Смекал

Прочность характеризуется критическим (предельным) напряжением Рт, при котором наступает разрыв сплошности тела. В отличие от упругих свойств реальных тел, характеристики которых можно вычислить из теории простейших идеальных кристаллических решеток, прочность реальных твердых тел, как на это указывали Гриффитс, А. Ф. Иоффе, Смекал и другие, в тысячи и десятки тысяч раз меньше прочности, рассчитанной для идеального кристалла. [c.182]

Отметим, что в большинстве работ, публикуемых на русском языке, принято говорить эффект комбинационного рассеяния света (хотя и не всегда), тогда как во всех остальных странах обычно говорят раман-эффект (в старой немецкой литературе часто писали Смекал— Раман-эффект ). [c.46]

Смекал развил более общее представление о дефектах как о местах, где под действием напряжения возможно возникновение микротрещин (начальную микротрещину Гриффита правильнее назвать дефектом). Растущая на базе дефекта трещина отличается от самого этого дефекта. При снятии напряжения, согласно представлениям Ребиндера, трещина может сомкнуться вплоть до дефекта, из которого она образовалась . Отсюда следует неправомерность критики теории Гриффита в работах Френкеля и Эллиота " 2 . [c.19]

Сущность ультразвукового метода Смекала состоит в том, что возникающая и увеличивающаяся при разрыве поверхность искусственно покрывается линиями, наносимыми через определенные одинаковые промежутки времени. С помощью таких линий впоследствии характеризуют процесс разрыва по направлению и скорости в каждой точке. Поскольку при разрыве стекол интересующие нас скорости лежат в интервале от 100 до 2000 м/с, линии следует наносить через промежутки 10 —10 с. Для нанесения линий в описанном ниже опыте образец облучали ультразвуковыми волнами частотой 5 МГц. При облучении разрушаемого [c.271]

Проведенное рассмотрение предполагало идеальную чистоту вещества, которая в действительности никогда не достигается. Посторонние молекулы, даже в количестве минимальных следов, оказывают существенное влияние на рост, особенно если они не могут войти в решетку в качестве компонентов смешанного кристалла (А. Смекал [76]). Во-первых, посторонние вещества могут изменять внешнюю форму растущего кристалла. Во-вторых, они приводят к появлению нарушений в кристаллической решетке. Такие дефекты строения ответственны за многие физические свойства кристалла. Они выявляются также в процессе растворения, протекающего при этом путем отделения более крупных структурных блоков [77]. [c.113]

Возможность существования поверхностных состояний была впервые рассмотрена Таммом [1], который пришел к выводу, что соответствующие им уровни лежат в запрещенной зоне. Можно предположить, что эти поверхностные состояния возникают различными путями. Они могут включать в себя уровни, получающиеся из сложных атомных уровней [2], уровни, образующиеся вследствие изменения потенциала Маделунга в поверхностной области [3] и вследствие присутствия адсорбированных веществ [4], и уровни, связанные с такими обычными поверхностными нарушениями, как трещины Смекала, спиральные дислокации и другие дефекты. Особенности уровней Тамма были теоретически рассмотрены многими авторами [5]. Предполагается, что число локализованных поверхностных состояний может соответствовать числу поверхностных атомов. Энергетические уровни, соответствующие этим поверхностным состояниям, могут быть или дискретными, или равномерно распределенными по всему промежутку между заполненной зоной и зоной проводимости. Последнего можно ожидать при высоких концентрациях примеси. Бардин [5] утверждает, что, если плотность поверхностных состояний достаточно велика (больше 10 ш ), на свободной поверхности может образоваться двойной электрический слой, возникающий вследствие поверхностного заряда, вызванного электронами, находящимися в этих состояниях. Этот заряд будет индуцировать объемный заряд противоположного знака, распространяющийся примерно на 10 см внутрь кристалла. Согласно Бардину, это приводит к независимости работы выхода электрона для таких веществ от высоты уровня Ферми внутри материала и, следовательно, к независимости ее от содержания примесей в объеме. Этот постулат распространяется и на поверхности раздела металл — полупроводник. В данном случае металл стремится расширить поверхностные состояния полупроводника. Однако, когда это расширение мало по сравнению с шириной запрещенной зоны, пространственный заряд полупро-водника не зависит от металла. В тех случаях, когда расширение значительно по сравнению с запрещенной полосой, не может быть сделано никаких выводов. [c.168]

Применяя вышеизложенные положения при изучении катализа, можно предложить общую модель для первичной адсорбции кислорода на полупроводящем окисле. В первой стадии поглощения адсорбция происходит в небольшом числе мест на поверхности, к которым относятся такие дефекты, как трещины Смекала или винтовые дислокации. Диссоциация здесь может происходить с образованием кислородных ионов или кислородных атомов. Количество этих мест увеличивается в результате обработки водородом независимо от изменения площади поверхности. Наоборот, их количество может быть уменьшено отжигом. Во второй стадии адсорби- [c.189]

Смекал [38] указал на то, что некоторые свойства кристаллов зависят от наличия границ субструктуры и других структурных дефектов. Весьма вероятно, что все кристаллы и микрокристаллы галогенидов серебра, размеры которых больше 10 см, имеют полиэдрическую субструктуру, малоугловые границы которой образованы рядами и сетками линий дислокации. По-видимому, эта субструктура ответственна за выделение фотолитического серебра внутри кристаллов и за ряд других важных физико-хими-ческих свойств кристаллов [32]. [c.415]

Наличие перехода от ионной к гомеополярной связи в веществах, подобных кремнезему, имеет большое значение для теории стеклообразного состояния, как это показал Смекал. См., в частности [c.17]

Эккерт изучал признаки последействий в оптиче ских свойствах, обусловленных термической историей стекол в связи с изменениями их молекулярного строения. Для оптических констант стекла весьма важное значение имеет промежуток времени, в течение которого оно выдерживалось между температурами течения и затвердевания. Стронг исследовал соотношение между модулем упругости и термической историей промышленного стекла. Производились измерения изгиба стеклянных стержней под нагрузкой при большом оптическом увеличении стрелы прогиба. Изменение предварительной термической обработки приводило к изменению модуля упругости в пределе до 7% он увеличивался благодаря выдержке образцов при низких температурах и уменьшался в результате закалки стержней. Эти явления, сопровождающие механическую релаксацию, рассмотренные в А. II, 45 и ниже, согласуются с представлениями Смекала о ступенчатом характере процессов затвердевания силикатных стекол. [c.194]

Путем, правильной дозировки для искусственных смекай мы рассчитываем по р чить ценное топливо, а котором недостаток калорийности одних а,нтидетонирующих горючих будет компенсирован вы со-кой теплотворной способностью других, более сильно детонирующих топлив. - [c.519]

А. Смекал утверждает, что в образовании стекла не могут принимать участие соединения, в которых химическая связь осуществляется только по одному типу молекулярному, атомному, ионному или металлическому. Стекла образуются из тех соединений, в которых сочетается несколько типов связей, как гетероиолярные, или ионные, так и гомеополярные, или ковалентные, [c.193]

Концентраты руд, содержащие (Мп, Fe)W04. обрабатывают раствором щелочи или смекают с Naj Os в присутствии кислорода, который необхолим для окисления Fe и Мп [c.509]

Vfl может быть больше нуля, равно пулю и меньше нуля соответственно линии рассеянного света будут смещены в сторону красной области спектра, останутся пеизмев епными или сместятся в сторону фиолетовой области. Соответствующие соударения называются неупругими, упругими и сверхуиругими. Величины смешений в обоих направлениях одинаковы, так что линии появляются парами они находятся на одинаковых расстояниях от несмещенной линпи, но интенсивности их различны. На измерении температурной зависимости относительной иптенсивности обеих смещенных полос основан один из методов определения постоянной Планка h (гл. III). Хотя комбинационное рассеяние света и находит объяснение с точки зрения гипотезы Смекала, его истинное происхождение следует искать в изменении поляризуемости молекулы за счет колебаний атомов данной молекулы. В результате взаимодействия переменного внутримолекулярного поля, возникающего таким образом, и гармонического поля, связанного с электрической компонентой падающего света, возникают три электромагнитных колебания с частотами vl, v -f--l-Vji и Vb—Vfl, где —частота падающего света, а уц—частота комбинационного рассеяния. Рассмотрим двухатомную молекулу, в которой ядра колеблются относительно положений равновесия с постоянной частотой Vr. Смещение [c.428]

В результате сходной структуры иллитов и смектитов пакеты 2 1 могут смешиваться или переслаиваться, образуя смешаннослойные глины. Большинство иллитов и смектитов в небольшой степени переслаиваются, но они не классифицируются как таковые до определения с помощью дифракции рентгеновских лучей. Как и следует ожидать, смешаннослойные иллит-смек-титовые глины имеют среднюю емкость катионного обмена между членами конечного ряда. [c.107]

Уже во время появления работ Гриффита [67, 68] высказывали мнение о необходимости учитывать влияние теплового движения на разрыв связей, противодействующих разделению тела на части под влиянием разрушающего напряжения. Хотя эта мысль была высказана в общей форме в работах [67, 68], Смекал, по-види-мому, впервые попытался учесть влияние теплового движения на процесс механического разрушения тел. [c.270]

Смекал предложил метод измерения скорости распространения разрыва. Этот метод основан на наблюдениях Валнера, обнаруживавшего, что на поверхности разрыва стеклянной палочки образуются своеобразные уступы, располагаюш,иеся симметрично относительно первичного дефекта. [c.271]

Проведенные исследования показывают, что частицы необработанного глинистого минерала и образцы, обожженные при температуре ниже 500—600°, иод воздействием электрического поля постоянного тока интенсивно накапливают на обращенной к катоду поверхности микробные клетки. Смена полярности на электродах приводит к резкому взаимному отталкиванию частиц глины и клеток микроорганизмов. В этот момент при значительном скоплении микробных клеток на поверхности минерала, что может быть достигнуто увеличением , времени подачи напряжения или использованием более густой суспензии, наблюдается резкий сдвиг частицы глины в сторону, иро-тивополол<ную направлению движения клеток. По-видимому, такого же рода сила отталкивания действует и между отдельными клетками микроорганизмов во время смены полярности. Во всяком случае после выключения тока клетки со временем снова распределяются по всему объему камеры, не образуя конгломератов или скоплений. Такое поведение частиц глины и клеток микроорганизмов свидетельствует о существенной роли двойного электрического слоя (ДЭС) в их поляризации. Если бы поляризация частиц обеспечивалась каким-то другим, например, ориентационным механизмом, то при смеке полярности на электродах внезапного сдвига глины и рассредоточения клеток микроорганизмов не наблюдалось бы. [c.224]

Теория активных центров в адсорбционном катализе подвергалась изменениям многими исследователями, преимущественно в связи со строением и расположением на псверхности частей катализатора, обладающ 1х высокой активностью. Шваб и Питч [83] считают ребра и углы кристаллов активными местами катализатора, это заменяет понятие границ поверхностей Тейлора понятием неправильных границ раздела двух фаз. Локализация каталитического действия на линиях перегиба поверхности кажется Швабу и Питчу вероятной вследствие того, что вершины и грани кристаллов показывают повышенные скорости формирования кристаллов и обладают повышенной реакционной способностью, а поэтому возможно увеличение каталитической активности вследствие увеличенной сферы действия. Они подкрепили эту точку зрения рядом примеров. Смекал предполагал, что повышение активности с уменьшением размера кристаллов может служить доказательством большей активности ребер или вершин кристаллов в сравнении с гладкими поверхностями, так как при уменьшении размера кристаллов отношение величины граней кристаллов к поверхности увеличивается. [c.118]

Смекал [85] и Цвицки [105] пошли дальше, они считали каждую неправильность на поверхности кристаллов активным местом с повышенной силой притяжения и поэтому с большой каталитической активностью. Неправильности, встречающиеся во всех кристаллах, увеличиваются примесями посторонних веществ или увеличением скорости роста кристаллов. Чем быстрее кристаллизуется вещество, тем больше вероятность всзникновения таких неправильностей. Высокая температура, при которой происходит рост кристаллов, индуцирует указанный выше вид неправильностей или благоприятствует увеличению числа активных мест. Смекал определил, что число активных мест колеблется между Ю и 10 элементов кристалла в зависимости от условий роста кристаллов. По мнению Зейя [84], число адсорбционных центров гораздо меньше числа молекул, образующих кристаллическую поверхность, и каждый адсорбционный центр способен связать лишь одну молекулу (адсорбция молекул газов на твердом веществе). [c.118]

Гольцмюллер [134], исходя из данных Смекала [135] и Грифита [136], вычислил максимальное напряжение по краям трещин длиной I с минимальным радиусом искривления р [c.13]

В заключение отметим, что большинство систем мезоген-немезоген имеет сравнительно простые фазовые диаграммы, аналогичные приведенным на рис. 2, 3. Значительно реже встречаются более сложные диаграммы система 1в-1Уд (немезоген) [12] с индуцированной промежуточной смек-тикой система гексазтилдисилоксан-X [39] с аномально широкой гетерогенной областью ТУ+/ система гексаметилдисилоксан—У1Па [39] с образованием гетерогенной области, состоящей из двух изотропно-жидких фаз системы, в которых введение в жидкий кристалл не мезоморфного соединения приводит к повышению Гдгу [20,40]. [c.231]

Еще в 1928 г. Гиле и его сотрудники [42] провели ряд работ, в которых было ясно установлено влияние пластических деформаций на проводимость галогенидов щелочных металлов. Создание напряжений выше предела текучести тотчас вызывало увеличение проводимости, за которым следовало медленное уменьшение ее до первоначальной величины. Смекал тогда уже оценил важность этих работ, но в тридцатых годах в связи с повышенным интересом к теории дефектов, и в частности дефектов Шоттки — Вагнера, опытам Гиле не было придано должного значения. В настоящее время эти ранние эксперименты можно объяснить, пользуясь теорией дислокации. Установлено, что в процессе пластической деформации вакансии порождаются дислокациями, вследствие чего проводимость возрастает медленное уменьшение проводимости вызвано агрегацией излишних вакансий, которые, в конце концов, осаждаются на дислокациях. [c.63]

Общее расширение хвоста поглощения в длинноволновой части спектра для всех других солей, кроме галогенидов щелочных металлов, не может быть, однако, обусловлено тепловой энергией решетки, так как этот эффект очень слабо зависит от температуры (рис. 4). Предполагают, что это поглощение связанэ с наличием ионов, находящихся в особых положениях, например на поверхности трещин Смекала, или ионов примесей, но более вероятно, что оно соответствует запрещенным переходам [22]. [c.90]

См. исчерпывающую статью в [227], 16, 1938, 258— 263 [188], 17, 1938, 143 и 144 Я. И. Герловин [157], 38, 1943, 126, 127 и 170-172, Смекал (А. 8mekal [227], 22, 1949, 178)j показал, что представления Матосси об усилении пульсационной частоты группы [SiO ] не имеют значения решающего критерия в вопросе о присутствии остаточных элементов кольцевой структуры в стекле и не служат также аргументом против теории каркаса, принятой Смекалом. [c.180]

Рейнкобер122 пересмотрел результаты Гриффита, полученные при испытании стеклянных нитей различных диаметров. Применив точный физический анализ процесса разрыва нити, как функции скорости увеличения нагрузки испытуемого на растягивание образца, Рексер показал влияние на прочность нитей начальных натяже-. ний и других условий их производства. На основании теории Смекала о существовании мозаичных блоков, недостатков, мельчайших трещин и т. д. в структуре стек-ла 2 Рексер наглядно показал, что быстрое возрастание напряжения растягивания (при постоянных скоростях нагрузки и постоянных поперечных сечениях) с уменьшением, диаметра нитей есть следствие значительного уменьшения числа внутренних дефектов в нити . Совершенно очевидно также, что площадь зеркал , образу- [c.200]

Енкель предложил для температур замораживания атомистическое объяснение, основанное на представлениях Смекала о существовании двух наклады- [c.213]

Ж5. Теория пространственной структурной вязи стекол (Захариасен, Уоррен) касается лишь строения его внутренних частей с позиции этой теории атомное строение стекла рассматривается в предположении существования гигантской молекулы (см. А. II, 290). Многие свойства стекла, имеющие наиболее важное значение при его практическом применении, относятся к поверхностным свойствам, которые могут во многих отношениях отличаться от свойств его внутренней структуры. С помощью изучения поверхностей разлома стекла мы узнаем, что можно ожидать в этом отношении с физико-химической точки зрения. Смекал (см. А. II, (56) тщательно исследовал исключительно физические (механические) свойства поверхностей разлома стекол мы же здесь ограничимся химической стороной этой проблемы, которую специально изучал Уэйл. [c.227]

Такие метафазы играют важную роль при реакциях в твердом состоянии вследствие их сильных структурных аномалий, или дефектов , как следует из теории Смекала, имеющей большое значение. Хюттиг собрал особенно богатый фактический материал, касающийся этих вопросов. Каталитическую активность метафаз можно использовать в качестве отличного метода количественного исследования постепенного превращения таких промежуточных фаз в стабильные кристаллические фазы. Согласно Гейльману, Клемму и Мейзелу , высокоактивные ферромагнитные промежуточные фазы появляются в период термического разложения нонтронита (см. О. II, 21). Можно легко наблюдать изменения магнитной восприимчивости в зависимости от температуры термической обработки (фиг. 737). Такие [c.700]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология