Кристаллизация соединений

В соответствии с основной целью кислотной обработки металла ингибиторы не должны замедлять удаления оксидных и других слоев с поверхности металла. Оптимальный ингибитор должен в ЭТИХ условиях замедлять растворение металла и ускорять снятие окалины. Ингибитор должен сохранять свое действие при увеличении содержания солей железа и снижении концентрации кислоты, он не должен при этом высаливаться и коагулировать. Присутствие ингибитора не должно ухудшать работу установки по регенерации кислоты и препятствовать кристаллизации соединений железа, не загрязнять их. [c.63]

Метод газовой электронографии может применяться для изучения молекул при сверхзвуковом истечении струи пара исследуемого вещества, что открывает возможности исследования процессов кристаллизации соединений из газовой фазы и потенциалов межмолекулярного взаимодействия. Данный метод можно использовать для изучения химических равновесий в газовой фазе, а также структур свободных радикалов и ионов, если их получить в рассеивающем объеме в достаточном количестве. Имеется также возможность применить метод газовой электронографии для определения потенциалов и барьеров внутреннего вращения молекул. Важным, но в то же время ограниченным является использование данного метода в определении энергии химических связей, так как вклад в рассеяние потенциала валентных электронов очень мал. [c.156]

Такого типа реакции обмена не есть специфическое явление, присущее нитросоединениям, это — следствие различного трансвлияния кислотных групп. Они не протекают при кристаллизации соединений, содержащих группы, характеризующиеся повышенной прочностью связи с Р (II). [c.114]

Реакции, протекающие при совместной кристаллизации соединений двухвалентного палладия, изучены сравнительно мало. [c.150]

В противном случае, когда соединение АВ частично диссоциирует при. .., кривая начала кристаллизации соединения является непрерывной с плавным максимумом М (см. рис. 5.15). [c.276]

Пропиленгликоль был получен из оптически неактивного гликоля действием микроорганизмов и дробной кристаллизацией соединений со стрихнином Описанный синтез основан на методе Фербера, Норда и Нейберга [c.422]

Система 1п—ЗЬ. Для расчета линии ликвидуса, отвечающей кристаллизации соединения, в приближении идеальных растворов [c.22]

В анодных процессах, идущих по жидкофазному механизму, стадии кристаллизации соединений предшествует стадия диффузии частиц — продуктов первичной электродной реакции — от токоотвода (механизм диффузия —осаждение ). [c.54]

В табл. 4 приведена сводка некоторых выбранных методов получения ортофосфатов щелочноземельных металлов из растворов. За исключением фосфатов магния, при выборе методов учитывали соображения Муни и Эйя [25] относительно простоты и удобства методов. В таблице приведены также некоторые промышленные методы получения соединений. Муни и Эйя в своей статье предложили также несколько новых методов получения различных ортофосфатов щелочноземельных металлов, основанных на кристаллизации соединений или реакциях в твердой фазе. [c.207]

Каждому химическому соединению в данной системе соответствует свое определенное поле первичной кристаллизации (на рисунках принадлежность полей первичной кристаллизации тем или иным соединениям обозначается взятой в кружок формулой этого соединения). После начала кристаллизации в пределах любого поля первичной кристаллизации в равновесии находятся две фазы — жидкость и кристаллы того соединения, которому принадлежит это поле (например, поле й—с— —й на рис. 59 является полем первичной кристаллизации соединения АВС и, следовательно, в этом поле в [c.249]

Для исходного расплава (см. рис. 63) состав жидкой фазы при кристаллизации соединения АС изменяется (т. е. путь кристаллизации проходит) по продолжению прямой АС—а, соединяющей точки АС и й, т. е. по прямой аф в сторону, показанную стрелками. Если точка состава исходного расплава (например, а ) попадает на конгруэнтную пограничную кривую, то изменение состава жидкой фазы (путь кристаллизации) при одновременной кристаллизации двух твердых фаз (в данном случае А и АС) будет происходить в сторону понижения температуры по этой кривой. Если же точка состава исходного расплава попадает на инконгруэнтную пограничную кривую, то путь кристаллизации с нее сойдет и в этом случае действует описанное выше правило определения первичного пути изменения состава жидкой фазы, т. е. путь кристаллизации проходит по продолжению прямой, соединяющей точку состава кристаллизующейся фазы и точку состава исходного расплава. [c.257]

При нагревании, наоборот, происходит одновременное плавление указанных соединений. Например, в точке эвтектики Е (см. рис. 68) при охлаждении происходит совместная кристаллизация соединений АВС, В и С, поля первичной кристаллизации которых сходятся в этой точке, а при нагревании кристаллы указанных соединений переходят в расплав. [c.262]

Например, в точке двойного подъема Gi (см. рис. 68) в равновесии с жидкостью находятся кристаллы соединений А, В и АВС. Единственная пограничная кривая с падающей от точки температурой— кривая Gi —отходит от поля первичной кристаллизации соединения А, поэтому при охлаждении именно это соединение будет взаимодействовать с расплавом состава точки Gi и полностью или частично исчезать, а кристаллы двух других соединений В и АВС будут выпадать из расплава. Схематически указанную реакцию можно изобразить следующим образом [c.263]

Как показывает схема, в кислых средах (избыток ионов ОНз) устойчивы аквокомплексы бериллия (II), в щелочных (избыток ионов ОН ) — гидроксобериллат (11)-комплексы. При кристаллизации соединений из кислых водных растворов аквокомплексы переходят в состав кристаллогидратов с четырьмя молекулами воды ВеЗО 4Н. 0, ВеС12 4Н.,0, Ве(ЫОз)г 4Н 2О и др. Выделение кристаллогидратов с меиьитнм или большим количеством молекул воды свидетельствует об образовании производных многоядерных комплексов. [c.472]

Острый максимум свидетельствует о прочности соединения оно плавится без разложения конгруэнтно), т. е. подобно чистому веществу. Так, легкоплавкие металлы могут дать тугоплавкий сплав. Примером может служить смесь М (т. пл. 650,9° С) и ЗЬ (т. пл. 630° С), образующая сплав М зЗЬа с т. пл. 961° С. Кристаллизация соединения А В по обе стороны прямой СС1 протекает в неодинаковых условиях слева от нее молекулы А Б, находятся в сочетании [c.218]

В точке нри температуре начинается и продолжается кристаллизация соединения АВ, состав которого соответствуетх., (точка О). При этом в равновесии находятся три фазы расплав, кристаллы АВ и В причем число степеней свободы равно нулю С = 3 —3 = 0, что указывает на постоянство температуры 1 , состава раствора х (точка С) и состава химического соединения (точка О). [c.187]

А, закончат кристаллизацию в точке Ей а составы поля В — в точке Е2. В поле кристаллизации соединения АшВп точки исходных составов должны соединяться с [c.77]

АЕСВ представляет собой линию ликвидуса. Ветвь АЕ — линия кристаллизации компонента М ветвь ЕС — линия кристаллизации химического соединения плавящегося инконгру-знтно ветвь ВС — линия кристаллизации компонента N. Прямые GEL и D — линии солидуса (от латинского solidus — твердьи ). Фазовые превращения, протекающие по линиям АЕ и ВС, аналогичны превращениям в системе d — Bi (см. рис. 8, а). Превращения, происходящие на линии D, требуют пояснения. Если охлаждать жидкость, обозначенную точкой г, то в точке р начнется кристаллизация компонента N. При дальнейшем охлаждении кристаллизация N продол>кается по кривой ВС до пересечения с кривой ЕС. В точке С находятся в равновесии три фазы жидкая, твердые фазы M N , и N. Число степеней свободы в этой точке равно нулю. Если отнимать далее от этой системы теплоту, то будет происходить кристаллизация соединения M N , которое образуется за счет взаимодействия жидкой фазы, отвечающей точке С, и кристаллов N, на которые распалась система при нагревании в точке С. Процесс образования и кристаллизации происходит при постоянной температуре до полного исчезновения твердой фазы N. Далее, если охлаждать систему, происходит кристаллизация M N по кривой СЕ. В точке Е кристаллизуется эвтектика M,N, + М. [c.120]

Острый максимум свидетельствует о прочности образующегося соединения оно плавится без разложения (конгруэнтно), т. е. подобно чистому веществу. Легкоплавкие металлы могут дать тугоплавкий сплав. Примером служит смесь магния <т. пл. Mj 650,9 0 и сурьмы (т. пл. Sb 630 0, образующая сплав MgjSbj с т. пл. 961 С. Кристаллизация соединения А,В в областях, лежащих по обе стороны прямой i, протекает в неодинаковых условиях в области слева от нее молекулы Ау,В находятся в сочетании с молекулами А, справа -- в сочетании с молекулами В. Изменение условий кристаллизации графически выражается в том, что точка с является точкой пересечения двух кривых ( С и сЕг), т. е. в ней происходит излом кривых состав - свойство. Такие точки называются сингулярными (или дальтоновскими). [c.309]

Так алюмосиликаты построены из тетраэдров [31 0Изоморфное замещение 51 (IV) на А1(1П), происходящее на стадии образования и кристаллизации соединения, приводит к возникновению избыточного заряда полимерного каркаса, который компенсируется подвижными, способными к обмену противоионами. Предельная обменная емкость алюмосиликатов определяется, таким образом, содержанием в них алюминия. [c.671]

В отдельных случаях имеется фиксированная поверхность раздела взаимодействующих систем (коррозия стенок аппарата, труб, теплопередача через стенку), в других случаях ее развитие зависит от условий создания и поддержания — например, изменение поверхности при растворении твердой фазы в растворе, при кристаллизации соединений из растворов, при абсорбции газов в жидкостях, когда поверхность раздела фаз создается в результате движения газа или вследстЕ1ие действия механического диспергирующего импульса и т. д. [c.195]

Установлено, что при кристаллизации соединения GeTe происходит формирование решетки типа Na l, в которой каждый атом одного [c.309]

Получают его действием нагретого водно-спиртового раствора sBr на элементарный иод с последующей кристаллизацией соединения при охлаждении [141, 143, 147]. [c.113]

Кристаллизация дает ряд сцецифических преимуществ. Поэтому можно утверждать, что кристаллизация должна занимать определенное место как метод разделения соединений, имеющих сравнительно высокую температуру кристаллизации и поэтому не требующих глубокого охлаждения. Однако стоимость глубокого охлаждения (отнесенная на единицу отводимого тепла) быстро растет при снижении требуемой температуры кристаллизации. Стоимость очистки методом кристаллизации соединений, плавящихся ниже —18°, вероятно, окажется настолько высокой, что этот процесс будет использоваться только в случаях, когда все остальные методы окажутся непригодными. Однако ценность продукта и требования к его чистоте часто не позволяют отказаться от этого процесса. Важной особенностью кристаллизации является теоретическая возможность Ц одну ступень получить продукт чистотой 100%. Ни один другой процесс не дает этой возможности даже теоретически. В органической химии эта особенность уже давно получила широкое признание. Указание очищен кристаллизацией или перекристаллизован приводится в литературе как свидетельство весьма высокой чистоты соединения. Обобщая, можно утверждать, что применение кристаллизации может оказаться целесообразным в тех случаях, когда а) требуется весьма высокая чистота продукта (например, 98%-ная или выше) б) необходимо подвергнуть очистке термически нестойкие соединения в) температура кристаллизации целевых продуктов не слишком низка г) необходимо разделить близкокипящие и химически сходные изомеры. [c.50]

Получается 28104 сплавлением Ы2СОз и 5102, взятых в молярном соотношении 2 1 быстрое охлаждение расплава ведет к получению аморфного продукта, медленное охлаждение способствует кристаллизации соединения [339]. [c.60]

Меньший антагонизм между одноименными атомами в соединениях с металлической связью по сравнению с соединениями с ионной связью приводит к тому, что даже в химическом соединении не все места одной правильной системы точек в структурном типе оказываются занятыми атомами одного химического элемента. Так, например, места в центрах граней в структуре СизАи (рис. 287), заняты не на 100% атомами меди, а приблизительно на 80—90%. Аналогично, не все места в вершинах элементарных параллелепипедов заняты атомами золота. В реальной структуре часть атомов золота располагается в центрах граней ячейки и, соответственно, часть атомов меди располагается в ее вершинах. Степень упорядоченности не достигает 100%, а составляет лишь ббльшую или меньшую часть. Степень упорядоченности зависит от нескольких причин от химической близости компонентов, от скорости кристаллизации соединения и т. п. Если интерметаллическая твердая фаза образовалась из расплава, то при прочих равных условиях упорядоченность в ней будет более высокой, чем у фаз, образующихся из твердых растворов. [c.297]

Кроме перечисленных областей применения, рений может бытн использован в аналитической химии (в качестве реагента на калий, для фракционной кристаллизации соединений редкоземельных элементов). По некоторым данным, силициды рения могут быть использованы как полупроводники [341]. Получены сверхпроводящие сплавы рения [714]. См. также [1141]. [c.15]

Недиссоциированному химическому соединению соответствует сингулярная точка 5 (рис. 18), а несколько диссоциированному — плавный максимум М (рис. 19). На этом следует остановиться несколько подробнее. Из рассмотрения рис. 13 и 19 видно, что принцип соответствия в этих случаях в обше.м выполняется. Но есть одно исключение если на рис. 19 кристаллизации соединения М соответствует плавный кусок [c.46]

VIII. Диаграммы состояния двойных систем с кристаллизацией соединений [c.104]

Фазы Ж, Ж -f А, Ж + В, Ж + S, В + S, S -f А отмечены на соответствующих полях диаграммы. На рис. VIII.1 также нанесены треугольники Таммана, отвечающие эвтектической кристаллизации. Соединение, отражаемое диаграммой VIII. 1, обычно называют недиссоциированным, но это верно только при температуре плавления, так как о состоянии соединения при более высоких температурах эта диаграмма не дает указаний. [c.104]

Возможны диаграммы, когда точка Р (см. рис. VIII.4) совпадает с составом соединения S. В работе [7] путем вывода из удельных изобарных потенциалов показано, что в подобных системах ветвь кривой ликвидус, соответствующая кристаллизации чистого компонента, пересекается с линией кристаллизации соединения в дистектической точке. Соединение S выделяется в точке пересечения непосредственно из расплава. Компонент А не претерпевает перитектического превращения. Такую диаграмму автор считает промежуточной между описанными ранее типами диаграмм с конгруэнтно и инконгруэнтно плавящимся соединением. [c.109]

Превращение может состоять в образовании компонентами в твердом состоянии экзотермического соединения, которое разлагается на компоненты, не достигнув плавления. (Разложение экзотермического соединения при повышении температуры соответствует принципу Ле-Шлтелье.) Невозможность кристаллизации соединения из расплава связана с тем, что точка 5 его удельного изобарного потенциала (рис. Х.2,а, диаграмма /) придет на кривую удельных изобарных потенциалов расплавов при температуре, при которой прямая, соединяющая фигуративные точки удельных изобарных потенциалов твердых компонентов, лежит ниже кривой расплавов и не имеет с ней общих точек. Система затвердеет в конгломерат компонентов В и А при более высокой температуре, чем t. , при которой может начаться кристаллизация соединения. Очевидно, что ликвидус системы будет обычным для системы с простой эвтектикой, описанной в главе VI. 1. При температуре 2 (диаграмма II) твердое соединение 8 могло бы быть в равновесии с растворами, состав которых дается точками Н яО, но эти равновесия неустойчивы, что видно из расположения линий удельных изобарных потенциалов. Только при температуре д (диаграмма III), когда точка 8 придет на прямую —. <45, твердое соединение будет устойчиво, и при этой температуре в равновесии будет находиться смесь трех твердых фаз А, В и 8. При дальнейшем понижении температуры (диаграмма IV) точка 8 опустится ниже прямой А В , следовательно, смеси 8 с В и 8 с А более устойчивы, чем смеси компонентов. [c.128]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология