Коэффициент вторичной электронной

Таблица ЗА. Коэффициенты вторичной электронной эмиссии [47]

Рис. 24.28. — Рис. 24.69. Зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии а и коэффициента неупругого отражения электронов т) от энергии первичных электронов Ер для простых веществ [7].

Рис. 3.31. Изменение коэффициента вторичной электронной эмиссии б от угла наклона образца 0, подчиняющееся закону секанса (а). К происхождению зависимости по закону секанса (б).

Рис. 24.74. Зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии а серебряно-кислородно-цезиевого эмиттера от энергии первичных электронов Ер [5].

Один метод локализации со специфической физиологической активностью был позаимствован нз ПЭМ. Этот метод меток поверхности клетки, который, будучи применен к образцам для РЭМ, приводит к образованию на поверхности клетки морфологически различаемых или аналитически идентифицируемых структур. Такие методики в сочетании с растровой электронной микроскопией высокого разрешения позволяют изучать природу, распределение и динамические свойства антигенных и рецепторных состояний на поверхности клеткн. Методы нанесения меток на поверхность клетки в общем случае достаточно сложны и включают процедуры иммунохимической и биохимической очистки. Подробные ссылки на них можно найти в работах [359—361], но сущность методик состоит в следующем. Для крепления антител в определенных антигенных состояниях на поверхности клетки используются стандартные иммунологические процедуры. Хитрость состоит в том, чтобы модифицировать антитела таким образом, чтобы они также несли морфологически различимую метку, такую, как латексные шарики или сферы из двуокиси кремния, распознаваемый вирус, как, например, вирус табачной мозаики, или один из Т-четных фагов, как показано на рис. 11.18, илн белковая молекула известных размеров, как ферритин или гемоцианин. В работе [362] (рис. 11.19) использовались гранулы золота, которые имеют большой коэффициент вторичной электронной эмиссии. Одна часть антитела имеет средство для специфичного антигенного закрепления на поверхности клетки, в то время как другая часть несет морфологически различимые структуры. В настоящее время иммунологические методы достигли такого уровня, когда они не могут быть использованы для изучения как качественных, так и количественных характеристик поверхности клетки [363, 364]. [c.244]

Глубина выхода вторичных электронов представляет лишь малую долю длины пробега первичного пучка (для металлов лишь 1%). Вторичные электроны зарождаются внутри всей области взаимодействия электронов пучка в образце, но только те из них, которые образуются на расстоянии от поверхности, равном средней глубине выхода, несут информацию, которая может быть зафиксирована оператором электронного микроскопа. Регистрируемые вторичные электроны могут быть образованы падающими электронами пучка при их входе в образец и отраженными электронами при их вылете (рис. 3.28). В эксперименте можно различать относительные вклады этих двух процессов, измеряя коэффициенты вторичной электронной эмис- [c.60]

З.5.1.З.1. Состав образца. По сравнению с поведением отраженных электронов, для которых коэффициент отражения монотонно возрастает с атомным номером, коэффициент вторичной электронной эмиссии относительно нечувствителен к составу и не обнаруживает сильной зависимости от атомного номера (рис. 3.29) [45]. Типичное значение б равно примерно 0,1 при энергии падающего пучка 20 кэВ, но для некоторых элементов, таких, как золото, имеет более высокие значения и равен приблизительно 0,2. Слабая периодическая зависимость, наблюдаемая на рис. 3.29, в некоторой мере коррелирует с числом электронов на внещних оболочках, радиусом атома и плотностью. [c.63]

Энергия пучка. Поведение б в зависимости от энергии схематически показано на рис. 3.30. Проходя через нуль при нулевой энергии пучка, коэффициент вторичной электронной эмиссии возрастает при. увеличении энергии, достигая единицы при ускоряющем напряжении примерно в 1 кВ. Максимум, слегка превышающий единицу для металлов и лежащий выше 5 для неметаллов, наблюдается в интервале энергий 1—2 кэВ [46]. При дальнейшем увеличении энергии пучка б уменьшается и снова проходит через единицу в интервале энергий 2— 3 кэВ и продолжает уменьшаться до величины 0,1 для неметаллов при возрастании энергии пучка до энергии 20 кэВ. Данные работы [47] показывают, что влияние энергии пучка меняется при изменении атомного номера мишени (табл. 3.4). [c.64]

Рис. 24.70. Зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии а от энергии первичных электронов Ер для эмиттеров [Ni] - N10 - Ва (/) и [Мо]-МоОз-Ва(2) [5].

Коэффициент вторичной эмиссии не сильно зависит от атомного номера для энергий пучка свыше 10 кэВ. Однако ниже 5 кэВ возрастание коэффициента вторичной электронной эмиссии может сильно влиять на наблюдаемый контраст от атомного номера. Отсутствие надежных данных о коэффициентах вторичной электронной эмиссии, в особенности при низкой энергии пучка, делает затруднительной интерпретацию контраста от атомного номера в этом диапазоне энергии. [c.139]

Рис. 24.71. Зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии а от энергии первичных электронов для эмиттеров

Выбор энергии пучка, используемого для облучения образца, может также иметь большое влияние на вид изображения, в особенности если в состав сигнала изображения входит сигнал вторичных электронов. Энергия пучка может влиять на изображение через посредство 1) глубины проникновения электронов щучка,, которая влияет на глубину выхода отраженных электронов 2) изменений в коэффициенте вторично-электронной эмиссии, в частности при энергии пучка менее 5 кэВ, и [c.187]

Рис. 24,73 Зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии о от толщины ЗЬ-Сз-эмиттера I при различных энергиях первичных электронов Ер [5].

Рис. 10.3. Зависимость полною коэффициента вторичной электронной эмиссии (отраженные и вторичные электроны) от энергии первичных электронов Еа-

Одно из главных достоинств метода заключается в том, что он обеспечивает сплошной слой покрытия даже на тех частях образца, которые не находятся на линии прямой видимости от мишени. На рис. 10.11 сравниваются главные способы нанесения покрытий. Сплошной слой получается, поскольку распыление происходит при сравнительно низком вакууме. В этом случае атомы мишени испытывают множественные соударения и двигаются во всех направлениях по мере того, как достигают поверхности образца. При этом структуры с глубоким рельефом или с явно выраженной сетчатостью поверхности покрываются адекватно. Такая способность атомов мишени заворачивать за угол особенно важна при нанесении покрытий на непроводящие биологические материалы, пористые керамические образцы и волокна. Полное покрытие достигается без вращения или наклона образца и при использовании лишь одного источника напыляемого материала. При условии, что ускоряющее напряжение имеет достаточно высокое значение, можно распылить слой ряда непроводящих материалов, например щелочногалоидных соединений, и окислов редкоземельных металлов, имеющих высокие коэффициенты вторичной электронной эмиссии. Подобным образом можно распылять вещества, которые диссоциируют при испарении. Контроль толщины пленки сравнительно прост, и можно проводить распыление мишеней большой площади, которые содержат достаточное количество материала для многих серий осаждения. Не возникает трудностей с большими скоплениями материала, оседающего на образце, и образцы можно с большим удобством покрывать сверху. Поверхность образца можно легко очистить перед нанесением по- [c.204]

Электризация частично проникающими электронными или ионными пучками проводится в вакууме, причем энергия электронов выбирается таким образом, чтобы, с одной стороны, длина пробега электронов в полимере была значительно меньше толщины иленки, а с другой стороны, чтобы коэффициент вторичной электронной эмиссии был меньше единицы, ибо только в этом случае заряжаемая поверхность приобретает устойчивый заряд отрицательного знака. Кинетика зарядки полимерных пленок электронным пучком в вакууме также свидетельствует об экспоненциальном возрастании 1/з с течением времени зарядки, причем время релаксации т определяется силой тока электронного пучка. [c.192]

Коэффициент вторичной электронной эмиссии — [c.71]

Коэффициенты вторичной электронной эмиссии и неупругого отражения электронов [c.457]

Для решения ряда специальных задач служат разнообразные, но менее распространенные типы электронных микроскопов. Отражательный микроскоп имеет повышенную чувствительность контраста изображения к тонким деталям микро-рельефа при этом исключается контраст по напряжению, что позволяет разделить эти эффекты. Теневая микроскопия применяется для исследования деталей топографии поверхности с разрешением до нескольких десятков нанометров. Эмиссионный микроскоп дает возможность исследовать поверхность твердого тела в щироком интервале температур при этом извлекаются данные о коэффициентах вторичной электронной и ионно-электронной эмиссий. С помощью эмиссионной микроскопии изучают изменение характеристик вещества при фазовых переходах, кинетику твердофазных реакций и другие процессы. [c.229]

Коэффициент усиления. Коэффициент усиления одного каскада ФЭУ определяется коэффициентом вторичной электронной эмиссии а и тем, какая часть а эмиттированных электронов достигает следующего эмиттера. Для современных ФЭУ а = 0,7 -f-0,9. Коэффициент усиления на один каскад составляет ао. Если ФЭУ содержит п эмиттеров и коэффициент усиления для всех одинаков, то общее усиление [c.320]

Изменение некоторых физических свойств переходных металлов в за-висимости от числа электронов в й-подоболочке, а также коэффициента вторичной электронной эмиссии в зависимости от атомного номера иллюстрируется рис. 8. [c.17]

При плавлении электрическое сопротивление калия возрастает в 1,45 раза. Температурный коэффициент электрического сопротивления калия при 273 К а=5,81 10- К . С увеличением давления удельное электрическое сопротивление твердого калия значительно уменьшается. При 298 К и давлении 1177 МПа удельное электрическое сопротивление калия составляет 27,5 % от того значения, которое наблюдается при 0,098 МПа. В термопаре калий — платина при температуре горячего спая 173,16К развивается т э д. с. = + 0,780 мВ, а при температуре горячего спая 373,16 =—0,83 мВ. Абсолютный коэффициент т. э. д. с. е=—15,6 мкВ/К. Максимальное значение коэффициента вторичной электронной эмиссии атах = 0,75 и соответствует ускоряющему напряжению первичных электронов Ер=0,2 кэВ. Постоянная Холла калня при комнатной температуре равна —4,2-10" м /Кл. Магнитная восприимчивость калия х=+0,53-10- при 293 К. [c.44]

Максимальное значение коэффициента вторичной электронной эмиссии золота атах=1,46 И соответствует ускоряющему напряжению первичных электронов Ер, равному 0,75 кэВ. Постоянная Холла золота высокой чистоты при комнатной температуре =(—0,69 0,0009) X ХЮ- > мз/Кл, при 800 К (—0,74 + 0,0074)-Ю- о м /Кл. [c.80]

Температурный коэффициент электросопротивления при 273—373 К а = 3,6 10 К . Абсолютный коэффициент т. э. д. с. при 298 К е= =—3,3 мкВ/К, при 7 с = 0,03 К бериллий обладает сверхпроводимостью. Наибольший коэффициент вторичной электронной эмиссии атах=0,53 [c.88]

Коэффициент умножения электронов — отношение числа электронов, вьшетевших с фотокатода, к числу электронов на выходе ФЭУ. Этот коэффициент равен произведению коэффициента вторичной электронной эмиссии на число динодов. [c.71]

Коэффициент вторичной электронной эмиссии Отах=0,95 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,300 кэВ. Постоянная Холла при комнатной температуре / = 0,9-10- м Кл. Ширина запрещенной зоны при 200 С для монокристалла Д =0,69 эВ. Металлический магний обладает парамагнитными свойствами магнитная восприимчивость Х= 4-0,5-10-3. [c.98]

Наибольшее значение коэффициента вторичной электронной эмиссии [c.111]

Рис. 19.5. Схематическая зависимость. коэффициента вторичной электронной эмиссия на прострел 2. от энергии первичных электрочов

Электрические и магнитные. Удельное электрическое сопротивление бария при 78 К р=0,16 мкОм-м, при 298 К р=0,60 мкОм-м. Удельная электрическая проводимость при 78 К а=6,25 МСм/м, при 298 К а= = 1,67 МСм/м. Температурный коэффициент электрического сопротивления при 298 К 0 = 3,6-10-3 К . Изменение удельного электросопротивления при плавлении рпл/ртв= 1,62. Температура перехода в сверхпроводящее состояние Гс=1,ЗК при давлении 5 ГПа, 3,05 К при давлении 8,5—8.8 ГПа и 5,2 К при давлении 14 ГПа. Максимальное значение коэффициента вторичной электронной эмиссии бария атах=0,83 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,400 кэВ. Магнитная восприимчивость бария при 293 К Х= -1-0,15-10 . [c.117]

Максимальный коэффициент вторичной электронной эмиссии ртути Отах=1,6 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,3— 0,5 кэВ. [c.142]

Коэффициент вторичной электронной эмиссии ата =1,0 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,3 кэВ. [c.160]

К полюсному наконечнику, как показано на рис. 4.19, в. Вторичные электроны, испускаемые этой мишенью, собираются стандартным детектором Эверхарта — Торнли, на который подано положительное напряжение смещения. Для того чтобы исключить вторичные электроны, создаваемые непосредственно на образце, над ним помещается сетка, на которую подается напряжение смещения. Так как коэффициент вторичной электронной эмиссии возрастает при уменьшении энергии падающих электронов, сигнал от детектора с преобразованием меняется при изменении энергии противоположным образом по сравнению с сигналом со сцинтиллятора, непосредственно бомбардирующегося отраженными электронами. [c.129]

В общем случае коэффициент вторичной электронной эмиссии ие сильно изменяется с атомным номером по измерениям на чистых элементах, так что контраст, обусловленный составом (контраст от состава), обычно не наблюдается в этом режиме. Имеются литературные данные [92, 93], в которых описываются представляющие интерес исключения, когда в режиме вторичной электронной эмиссии наблюдался сильный контраст от состава объекта. Пример такого контраста представлен на рис. 4.28 [93]. На изображении карбида кремния, полученного на связке, во вторичных и отраженных электронах наблюдается сильный контраст между внутренними и внешними областями зерна карбида кремния. На изображении, полученном в отраженных электронах, контраст между этими областями не наблюдается, наблюдается лишь обычный контраст от атомного номера между зернами 51С и межгранулярным кремнием. В работе [93] предполагается, что. контраст в режиме вторичных электронов возникает за счет различия в коэффициенте вторичной электронной эмиссии из-за разного содержания примеси. Так как карбид кремния является полупроводником, то наличие малых концентраций (следов) примесей может изменять акцепторные уровни в электронной зонной структуре, которая определяет вторичную электронную эмиссию. Общее изменение химического состава из-за наличия таких примесей настолько мало, что разность в среднем атомном номере недостаточна для того, чтобы создать заметный контраст от атомного номера на изображении в отраженных электронах. [c.141]

Полный коэффициент вторичной электронной эмиссии изменяется в зависимости от угла наклона поверхности, приблизительно как б = бо5ес0. Таким образом, на наклонных поверх- [c.143]

Тон юий слой металла, который обычно используется для соз-дамия электрической и термической проводимости у изоляторов, является также источником общей массы вторичных электронов. Слой металла, например золота толщиной 10 нм, конечно, повышал бы коэффициент вторичной электронной эмиссии б для органического о р>азца., исследуемого при низком ускоряющем напряжении, НО мог бы сильно снижать б для керамики, содержащей значительное количество оюислов щелочноземельных элементов. [c.181]

Вторичная э.11ектронная эмиссия. . Коэффициенты вторичной электронной эмиссии и неупругого отражения электронов. . . Эффективные эмиттеры вторичных электронов. ............ [c.5]

Литий пара Магнитен, соединения его диамагнитны. Наибольшее зна. ченис коэффициента вторичной электронной эмиссии Отах=0,5 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,085 кэВ. [c.32]

В термопаре цезий — платина при температуре горячего спая 373,16 К развивается т. э. д. с. =1,5 мВ. Абсолютный коэффициент т. э. д. с. е=+0,2 мкВ/К. Максимальное значение коэффициента вторичной электронной эмиссии цезия Отах равно 0,72 при ускоряющем наЦряжеиии первичных электронов 0,4 кэВ. [c.56]

Наибольшее значение коэффициента вторичной электронной эмиссии Отях=1,14, при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,60 кэВ. [c.64]

Серебро — диамагнитный металл. Его удельная магнитная восприим-ивость отрицательна и составляет при комнатной температуре х = = —0,181-10 . С изменением температуры магнитная восприимчивость практически не изменяется. В жидком состоянии магнитная восприимчивость серебра ничтожно мала при холодной обработке давлением снижается. Работа выхода электронов ср = 4,3 эВ Коэффициент вторичной электронной эмиссии Сттах=1,5 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,800 кэВ [c.74]

Максимальное значение коэффициента вторичной электронной эмиссии ашах=1,41 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,700 кэВ. Постоянная Холла при комнатной температуре / =-<-0,9Х ХЮ м /Кл, при 693—923 К / =—0,52 0,02-10- ° м /Кл. Магнитная восприимчивость при 293 К /=—0,175-10 , для жидкого цинка /= =—0,12-10- . [c.124]

Температурный коэффициент электрического сопротивления твердого галлия в интервале 273—295 К а=3,96-10-з К . Коэффициент вторичной электронной эмиссии 0max=I,O8 при ускоряющем напряжении первичных электронов 0,500 кэВ. [c.171]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология