации. Поэтому эти спектры полезны для идентификации, а также для обнаружения гамма-излучающих примесей в препарате. Кроме характерных пиков, в спектре обычно имеются и другие пики, обусловленные вторичным воздействием радиации на сцинтиллятор и его окружение, таким, как обратное отражение, аннигиляция позитронов, суммирование совпадений и флуоресцентные рентгеновские лучи. Кроме того, в результате рассеяния гамма-фотонов в сцинтилляторе и окружающих материалах возникают щирокие полосы, известные как спектры Комптона (эффект Комптона). Калибровка прибора производится с помощью известных образцов радиоактивных изотопов, энергетические спектры которых определены. Форма спектров будет различной в зависимости от используемых приборов это определяется различной формой и размерами кристаллов, применяемыми защитными материалами, расстоянием между источником излучения и детектором, а также типами дискриминаторов, используемых в амплитудных анализаторах импульсов. При использовании спектра для установления подлинности радиоизотопов необходимо сравнивать спектр исследуемого образца со спектром известного вещества, радиоактивность которого измерена тем же прибором и при тех же условиях. [c.78]

Двойственность природы излучения. Явления диффракции света свидетельствуют о его волновой природе. С другой стороны, фотоэлектрические явления и эффект Комптона [ ] указывают на то, что излучение распространяется в виде частиц, обычно называемых. фотонами . Таким образом, при различных методах исследования обнаруживается та или другая сторона природы света. Если излучение рассматривать как поток фотонов, то, применяя в качестве измерительного приспособления электрон, их поло кение можно определить почти точно если же применить диффракционную решетку или узкую щель, то направление потока фотонов перестает быть определенным, о чем свидетельствует получающаяся диффракционная картина. Таким образом, в опыте Комптона положение фотона можно определить, но, вследствие столкновения последнего с электроном, происходит изменение импульса, что, как будет показано ниже, означает невозможность точного определения длины волны. В то же время при помощи решетки можно точно определить длину волны или импульс фотона, но при этом, как будет показано ниже, становится неопределенным положение фотона. Это показывает, что вообще должна существовать обратная зависимость между неточностью измерения положения фотона и неточностью измерения его импульса или длины волны. [c.39]

Поскольку такое действие длинноволнового излучения сказывается только на экспонированном материале, то ясно, что речь идет об одной из форм воздействия дополнительной засветки на скрытое изображение. В крупных кристаллах галогеиида серебра, содержащих фотолитическое серебро (напомним, скрытое изображение тоже является таковым), было обнаружено появление фототока под действием красного или инфракрасного излучения, тогда как при отсутствии серебра ток не возникал. Следовательно, эффект Гершеля можно объяснить как фотоэффект с центров скрытого изображения. При этом один из атомов центра теряет электрон, а вслед за ним уходит ион А +, оказавшийся лишним и не связанный с остающимся нейтральным центром. Такой фотоэффект должен несколько отличаться от обычного фотоэффекта в металлах, поскольку здесь серебро присутствует не в виде металла, а в виде кластеров следовательно, силы, противодействующие отрыву и уходу электрона, по величине отличаются от тех, которые характерны для металла. Неудивительно, что красная граница фотоэффекта в данном случае близка к 1,2 мкм в бромиде серебра и к 0,8 мкм в хлориде, хотя для металлического серебра в вакууме она близка к 2 мкм. Известная роль принадлежит здесь и окружающей среде ее присутствием (вместо вакуума) следует объяснить, что красная граница для серебра в бромиде и хлориде столь различна. Но главным остается тот факт, что эффект Гершеля в любых фотоэмульсионных кристаллах есть фотоэлектрическое разрушение центров скрытого изображения, атом за атомом, по реакции, в точности обратной образованию скрытого изображения. [c.60]

Радиоволны, инфракрасный, видимый и ультрафиолетовый свет, рентгеновские лучи и гамма-излучение представляют собой электромагнитные волны с различной длиной волны. Скорость света, с = 2,9979-10 ° см с , связана с его длиной волны X и частотой V соотношением с = Ху. Волновое число у-это величина, обратная длине волны, V = 1/Х. Все нагретые тела излучают энергию (излучатель с идеальными свойствами дает излучение абсолютно черного тела). Планк выдвинул предположение, что энергия электромагнитного излучения квантована. Энергия кванта электромагнитного излучения пропорциональна его частоте, Е = км, где / -постоянная Планка, равная 6,6262 10 Дж с. Выбивание электронов с поверхности металла под действием света называется фотоэлектрическим эффектом. Квант света называется фотоном. Энергия фотона равна /IV, где V-частота электромагнитной волны. Зависимость поглошения света атомом или молекулой от длины волны, частоты или волнового числа представляет собой спектр поглощения. Соответствуюшая зависимость испускания света атомом или молекулой является спектром испускания. Спектр испускания атомарного водорода состоит из нескольких серий линий. Положения всех этих линий точно определяются одним общим соотношением-уравнением Ридберга [c.375]

Обратный фотоэлектрический эффект, представляюший собой испускание излучения при бомбардировке электронами, применяется для получения рентгеновских лучей. [c.37]

Фотоэлектрический эффект При освещении металлических поверхностей последние заряжаются положительно и испускают поток отрицательных электронов (фотоэлектроны). Явление это было открыто Гальваксои и Столетовым (1887), после того как признаки его были замечены Герцен. Получило оно название фотоэлектрического эффекта (или, короче, фотоэффекта). Как позже выяснилось, фотоэлектрическому эффекту подвержены, хотя и в меньшей степени, чем металлы, также газы и твердые и жидкие диэлектрики. Причина его кроется в отщеплении электронов от атомов освещаемых тел. Обратный фотоэлектрический эффект, представляющий собой испускание излучения при бомбардировке электронами, применяется для получения рентгеновских лучей. [c.55]

Для изучения фотоэлектрического эффекта обычно пользуются одной из двух схем, изображенных на рис. 6, где Л—освещаемая поверхность, В—проводник, С—источник напряжения и Е—электрометр Г или гальванометр. Фотоэлектроны, вырывалсь нз А в В, замыкают цепь, ток в которой может быть измерен прибором Е. Если неосвещаемый электрод В присоединен к полюсу (+) батарей, то он притягивает электроны и ускоряет их поток. При обратном соединении получается замедляющее поле, и когда электрическая сила еУ (где е—заряд электрона и И—сила поля между А м В) равна кинетической [c.56]

Коротковолновая граница непрерывного спектра имеет ярко выраженную квантовую природу. Возбуждение рентгеновских лучей электронной бомбардировкой в принципе напоминает ка-тодолюминесценцию, так как оба эти явления представляют собой обратные фотоэлектрические эффекты. Коротковолновая граница Хо, открытая Дьюаном и Хантом [7], подчиняется соотношению [c.20]

Была сделана попытка применить метод Бруа для конструирования прибора, который мог бы работать в ультрафиолетовой области [И]. Расположение основных деталей прибора обратное по сравнению с прибором Бруа, т. е. он имеет вид классического эллиптического анализатора. Анализатор закреплен неподвижно, а система световых полей и вращающегося анализатора заменена фотоэлектрической модуляционно-компенсационной системой, основанной на эффекте Фарадея [12, 13]. В качестве четвертьволновой пластинки использовалась слюда, и, поскольку вращение не компенсировалось, необходимо было вводить поправки. [c.76]

Сенсибилизованная эозином и эритрозином фотоэлектрическая чувствительность 2пО наблюдается как без приложения электрического поля к конденсатору, так и при наложении отрицательного потенциала в —120 в к полупрозрачному металлическому электроду. При наложении положительного потенциала эффект пропадает. На основании опытов, проведенных ранее с типичными неорганическими полупроводниками (селен, 2пО, Си О и др.), сохранение или усиление эффекта при отрицательном потенциале на полупрозрачном электроде конденсатора и резкое падение эффекта при обратном направлении поля свидетельствуют об электронном характере фотопроводимости полупроводника. Такое же действие положительного потенциала означает, что полупроводник принадлежит к типу электроннодефектных, т. е. дырочных . Для полупроводников со смешанной проводимостью односторон- [c.186]

Кроме того, при переходе Брд д Мц2 под действием желтого света в сухих пленках ориентированных НМ может возникать фотопотенциал до нескольких вольт в результате смещения протона от шиффова основания к первичному акцептору Асп 85. Этот фотоэлектрический сигнал может быстро уменьшаться при освещении синим светом, индуцирующим обратное движение протона и регенерацию М412 к исходному состоянию Брд д как при комнатной, так и при низких температурах. Такой эффект связан с обратимостью перехода Бр из исходного состояния в относительно стабильный интермедиат фотоцикла М412. Имеется возможность увеличения времени жизни данного продукта различными способами путем понижения температуры и степени гидратации, химической модификации, замены ретиналя синтетическими аналогами, а также в результате направленного мутагенеза. Все это и является основой для использования пленок НМ в качестве перспективного материала для записи, хранения и обработки оптической информации. Информация будет записана при воздействии на Бр желтым светом, и может считываться путем регистрации соответствующего электрического сигнала на НМ, т. е. способом, не разрушающим сделанную запись. Стирание этой записи осуществляется при облучении пленок синим светом и возвращении в исходное состояние Бр д. [c.410]