Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Фаза параэлектрическая

    Выше мы говорили, что спонтанная поляризация у сегнетоэлектриков в отличие от пироэлектрика существует в определенном температурном интервале. Температура, при которой происходит исчезновение спонтанной поляризации, получила название сегнетоэлектрической температуры Кюри Тс- При температуре Тс, отмечающей фазовый переход, наблюдается максимум диэлектрической проницаемости е. Выше температуры Кюри, или, как говорят, в параэлектрической фазе, температурная зависимость удовлетворяет закону Кюри—Вейса (498). Следует различать температуру Кюри—Вейса 0 и температуру Кюри Тс-У сегнетоэлектриков, испытывающих переход второго рода, 0 совпадает с Тс, тогда как у сегнетоэлектриков, еход первого рода, эти температуры различны [19]. [c.277]


    Перестройка структуры титаната бария при его фазовом переходе из параэлектрической кубической в сегнетоэлектрическую тетрагональную фазу [c.272]

    Среди различных типов протяженных дефектов выделим такие, которые с успехом могут быть исследованы методами порошковой рентгенографии. Некоторые из них (например, дефекты упаковки) уже рассматривались. Наибольший интерес представляют модулированные, или несоразмерные, структуры. Большей частью существование такт фаз связано с их кинетической устойчивостью равновесное, более упорядоченное состояние не достигается из-за очень малой скорости преобразования структуры в той области температур, в которой устойчива фаза с упорядоченной структурой. Модулированные, или несоразмерные, фазы отличаются от соразмерных тем, что сверхструктура (обычно по одно(/1у из направлений) имеет период повторяемости, не кратный трансляционной решетке субструктуры. Фазовые превращения сегнетоэлектрическая фаза - пароэлектрическая фаза, относящиеся к фазовым переходам второго рода, обычно протекают через стадию образования несоразмерной фазы, термодинамически устойчивой в узком интервале температур. Появление несоразмерной сверхструктуры в этом случае объясняется смещениями части атомов из идегшьных позиций параэлектрической фазы, величина которых (в определенных пределах) меняется периодически. В этом случае на рентгенограммах могут появляться, кроме основных линий (пятен), сателлиты, которые не индицируются в предположении соразмерной сверхструктуры или период этой сверхструктуры столь велик, что индицирование не может считаться однозначным. Другой пример образования несоразмерных фаз [c.240]

    При нафевании сегнетоэлектрика спонтанная поляризация, как правило, исчезает при определенной температуре Тс, называемой точкой Кюри. В этой точке происходит фазовый переход сегнетоэлектрика из полярного состояния (полярной фазы) в неполярную (параэлектрическую) фазу. В разных сегнетоэлектриках Тс сильно различается. [c.259]

    Симметрия доменной структуры сегнетоэлектриков определяется принципом Кюри. При фазовом переходе в точке Кюри, когда кристалл переходит из параэлектрической фазы в сегнетоэлектрическую, меняется его симметрия. Разбитый на домены кристалл в целом имеет макроскопическую симметрию, такую же, какую он имел в параэлектрической фазе. [c.272]

    У титаната бария в параэлектрической фазе, т. е. при температуре выше 120° С, ион титана (ион В) находится в центре кубической ячейки, ионы бария (ионы А) занимают вершины ячейки, а ионы кислорода расположены в центрах граней куба, т. е. образуют кислородный октаэдр с ионом в центре октаэдры соединены друг с другом вершинами, а в пустотах между ними раз- [c.272]


    В некотор ых кристаллах при определенных температурах ионы одного типа самопроизвольно смещаются не паралаллельно друг другу, как в сегнетоэлектриках, а антипараллельно. Если в кристалле имеются готовые диполи, то они могут ниже некоторой температуры упорядочиться таким образом, что возникнут цепочки с антипараллельной ориентацией диполей. Такие кристаллы называются антисегнетоэлектриками [19—22]. Анти-сегнетоэлектрик можно рассматривать как совокупность вставленных одна в другую подрешеток, в каждой из которых дипольные моменты направлены параллельно, а их суммарный дипольный момент равен нулю. Природа спонтанной поляризации подрешеток антисегнетоэлектрика такая же, как и в сегнетоэлектриках. Один из примеров антисегнетоэлектрика, состоящего из двух подрешеток, показан на рис. 120. Таким образом, суммарная спонтанная поляризация антисегнетоэлектриков равна нулю. Поэтому антисегнетоэлектрики имеют неполярную структуру и центр симметрии пьезоэффект в них отсутствует. Так же, как и в сегнетоэлектриках, в антисегнетоэлектриках наблюдается фазо-(вый переход в параэлектрическое состояние. При этом происходят перестройка структуры и изменение свойств. При температуре перехода наблюдается максимум диэлектрической проницаемости, величина которой меньше, чем у многих сегнетоэлектриков. Фазовый переход может быть как первого, так и второго рода [19]. [c.277]

    При нагр. выше определенной т-ры, наз. Кюри точкой Тк, спонтанная поляризация С. исчезает. В этой точке происходит сегнетоэлектрич. переход из полярной фазы в неполярную (параэлектрическую). В области температурная зависимость 8 достигает максимума, а величина остаточной поляризации Ро падает до нуля. [c.308]

    Структура типа перовскита характерна для высокотемпературной, параэлектрической фазы обширного семейства соединений таких, как титанат бария. Ниже температуры Кюри они переходят в сегнетоэлектрическую фазу. При фазовом переходе кубическая ячейка слегка искажается, становясь тетрагональной или ромбической (см. рис. 233) в результате атомных сдвигов возникает спонтанная электрическая поляризация. Многие из соединений этого семейства являются сегнето- или анти-сегнетоэлектриками, пиро- и пьезоэлектриками, сегнетомагнетиками, анти-сегнетомагнетиками, нолупроводника-ми-сегнетоэлектриками и очень широко применяются в технике. [c.169]

    Спонтанная поляризация сегнетоэлектрика резко зависит от температуры. Она обращается в нуль при так называемой температуре Кюри, при которой происходит фазовый переход сегнетоэлектрика из полярной сегнетоэлектри-ческой фазы в неполярную параэлект-рическую. В параэлектрической фазе в кристалле существует только индуцированная поляризация. [c.270]

    Сегнетова соль (виннокислый калий-натрий NaK 4H4 0e-4Н20) имеет верхнюю и нижнюю температуры Кюри +24° С и —18° С. В параэлектрической фазе этот кристалл принадлежит к классу 222, в сегнетоэлектрической — к классу 2. Конфигурация доменов такова, что в целом кристалл имеет симметрию параэлектрической фазы, т. е. 222, хотя каждый домен имеет симметрию 2 все домены 180-градусные. Два типа конфигурации доменов сегнетовой соли показаны на рис. 232. [c.272]

    Деформация структуры при фазовом переходе заключается в том, что ион титана слегка смещается из центра кислородного октаэдра (рис. 233), а за ним смещаются и все остальные ионы, так что кубическая ячейка, деформируясь, становится тетрагональной с отношением осей da 1,01. Смещение иона титана очень мало, всего 0,06 А, но при этом малом смещении возникает электрический диполь, т. е. спонтанная поляризация в направлении одной из осей 4 кубической фазы. Поскольку этих осей в кубической ячейке было три, в сегнетоэлектрическом BaTiOg может быть шесть направлений спонтанной поляризации — три параллельных и три антипараллельных, т. е. могут быть и 180-градусные, и 90-градусные домены (рис. 234). Конфигурация их такова, что в целом, с учетом доменов, кристалл отвечает симметрии класса тЗ/п, т. е. параэлектрической фазе. [c.273]

    Все сегнетоэлектрики в сегнетоэлектрической фазе обладают пьезоэлектрическими свойствами переходя в пара-электрическую фазу, кристалл сохраняет пьезоэлектрические свойства или теряет их в зависимости от его симметрии в параэлектрической фазе. Так, титанат бария, переходя при 120° С в пара-электрическую фазу с симметрией тЗт, перестает быть пьезоэлектриком, а сегнетова соль, испытывая переход от сегнетоэлектрической фазы, ромбической класса 222, в параэлектричес-кую моноклинную класса 2, остается пьезрэлектриком. Кристалл КДП, дигидрофосфат калия, в параэлектрической фазе имеет симметрию 42 ти остается пьезоэлектриком. [c.274]

    С окисью свинца образуется гафнат свинца PbHfOg, изоморфный с цирконатом свинца и являющийся антисегнетоэлектриком [98, 99]. В гафнате свинца, в отличие от цирконата свинца, при наложении сильного электрического поля вблизи температуры перехода в параэлектрическое состояние сегнетоэлектрическая фаза не возникает вследствие того, что разность свободных энергий сегнето-электрического и антисегнетоэлектрического состояний вблизи температуры перехода у РЬНЮз больше, чем у PbZrOg [98]. [c.150]

    Т2 = 0,5° Т3 = = 116°, которые измерялись с точностью + 0,5°. Измерение температуры в области 112-118° проводилось с точностью +0,05° относительно температуры Кюри (Т ,). Для определения констант закона Кюри-Вейсса в параэлектрической фазе зависимость (Т) измерялась до 400° на частоте 200 Мгп. Скорость изменения температуры выбиралась из условия получения допустимого (<0,05°) градиента температур по высоте образпа и в начале каждого цикла соответствовала величине0,1° в мин. [c.59]


    Сравнивая константы С и дТ с соответствующими значениями в законе Кюри-Вейсса для тех же образцов в параэлектрической фазе Сд = (1,1+1,2) 10 град, дТд = (10+14°), приходим к выводу, что отношения Сд/С и дТ /дТ имеют величину около 30, согласующуюся с отношением внутренней энергии спонтанно полщжзованного состояния к тепловой энергии или с отношением параметра решетки ВаТйОд к величине спонтанного смещения сегнетоактивных ионов. [c.62]

    Предложенная нами в работах [.5 и 8Д модель позволяет рассматривать динамическую поляризацию сегнетоэлектриков типа ВаТсОд с единых позиций как поляризацию смещения и в сегнето-, и в параэлектрической фазах. Согласно модели, при температурах выше Т из-за особенностей низкочастотной динамики решетки в динамическом равновесии с тепловым движением атомов существуют участки скоррелированных смещений ионов вдоль одного из трех возможных направлений электрического упорядочения, представляющие собой своеобразные зародыши спонтанной поляризации Ее со сконпенсированным распределением Е5 (х), аналогичным распределению ее в 180-градусной доменной границе (рис. 10). [c.72]

    Таким образом, параэлектрическое состояние выше ЮОО К следует рассматривать как чистую кубическую фазу ВаТс-Од, а ниже 1000°К вплоть до Тр - как своеобразную двухфазовую систему, состоящую из истинно кубических участков с величиной 130 и участков с переменной тетрагональностью (зародышей тетрагональной фазы, сн. рис. 10а), дающих вклад в поляризацию смещения, выклю1чаю-щийся на частотах Ж-диапазона (кривая I на рис. II). [c.75]

    Результаты графоаналитического расчета температурной зависимости вклада Еп (Т) зародышей параэлектрической фазы в тетрагональной фазы в соответствующем масштабе приведены на рис. 6 в виде солошной кривой 4. Точки на этой кривой соответствуют измеренным значениям 6п (см. предыдущий параграф). Интересно отме-76 [c.76]

    Эта величина является характерной константой важнейшего сегнетоэлектрического закона Кюри-Вейсса для параэлектрической фазы. Именно существование флуктуашонной размытости фазового перехода в области температур ЛТд 20°С приводит к наблюдаемому ниже закону Кюри с константами град, и = 0,5° и соот- [c.77]

    Схема структуры и механизм поведения диэлектриков в электрическом поле достаточно сложны и многообразны. Существенно общим для сегнетоэлектриков разных типов является наличие одной или нескольких точек Кюри, ниже или выше которых фаза является сегнетоэлектрической, а вне этой области несегнетоэлектрической или, как некоторые авторы пишут по аналогии с парамагнитной , — параэлектрической. Впрочем, аналогия эта сомнительная. [c.411]

Рис. 111.10. ИК-спектр поликристаллического образца КН2РО4 в параэлектрической ( ) и сегнето-электрической 2) фазах при температурах, близких к точке Кюри. Рис. 111.10. ИК-<a href="/info/1633108">спектр поликристаллического</a> образца КН2РО4 в параэлектрической ( ) и сегнето-электрической 2) фазах при температурах, близких к точке Кюри.
    Высокая диэлектрическая проницаемость кристаллов ЗЬгЗз и SbSJ в параэлектрической фазе указывает на большой индуцированный дипольный момент элементарной ячейки под действием электрического поля по направлению [001]. Наибольшие смещения из положений равновесия по отношению к соседям претерпевают атомы типа Sbn. Ионность химических связей Sb—S в ЗЬгЗз по Полингу 12%. Зависимость дипольного момента связи в этом случае имеет селективный характер [13], и малое смещение Sbn из центрального положения равновесия приводит к большому дипольному моменту элементарной ячейки. Резко выраженное резонансное поглощение соответствует собственной частоте перехода системы на состояния с суммарным дипольным моментом элементарной ячейки ji O—сегнетоэлектрическим колебаниям. [c.160]

    Другие примеры [4, 5, 9, 13—20] стационарная симметрия любого кристалла есть результат усреднения по времени искаженных колебаниями решетки диссимметричных мгновенных состояний. Сегнетоэлектричес-кий кристалл, разбитый на домены, стремится сохранить и даже увеличить симметрию параэлектрической фазы на уровне доменной структуры (симметризации выражаются здесь в дроблении макроскопических размеров образца минимальными периодами повторяемости доменной структуры). Вблизи полиморфного фазового перехода у любого кристалла наблюдаются структурные флуктуации, представляющие собой форму существования высокосимметричной фазы внутри низкосимметричной, и наоборот. Диссимметризация кристалла точечными дефектами сопровождается образованием их симметричных ассоциаций (кластеров) при этом в кристаллических матрицах при стремлении систем к равновесию наблюдается симметризация дислокационных ансамблей, ориентировок твердофазных выделений и т. д. [c.58]

    Полученные результаты указывают на то, что поверхностный слой экранирования сохраняется в параэлектрической области ВаТ10д, в то время как в неполярной фазе 8Ь81 поверхностный слой отсутствует. Этот результат для ВаТ10з хорошо соответствует данным структурных иссле- [c.374]


Смотреть страницы где упоминается термин Фаза параэлектрическая: [c.116]    [c.264]    [c.357]    [c.67]    [c.176]    [c.176]    [c.272]    [c.152]    [c.482]    [c.366]    [c.72]    [c.73]    [c.77]    [c.104]    [c.486]    [c.65]    [c.138]    [c.158]    [c.159]    [c.160]    [c.59]    [c.374]   
Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников Издание 2 (1973) -- [ c.411 , c.413 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте