Прилипания уровни

В заключение отметим, что центры рекомбинации характеризуются примерно одинаковыми сечениями захвата для электронов и дырок, а соответствующий им энергетический уровень находится в средней части запрещенной зоны. В отличие от сказанного, уровни прилипания обладают либо различными сечениями захвата, либо соответствующий им энергетический уровень находится вблизи одной из зон. [c.145]

Если в запрещенной зоне, кроме основного уровня активатора, имеется уровень прилипания, то основной уровень имеет большую вероятность захвата дырки, а уровень прилипания — большую вероятность захвата электрона. После того как произошли оба захвата (переходы 3 и 4), происходит переход электрона с возбужденного уровня на основной, сопровождающийся излучением (переход 5). [c.433]

В примесных полупроводниках (и диэлектриках), как мы видели (см. рис. 101), в запрещенной зоне возникают локальные энергетические уровни (донорные, акцепторные и уровни прилипания , обусловленные дефектами структуры), в связи с чем вероятность рекомбинации (через локальные уровни) возрастает. Рекомбинацию через локальные уровни (центры рекомбинации) можно определить как переходы зона — локальный уровень — зона (рис. 180, г). [c.433]

Механизм фосфоресценции при участии уровней прилипания может быть представлен следующим образом (рис. 64). По окончании процессов а и Ь, аналогичных схеме рис. 63, дырка заполненной полосы рекомбинирует с электроном уровня загрязнения, как и в первом случае с, но электрон из полосы проводимости захватывается одним из уровней прилипания (положение е на рис. 64). Здесь он задерживается на неопределённый промежуток времени, пока за счёт термического возбуждения или каким-либо другим путём не будет вынесен снова в полосу проводимости /, откуда упадёт, аналогично первому случаю, на вакантный уровень загрязнения с излучением [c.283]

Разницу в спектральном составе при различной мощности и способах возбуждения можно ожидать лишь в, исключительных случаях, а именно 1) При очень большой плотности возбуждения в силу высокой концентрации возбуждённых электронов в полосе проводимости они падают на уровень загрязнения, не достигнув теплового равновесия (коротковолновое смещение). 2) Электроны падают на уровень загрязнения непосредственно с уровней прилипания, минуя полосу проводимости (длинноволновое смещение). 3) Электроны падают нормально с нижней границы полосы проводимости, но на различные по глубине (энергетически) уровни активатора в зависимости от скорости освобождения последних за счёт рекомбинации с дырками основной полосы. Есть основания предполагать, что все три указанных случая имеют место на практике. [c.285]

Роль неизлучающих переходов сказывается также ка зависимости отдачи люминесценции от условий возбуждения и его мощности. Если возбуждающий квант слишком мал и его недостаточно для переноса электрона в полосу проводимости или на уровень прилипания, то люминесценция вообще не наступает. С увеличением возбуждающего кванта отдача растёт, но проходит при этом через определённый максимум. Если возбуждающий квант слишком велик, то электрон переносится на высокие уровни полосы проводимости, где вероятность неизлучающих переходов соответственно выше. В результате, например, отдача фотолюминесценции растёт с уменьшением длины волны возбуждающего света, проходит через пологий максимум и затем падает, когда возбуждающее излучение становится слишком коротковолновым. Аналогичная картина имеет место при изменении мощности возбуждения. В общем случае интенсивность свечения увеличивается с мощностью возбуждения, но отдача при этом проходит через определённый максимум. При слабом возбуждении время пребывания электрона в полосе проводимости велико и больше вероятность потери его энергии за счёт тепловых переходов. При очень интенсивном возбуждении концентрация электронов в полосе проводимости возрастает до пределов, при которых вероятность неизлучающих переходов опять заметно увеличивается. [c.288]

Рассмотрим элементарные процессы, лежащие в основе фотопроводимости, с помощью схемы уровней энергии, изображенной на рис. 2. Левая часть схемы (а) относится к красителю с электронным типом проводимости. Поглощение кванта света Лv переводит молекулярный центр кристаллической решетки на синглетный возбужденный уровень Г, с которого часть молекул возвращается на исходный уровень в результате дезактивации. Но часть молекул отщепляет от себя электрон путем перехода его на энергетически более низкий уровень триплетной зоны проводимости, обозначенный на рисунке 2 Г. Этот переход (рис. 2, стрелка 1) аналогичен переходу на триплетный уровень, совершающемуся в изолированной молекуле и приводящему к появлению фосфоресценции. Из той зоны он сразу спускается на сравнительно глубокие уровни прилипания, обеспечиваемые соседними молекулами (стрелка 2). Таким образом, после первичного светового воздействия проводимость осуществляется термической активацией переходов с уровней прилипания в зону проводимости (стрелка 3). Глубина уровней захвата, расположенных ниже дна зоны проводимости, определенная из температурной зависимости скорости затухания темновой проводимости после выключения света и скорости нарастания фотопроводимости, оценивается в 1.0 эв (1.1 эв для родамина Б, 0.76 эв для фуксина [19]). Из температурной зависимости предельного значения насыщения фотопроводимости Вартанян получил для ряда красителей несколько меньшие значения 0.4—0.7 эв. [c.324]

На рис. 28 приведены зависимости силы фототока от температуры для полидифенилдиацетилена. Видно, что с уменьще-нием длины волны света наклон прямых зависимости 1д1ф— /Т уменьшается, т. е. уменьшается энергия активации фотопроводимости. Это связывается с тем, что фотопроводимость осуществляется носителями, попадающими на уровень проводимости с уровней прилипания, куда они забрасываются при возбуждении молекул полупроводника светом. Чем меньще длина волны света, тем ближе к зоне проводимости забрасываются носители и тем, соответственно, меньше энергия активации фотопроводимости. Приведенные на рис. 28 данные свидетельствуют о наличии в полимерных полупроводниках ловушек с различной глубиной залегания относительно зоны проводимости. Обычно ловушки носителей связаны либо с примесями, либо с дефектами строения макромолекул или кристаллической структуры полимера [4, с. 47]. Зависимость фототока от освещенности L описывается формулой ф = onst L", где п изменяется от 0,5 до 1,0 [38]. [c.69]

А. Грабакова [14] проводила исследования вторым способом. После-поглощения газа-носителя щелочью, фракции скапливаются в легком колоколе, опрокинутом на устье азотометра, крайнюю часть которого-образуют перелив и сосуд, в котором поддерживается постоянный уровень щелочи. Подъемная сила жидкости уменьшает вес колокола, приводящего в движение балансир с зеркальцем. Зеркальце отражает луч света, который записывается в камере, содержащей вращающуюся фотобумагу. Недостатком прибора является необходимость повышенной осторожности при серийном производстве анализов, и то обстоятельство, что в результате прилипания к стенкам поплавок отклоняется и не реагирует на слабый подъем (на малые фракции). [c.318]

В полях, напряженность к-рых не превышает 10 в см, фототок подчиняется закону Ома, а темп-рная зависимость фототока носит экспоненциальный характер. Указанное явление объясняется тем, что фотопроводимость осуществляется носителями, попадающими на уровень проводимости с уровней прилипания. [c.70]

Источником случайных погрешностей при измерениях игольчатым уровнемером, кроме несовершенства органов чувств наблюдателя, является прилипание жидкости к острию иглы, вызывающее некоторую неточность установки острия на уровень. Для увеличения точности измерения целесообразно применять иппу с двумя остриями, одно из которых направлено вниз, а другое — вверх (пунктир на рис. 1-4,6). [c.34]

При давлениях 10 и 10" мм Hg манометром сжатия можно пользоваться лишь для определения порядка имеющегося разрежения. Если измеряемое давление равно 10 мм Hg при V — 250 см и ртуть поднимают до вершины капилляра С (рис. 21), то остающийся пузырёк газа принимает размеры, невидимые для глаза, а затем, несмотря на опускание ртути в Е, в капилляре С ртуть не опускается и как бы прилипает к стеклу, так ЧТО уровень ртути в трубке Е может стоять заметно ниже, чем в С. Это явление называется явлением прилипания ртути в манометре сжатия. Прилипание имеет место тогда, когда пузырёк воздуха делается настолько мал, что не препятствует соприкосновению ртути с вершиной капилляра. Дальнейшее уменьшение давления, как показывает опыт, влечёт за собой увеличение разности уровней в трубках Е и С в момент отрыва ртути от вершины капилляра С. Таким образом получается возможность по разности уровней в момент отрыва качественно судить о порядке величины давления. Тот вакуум в откачиваемом сосуде, при котором начинается явление прилипания, носит название вакуума прилипания. По,рядок величины вакуума прилипания зависит от объёма колбы манометра, диаметра капилляра и состояния поверхности стекла (предварительный прогрев) [87, 88]. Явление прилипания имеет большое практическое применение в тех случаях, где важна не абсолютная величина давления, а возможность полностью использовать разрежение, даваемое насосом. Прилипание ртути показывает, что предельное разрежение достигнуто и никакой течи в вакуум-анпара-туре нет. [c.51]

Мы можем временно принять для AgBr и ТП механизм Митчелла, согласно которому вакантное основное состояние S красителя принимает электрон или с заполненного акцепторного уровня Ag(Tl), или прямо из валентной зоны. Затем смещением уровней аниона красителя вверх уровень прилипания Вгд (Ij) может быть достигнут. Конечный результат будет тот же, как в механизме передачи энергии, и эти механизмы не смогут быть различимы. Мы не знаем, однако, ни точного положения уровней прилипания, ни величины смещения уровней аниона красителя для окончательного рассмотрения такой возможности. Имеются также дополнительные трудности в электронном обмене, который еще не рассмотрен. Имеется искривление вверх зоны проводимости и заполненной зоны у отрицательно заряженной поверхности, которое увеличивает потенциальный барьер для перехода электрона, но не влияет существенно на передачу энергии. [c.249]

Энергия фотона, поглощенного сенсибилизатором, передается полупроводнику резонансным путем. Время участия молекулы красителя в акте сенсибилизации составляет менее 10 сек., что естественно для резонансного переноса энергии. Под действием этой энергии в ZnO и AgBr электрон с локального поверхностного уровня переводится в зону проводимости. В ТП освобождается дырка в основной зоне в результате перевода э.пектрона на локальный уровень. Для этого достаточна энергия около 1 эв. Необходимые поверхностные уровни прилипания электронов в ZnO создаются молекулами адсорбированного кислорода, а [c.271]

Следует отметить важность такой, казалось бы, несущественной one ции при отборе проб, как двух- или трехкратное споласкивание посуды бираемой водой. Это существенно снижает потери ртути из растворог счет дополнительного промывания посуды и дезактивации активных сорбционных центров на очищенной кислотой поверхности сосудов м ро- и макрокомпонентами отбираемой пробы [20, 223]. Однако даже бесспорно необходимая операция может вносить ошибки, особенно отборе проб для определения соотношения взвешенных и растворен форм элементов за счет прилипания взвешенных частиц к стенкам пос при ее обмывании и последующего перехода этих частиц в раствор При отборе однотипных природных вод с примерно одинаковым содер нием микроэлементов считается, что не обязательно каждый раз промы бутыли кислотой, достаточно тщательно сполоснуть их отбираемой вс i 339]. Однако это упрощение возможно, если известен уровень содержа i определяемых микроэлементов в анализируемых водах. [c.46]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология