Каишев

Странский и Каишев установили связь термодинамических величин со структурой кристалла и энергетикой связей между атомами в кристаллической решетке, применив метод средних работ отрыва. В основе такого метода лежит приближение [c.237]

Для объяснения роста кристаллов Странский и Каишев [9] предложили механизм зарождения нового монослоя на грани кристалла, работа образования которого xL/2 определяется свободной энергией х его периметра Ь. [c.286]

Странский и Каишев показали, что проблема роста и образования зародышей может быть решена количественно на основе элементарных процессов при последовательном применении статистического метода. Исходной точкой явилось сопоставление условий равновесия двух- и трехмерных кристаллов. При этом была определена средняя работа отрыва одного элемента от поверхностного слоя решетки — статистическая величина, при помощи которой поставленная задача получила полное разрешение. [c.93]

Все эти исследования, отмечает Каишев [3571, пользовались представлениями об идеально построенных кристаллах. Позже оказалось, что неправильности в решетке могут изменить механизм роста кристалла в таком случае исчезает необходимость образования двумерных зародышей и появляется возможность роста при значительно меньших пересыщениях, чем те, которые надо было ожидать на основании представления о росте через двумерные зародыши. [c.96]

В докладах, а также в дискуссии, развернувшейся на 2-м и 3-м совещаниях по росту кристаллов, указывалось на существующий разрыв между теорией и практикой. Р. Каишев считает [374], что на вопрос, достаточна ли связь между теорией и практикой в области роста кристаллов, следует дать, к сожалению, отрицательный ответ. Отмечая плодотворность толкования эксперимента при помощи моделей, он вместе с тем отмечает, что все теоретические работы сделаны на очень упрощенных моделях и на такой решетке, как простая кубическая, которой в природе не существует. Б. Я. Любов[374] [c.99]

ПРЕДИСЛОВИЕ К РУССКОМУ ПЕРЕВОДУ (акад. БАН Р. Каишев) [c.4]

Академик Болгарской Академии Наук Р. Каишев [c.7]

Идеальный кристаллический зародыш в фазе с т. п. характеризуется, таким образом, величиной (л, представляющей собой среднее значение т. п. 1) строительных элементов каждой из имеющихся плоскостей решетки-, 2) строительных элементов каждого края двумерного зародыша на этих плоскостях решетки-, 3) величины т. п. углового строительного элемента одномерного зародыша (И. П. Странский и Р. Каишев [71]). [c.106]

Р. Каишев и И. Н. Странский [27] провели первый частично кинетический анализ процесса образования кристаллического зародыша, ограничившись состояниями идеальных минимальных форм. Акты отложения завершенных плоскостей решетки при этом рассматривались как неделимые элементарные события, установление частоты которых требует привлечения законов образования двумерных зародышей, выведенных ранее, и общих статистических соображений. [c.155]

Каишев, Странский, Усп. физ. наук 21, 408 (1939). [c.122]

КАИШЕВ Ростислав Атанасов (р. 16.11 1908) Болгарский физикохимик, член Болгарской АН (с 1961). Р. в Петербурге. Окончил Софийский ун-т [c.217]

В этом виде уравнение (21) впервые вывели Фольмер и Вебер [1], а вычисления последовательно уточнили Фаркаш [5], Каишев и Странский [6], Беккер и Деринг [7], Зельдович [8] и Курт [9]. В основе расчета лежит способ, предложенный Сцилардом [10]. Поскольку в пересыщенном паре непрерывно появляются новые зародыши и свободно растущие капельки, то условно считают, что эти капельки удаляются и. возвращаются в паровую фазу в виде отдельных молекул , в результате чего состояние пересыщения не меняется. Устанавливается стационарное состояние, при котором распределение гц зародышей остается без изменений и через все распределение проходит стационарный поток Этот поток [c.217]

В своих последующих работах Странский и Каишев [38, 67—69] рассмотрели также равновесные формы конечных кристаллов при конечных пересыщениях. Для жидких сфер уравнение Томсона — Гиббса [c.347]

Равновесная форма может быть найдена довольно просто. Начиная, с такой простой формы, как куб, будем удалять с него молекулы, находящиеся в вершинах, на ребрах, и другие молекулы, у которых энергия сцепления меньше, чем у молекул, находящихся в изломах ступеней, до тех пор, пока не останутся только молекулы с энергией сцепления, равной энергии сцепления молекул в изломах или большей, чем эта энергия. Такая операция приведет к образованию типов поверхностей равновесной формы, но площади этих поверхностей не будут соответствовать равновесной форме. Странский и Каишев [68], используя этот атомистический подход, вывели правило Вульфа и уравнение Гиббса — Томсона. [c.367]

Пренебрегая разностью энтропии, Странский и Каишев сначала предположили, что разность энергий сцепления для молекул, находящихся в различных положениях, равна разности химических потенциалов. Для положений т и п это можно выразить точно [c.367]

Константы Ко и а следовательно, и скорость /о могут быть вычислены статистическими методами (Фаркаш, 1927 г. Каишев и Странский, 1934 г. Беккер и Дёринг, 1935 г. Френкель, 1939 г. Зельдович, 1942 г. Дерягин, 1972—1977 гг. и др.). Однако расчет очень важного в данном случае энергетического барьера А к, можно произвести, как уже отмечалось, термодинамическим путем (Фольмер и Вебер, 1926 г.). Работа изотермического образования зародыша равна изменению АР свободной энергии системы при образовании в ней капли (зародыша). Пусть капля критического размера содержит и молей пара. Свободная энергия этих Пй молей до образования капли была Ру = а после этого стала Р = [c.96]

Дальнейшее развитие теории конденсации предполагает более подробный учет свойств конденсационных ядер. В последующем (Крыстанов, 1957 г. Каишев и Мутафчиев, 1959 г.) был рассмотрен случай неполностью смачиваемых ядер. Оказалось, что активность ядра зависит от его смачиваемости (от краевого угла). [c.103]

Позднее Каишев и Ексерова предложили другой вариант этой теории. [c.229]

Р. Каишев, Е. Будевский и сотрудники показали, что уравнения (УИ1.101) и (УП1.Ю2) выполняются только при особых условиях проведения электрокристаллизации (монокристаллические бездислока-ционные грани, электролиз с использованием импульсов тока или потенциала определенной длительности и формы). На реальных элект-)одах стадия образования зародышей не является лимитирующей. 3 зависимости от условий скорость электроосаждения определяется диффузией ионов к поверхности электрода, стадией разряда ионов, поверхностной диффузией разрядившегося иона (такой ион называют адионом или адатомом) или стадией встраивания адиона в кристаллическую решетку. Особую роль в процессах электрокристаллизации играет наличие винтовых дислокаций, ступеней атомной высоты и макроступеней. Часто при электрокристаллизации используют не простые, а комплексные элактролиты. В таких условиях могут оказаться медленными химические стадии диссоциации комплексных ионов, предшествующие процессу осаждения металла. [c.208]

Р. Каишев и Е. Будевский показали, что на обычных (промышленных) электродах стадия образования заро- [c.233]

Это и есть доказательство формулировки Вульфа. В форме (29) уравнение Гиббса — Вульфа аналогично формуле Томсона (26). Для смешанных кристаллов соответствующие выражения содержатся в уравнениях (27) и (28). Ранее этот закон многократно использовался для объяснения форм роста макроскопических кристаллов. Это применение неверно, потому что с увеличением линейных размеров 1., 2., различия лд,,, которые возникают при отклонении от равновесной формы, становятся все меньше и меньше (29) и для макроскопических кристаллов уже практически исчезают. Уравнение имеет физический смысл только при линейных размерах кристалла, меньших 10 см. Для кристаллов большей величины изменения т. п., связанные с отклонением формы, лежат за пределами экспериментально возможной точности установления параметров состояния фазы Т, Р, i,. .. Кроме того, уже, например, сила тяжести начинает играть столь же важную роль для формы этих кристаллов. Склонность кристаллов приобретать форму, предписываемую приведенными выше уравнениями, как это видно из соотношения (29), тем больше, чем меньше их линейные размеры и потому она решающим образом определяет форму зародыша. Далее, из вышеуказанного уравнения следует, как впервые заметили И. Н. Страиский и Р. Каишев [69], что с уменьшением размера кристалла, т. е. с возрастанием пересыщения другой фазы, форма равновесия становится беднее гранями поскольку отношение расстояний до центра определяется значениями а, грани кристалла с уменьшением его размеров одна за другой исчезают в том же порядке, в каком их протяженность снижается до молекулярных размеров. И. Н. Странский [48] распространил это положение на макроскопические кристаллы, полагая, что их формы также должны быть тем беднее гранями, чем выше пересыщение питающей фазы. Из соответствующих наблюдений он смог высказать соображения о сфере действия молекулярных сил. [c.92]

Каишев Р. Избране трудове. София Изд. Волг, Академии Наук, 1980. [c.201]

Острое отравление. Вызывает резкое раздражение слизистых оболочек дыхательных путей и глаз, выражающееся в покраснении лица, конъюнктивы, чихании, царапании в горле, сухом каише, насморке, чувстве сдавливания в груди, острой головной боли. [c.492]

В этом уравнении значительную трудность представляет вычисление константы N о- Для образования поверхностных зародышей из паровой фазы Каишев и Странский а также в более совершенном виде Бекер и Дёринг рассмотрели коэффициент пропорциональности N0 с кинетических позиций, пренебрегая поверхностной диффузией. По данным Бекера и Дёринга Л о по порядку величины равен числу соударений с поверхностью из кинетической теории газов. [c.347]

Каишев и Странский и более строго Бекер и Дёринг [c.354]

Каишев и сотрудникиприменив импульсный метод, смогли подтвердить справедливость выведенного Эрдей-Грузом и Фольмером уравнения (где Nk — число обра- [c.705]

Каишев P., Мутафчиев Б., Рефераты докладов 14 совещания по электрохимической термодинамике и кинетике. 19—24, авг. 1963, стр. 34. [c.188]

Кинетику ориентированного осаждения вещества на чужеродной подложке можно также рассматривать с помощью теории роста, используя понятие работы отделения (Каишев, Блнзняков). Работы образования зародышей, пониженные вследствие осаждения на чужеродной подложке, выражаются соотношениями (13.43) и (13.44). Явление индукции возле ребер и ступеней (увеличение частоты появления ориентированно осажденных кристаллов вдоль ступенек на грани носителя) можно объяснить преимущественным образованием зародышей в соответствии с формулой (13.45). [c.342]

Химики (1984) -- [ c.0 ]

Газовая хроматография - Библиографический указатель отечественной и зарубежной литературы (1967-1972) Ч 1 (1974) -- [ c.0 ]

Газовая хроматография - Библиографический указатель отечественной и зарубежной литературы (1961-1966) Ч 1 (1969) -- [ c.0 ]

Газовая хроматография - Библиографический указатель отечественной и зарубежной литературы (1961-1966) Ч 2 (1969) -- [ c.284 ]

Выдающиеся химики мира Биографический справочник (1991) -- [ c.0 ]

Выдающиеся химики мира (1991) -- [ c.0 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология