Травители состав

Травление германия. Кислотный травитель СР-4 обладает полирующим действием. В состав его входят азотная, плавиковая, уксусная кислоты и бром. Первые два компонента — окислитель и комплексообразователь. Процесс травления описывается суммарным уравнением [c.104]

Травитель Состав, мл Примечания [c.105]

Медь и ее сплавы травят в две стадии. Предварительное травление ведут в концентрированной азотной кислоте с небольшой (10 мл л) добавкой серной, а затем производят глянцевое травление погружением на 0,5—2 мин. в смесь равных объемов серной и азотной кислот при 40—50°. Впрочем, состав травителя различен для разных сплавов. Например, в случае латуни скорость растворения меди пропорциональна содержанию азотной кислоты, скорость же растворения цинка—содержанию серной. Добавка соляной кислоты ускоряет растворение цинка. При различных содержаниях меди и цинка в латуни состав травителя должен быть подобран так, чтобы медь и цинк растворялись равномерно и чтобы на поверхности изделия не происходило преимущественного травления одного из компонентов сплава. 542 [c.542]

Состав травителей. Химическое травление полупроводников основано на окислении поверхности травителем и последующем удалении образовавшихся продуктов. Неокисляющие травители на большинство полупроводниковых материалов не действуют. В состав травителей 061ЫЧН0 включают 1) растворитель (среда для образования гомогенной системы) 2) окислители, которые образуют окислы или другие продукты окисления на поверхности полупроводника 3) комплексо-образователи, которые растворяют продукт окисления и удаляют его с поверхности 4) ускорители или замедлители первых двух реакций, если они протекают с такой скоростью, что ими трудно управлять [c.103]

Травитель Состав, мл Примечание [c.105]

Сернокислый травитель с хромовым ангидридом имеет состав (г/л) [c.120]

Другим широко известным травителем для пленок ЗЮг является так называемый Р-травитель [111, 112]. Его состав [c.610]

Номер травителя Состав травителя (объемные части) Бремя травления, сек [c.87]

В состав большинства травителей для германия и кремния входят окислители и вещества, растворяющие двуокиси изучаемых элементов. Скорость окисления германия молекулами воды и находящегося в ней кислорода чрезвычайно мала и ею практи-, чески можно пренебречь, растворимость же двуокиси германия [c.112]

После длительной промывки и пребывании на воздухе состав получаемой окисной пленки не может зависеть от применявшегося травителя, так как в атмосфере воды и кислорода наиболее устойчивыми соединениями германия и кремния являются их гидроокиси, которые в конце концов и образуются. Следует только учитывать, что процессы промывки и сушки должны быть достаточно долгими для того, чтобы успели пройти медленные реакции гидролиза и гидратации. [c.116]

Растворитель часто выступает в роли замедлителя или ускорителя процесса. Замедлителями или ускорителями также служат специально добавляемые реагенты. Очень часто они или сами являются катализаторами процесса, или способствуют образованию катализаторов, генерируют или обрывают цепи в цепных реакциях. В состав некоторых травителей добавляют соли таких малоактивных металлов, как ртуть, серебро, медь. Обычно эти добавки обусловливают селективность, Тяжелые металлы при восстановлении декорируют участки выхода дислокаций и р— -переходы. При этом или появляется различие в окраске отдельных участков поверхности, или меняется скорость их растворения. [c.103]

Составы применяемых травителей в большинстве своем подобраны эмпирически. В зависимости от задач травления, требований к состоянию поверхности выбирают те или иные сочетания компонентов. Варьируя не только состав, но и продолжительность процесса, температурные условия, используя перемешивание, можно подобрать для каждого случая оптимальные условия. [c.104]

Травление элементарных полупроводников германия и кремния. Травление германия в кислотном травителе СР-4. Травитель обладает полирующим действием. В состав его входят азотная, плавиковая, уксусная кислоты и бром. Первые два компонента — это окислитель и комплексообразователь. Процесс травления можно выразить суммарным уравнением [c.284]

В состав химических травителей обычно входят окислитель и комплексообразователь. Выбор травителя диктуется назначением этой операции (полирование, выявление дислокаций или р—л-пере-ходов и т. д.), свойствами материала и пр. Например, при химическом травлении германия употребляются смеси азотной и плавиковой кислот (окислитель и комплексообразователь), смесь перекиси водорода (окислитель) и щелочи (комплексообразователь) [c.252]

Для слабощелочного травителя характерна малая величина подтравливания. Его состав (г/л) [c.120]

Изотропное травление. При изотропном травлении полимерных материалов применяют травитель окисляющего действия на основе концентрированной серной кислоты, которая разрушает полимер. В состав травителя входят также хром (VI), необходимый для химического модифицирования поверхности с целью улучшения смачиваемости после травления, и буфер, например, ортофосфорная кислота (г/л) [c.123]

Материал Состав травителя Выявляемый объект Режим [c.16]

Состав травителей и технология очистки поверхности образцов кремния и германия перед проведением анализа на масс-спектрометре [c.105]

В работах [5—8] было показано, что при травлении обычным кислотным травителем поверхностей полярных кристаллов фигуры травления появляются только на поверхности А (111). Для выявления фигур травления на поверхносги В (ill) необходимо подбирать специальный состав травите-ля [8]. [c.74]

Состав травителей и последовательность процедур очистки [c.105]

А — смесь, в которой вся вода, содержащаяся в хлорной кислоте, поглощается уксусным ангидридом С — точка полного сгорания с наиболее выраженным взрывным характером LA — состав травителя, взорвавшегося в Лос-Анжелосе /—5 — растворы, применяющиеся для электрополировки [c.254]

Травление полупроводниковых электродов необходимо для того, чтобы удалить механически поврежденные слои, образующиеся при вырезке электрода из слитка монокристалла. Состав травителя может часто влиять на микроскопическую ориентацию поверхности электрода, т. е. в зависимости от применяемого травителя будет подвергаться воздействию та или иная плоскость Кристалла. Такие травители называются селективными травите- [c.441]

Во многих случаях целью травления является доведение толщины пластины до определенной величины с допуском порядка микрона или менее. В результате взаимодействия поверхности кристалла с травителем стремятся получить гладкую и ровную поверхность с минимальным числом адсорбированных посторонних атомов или молекул. Так как скорость травления определяется диффузией реагентов и продуктов реакции, процесс травления должен проводиться при строгом соблюдении ранее установленных экспериментальным путем условий. Необходимо использовать чистые реагенты определенной концентрации, точно дозировать состав смеси травителей и приготавливать его непосредственно перед осуществлением травления. Травление следует проводить в сосудах, совершенно инертных по отношению к тра-вителям, постоянной формы и размеров и при фиксированных условиях перемешивания. При постоянных условиях процесса толщина стравливаемого слоя определяется в зависимости от длительности процесса. Однако следует учитывать, что скорость травления, как правило, зависит от дефектности кристалла, его удельного сопротивления (от концентрации легирующих примесей) и его однородности. [c.401]

Состав травителей, применяемых для германия 831 [c.442]

Кремний. Травителей для кремния имеется очень много. Большинство из них представляют собой быстродействующие композиции, использующиеся для полировки поверхности монокристаллического кремния, и они редко используются для вытравливания рисунков. Другие травители и составы целевого назначения служат для выявления ямок травления и обнаружения дефектов в кристалле. Состав, предназначенный для создания рисунков хорошего качества травлением, опубликован Лаусоном >[в5] [c.609]

Усовершенствованный состав ванны для обработки поверхности металла включает водорастворимый неорганический окислитель-травитель и оптимальное количество продукта реакции галогенида и полигалоид замещенного алкилариламина. Добавки, мл, приготавливались из следующих инградиентов [c.191]

Не менее важную роль для получения требуемого качества поверхности имеет режим травления. Изменяя не только состав травителей, но и продолжительность процесса, температурные условия, используя [c.283]

Подтравливание как результат плохой адгезии слоя фоторезиста следует отличать от перетравливания. Перетравливание происходит при продолжительном боковом растравливании, после того как экспонированные участки пленки были уже растворены. Это может произойти при травлении пленок металла, когда не установлены толщина пленки и скорость травления. Перетравливание проявляется в виде глубоко и неровно растравленных краев линий и в большинстве случаев происходит по-види.мо-му, при использовании очень быстрых травителей. В этом случае очень трудно точно установить продолжительность травления. Увеличение продолжительности бокового растравливания обусловлено тем, что молекулы травящего раствора сцепляются с поверхностью образца ограничить продолжительность растравливания можно быстрым исключением воздействия травителя помещением подложки в стоп-ванну. Раствор в этой ванне должен иметь такой состав, который немедленно бы остановил химическую реакцию, возбужденную травителем. Примером может служить прекращение действия кислотного травителя алюминия при погружении образца в ванну с разбавленным щелочным раствором. Одним из других методов является уменьшение скорости травления разбавлением травителя, лучше всего вязкими жидкостями, подобными полиспиртам. В этом случае следует резко уменьшить обмен свежего и отработанного раствора травителя на краях линий. Этот метод иногда целесообразно применять и при травлении распылением, потому что экспонированные участки пленки более эффективно обрабатываются травителем, и промывочным раствором, чем края линий. [c.620]

Состав травителей. Большинство полупроводниковых материалов не изменяется под действием неокисляющих травителей. Химическое травление полупроводников основано на процессах окисления поверхности и удаления образовавшихся продуктов. В состав травителей обычно включаются 1) растворитель — среда для образования гомогенного травителя 2) окислители, которые должны образовать окислы или другие продукты окисления на поверхности полупроводника (повысить степень окисления) 3) комплексообразователи, которые должны растворить образовавшийся продукт окисления, удалить его с поверхности 4) ускорители или замедлители первых двух реакций, если последние протекают с такой скоростью, что ими трудно управлять 5) специальные добавки, обусловливающие селективность действия травителя. [c.282]

Характеристика дефектов структуры в карбидах и нитридах представляет другую сложную проблему. Некоторые типы дефектов (пористость, распределение пор, размеры зерен) можно определить, объединяя методы металлографии и денситометрии. Для каждой карбидной или нитридной системы необходимы специальные металлографические методики. Твердые материалы полируются алмазным порошком или порошком АЬОз (размер частиц 1 мкм) в водном растворе реактива Мураками K3Fe( N)e-b +КОН . Из-за их высокой химической устойчивости применяются очень сильные травители (HF, HNO3 и Н2О2). Кроме того, состав травителя изменяется с изменением относительного содержания неметалла и металла. Наиболее подходящие методики и травители для различных систем еще не собраны, но весьма обширное исследование карбидов, проведенное Руди и сотр. можно рассматривать как подходящую стартовую площадку для их разработки. [c.32]

Если окончательный химический состав окисных пленок при упомянутых выше условиях не зависит от применявшегося травителя, то их структура и толщина могут быть весьма различными. Это различие, однако, является не столько качественным, сколько количественным. Так, даже компактные окисные пленки, образующиеся при травлении в смеси НР + HNOз, обладают мелкопористой структурой и не могут надежно изолировать поверхность кристалла от воздействия окружающей атмосферы. В связи с этим заметим, что окисные слои, используемые специально для защиты поверхности, вообще не должны содержать химически связанной воды, а их толщина должна составлять несколько тысяч ангстрем ( 1 Л1к). Такие слои могут быть получены путем высокотемпературного окисления (Т 1300° К) в атмосфере сухого кислорода. По своей структуре и химическим свойствам они соответствуют стеклообразным соединениям типа кварца. [c.117]

ТвориТеЛе. После этого удаляют оставшуюся часть фоторезиста и получают подложку с нанесенной на нее контактной маской. При напылении пленки следующего, требуемого для работы микросхемы материала он осаждается как на открытые части подложки, так и на маску. При опускании подложки в состав с травителем или растворителем для материала контактной маски последний [c.45]

Имеются следующие составы травителей на основе хлористоводородной кислоты 1 часть концентрированной НС1-Ь4 части НгО [82] и 20% НС при 80° С. Последний состав, как указывают различные авторы, при вытравливании тонких линий дает вполне удовлетворительные результаты. Рекомендуют также применять смесь концентрированной НС1 с выпускающимся промышленностью раствором Fe U [83], однако этот трави-тель, по-видимому, для тонких пленок является слишком сильным. Другим, широко применяемым, кислотным травителем является система от 80 до 95 мл Н3РО4, 5 мл HNOs и от О до 20 мл HjO. Если процесс проводится при температуре около 40° С, скорость травления изменяется в предела. 1500—2500 А мин в зависимости от содержания воды. Поскольку при этом происходит выделение газов, то для удаления пузырьков с поверхности применяют различные способы перемешивания. [c.606]

Название траьителя Состав травителя Условия травления Назначение травителя [c.439]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология