Просвечивающая электронная

Определение типа и концентрации дефектов кристаллической решетки, выходящих на поверхность кристаллов, производится главным образом методом электронной микроскопии. Для выявления дефектов применяется химическое или ионное травление свежих сколов кристаллов, позволяющее охарактеризовать своеобразные структуры минералов, однако интерпретация полученных результатов чрезвычайно затруднена из-за неопределенной кристаллографической ориентации граней кристалла. Кроме того, возникают трудности, связанные с получением качественных реплик с поверхности пористых образцов. Несомненно, что исследование минералов при использовании просвечивающих электронных микроскопов позволило бы получить больший объем информации о дефектности структуры минералов, если бы было возможно без особых затруднений приготавливать для анализа образцы требуемой толщины. Рельеф поверхности скола не дает прямой информации о направлении и величине вектора Бюргерса наблюдаемых дислокаций, что затрудняет идентификацию отдельных видов этих дефектов, однако электронно-микроскопическая картина поверхно- [c.236]

Наиболее распространены просвечивающие электронные микроскопы. В них исследуемый объект просвечивают пучком электронов, создающим соответствующее изображение на экране или фотопластинке (рис. 24.3). У этих микроскопов наибольшая разрешающая способность, и с их помощью можно исследовать самые разнообразные объекты. Несмотря на внешнее сходство оптических схем, принцип получения изображения электронного микроскопа отличается от светового микроскопа. В последнем объект [c.394]

Просвечивающий электронный микроскоп состоит из следую щих основных узлов (см. рис. 27.1) [c.101]

Рис. 27.1. Схема образования изображения в оптическом, просвечивающем электронном и сканирующем электронном микроскопах [О 66].

Наиболее широкое распространение получила просвечивающая электронная микроскопия. Пучок электронов, попадая на образец, частично поглощается им в зависимости от природы, плотности и толщины исследуемого образца, а затем полученное электронное изображение проходит две ступени увеличения и попадает на флюоресцирующий экран либо регистрируется на фотопластинке. [c.251]

Впервые проведено комплексное исследование ГЦК углерода методами Оже-спектроскопии, электронной дифракции, просвечивающей электронной микроскопии с атомным разрещением, КР-спектроскопии, ИК Фурье-спектроскопии, Фурье-синтез кристаллического потенциала, свидетельствующие о том, что эта фаза - новая фаза углерода. Химический анализ показал, что ГЦК-фаза является чисто углеродной. Рассчитанное по данным электронной дифракции распределение кристаллического потенциала внутри элементарной ячейки кристалла показало, что атомы углерода находятся только в позиции ГЦК. [c.178]

ДЛЯ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ [c.103]

Все методы исследования с помощью просвечивающего электронного микроскопа разделяют на прямые и косвенные. При прямых методах в микроскопе исследуют непосредственно объект в виде очень тонкой пленки (среза) или мельчайших частиц (определение формы и размера частиц высокодисперсных систем, изучение структуры биологических объектов, полимеров, металлов и т. п.). При косвенных методах в микроскопе рассматривают не сам объект, а отпечаток этого объекта. Отпечаток иначе называют слепком или репликой. Метод реплик применяют для исследования рельефа различных поверхностей, а также таких объектов, как кристаллы льда или гели, которые невозможно исследовать непосредственно в микроскопе. Существенным недостатком электронной микроскопии является невозможность наблюдения образца в динамических условиях, т. е. в движении, так как препарат должен быть высушен или заменен репликой. [c.395]

Электронно-микроскопический анализ. Этот метод дает представление о строении кристаллических областей в асфальтенах и дает наглядную картину об их надмолекулярной организации. Исследования выполняются в просвечивающих и сканирующих (растровых)- электронных микроскопах [329, 330]. Просвечивающие электронные микроскопы позволяют одновременно получать как электронно-микроскопический снимок, так и электронограмму в области больших и малых углов. Разрешающая способность их составляет 15—2 нм, а для сканирующих микроскопов 3—5 нм. Пучок электронов вызывает значительный разогрев и даже плавление образцов, поэтому просвечивающая электронная микроскопия применяется для объектов, имеющих незначительную толщину,— несколько десятков нанометров. Для этого образцы специальным образом готовят получают либо тонкие пленки, либо с помощью ультрамикротомов готовят срезы толщиной 10—20 нм. Из косвенных методов для исследования структуры асфальтенов получил распространение метод реплик. Для исследования используют мелкодисперсные порошки асфальтенов [325] или растворы в бензоле [319]. В первом случае асфальтены помещают на угольную (аморфную) подложку на медной сетке. С целью определения фоновых микропримесей проводят контрольные съемки пустой подложки. Во втором случае бензольные 0,1 % растворы асфальтенов диспергируют на поверхность полированного стекла с частотой излучателя 35 кГц. Далее стекло.с пленкой асфальтенов помещают в вакуумный пост и растворитель откачивают в течение 20 мин. Для контроля сходимости результатов с поверхности пленки асфальтенов получают реплику двумя способами. Одноступенчатая реплика образовывается напылением угольной пленки, а двухступенчатая — чистого алюминия толщиной не менее 0,2 мм. Затем асфальтеновую пленку растворяют в бензоле и отдельную угольную реплику оттеняют платиной. Во втором случае на обратную сторону отдельной алюминиевой фольги напыляют платиноугольную реплику толщиной 20—30 нм, а алюминиевую фольгу затем растворяют в азотной кислоте [331]. [c.158]

Структура плёнок исследовалась методом рентгенографии, электронографии, просвечивающей электронной микроскопии, атомно-силовой микроскопии. [c.209]

При изучении разнообразных коллоидно-химических объектов широко используют методы сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии. Отметим перспективную методику приготовления реплик быстро замороженных образцов золей, позволяющую фиксировать во вра ени изучаемую картину. В исследованиях строения поверхности эффективно применяют такие современные физические методы, как Оже-спектроскопию, дифракцию медленных электронов, масс-спектрометрию вторичных ионов и др. [c.208]

Разрешающая способность, естественно, является важнейшей характеристикой электронного микроскопа и зависит главным образом от его конструкции. В зависимости от разрешающей способности микроскопы делят на три класса. Микроскопы, дающие разрешение выше 5 А, относят к приборам I класса микроскопы, дающие разрешение в пределах 8—10 А, причисляют к приборам II класса электронные микроскопы с разрешением ниже 15—20 А относят к приборам III класса. В табл. VI.1 приведены основные характеристики некоторых современных отечественных и зарубежных просвечивающих электронных микроскопов. [c.170]

Все методы исследования с помощью просвечивающего электронного микроскопа можно разделить на две большие группы прямые и косвенные. [c.174]

ПРОСВЕЧИВАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ [c.101]

Принцип метода реплик заключается в передаче топографии поверхности твердого тела на тонкую пленку, которую уже можно наблюдать в просвечивающем электронном микроскопе. Существует множество различных вариантов получения реплик, но, как правило, все они сводятся к одному из следующих двух типов (рис. 27.12) [c.106]

Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) в принципе сходна с оптической микроскопией, но вместо светового пучка используется пучок электронов, а обычные стеклянные линзы заменяют электростатические и/или электромагнитные поля. [c.101]

Образцы полимеров, имеющие значительную толщину, нельзя непосредственно наблюдать в просвечивающем электронном микроскопе, для изучения их используется метод реплик. [c.106]

ПРИМЕНЕНИЕ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ В ИССЛЕДОВАНИИ ПОЛИМЕРОВ [c.109]

Электронно - микроскопическими исследованиями было установлено, что для всех образцов характерен -один основной структурный элемент - углеродные глобулы размером 10 нм, внутри когоры.ч методами просвечивающей электронной микроскопии и малоуглового рентгеновского рассеяния было установлено наличие пустот. Также была установлена схож есть искажения графитоподобных слоев шунгитового углерода (ШУ) и фуллеренов. Основываясь на этих данных,авторы предложили фуллереноподобиую структуру ШУ. Для доказательства и обоснования предложенной структуры использовали методику последовательной экстракции фуллеренов С-60 и С-70 этанолом и гексаном.. Анализ экстракта показал присутствие фуллеренов С-60 и С-70 в количестве 0.0001 %. На основании этого была предложена фуллеренная модель щунгитового углерода [28]. [c.24]

Просвечивающую электронную микроскопию применяют для изучения внутренней микроморфологии, полимерных кристаллических решеток, полимерных сеток, распределения пор по размерам, молекулярновесового распределения (разд. 27.6). [c.109]

В большинстве случаев исследования дифракции полимеров проводят с использованием просвечивающих электронных микроскопов (разд. 27.2). Современные конструкции электронных микроскопов позволяют переходить от изображения к дифракции путем простой коммутации линз. Интерференционная картина, получающаяся в фокусной плоскости объектива, увеличивается и проектируется на экране (рис. 29.1). [c.135]

Неполное заполнение внедряемым веществом межслоевых объемов оценивается количественно как фактор заполнения [6-10]. Он определяется методами темнопольной просвечивающей электронной микроскопии (по размерам блоков муаров) или рентгеноструктурного анализа. Расчетная плотность заполненного внедренного вешества на единицу площади поверхности углеродного слоя и расчетная плотность атомов углерода на единицу площади слоя позволяет получить стехиометрическую формулу соединения СупМС1з <, где у — расчетное отношение атомов углерода к числу ионов металла для одного слоя, п — ступень внедрения, — избыточное количество атомов хлора. [c.286]

Полученньга в результате экспериментов углеродный осадок исследовался на просвечивающем электронном микроскопе, методами ИК-, рамановской и оже-спектроскопии, рентгеноструктурным анализом. [c.57]

Морфология и атомная структура изучались методом просвечивающей электронной микроскопии (JEM-100 ), электронная структура - методом электронной спектроскопии (RIBER), химический состав - методами рентгеновской и Оже спектроскопии, тип связи определялся из ИК-спектров. [c.83]

Эльмископ 1202 (ФРГ), Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,2 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам работает при ускоряющем напряжении до 100 кВ, имеет увеличение от 200 до SOOOQx. Приставки к микроскопу для просвечивающей растровой микроскопии, стереустройство, устройство для нагревания, охлаждения и растяжения объекта и др. [c.148]

В качестве наполнителей использовали - Со + W Ni + Fe Со + Ni Со + Ti Mg -I- Со Ti + Zr Со + Zr Zr + Ni Zr + u Zr + Fe Zr ч- Ti + Mn Al + P3M + Fe Hf + Fe. УНТ получали в дуге с током 100-150А напряжением 25В в среде гелия. Осадок, полученный на катоде в виде грибов (депозит), диспергировался ультразвуком в среде ацетона, бензола или толуола, рассеивался на сетку для наблюдения в просвечивающем электронном микроскопе. [c.213]

Макро- и микроструктура коксов оценивается с помощью световой микроскопии в основном в поляризованном свете, а также сканирующей и просвечивающей электронной микросконии. [c.55]

Как показывают результаты исследования в просвечивающем электронном микроскопе, наблюдаемая у исходной мезофазы компланарность при коалесценции нарушается и (Образуется порядок, соответствующий нематической жидкокристаллической фазе [2-57]. Мезофаза образуется после удаления из пека карбоксильных, карбонильных, фенольных и лактоновых групп и несколько ранее окончания удаления алифатических СН-групп. Эти процессы сопровождаются ростом концентрации ароматических СН-групп. Как отмечалось выше, степень ароматичности, молекулярная масса и отношение Н/С не однозначно определяют условия образования мезофазы. [c.87]

Данные получены как среднеарифметическое из 300 измерений методом фазовоконтрастной электронной микроскопии с прямым разрешением индивидуальных углеродных слоев (002) на просвечивающем электронном микроскопе ЛБМ-ЮОСХ. [c.199]

Структура и свойства фторированных саж. По данным просвечивающей электронной микроскопии [6-173], цепочечные агрегаты сажи сохраняются при высшем содержании фтора (х = 1,2). Фторирование устраняет отдельные центры сажеобразования. Удельное электрическое сопротивление после фторирования увеличивается при х > 0,3 в (СГх)п- Электрическая проводимость сажи не зависит от давления, в то время как у слабо фторированного порошка (СГо,о7)п наблюдается сильная линейная зависимость электросопротивления от давления, что позволяет эту сажу эффективно применять в качестве тензоре-зисторов. [c.397]

И-500 (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам имеет увсличе 1ие от 100 до 800 000 раз, работает при ускоряющем напряжении до 125 кВ. У микроскопа имеются приставки для охлаждения и нагревания до 800°С. Вместе с приставкой HSE-2 микроскоп мокнет работать и как сканирующий, при этом достигается разрешение в режиме растрового просвечивания 3 нм и режиме вторичной электронной эмиссии 7 нм. При использовании микроскопа совместно с многими рентгеновскими спектрометрами можно проводить микроанализ. [c.147]

JEM-IOO (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам работает при ускоряющем напряжении до 100 кВ. Дает возможность получать микродифракцию с участка размером до 20 нм. Вместе с приставкой ASID-4D может работать и как сканирующий, при этом достигается более высокое разрешение, чем у предыдущего микроскопа в растрово-просвечивающем режиме 0,15 нм и в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм. [c.147]

ЕМ-301 (Голландия). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,3 им по точкам и 0,8 нм при работе с гонио- [c.147]

Трансмиссионная микроскопия реализуется с помощью трансмиссионных (просвечивающих) электронных микроскопов (ТЭМ рис. 1), в к-рых тонкопленочный объект просвечивается пучком ускоренных электронов с энергией 50-200 кэВ. Электроны, отклоненные атомами объекта на малые 5ТЛЫ и прошедшие сквозь него с небольшими энергетич. потерями, попадают в систему магн. линз, к-рые формируют на люминесцентном экране (и на фотопленке) светлопольное изображение внутр. структуры. При этом удается достичь разрешения порядка 0,1 нм, что соответствует увеличениям до 1,5 10 раз. Рассеянные электроны задерживаются диафрагмами, от диаметра к-рых в значит. степени зависит контраст изображения. При изучении сильно-рассеивающих объектов более информативны темнопольные изображения. [c.439]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология