Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

ПАВ на основе кремния

    Конечно, обработка приведенного здесь материала о различных ПАВ и обычно встречающихся ограничений, должна быть критической. Главный акцент сделан на материалы, имеющие коммерческий спрос, и на разработки недавнего времени. В первом разделе мы коснемся производства самого сырья, а во втором — его дальнейшей переработки в неионогенные, катионные, анионные, а также амфотерные ПАВ. Приведены все основные производители каждого из классов ПАВ и исходного сырья. Предпринята попытка показать место этих ПАВ на рынке, где они могут быть использованы, в частности в тех случаях, когда взаимосвязь свойства-структура однозначно установлена. Дополнительно в данный обзор включены две группы особенных ПАВ — фторсодержащих и ПАВ на основе кремния. Повышенная поверхностная активность этих веществ и характерные области использования будут интересны всем, кто работает над их синтезом, свойствами и применением. [c.13]


    Кремний применяется главным образом в металлургии и в полупроводниковой технике. В металлургии он используется для удаления кислорода из расплавленных металлов и служит составной частью многих сплавов. Важнейшие из них — это сплавы на основе железа, меди и алюминия. В полупроводниковой технике кремний используют для изготовления фотоэлементов, усилителей, выпрямителей. Полупроводниковые приборы на основе кремния выдерживают нагрев до 250 °С, что расширяет область их применения. [c.415]

    ЖАРОПРОЧНОСТЬ — свойство конструкционного материала сохранять высокую сопротивляемость пластичному деформированию при значительном повышении температуры. В связи с развитием новой техники Ж. становится одной из важнейших характеристик материалов. Важной группой жаропрочных материалов являются керметы (металлокерамические изделия), неорганические полимерные материалы на основе кремния, жаростойкие бетоны и др. [c.94]

    Эксперименты дали положительный результат. Масса отложений во всех экспериментах была в 2...6 раз меньше по сравнению с контрольной (без покрытия). Это доказывает возможность пассивирования поверхности покрытиями на основе кремния. [c.120]

    Четвертая группа периодической системы включает два типических элемента — углерод и кремний — и подгруппы германия и титана. По значимости тех элементов, которые входят в состав IV группы, с ней не может сравниться никакая другая группа системы. Углерод является основой органической химии, главным органогенным элементом, следовательно, необходимым компонентом организма всех живых существ. Второй типический элемент группы — кремний — главный элемент неорганической химии и всей неживой природы. По целому ряду экстремальных свойств титан и сплавы на его основе являются уникальными конструкционными материалами, которые широко применяются в авиа- и судостроении, космической технике. Еще в большей мере титан — металл будущего. Со времени создания первого твердотельного транзистора на германии (1948), произведшего целую революцию в радиоэлектронике, в течение 10 лет германий оставался доминирующим полупроводниковым материалом, уступив первое место опять же представителю IV группы — кремнию. В настоящее время интегральные схемы на основе кремния являются основой компьютеров, микропроцессоров, логических устройств и т. п., без чего нельзя представить себе современную научно-техническую революцию. [c.179]

    Качественно аналогичные процессы наблюдаются при изучении С — -характеристик МОП-структур на основе кремния р-типа (рис. 73, б). Разница заключается лишь в том, что обогащенная дырками область с максимальной емкостью наблюдается при отрицательном смещении на металлическом электроде, а область обеднения и инверсионная зона с электронной проводимостью — при положительном. Если бы в пограничном слое не существовала область пространственного заряда, генерируемая вакансиями в окисле, тогда в отсутствие смещения не наблюдался бы изгиб зон в пограничной области кремния (условие плоских зон). Это соответствует идеализированному случаю контакта бездефектного 3102 с кремнием, не содержащим по- [c.126]


    Одним из возможных решений данной проблемы является применение термодиффузионных покрытий на основе кремния. Обладая наименьшим химическим сродством к углероду, кремний является эффективным барьером на пути диффузии углерода в металл и должен подавлять коксоотложение на поверхности стали. Сложность проблемы заключается в разработке режима насыщения, способствующего образованию равномерных диффузионных слоев на сталях, применяемых для изготовления змеевиков трубчатых печей, и незначительным образом изменяющего механические свойства материала. [c.3]

    Разработано термодиффузионное покрытие на основе кремния для защиты внутренней поверхности труб печных змеевиков от коксоотложения. [c.4]

    Плотность размещения элементов схемы и размер интегральных схем на основе кремния ограничены физическими и литографическими факторами, из которых одни определяют нижнюю, а другие верхнюю, границу (табл. 1). Так как указанные физические пределы до сих пор еще не достигнуты в реальных устройствах, кремниевая технология может развиваться и далее в сторону микроминиатюризации. В оптоэлектронике размер объемных элементов структур может быть значительно меньше указанных и приближается к молекулярным их можно создавать также с помощью литографии. [c.12]

    Клеи на основе кремний [c.29]

    Материалы, получаемые на основе кремния и углерода. [c.147]

    Клеи на основе кремний органических смол [c.46]

    Материалы на основе кремния [c.27]

    Активные компоненты состава — это жирные кислоты, длинноцепные спирты и сложные эфиры. Также используются парафиновый воск и водные дисперсии ПАВ на основе кремния [6, 7]. Способ обработки может варьироваться — от использования коллоидных мельниц до эмульгирования при мягком перемешивании  [c.105]

    Первые эксперименты по анализу вешеств на основе кремния проведены Львовым [5]. Была показана возможность определения легколетучих элементов (висмута, цинка и сурьмы) в образцах гранита на уровне 10 % и ниже. При этом применялся пиковый способ регистрации абсорбции, дозировка проб без разбавления графитом осушествлялась путем взвешивания электродов с пробой и без нее. Анализ ошибок, проведенный автором [5], показал сильную зависимость их от величины навески. Например, при определении висмута разброс результатов от среднего значения уменьшался от 40 до 10% при увеличении навесок от 0,1 до 0,3 мг. По-видимому, как и ранее, значительный вклад в суммарную ошибку определения вносила неравномерность распределения примесей в образце. [c.284]

    Примечания 1. Испытания литейных сплавов проводились на образцах 2. К-2 и К-3 — теплостойкие эмали на основе кремний  [c.176]

    Известны также элементоорганич. П., содержащие кремний, фосфор, карборановые или ферроценовые циклы. Пленки на основе кремний- и фосфорсодержащих П. обладают высокой адгезией к стеклу и металлам. Карборансодержащие П. при высоких темп-рах образуют с высоким выходом термостойкие продукты. [c.6]

    Было организовано промышленное производство полупроводникового монокристаллического кремния высокой степени чистоты, что дало возможность работать приборам на основе кремния при более высоких температурах и допустить более высокие напряжения. [c.72]

    Нитриды кремния обладают высокой термостойкостью Даиное свойство позволяет использовать их при изготовлении тиглей и т. д. Рассмотрена перспектива применения полимеров на основе кремния и азота, которые в отличие от полиорганосилоксанов способны образовывать координационные связи с металлами [c.603]

    Качественный рентгенофазовый анализ пористого заполнителя показывает преимущественное содержание аморфного стекла и мелких кристаллических образований на основе кремния, муллита и РсзОз, причем содержание муллита и Рс20з на поверхности значительно превосходит количество зародышевых кристаллов в сердцевине гранулы. [c.134]

    Дпя мастиковок и восполнения утрат стекла можно применять составы на основе кремни йорганических олигомеров, например следующий состав, %  [c.211]

    Химия кремнийорганических соединений также развивается скачкообразно. Первое соединение, содержащее в своем составе кремний и углерод, — этиловый эфир ортокремневой кислоты — было получено Эбельменом в 1844 г- Позднее, в 1863 г. Фридель и Крафте синтезировали первое кремнийорганическое соединение со связью 81—С — тетраэтилсилан. В начале развития химии кремнийорганических соединений кремний как ближайший аналог углерода привлекал большое внимание исследователей. Казалось, что на основе кремния можно создать столь же широкую область химической науки, как органическая химия. Но выяснилось, что кремний [c.9]

    Важную группу ПАВ на основе кремния представляют соединения с низкомолекулярной трисилоксановой основой. Их получают взаимодействием 2 молей триметилхлорсилана с 1 молем метилдихлорсиланом и последующим присоединением к этоксилату аллилового спирта или с этоксилатом (уравн. 1.57). Данные низкомолекулярные соединения особенно эффективны в качестве смачивающих агентов. Введение пропиленоксида в полиэфирную цепь приводит к существенному увеличению динамических поверхностных свойств. Превращение данных этоксилатов в анионные сульфаты с использованием 50з, С130зН либо серной кислоты невозможно, так как трисилоксаны в отличие от длинноцепных силоксанов чувствительны к гидролизу. Для таких случаев был разработан более длинный путь, включающий образование циклических промежуточных соединений [140]. [c.65]


    Совсем другие явлеиия наблюдаются тогда, когда полупроводниковый материал находится во внешнем электростатическом поле, положительный полюс которого расположен со стороны р-области полупроводника, а отрицательный — со стороны л-области. В зтом случае в цепи течет постоянный электрический ток. Электроны поступают в кристалл с правого электрода, затем проходят через зону проводимости -области, через область п—р-перехода попадают в валентную зону р-области и пере1мещаются здесь до границы кристалла за счет дырочной проводимости, пока не попадут в левый электрод. В противоположном направлении электрический ток течь ие может, так как при достаточно низком потенциале внешнего электрического поля электроны не могут преодолеть барьер в области п—р-перехода и, следовательно, не могут перемещаться слева направо. Такой кристалл работает как выпрямитель электрического тока, пропускающий только ток определенного направления. Его можно использовать для преобразования переменного тока в постоянный. В настоящее время выпрямители па основе кремния все больше вытесняют ламповые диоды. [c.84]

    Замещением галоида в гетероцикле на перфторалкильные фрагменты (как правило, за счет нуклеофильного замещения подвижного атома фтора гетероцикла под действием синтонов). Синтоны на основе кремний- и фос-форорганических соединений с перфторалкильными группами в присутствии в качестве катализатора фторида-иона оказались весьма эффективными реагентами, и развита методология введения перфторалкильных групп в органические молекулы [30, 31]. Однако число доступных фторсодержащих синтонов, особенно полифункциональных, невелико. При наличии в гетероцикле атомов иода и хлора более эффективны металлорганические синтоны, как правило, содержащие атомы меди, цинка и кадмия [32]. Для ускорения этих процессов эффективно использовать ультразвук. Наиболее продуктив- [c.7]

    Другим направлением расширения возможностей газовой хроматографии на пористых полимерах для анализа высококипящих соединений является создание полимерных сорбентов на основе термостойких полимеров. Первые успехи в этом направлении уже имеются. Так, среди недавно созданных термостойких полимерных сорбентов следует отметить тенакс, который может быть использован до температур 400—450° С особый интерес представляют термостойкие полиимидные сорбенты на основе пиромеллитового диангидрида (полисорбимид-1 и полисорбимид-2) с температурным пределом использования 400—450° С, мелон и некоторые другие сорбенты на основе кремний-органических соединений. [c.164]

    EG and G Optoele troni s (35 ongress St Salem, MA 01970) Полный ряд детекторов и источников света в интервале от УФ- до ИК-области спектра детекторы на основе кремния, фотодиоды и фотодиодные матрицы, импульсные ксеноновые лампы, дуговые ламга.1, лампы и лазерные диоды. Все детекторы и источники света поставляются в комплекте с источниками питания и необходимыми контролирующими системами [c.817]

    Характеристики ПАВ на основе кремния в большинстве своем превосходят соответствующие характеристики для ПАВ на углеводородной основе. Кислородный мостик силоксановой цепи слабо взаимодействует с водой, что дает возможность формирования слоев на поверхности воды. Именно этот эффект делает даже силоксаны, не содержащие функциональных групп, поверхностно активными. Такое поведение придает этим пленкам прочность — свойство, используемое для применения полиэфиромодифицированных полисилоксанов в качестве дополнительных стабилизаторов пены в полиуретановых пенах. Материалы на основе трисилоксанов быстро распыляются и являются отличными смачивающими агентами, что часто используется в сельскохозяйственной отрасли. Более высокомолекулярные материалы применяются в виде добавок в полимеры для модификации поверхностных свойств [141], в качестве поверхностно-активных компонентов в косметических средствах [142], как ПАВ для тканей и волокон [143], и в качестве добавок в составе красок, как регуляторы вязкости, смачиватели, пеногасители и деаэраторы [144]. [c.65]

    ПАВ на основе кремния применяются в качестве компонентов пеногасителей. По-лисилоксаны, кроме этого, растворимы в некоторых углеводородах, что делает их превосходными составляющими таких пеногасителей. Данные полимеры могут быть модифицированы до ПАВ прививкой спиртовых групп и полиоксиэтиленовых цепей, либо введением в их молекулу анионных или катионных групп. Они достаточно эффективны в составе стандартных пеногасителей. Для добавления непосредственно в уже существующие составы большинство из них растворяются или диспергируются в маслах. [c.104]


Смотреть страницы где упоминается термин ПАВ на основе кремния: [c.356]    [c.57]    [c.57]    [c.59]    [c.28]    [c.61]    [c.356]    [c.103]    [c.649]    [c.387]    [c.6]    [c.148]    [c.296]   
Смотреть главы в:

Поверхностно-активные вещества -> ПАВ на основе кремния




ПОИСК







© 2024 chem21.info Реклама на сайте