Эмиссия ионов электронно-ионная ЭИЭ

В разделе 5.4 указывалось на важность сочетания разных методов исследования поверхностных соединений. Количественное определение углерода и других элементов в модифицирующих поверхность соединениях производится элементным анализом, а ИК спектры помогают установить, какие именно группы и в каком количестве содержатся в поверхностном соединении. Содержание элементов в поверхностных соединениях можно определить с помощью зондирующего воздействия различных пучков на поверхность твердого тела, служащего рассеивающей мишенью для такого воздействия. Для зондирования используются направленные пучки фотонов, электронов, ионов илц атомов, вызывающие эмиссию вторичных частиц (также фотонов, электронов, ионов или атомов), лзучение которой и позволяет судить о свойствах мишени. Помимо элементного анализа, с помощью зондирующего воздействия на поверхность в благоприятных случаях можно получить сведения о структуре поверхности и адсорбции на ней. В табл. 5.4 представлены некоторые из этих методов. Перечисленные в таблице методы. анализа поверхности, за исключением рентгеновской эмиссионной спектроскопии, позволяют исследовать поверхностные слои на глубину менее 10 нм. В этих методах зондирование поверхности и ана--лиз рассеиваемых или эмиттируемых частиц проводится в очень высоком вакууме. Для дополнительной очистки поверхность часто подвергается предварительной бомбардировке частицами высокой энергии, обычно аргонной бомбардировке. С этим связаны ограничения в применении некоторых из этих методов для исследования поверхности недостаточно стойких адсорбентов. Преимуществом этих методов является возможность локального исследования не- [c.109]

У самостоятельных дуг эта эмиссия поддерживается тепловыделением самой дуги, у несамостоятельных — специальным его нагревом. Проводимость газового канала самостоятельных (термических) дуг обусловливается термической ионизацией газа, причем температуры электронов, ионов и нейтральных частиц в канале приблизительно одинаковы. Разряды низкого давления с подогреваемым активированным катодом (несамостоятельные дуги) могут, как и в случае тлеющего разряда, иметь температуру электронов, много большую ионной температуры (рис. 23.12—23.15). [c.433]

Потребности производства вызвали разработку и внедрение новых методов исследования качественного и количественного анализа поверхностных слоев. Развитие получили методы, основанные на зондирующем воздействии на образец пучками фотонов, электронов, ионов, нейтральных частиц, электрического и магнитного полей и др. Все они (кроме магнитного поля) вызывают эмиссию вторичных частиц электроиов, ионов, фотонов или нейтральных атомов, передающих информацию о поверхности соответствующему детектору. Очевидно, что анализы проводятся в вакууме, и поэтому указанные методы применимы только для анализа твердых поверхностей. Большинство иа этих методов имеет разрешение по глубине не более 10 нм. [c.246]

Один из механизмов связан с различной скоростью перехода разноименно заряженных частиц.из одной фазы в другую. Простейший случай образования двойного электрического слоя по такому механизму — испускание электронов поверхностью нагретых металлов (электронная эмиссия). В этом случае сам металл в сколько-нибудь значительном количестве не испаряется, эмиссия же электронов происходит легко, и поверхность металла заряжается положительно. Между поверхностью металла и окружающим ее внешним пространством возникает разность потенциалов. По достижении равновесного состояния распределение частиц в обеих фазах неравномерное положительно заряженный металл притягивает электроны из внешней среды, а они отталкивают электроны металла от его поверхности внутрь. В результате в поверхностном слое металла образуется избыток положительно заряженных ионов, а на поверхности внешнего пространства— избыток электронов. Такое распределение разноименно заряженных частиц и создает двойной электрический слой. [c.165]

Электронная температура разряда 8000—10 ООО К, т. е. существенно выше, чем в дуге или пламени. Концентрация свободных электронов 10 —10 см . Продолжительность пребывания частичек аэрозоля в наиболее горячей зоне составляет примерно 10-2 с, что обеспечивает их полное испарение, эффективную атомизацию и возбуждение. Максимальная эмиссия атомов и ионов наблюдается на расстоянии 14—18 мм выше края горелки. Фоновое излучение в этом участке плазмы мало. Слабы также эффекты самопоглощения и самообращения линий. Плазма характеризуется высокой пространственной и временной стабильностью. [c.65]

Тлеющий разряд возникает при малых давлениях газа (единицы и десятые доли кПа) и значительных сопротивлениях во внешней цепи. Тлеющий разряд представляет собой совокупность нескольких значительно отличающихся светящихся и темных участков в газовом промежутке (рис. 111.59). Наибольшее падение напряжения наблюдается в зоне 2 (катодном темном пространстве), где имеет место увеличение кинетической энергии электронов за счет электрического поля. Электроны вылетают из катода в результате ударов положительных ионов и быстрых атомов о материал катода (вторичная ионно-электронная эмиссия). Движущиеся к аноду электроны, соударяясь с молекулами и атомами, возбуждают и ионизируют их. Переход из возбужденных состояний в нормальное сопровождается свечением. Тлеющий разряд используется в газосветных лампах, наполненных аргоном, неоном с добавками паров ртути. [c.251]

Ионный ток возникает в детекторе под действием какого-либо источника ионизации (радиоактивного изотопа, пламени, разряда, фотоионизации, электронной и ионной эмиссии) и электрического поля (разности потенциалов) между электродами детектора. В любой момент времени в детекторе достигается равновесие, характеризующееся тем, что скорость образования заряженных частиц (ионов, электронов) равна сумме скоростей рекомбинации и сбора заряженных частиц на электродах детектора. Скорость сбора определяет ток детектора. В ионизационных детекторах создаются такие условия, при которых либо плотность (концентрация) заряженных частиц, либо скорость переноса их в электрическом поле зависит от состава газа. [c.49]

Следующий метод, применяемый для исследования поверхностных явлений,— это метод вторичной ионно-ионной эмиссии. При бомбардировке поверхности твердого тела первичным пучком положительно заряженных ионов (обычно ионами инертного газа, например, Аг+) происходит эмиссия с поверхности вторичных положительных и отрицательных ионов — вторичная ионно-ионная эмиссия, а также нейтральных и некоторых других частиц [3, 8—11]. Прямое масс-спектрометрическое изучение вторичных ионов, а в ряде случаев дополнительное изучение вторичных нейтральных частиц (с ионизацией их электронным ударом) дает ценную информацию о поверхности твердого тела. [c.49]

Бомбардировку вторичными частицами высокой энергии можно устранить, вводя сетку с отрицательным потенциалом относительно экрана. Как подтверждают опыты, это подавляет эмиссию вторичных электронов. Однако, несмотря на это, слой водорода при возникновении изображения Не" удаляется. Образования электронов при столкновениях ион—атом также можно избежать, если работать при низких давлениях Не. (<10 мм рт. ст.) без изменения нестабильности адсорбированного водорода. [c.241]

Основной материал по электронной эмиссии изложен в гл. 24. Ниже приводятся сведения о ионно-электронной эмиссии и поверхностной ионизации. [c.427]

Ионно-электронная эмиссия. Ион, падающий на поверхность электрода, выбивает из нее электроны, имеющие энергию не более 10—30 эе (рис. 23.1 и 23.2). [c.427]

Электронная эмиссия — испускание электронов телами под влиянием внешних воздействий нагревания, потока фотонов, электронов, ионов или сильного электрического поля. В зависимости от характера внешнего воздействия различают соответственно термоэлектронную, фотоэлектронную, вторичную электронную, ионно-электронную и автоэлектронную эмиссии. Во всех видах эмиссии, кроме автоэлектронной, роль внешних воздействий сводится к увеличению энергии части электронов или отдельных электронов тела до значения, позволяющего преодолеть потенциальный порог на границе тела, с последующим выходом в вакуум или в другую среду. В случае автоэлектронной эмиссии внешнее электрическое поле превращает потенциальный порог на границе тела в барьер конечной ширины и уменьшает его высоту относительно высоты первоначального порога, вследствие чего становится возможным квантовомеханическое туннелирование электронов сквозь барьер. При этом эмиссия происходит без затраты энергии электрическим полем, чем и обусловлено название этого вида эмиссии. [c.444]

Детектирование ионов посредством электронного умножителя основано на эмиссии вторичных электронов в результате столкновения частицы, обладающей определенной энергией, с соответствующей поверхностью. Количество вторичных электронов можно увеличить при бомбардировке ими нескольких последовательных поверхностей. Существуют непрерывные динодные умножители и системы дискретного типа. Дискретный динодпый умножитель состоит из 12-20 бериллиево-медных динодов, связанных посредством резистивной цепи. Непрерывные системы или канальные умножители состоят из покрытой свинцом изогнутой воронкообразной трубки. Напряжение, прикладываемое между концами трубки, создает непрерывное поле по всей ее длине. Вторичные электроны ускоряются в трубке, постоянно сталкиваясь с внутренней Степкой. Типичный коэффициент усиления электронного умножителя составляет 10 . Ток, протекающий через электронный умножитель, усиливается и оцифровывается для последующей обработки системой обработки данных. [c.264]

Образующиеся в результате ионизации молекул электроны начинают двигаться, как и первичные электроны, по винтообразным траекториям, принимая участие в поддержании разряда. Ускоренные электрическим полем положительные ионы бомбардируют катоды, вызывая эмиссию вторичных электронов, которые, в свою очередь, также ускоряются и ионизируют газ. Кроме того, ионная бомбардировка катодов вызывает распыление материала, из которого они изготовлены. [c.61]

Для решения ряда специальных задач служат разнообразные, но менее распространенные типы электронных микроскопов. Отражательный микроскоп имеет повышенную чувствительность контраста изображения к тонким деталям микро-рельефа при этом исключается контраст по напряжению, что позволяет разделить эти эффекты. Теневая микроскопия применяется для исследования деталей топографии поверхности с разрешением до нескольких десятков нанометров. Эмиссионный микроскоп дает возможность исследовать поверхность твердого тела в щироком интервале температур при этом извлекаются данные о коэффициентах вторичной электронной и ионно-электронной эмиссий. С помощью эмиссионной микроскопии изучают изменение характеристик вещества при фазовых переходах, кинетику твердофазных реакций и другие процессы. [c.229]

Стабилизатор тока эмиссии катода источника ионов обеспечивает стабильность тока электронов в пределах 0,5%. Ток стабилизируется изменением температуры катода. [c.74]

Действие счетчика ионов основано на использовании вторичной электронной эмиссии для усиления ионного тока. Блок-схема прибора приведена на рис. 72. [c.86]

Однако у разных типов ионных источников имеются общие черты. Как правило, ионизация нейтральных молекул анализируемого газа производится бомбардировкой медленными электронами. Другие способы ионизации Л. 19] в масс-спектрометрах с простой фокусировкой не применяются вследствие большого разброса по энергиям возникающих ионов. Образовавшееся ионное облако подвергается действию электрических и магнитных полей с целью придания ионам заданных скоростей. Ускоренные частицы попадают в лишенное электрических полей пространство дрейфа, где летят по инерции. Однако часть ускоренных частиц (иногда довольно значительная) бомбардирует электроды ионного источника, причем на поверхности последних происходят определенные физикохимические процессы (вторичная эмиссия, образование полупроводниковых пленок и т. д.). Указанные процессы являются общими для ионных источников различных типов. Поэтому удобно подробно их рассмотреть на конкретном примере ионного источника статического масс-спектрометра как одного из наиболее сложных и совмещающего в себе все характерные рабочие процессы. [c.77]

Общие соображения по влиянию вторично-электронной эмиссии на спектры имеются в [Л. 4-4]. Количественные исследования [Л. 4-5] показали, что в электронном пучке ионного источника существует при нормальных режимах значительная доля (20—30%) вторичных электронов, существенным образом влияющая на величину ионного тока. С течением времени свойства металлических поверхностей ионизационной камеры изменяются вследствие образования различных пленок и напылений. Кроме того, при каждом пуске установки происходит постепенное обезгаживание электродов ионного источника, в связи с чем изменяется коэффициент вторичной эмиссии. Дополнительное влияние на нестабильность ионного тока может возникнуть благодаря действию стабилизатора эмиссии. Вторичные электроны, попадающие вместе с первичными на анод, искажают величину анодного тока. Если стабилизатор эмиссии стабилизирует ток анода, то при изменении величины коэффициента вторичной эмиссии (Т будет меняться температура катода, поскольку стабилизатор будет стремиться поддержать анодный ток неизменным. Изменение температуры катода будет менять распределение плотностей первичных электронов по сечению электронного пучка, т. е. влиять на интенсивность ионного тока. Вследствие этого целесообразно стабилизировать общий ток катода. [c.92]

На рис. 46 приводится зависимость коэффициента вторичной эмиссии у,- (число выбитых электронов на один падающий положительный ион в вакууме) от кинетической энергии К ионов для различных металлов. Как и можно было ожидать, у,- увеличивается с /Г и достигает максимума вблизи 100 кэв. Для —N1 этот максимум составляет 3 электрона/ион. Наличие максимума объясняется, вероятно, столь глубоким проникновением быстрых ионов внутрь металла, что при этом испускается только часть всех вторичных электронов. На рис. 46 приводятся также данные для медленных ионов инертных газов, из которых видно, что у, тем больше, чем выше потенциал ионизации газа и чем ниже работа выхода металла. Численные результаты сильно зависят от чистоты поверхности и от количества [c.99]

Вначале вторичные эффекты связывали с выбиванием электронов из катода положительными ионами. Теперь мы знаем, что эмиссия вторичных электронов обусловлена не только потенциальной и кинетической энергией положительных ионов, но также и другими процессами, как, например, приходом на катод фотонов, нейтральных и метастабильных частиц (стр. 98). Таким образом, отклонение кривой рис. 89 от прямой объясняется тем, что при больших межэлектродных расстояниях электроны, испускаемые катодом, состоят из двух групп. Одна группа — первичные электроны — обусловлена излучением внешнего источника и создает постоянную плотность тока 7 другая группа — вторичные электроны, которые для простоты могут рассматриваться как электроны, выбитые положительными ионами, ударяющимися о катод. Число вторичных электронов равно произведению числа положительных ионов, приходящих на катод — 1 на один первичный электрон), на число вторичных электронов У) образованных каждым пришедшим положительным ионом. [c.184]

Ha рис. 1, а косвенно показано, что электрон-ионный обмен при реагировании в минеральной части экибастузского угля и эмиссия электронов из частиц золы могут быть обусловлены диссоциацией исходных минералов на первой стадии, термическими изменениями структуры кристаллов кварца и образованием небольшого количества муллита на второй. [c.179]

В результате этих исследований было найдено, что эмиссия — как положительных ионов, так и электронов — с катализаторов подчиняется обычному уравнению Ричард- [c.69]

Наибольшее распространение получили вторично-ионная масс-спектрометрия (поток ионов вызывает эмиссию иоиов), электронная оже-спектроскопия (поток электронов вызывает эмиссию электронов), полевая ионная микроскопия (ионизадняи испарение атомов поверхности под действием электрического поля) и др. Теория и пркмененяе этих методов, интерпретация получаемвй [c.246]

В периодической системе элементов к металлам относят элементы I, II и III групп, кроме В, элементы IV группы, кроме С и 51, V группы, кроме Ы, Р, Аз, элементы побочных подгрупп VI, VII, VIII группы, а также лантаноиды и актиноиды, т. е. в периодической системе подавляющее большинство элементов (около 80%) —металлы. Металлы в реакциях окисления — восстановления проявляют восстановительные свойства, отдавая свои электроны, переходят в положительно заряженные ионы. Отрицательно заряженных ионов они не образуют. Отрыв наружных электронов у атомов металлов может быть осуществлен не только в ходе химических реакций, но и в процессе термоэлектронной эмиссии — испускания электронов нагретыми телами в результате теплового возбуждения электронов в этих телах — и фотоэлектрического эффекта (или фотоэффекта), когда под действием освещения происходит выход электронов из металлов. Металлы при этом заряжаются положительно. [c.85]

У М. наблюдается термоэлектронная эмиссия (способность испускать электроны при высокой т-ре). Эмиссия электронов возникает также под действием электромагн. излучения в видимой и УФ областях спектра (фотоэлектронная эмиссия), внеш. электрич. поля высокой напряженности (туннельная, или автоэлектронная, эмиссия), при бомбардировке пов-сти М. электронами (вторичная электронная эмиссия) или ионами (ионно-электронная эмиссия), при взаимод. пов-сти М. с хшазмой (взрывная электронная эмиссия). Перепад т-ры вызывает в М. появление электрич. тока (термоэдс). [c.53]

Эмиссия вторичных электронов с металлической поверхности под действием падающего луча положительных ионов обсуждалась ранее, поскольку это явление лежит в основе действия детекторов-умножителей. При падении пучка ионов на металлическую поверхность с последней могут быть вырваны положительные ионы масс-спектрометр открывает благоприятную возможность для определения масс и количества таких ионов, а при наличии дополнительного источника ионизации — и нейтральных частиц, вырываемых с поверхности. Этот процесс можно рассматривать как чисто механическое столкновение между ионами и поверхностными атомами мишени. Трудность проведения успешного эксперимента состоит в получении чистой поверхности, поскольку даже при остаточном давлении адсорбируемых примесей менее 10- мм рт. ст. наблюдается фон углеводородных ионов [972]. В большинстве опубликованных работ [ 1868, 2078, 2079] описывалось выделение только одноатомных ионов с поверхности. Однако Хониг [972] обнаружил положительные и отрицательные многоатомные ионы, а также нейтральные частицы. Например, при бомбардировке поверхности германия ионами инертных газов он получил положительные частицы Ое+, Се , СеН+, СеОН", СегО" , Ыа+, [c.456]

Ионный источник предназначен для генерирования ионов из молекул ана лнвнруемых веществ и формировании ионного пучка для последующего анализа ионов по массам Существуют разные методы ионизации бомбардировка пучком электронов, ионов или нентральных атомов ионно молекулярные реакции ионизация в сильном неоднородном электрическом поле в электрическо>г разряде ионизация лазерным пучком, термоионная эмиссия и тругие В ХМС делались попытки применения почти всех этих методов но hui большее рае- [c.10]

Черепанов А. М.,ТресвятскийС. Г., Высокоогне упорные материалы и изделия из окислов, 2 изд.. М., 1964 К а й-н а р с к и й И..С., Процессы технологии огнеупоров. М., 1969 Омическая технология керамики и огнеупор . М., 1972 К а й-нарский И. С., Дегтярева Э. В., Орлова И. Г., Корундовые огнеупоры и керамика. М., 1981. А. С. Власов. ОЖЕ-СПЕКТРОСКОПИЯ электронная, метод изучения хим. состава поверхностных слоев твердых тел, основанный на эмиссии Оже-электронов. При облучении атомов исследуемого в-ва первичными электронами, ионами или рентгеновским излучением с энергией Еа происходит возбуждение электрона одной из внутр. оболочек X (напр., К-оболочки) атома энергия связи этого электрона Ех < Ео. На образовавшуюся вакансию переходит электрон с энергией связи Ey из более удаленной от ядра оболочки У (напр., J -оболоч-ки). Избыток энергии (Ях —Er) может привести к эмиссии т. н. Оже-электрона одной из внеш. ободочек (с энергией связи Ew Ех — Er). Вероятность эмиссии Оже-элект-ронов уменьшается при увеличении Еа и атомного номера определяемого элемента Z. Если 3 < Z 14, для хим. анализа использ. переходы типа KLL, а при 14 < Z 33 — типа LMM. [c.397]

Дуговой разряд характеризуется протеканием сильного тока (порядка амперов) при сравнительно невысокой разности потенциалов (несколько десятков вольт). Раскаленный катод служит в качестве источника термоэлектронной эмиссии. Выделенные электроны значительно ускоряются в электрическом поле между электродами и при ударах с атомами и молекулами в межэлектродном пространстве ионизируют их, причем выделяются новые электроны, которые также участвуют в этом процессе. Полученные и ускоренные электрическим полем ионы при столкновении с катодом выбивают из него новые электроны. [c.359]

Частицы считались электропроводящими как известно, при достаточно высоких температурах даже оксиды обладают довольно большой проводимостью. Вторичная эмиссия электронов от ударов ионов пренебрежимо мала, когда падающие ионы имеют энергии, меньшие 5 эВ. В теории oy, Ву и Димика [16] рассматривалась как объемная, так и поверхностная рекомбинация ионов. Отражения ионов и электронов от поверхности частиц практически не происходит из-за наличия больших сил изображения. Диффузионные уравнения для электронов и ионов можно записать [32] в виде [c.161]

Имеется еще один метод исследования метастабильных ионов, образующихся во второй бесполевой области. Поскольку кинетическая энергия метастабильных ионов меньше энергии нормальных ионов, эти два типа ионов можно разделить, подавая на коллектор отражающий потенциал. Если энергия поступательного движения нормальных ионов равна V вольт, а метастабильных — V вольт, то при отражающем потенциале Уг, превышающем V (а следовательно, и V ) все ионы будут отражаться и, попадая на металлическую пластину, вызывать эмиссию вторичных электронов, которые будут регистри-)оваться сцинтилляционным фотоумножителем (рис. 5.6). Если же отражающий потенциал Уг меньше V, но больше V, то отражаться будут только метастабильные ионы, вызывая в свою очередь эмиссию вторичных электронов. Таким образом, указанный метод позволяет при отражающем потенциале Ут>У получить обычный масс-спектр, а затем, после изменения отражающего потенциала так, чтобы выполнялось условие У>Fr>l записать спектр только метастабильных ионов, образую- [c.188]

Для создания стабильных условий работы в течеискателе поддерживается строго постоянная электронная эмиссия катода источника ионов, для чего применена схема стабилизатора эмиссии. Ток эмиссии измеряется стре-лочцьш прибором, служащим также для контроля величины ускоряющего напряжения. [c.67]

Действие счетчика ионов основапо иа использовании вторичной электронной эмиссии мля усиления ионного тока и регистрации отдельных ионов. Блок-схема прибора приведена на рис. 75. [c.89]

В прямой связи с электропроводностью стекла находится важный в техническом отношении процесс образования трещин вблизи вплавленных электродов при повышенных температурах, когда проводимость стекла становится уже заметной. Растрескивание штенгелей в полнопериодных трубках-выпрямителях, согласно Гал-дупу23, может достигать такой степени, которая ведет к значительному сокращению времени их работы. Образование трещин происходит вблизи электродов и вызывается бомбардировкой электронов вторичной эмиссии из анодов выпрямителя. Этот процесс сопровождается заметным выделением газа, состоящего, по данным масс-спектрометрического исследования, из водорода, водяного пара, кислорода, окиси и двуокиси углерода и азота в очень малых количествах (см. Е 1, 61). При 100°С растрескиванием можно практически пренебречь, так как при такой низкой температуре, согласно экспе-рйментальным результатам Шумахера , электропроводность еще незначительна. Наблюдается типичная поляризация, которая достигает максимальной величины тока, когда ток изменяет свое направление, но затем быстро падает. Удельное сопротивление данного стекла определяется по числу перемен направления тока до момента появления трещин. Самопроизвольное растрескивание бывает тем более резко выраженным, чем выше содержание натрия в стекле. Электропроводность стекла снижается по мере замещения ионов натрия ионами более тяжелых металлов. Склонность к образованию трещин уменьшается при понижении сил натяжения в стекле, что связано с миграцией ионов. Кроме того, проводимость увеличивается вследствие поверхностной адсорбции стеклом водяного пара, которая, в свою очередь, [c.884]

Из (9.23) следует, что 2 / от для любого газа. Эта система равенств дает отношение плотностей токов для любого сорта ионов (газа). Промежуток й может быть найден, если известны величины тока эмиссии и катодного падения потенциала Полное решение задачи требует еще одного независимого уравнения. Так как уже было сделано предположение, что вся плазма находится при одном и том же потенциале, то единственным источником энергии для восполнения потерь может служить кинетическая энергия первичных электронов, поступающих в плазму с катода. Эти электроны, приходя на границу плазмы примерно с одинаковой энергией, приобретают затем распределение по энергиям, частично за счет обмена с другими электронами, ионами и атомами, име-юищмися в плазме, частично путем столкновений с возбужденными атомами, которые могут ускорять часть из них до энергий, значительно превышающих потенциал ионизации. При больших [c.294]

Рис. 1, б косвенно показывает, что электрон-ионный обмен при реагировании в минеральной части бочатского окисленного угля II эмиссия электронов из частиц золы могут быть обусловлены диссоциацией кальцита и многостадийным твердофазный реагированием через променгуточные метастабильные продукты реагирования. Некоторые из них удается обнаружить рентгенографическим анализом закаленных образцов, что нозтюдяет преодолеть основную трудность в изучении механизма хт мичес-кнх реакций — анализировать переходные структуры, участвующие в реакционном процессе. [c.180]

Поверхность этих смесей отличается от поверхности тонких конденсированных пленок в том отношении, что при низких температурах она испускает главным образом положительные ионы электронный же ток исчезающе мал по сравнению с ионным. В случае тонких пленок, наоборот, Айвс и Беккер нашли, что пока не достигнута относительно высокая температура, испускается лишь сравнительно небольшое число ионов последнее указывает на то, что лишь часть вольфрамовой поверхности покрыта щелочным металлом. Что касается катализаторов, то автором настоящей статьи было найдено, что эмиссия ионов начинается при более низкой температуре, чем эмиссия электронов (токи в 1-10 А). Кроме того при этом не происходит в исследованных пределах температуры того изменения в характере эмиссии, какое наблюдается для тонких конденсированных пленок. [c.70]