Электронная просвечивающий электронный

Наиболее распространены просвечивающие электронные микроскопы. В них исследуемый объект просвечивают пучком электронов, создающим соответствующее изображение на экране или фотопластинке (рис. 24.3). У этих микроскопов наибольшая разрешающая способность, и с их помощью можно исследовать самые разнообразные объекты. Несмотря на внешнее сходство оптических схем, принцип получения изображения электронного микроскопа отличается от светового микроскопа. В последнем объект [c.394]

Электронные лучи применяются также для изучения строения кристаллов. Изучаемое вещество наносят очень тонким слоем на пленку, которую просвечивают электронными лучами. Приведенные на рис. 104, б электронограммы фольги меди и железа показывают отличие в структурах меди (решетка гранецентрированного куба) и железа (решетка объемноцентрированного куба). [c.154]

Теоретический расчет и экспериментальные данные свидетельствуют о том, что для многих атомов энергия притяжения дополнительного электрона к ядру нейтрального атома превышает энергию отталкивания этого электрона от электронных оболочек атома. Причиной этого можно считать волновой характер электронов и распределение их отрицательных зарядов по сравнительно большому объему, в результате чего положительный заряд ядра как бы просвечивает через электронные облака. Положительным может быть сродство к электрону не только у атомов, но и молекул. Например, для молекулы Ог оно составляет 22 ккал/моль. [c.248]

Связь между атомными слоями в графите осуществляется легкоподвижными электронами, которые свободно перемещаются между атомными слоями. Такая связь называется металлической, так как от нее зависят характерные свойства металлов. Это придает графиту металлический характер величины его электропроводности и теплопроводности того же порядка, что и у большинства металлов. Подвижные электроны переносят в нем заряд и передают тепловые колебания от атома к атому. Металлический цвет и блеск графита, а также малая его прозрачность обусловлены взаимодействием световых лучей с подвижными электронами. Пластинчатые кристаллы графита начинают просвечиваться при толщине 2 мк. В проходящем свете они серого цвета, показатель преломления равен 2,00 0,07. Подобно металлам, графит растворяется только в расплавленных металлах и образует амфотерные окиси, способные давать соли с кислотами и основаниями. [c.40]

Просвечивающие микроскопы, в которых исследуемый объект просвечивается пучком электронов, создающим затем на экране или фотопластинке соответствующее изображение. [c.169]

Новые перспективы открываются в связи с развитием высоковольтной электронной микроскопии, позволяющей просвечивать сравнительно толстые препараты, например биологические, без их разрушения. По мнению японских специалистов, разработавших в последнее время электронный микроскоп на 350 ке [13], наиболее интересным применением приборов такого класса является стереоскопическое изучение внутренней структуры объектов. До сих пор для этой цели применяют метод ультратонких срезов, который однако, имеет ряд серьезных недостатков, рассматриваемых далее. [c.25]

Для изучения структуры поверхности образца наилучшие результаты дает метод реплик, или слепков. Эти слепки делаются столь тонкими и из такого материала, что их можно просвечивать обычным способом в проходящих электронных лучах. Реплики можно приготовлять из органических и неорганических материалов. [c.102]

Представляет интерес задача о хемосорбционных и каталитических свойствах тонкого полупроводникового чехла, покрывающего металлический кристалл. Процессы, протекающие на поверхности такого чехла, могут быть описаны в рамках электронной теории в современном одноэлектронном ее аспекте. Однако природа металлической подкладки может просвечивать сквозь этот чехол и сказываться на его свойствах. В окончательные формулы могут войти некоторые характеристики металла (прежде всего, такая его характеристика, как работы выхода), т. е. металл, непосредственно не участвующий в процессе, может в известной мере управлять процессом. Эта задача имеет практический интерес, ибо часто процессы, которые мы считаем протекающими на металле, в действительности протекают на поверхности такого покрывающего металл полупроводникового чехла. [c.179]

Оптическое восстановление спектра по интерферограмме. Для осуществления преобразования Фурье не обязательно использовать электронно-счетную машину. Такое преобразование можно осуществить оптически, просвечивая интерферограмму монохроматическим излучением. Здесь мы имеем в виду интерферограмму, в которой зависимость интенсивности от разности хода записана в виде вариаций коэффициента пропускания. Таковы, например, только что описанные интерферограммы, полученные фотографически. [c.218]

Сущность метода заключается в том, что либо слой полимера толщиной 100—200 А просвечивается пучком электронов, играющим в электронном микроскопе ту же роль, что и луч света в обычном микроскопе, либо в электронном микроскопе просматривают слепок с поверхности полимера, так называемую .реплику . [c.23]

Тонкопленочные образцы (до 1 мкм) просвечиваются электронным лучом насквозь и прошедшие электроны регистрируются детектором, расположенным под объектом. Изображения, полз чаемые в этом режиме, иногда более информативны, чем обычные ТЭМ-изображения, т.к. свободны от хроматич. аберрации. [c.440]

Комбинационное рассеяние (раман-эффект) . Колебательное движение ядер (и вращение молекул) можно вызвать косвенным воздействием, а именно возбуждением электронов. Для этого вещество просвечивают видимым светом или ультрафиолетовым излучением, волновое число которого достаточно сильно отличается от волнового числа Vд, поглощаемого веществом излучения. Возбуждающий свет вызывает периодическое смещение электронов в молекуле и тем самым индуцирует наведенный электрический диполь. Образуется своего рода источник вторичного излучения, волновое число которогоз1 совпадает с возбуждающей частотой (релеевское рассеяние). [c.220]

В настоящее время для контроля качества сварных соединений больших толщин в стационарных условиях машиностроительных заводов предпочтение отдается линейным ускорителям [66, 801, которые по сравнению с другими ускорителями имеют значительно большую интенсивность излучения, что сокращает время экспозиции при просвечивании. Характеристики некоторых отечественных ускорителей приведены в табл. 18. Как видно из табл. 18, мощность экспозиционной дозы рентгеновского излучения для близких значений кинетических энергий электронов у линейных ускорителей в несколько десятков раз больше, чем у бетатронов. Так, если время эксплуатации при просвечивании стальных изделий будет составлять 10 мин, то линейным ускорителем можно просвечивать изделия толщиной до 550 мм, а бетатроном только до 330 мм. Внешний вид линейного ускорителя Линотрон 2000 [США] показан на рис. 79. [c.115]

Трансмиссионная микроскопия реализуется с помощью трансмиссионных (просвечивающих) электронных микроскопов (ТЭМ рис. 1), в к-рых тонкопленочный объект просвечивается пучком ускоренных электронов с энергией 50-200 кэВ. Электроны, отклоненные атомами объекта на малые 5ТЛЫ и прошедшие сквозь него с небольшими энергетич. потерями, попадают в систему магн. линз, к-рые формируют на люминесцентном экране (и на фотопленке) светлопольное изображение внутр. структуры. При этом удается достичь разрешения порядка 0,1 нм, что соответствует увеличениям до 1,5 10 раз. Рассеянные электроны задерживаются диафрагмами, от диаметра к-рых в значит. степени зависит контраст изображения. При изучении сильно-рассеивающих объектов более информативны темнопольные изображения. [c.439]

Неравновесные границы зерен в наноструктурных материалах вследствие наличия в их структуре внесенных дефектов с предельно высокой плотностью обладают избыточной энергией и дальнодействуюшими упругими напряжениями. В результате действия этих напряжений вблизи границ зерен возникают значительные искажения и дилатации кристаллической решетки, которые экспериментально обнаруживаются методами просвечиваю-шей электронной микроскопии и рентгеноструктурного анализа. В свою очередь атомные смешения в приграничных областях изменяют динамику колебаний решетки и, как результат, приводят к изменению таких фундаментальных свойств, как упругие модули, температуры Дебая и Кюри и др. [c.99]

Советский электронный микроскоп на 400 кв позволяет просвечивать сравнительно толстые препараты и получать мик-родифракционные картины с участков объекта диаметром в сотые доли микрона (в микроскопах на 100 кв диаметр области микродифракции составляет около 1[л). Совокупность этих пре- имуществ делает высоковольтную электронную микроскопию весьма перспективной в физико-химических исследованиях, что показано на примерах во второй части книги. [c.10]

Уменьшить область микроди ракции можно при помощи высоковольтной электронной микроскопии, так как с повышением ускоряющего напряжения увеличивается яркость электронного луча, а также возрастает яркость свечения флюоресцирующего экрана вследствие большей энергии электронов, и, в известных пределах, фотоэффект на пластинке. В электронном микроскопе на 400 ке, разработанном Поповым [4], диаметр селекторной диафрагмы равен нескольким микронам, что позволило впервые получать микродифракцию от участков объекта диаметром 0,05 л. Это не является пределом, так как дальнейшее уменьшение площади лимитируется пока недостаточной стабилизацией питания, а не дефицитом яркости изображения. Если учесть, что электроны высокой энергии слабо рассеиваются веществом и, следовательно, способны просвечивать сравнительно толстые и малостойкие препараты без их разрушения, то станет ясным, что приборы с повышенной скоростью электронов имеют свои специ )ические области исследования, в которых они не могут быть заменены обычными микроскопами на 50— 100 кв или какой-либо иной методикой исследования. Электронный микроскоп на 400 ке позволяет просвечивать и получать микродифракционные картины, например, от препаратов железа толщиной порядка 0,1 [а, от частиц минералов толщиной около 1 [Л, от органических и биологических объектов толщиной в несколькомикрон[4].Последнее представляет особенный интерес, так как нестойкие биологические препараты обычно быстро разрушаются под действием электронов меньших энергий [5]. Весьма эффективное применение этого микроскопа [c.22]

Большие возможности высоковольтной электронной микро скопии в исследовании структуры саж были показаны в работе Попова, Касаточкина и Лукьяновича [105]. При помощи электронного микроскопа-электронографа на 400 кв авторы изучали частицы термической сажи исходной и графитирован-ной при 3200°. Преимущество электронов с большими скоростями проявляется прежде всего в том, что если в микроскопе на 100 кв частицы размером около 0,5 не просвечиваются и можно наблюдать только их силуэты, то здесь электронный пучок пробивает частицы и они представляются полупрозрачными. Это позволило применить ьшкродифракцию и получить не только электронограммы от отдельных частиц, что является недостижимым нри помощи обычного электронного микроскопа из-за непрозрачности частиц, но и прощупать отдельные участки частиц сажи. Высокая селективность (малые размеры изучаемых участков) высоковольтной микродифракции здесь проявляется в полной мере — от одной частицы можно получить несколько десятков микроэлектронограмм. [c.231]

Таким образом, при нашем упрощенном представлении можно принять, что на внешний, легче всех отрываемый от атома электрон действует такая доля ядерного заряда, которая как бы просвечивает сквозь экран, создаваемый остальными электронами. В случае неона эта доля превышает один электронный заряд в 2,5 раза хотя заряд ядра равен 10 положительным единицам, из них не экранированы только 2,52 е+, а действие остальных 7,48е+ скомпенсировано девятиэлектронной оболочкой, отталкивающей отрываемый электрон. Тот факт, что девять электронов отталкивают десятый электрон значительно слабее, чем его притягивают 10 положительных зарядов ядра, можно представить себе в известной степени зависящим не только от разницы в общем числе положительных и отрицательных зарядов, но и от того, что ядерные заряды сосредоточены в одной точке, а электроны рассредоточены и усилия некоторых из них направлены невыгодно, как бы друг против друга, например так, как это схематично показано на рис. 4. [c.15]

Силы тяготения вообще ненасыщаемы, для них не существует непрозрачных препятствий. В противоположность этому электростатическое силовое лоле атомного ядра может быть в значительной степени экранировано слоем электронов, окружающих ядро в нейтральном атоме, но все-таки не сполна. Так, например, нейтральный атом хлора может все-таки притянуть еще один избыточный электрон и превратиться в анион С1- силы, исходящие от положительно заряженного ядра, как бы частично просвечивают сквозь слои электронов. [c.42]

Киносъемки пульсационных движений частиц в кипящем слое проводились рядом исследователей [49, 53]. Для сравнительно плотных слоев киносъемка позволяет следить лишь за движением частиц, прилегающих к прозрачной стенке. Чтобы следить за движением частиц, расположенных внутри слоя, применялась киносъемка с помощью рентгеновых лучей [139]. Меченая частица им-прегнировалась солями тория, сильно поглощающего рентгеновы лучи, которыми просвечивался кипящий слой. С помощью электронно-оптического преобразователя изображение получалось в видимой области и фотографировалось с экрана. [c.286]

Известны и другие способы дефектоскопии шин пневмоскопия—введение в каркас пневмоиглы, соединенной с линией сжатого воздуха, что дает вздутие в дефектном месте проверка с помощью электромагнитного зуммера (при этом о наличии дефекта судят по глухим тонам звучания) дефектоскопия с применением интенсивного нагрева влажной шины с помощью инфракрасных лучей, когда в дефектном месте появляется выпячивание в результате внутреннего парообразования. Интересна так называемая интроскопия—электромагнитными колебаниями— с применением электронно-оптических преобразователей, позволяющая просвечивать непрозрачные тела. [c.125]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология