Линейные дефекты, дислокации

Таким образом, немногочисленные данные показывают, что ингибиторы могут эффективно подавлять коррозию сталей под напряжением. Однако пока не установлена зависимость между способностью ингибиторов тормозить коррозию под напряжением и их строением, что не позволяет научно обоснованно подходить к их выбору. На основе теоретических соображений можно пред-. положить [103[, что при воздействии растягивающих напряжений наиболее эффективными ингибиторами будут являться те, которые хорошо адсорбируются на отрицательно заряженной поверхности растянутого металла. Это прежде всего ингибиторы катионного типа, а также ингибиторы, образующие На поверхности плотные пленки. В случае пластической дефор.мации, когда в кристаллической решетке металла образуются линейные дефекты — дислокации, сжатая часть которых заряжена положительно, а растянутая отрицательно, можно ожидать, что эффективными ингибиторами могут являться вещества Как катионного, так и анионного типа, а также ингибиторы образующие плотные полимолекулярные слои или пленки. [c.65]

Мерой активности является избыток ее свободной энергии по отношению к фазе тождественного состава, которая находится в нормальном состоянии. Следует отметить, что активность реагентов в конкретном физико-химическом процессе определяется не только абсолютной величиной избытка свободной энергии, но и в значительной степени энергетическим вкладом различных видов структурных несовершенств, включая свободную поверхность, точечные и линейные дефекты (дислокации), микронапряжения и т. д. [c.312]

Рассмотренные нами два типа линейных дефектов (дислокация и дисклинация) являются фактически двумя независимыми видами одного семейства особенностей деформации сплошной среды, называемых дислокациями Вольтерра. Дислокации в кристалле суть [c.256]

Основными дефектами кристаллической решетки микроскопическая теория пластичности считает точечные дефекты (вакансии и междоузлия) и линейные дефекты (дислокации). При более грубом описании пластичности возникает необходимость рассматривать двумерные дефекты границы зерен и блоков, полосы скольжения, границы двойников, межфазные гра[шцы и тд. Механизмы перемещения точечных дефектов и дислокаций, а также процессы, происходящие на выделенных поверхностях, определяют кинетику пластического деформирования. Механизмы движения дефектов разного типа различны, и каждому из них посвящена обширная литература. Но для объяснения предмета данной книги достаточно проанализировать ситуацию с дислокациями. [c.10]

Ряд особенностей поведения дефектов существенно зависит от атомной структуры их ядер. Под последними обычно понимают для линейных дефектов - дислокаций-область вблизи геометрического центра, в которой становится неприменима континуальная теория. В этой области выражения для полей напряжений и упругой энергии дислокации (соответственно а цЬ г и и fxb 1п (R/гц), где г — расстояние от центра дислокации, R и Го - внешний и внутренний радиусы обрезания), получаемые континуальной теорией, расходятся при г - О, г о 0. [c.36]

Линейные дефекты (дислокации)......220 [c.7]

ЛИНЕЙНЫЕ ДЕФЕКТЫ (ДИСЛОКАЦИИ) [c.220]

Из физики металлов известно, что при неравномерном распределении механических напряжений сжатые области кристаллической решетки металлов вследствие перераспределения электронов заряжаются положительно, а растянутые — отрицательно. Поэтому, например, при изгибе образца металла в упругой области растянутая сторона заряжается отрицательно, вследствие чего адсорбция анионов на ней затрудняется, а катионов— облегчается. При пластической деформации металлов в кристаллической решетке образуются линейные дефекты — дислокации, сжатая часть которых заряжена положительно, а растянутая—отрицательно. Поэтому при наличии пластической деформации облегчается адсорбция и катионов, и анионов. [c.82]

Дефекты влияют на многие физические свойства кристаллов. Различают точечные дефекты, роль которых играют примесные атомы, и собственные точечные дефекты, например вакантные узлы решетки или атомы в междоузлиях, и линейные дефекты — дислокации, а также двумерные дефекты — границы зерен. Для исследования влияния дефектной структуры кристаллов на их свойства необходимо приготовить материал, предельно свободный от различных несовершенств. Из него затем можно получить кристаллы с известным и достаточно точно дозированным количеством дефектов. Таким образом, первыми возникают проблемы очистки кристалла от примесных атомов и устранения в нем собственных дефектов, концентрация которых превышает термодинамически равновесную. [c.9]

Представление о дислокациях. Понятие о линейных дефектах — дислокациях — впервые возникло в связи с необходимостью объяснить тот факт, что реальная прочность кристаллов, как правило,, значительно меньше рассчитанной. На основе представления о та- [c.123]

Линейные дефекты (дислокации) и двумерные дефекты (границы зерен) являются областями повышенной неупорядоченности решетки. Можно предположить, что они представляют собой особые благоприятные пути для диффузии. Экспериментальные данные показывают, что энергия активации по границам зерен примерно в два раза меньше энергии активации для диффузии в нормальной решетке. Поэтому при опытах, проводимых при низких температурах, диффузия по границам зерен особо заметна. [c.375]

III. Линейные дефекты — дислокации . [c.12]

При образовании и росте монокристаллов под действием механических и термических факторов могут появиться линейные дефекты (дислокации). Они соответствуют смещению в решетке целых рядов ионов, нарушению ориентации слоев у края незавершенной плоскости кристаллической решетки. В этом случае также происходит нарушение стехиометрического соотношения катионов и анионов. [c.507]

S)to дало возможность определить свободные энергии образования положительных и отрицательных ионных вакансий вблизи дислокаций [45]. Движение дислокаций в электрическом поле было показано как в опытах с переменным током (микроволновый диапазон волн [46]), так и в опытах с постоянным током (миграция ямок травления [47]). Заряженный линейный дефект (дислокация) с цилиндрическим пространственным зарядом по своей природе аналогичен как поверхностному заряду на границе раздела с примыкающим к ней приповерхностным зарядом, так и заряженному точечному дефекту с его сферической ионной атмосферой Дебая — Хюккеля. [c.563]

Прочность металлов в среднем на два порядка меньше теоретической прочности бездефектного кристалла сТтеор (сгтеор 0,1 Е). Такое различие обусловлено тем, что термодинамически вероятно наличие в металле достаточно высокой плотности дефектов кристаллического строения еще до деформации. Пластичность - как свойство подвергаться остаточному формоизменению - реализуется при деформации путем скольжения (трансляционного и зернограничного) и двойникования структурных элементов. Причем процесс скольжения не является результатом одновременного смещения атомов соседей. Процесс скольжения осуществляется путем последовательного смещения отдельных групп атомов в областях с искаженной решеткой. Нарушение кристаллической ре-ше йси означает, что их атомы выведены из положения минимума потенциальной энергии. Поэтому для их смещения требуется меньше энергии и напряжения. Наиболее распространенными дефектами кристаллической решетки являются линейные дефекты - дислокации (винтовые и краевые). Под действием приложенных напряжений про- [c.77]

Помимо рассеяния фононов на фононах, фононы могут рассеиваться в диэлектриках на других квазичастицах (экситонах, магнонах) точечных дефектах (примесных атомах, вакансиях и их комплексах) линейных дефектах (дислокациях) границах зерен в поликристаллах на случайном распределении изотопов данного химического элемента и т. д. Процесс переноса тепла, естественно, усложняется, что проявляется в усложнении зависимости коэффициента теплопроводности от температуры. Теоретическая оценка вкладов в полное теплосопротивление w = 1/к, вносимых перечисленными механизмами, очень сложна [7] и весьма приближенна. [c.155]

Кроме рассмотренных выше для кристаллов характерны линейные дефекты (дислокации), когда смещается целый ряд атомов Такие дефекты возникают под действием механических и термических факторов, а также в процессе роста кристаллов Дислокация может быть краевой, когда в кристалле появляется дополнительная неполная плоскость, и винтовой, когда вокруг линии дислокации образуется иаклониая плоскость в виде спирали При деформациях кристаллов дислокации и их скопления могут перерастать в ультрамикротрещииы, наличие которых преимущественно и определяет прочность кристалла [c.239]

IV. 14. Дислокация не может оканчиваться внутри кристалла. Следовательно, если дислокация выходит на поверхность растущей грани, она будет продолжать выходить на поверхность и по мере роста грани, и может покинуть ее только в результате перемещения к боковой поверхности. Следовательно, если дислокация влияет на скорость роста кристаллической грани, это влияние будет сохраняться по мере роста кристалла. Этим линейные дефекты — дислокации—отличаются от точечных, которые если и могут воздействовать на скорость роста, то только во время нарастания одного молекулярного слоя. (Дислокации могут также исч езать путем аннигиляции с дислокациями противоположного знака.) [c.125]

Бартенев с сотрудниками выдвинул гипотезу об уровнях прочности стекла и стеклянных волокон. Согласно этой гипотезе у стеклянных волокон имеется четыре уровня прочности ст , Ст , Tj, oj. Первые три соответствуют волокнам с различными по типу дефектами, а уровень прочности сгз имеют бездефектные волокна. Авторы предлагают различать три типа дефектов 1) точечные-дырки (вакансии), внедрение атомов или молекул примесей в структуру стекла 2) групповые-бивакансии, линейные дефекты (дислокации), фононы и др. 3) субмикроскопические и микроскопические объемные дефекты - микротрещины, включения, микрораэры-вы, резкие нарушения плотности и состава в объемах, значительно больших элементов микронеоднородной структуры. Последняя группа дефектов, точнее их наличие, количество и величина, особенно в поверхностном слое, и определяет прочность стеклянного волокна. На объемную дефектность стекла можно влиять регулированием технологического процесса получения волокон. [c.20]

До сих пор монокристаллы мы противопоставляли поликристаллическим материалам. Тщательное изучение реальных монокристаллов позволило уста-1ювить, что они обычно далеки от совершенства и содержат как точечные, так и линейные дефекты —дислокации [144]. Дислокации, подобно другим дефектам, заметно влияют на физические свойства кристалла, поэтому важно уметь выращивать как бездислокациониые кристаллы, так и кристаллы с известным количеством (и типом) дислокаций. [c.39]

Таким образом, в любом твердофазном материале одновременно присутствуют разные виды электронных, атомных или ориентационных дефектов, причем концентрация каждого из них является однозначной функцией температуры, давления и состава системы, если последняя находится в равновесии. Однако эта однозначность наблюдается с заметными отклонениями лишь в реальном неравновесном кристалле, в котором помимо электронных и атомных дефектов, как правило, присутствуют линейные дефекты (дислокации) и двумерные дефекты типа границ зерен в по-ликристаллических материалах, двойниковых границ и дефектов упаковки. [c.125]