Ширина запретной зоны

Рис. 102, Схема электронных уровней полупроводника (а) (I — валентная зона, И — зона проводимости — уровень Ферми СС — середина запретной зоны А — акцепторный уровень О — донорный уровень и — ширина запретной зоны е, ш, Ди, и + — энергетические расстояния между зонами и уровнями) и доля различных форм хемосорбции молекул г о. Т1 , как функция параметра 8 (б).

Рис. 3. Зависимость ширины запретной зоны элементов IV группы от

Рис. 4. Зависимость ширины запретной зоны соединеиий типа В от

Рис. 5. Зависимость ширины запретной зоны соединений от от-

В табл. 3 приведены значения молекулярного веса (М), температуры плавления (Г ), ширины запретной зоны (А ), подвижности носителей тока V) и указана кристаллическая структура элементов IV группы и соединений типа , 5" [c.297]

Значения ширины запретной зоны [c.313]

Дополнительные составляющие электродного тока могут, как отметил Геришер, появиться нри наличии в полупроводнике примесных или поверхностных уровней. Эти уровни, заполненные или вакантные, располагаются между зоной проводимости и валентной зоной. Иногда при большой ширине запретной зоны они могут взять на себя почти весь электронный обмен. [c.154]

В ряде работ освещался вопрос о взаимосвязи (корреляции) между некоторыми физическими и физико-химическими свойствами твердого тела. Отмечено существование корреляции между щириной запретной зоны и типом химической связи [1, 2], а также между щириной запретной зоны и энергией кристаллической решетки ряда полупроводниковых соединений [3]. Рассмотрен вопрос о корреляции между подвижностью носителей тока и теплотой образования соединений различных структурных типов [4]. На основе одномерной модели твердого тела анализировалась корреляция между теплопроводностью и тепловым расширением твердого тела [5]. Имеются указания на наличие определенной взаимосвязи между теплопроводностью и твердостью вещества [6] и между коэффициентами теплопроводности и теплового расширения ряда веществ при различных температурах [7, 8]. Сопоставлены значения коэффициента теплопроводности некоторых соединений с температурой плавления и молекулярным весом [9]. Отмечено наличие определенной связи у некоторых соединений [10, II] между шириной запретной зоны, суммарным атомным номером, молекулярным весом, подвижностью свободных носителей тока и температурой плавления. [c.293]

Представляет интерес изучение зависимости ширины запретной зоны ряда полупроводниковых элементов четвертой группы и соединений элементов, равноудаленных от четвертой группы, от параметра /М. [c.297]

Из таблицы видно, что между шириной запретной зоны E и отношением Т 1М, как правило, сушествует прямо пропорциональная связь, т. е. с уменьшением Т М уменьшается и АЕ. [c.297]

Известно, что существует зависимость между подвижностью носителей тока и шириной запретной зоны вещества [c.300]

На образцах, полученных методом зонного выравнивания, были измерены спектральное распределение фотопроводимости, концентрация носителей тока и проводимость. Рассчитана ширина запретной зоны (АЕ), значения которой приводятся в таблице. [c.313]

При температуре 100° К подвижность электронов достигает 30 ООО Изменение сопротивления a-Sn в сильных магнитных поперечных полях пропорционально начальной напряженности поля Hg. В слабых полях наблюдается линейная зависимость от При t — —196° С и Я = 20000 э, pa-sn возрастает в три раза и проявляется фотопроводимость с шириной запретной зоны, равной [c.243]

Из оксидов наиболее применяется закись меди СиаО, ширина запретной зоны которой = 0,22-г-0,39 эв и является основой купроксных (медно-закисных) выпрямителей. Медные пластины или шайбы подвергают нагреву в печи при I = 1020- 1040° С в окислительной среде 5 мин, затем переносят в печь с = 600° С, где выдерживают 10 мин. Таким образом, после двойной обработки шайбы имеют двойное покрытие первое закисью меди, второе окисью меди. Закись меди — полупроводник, а окись — диэлектрик. Окись меди в требуемых местах вытравливают. Закись меди является примесным полупроводником п-типа, с допустимым интервалом рабочих температур от [c.252]

РР — уровень Ферми СС —середина запретной зоны Л — акцепторный уровень Л —донорный уровень и — ширина запретной зоны е, (о, Д , — энергетические расстояния между зонами и уровнями [c.498]

Эти промежутки называются запретной зоной. Условно ширина запретной зоны определяется количеством энергии, необходимой для перехода одного электрона из валентной зоны в зону проводимости. [c.15]

Разница между металлами, полупроводниками и изоляторами может быть проведена по относительному расположению валентных зон и зон проводимости и расстоянию между ними (рис. 5). В металлах валентная зона и зона проводимости или вплотную соприкасаются, или перекрываются. В полупроводниках ширина запретной зоны больше, [c.22]

Электропроводность, обусловленная одновременным участием электронов и дырок, называется собственной или электронно-дырочной проводимостью. Для каждого полупроводника существует определенная температура наступления собственной проводимости. Эта температура тем выше, чем больше ширина запрещенной зоны полупроводника. У полупроводников с небольшой шириной запретной зоны собственная проводимость наступает при комнатной температуре. Примером может служить антимонид индия. [c.23]

Термическая ширина запрещенной зоны в сером олове лежит в пределах от 0,064 до 0,094 эв при. абсолютном нуле. Наиболее вероятной шириной запретной зоны серого олова является 0,08 эв. С ростом температуры ширина запрещенной зоны падает со скоростью А = 0,08 — 5-10 Гэв. [c.114]

Ввиду малой ширины запретной зоны чистый теллур уже при комнатной температуре обладает собственной проводимостью. Его удельная проводимость составляет десятки единиц. [c.122]

Кривая изменения ширины запрещенной зоны твердых растворов Ое -р 51 в зависимости от состава представлена на рис. 117. Ширина запрещенной зоны круто растет (примерно до 15 ат.% кремния), достигая 0,95 эв. Затем наклон кривой резко меняется и в дальней-щем происходит плавное увеличение ширины запретной зоны с ростом концентрации кремния в твердом растворе. Таким образом, небольшие добавки кремния к германию существенно увеличивают ширину запрещенной зоны при относительно малом росте температуры плавления сплава. Кроме того, можно получить монокристаллы с меняющейся по объему шириной запрещенной зоны. Это в свою очередь позволит получать р—л-переходы и изготовлять приборы с изменяющейся шириной запретной зоны. [c.244]

Были определены значения термической ширины запретной зоны из кривых температурного хода проводимости и постоянной Холла. Эти величины, относящиеся к повышенным температурам (собственная проводимость), хорошо совпадают между собой. [c.254]

Определение ширины запретной зоны из спектров диффузного отражения. [c.34]

Вычисленная на основе кривой рисунка ширина запретной зоны АЕ =1,7 эв. [c.253]

Этот полупроводник может работать при гораздо более высокой температуре (при 300 разложение полимера еще не происходит), чем, например, германий. Такая ширина запретной зоны позволяет считать также, что полупроводниковые свойства не связаны с обугливанием образца полиакрилнитрила при термической обработке, так как запрещенная зона для графита чрезвычайно узка. Термически обработанный полиакрилнитрил разлагает перекись водорода, что характерно для полупроводниковых катализаторов. [c.253]

У следующих элементов 51, Ое и 5п ширина запретной зоны уменьшается у 51 1,12, у Ое 0,78, у 5п 0,1 эв. Элементы 51, Ое и Зп — типичные полупроводники. [c.243]

По литературным данным, сернистый свинец представляет собой полупроводник, имеет кристаллическую структуру, аналогичную структуре хлористого натрия [1] с шириной запретной зоны 1,17 эе и подвижностью носителей тока 400— 700 см 1в.сек [2]. Отмечена возможность применения сернистого свинца в качестве материала для термоэлектрических устройств [2] вследствие сравнительно малой величины теплопроводности ( 7.10 кал1см.сек.град) и большой подвижностью носителей тока. [c.302]

Таким образом, весь разработанный нами механизм в принципе может быть применен и для фосфоров на основе СаО. Некоторым препятствием для этого механизма является большая ширина запретной зоны СаО (7,7 эв). Действительно, энергия рекомбинации, например, атомов водорода, вызывающих люминесценцию СаО, составляет 4,47 эв, а атомов кислорода — 5,1 эв, что в полтора раза меньше энергии, соответствующей ширине запретной зоны. Поэтому энергетические переходы зона — зона (через локальные уровни адсорбции) в данном случае (в отличие от ZnO и ZnS) мало вероятны. Однако, если учесть, что интенсивная кандо- и радикалолюминесценция фосфоров на основе СаО происходит только при достаточно высоких температурах (это отмечали [c.114]

Удельное сопротивление кристаллов сульфида цинка, полученных различными способами, колеблется в пределах 10 — 10 ом-см. Оптическая ширина запрещенной зоны составляет 3,58, а энергия активации, определенная из кривой температурного хода собственной проводимости,— 3,67 эв. а термическая ширина запрещенной зоны относится к вюртцитной модификации сульфида цинка. Кристаллы 2п5 кубической структуры обладают несколько меньшей термической шириной запретной зоны. Таким образом, по проводимости и ширине запрещенной зоны сульфид цинка близок к изоляторам. В то же время сульфид цинка можно отнести к широкозонным полупроводникам, который трудно легировать до нужных значений проводимости п- или р-типа. [c.177]

Халькогениды ртути. Из халькогенидов ртути HgS как полупроводник исследован плохо. Сульфид ртути отличается от селенида и теллурида ширина запрещенной зоны у HgS больше, а подвижность электронов значительно меньше, чем у HgSe и HgTe. Если температуры плавления селенида и теллурида ртути не очень сильно разнятся между собой (799 и 670°С), то сульфид ртути плавится под давлением собственных паров лишь при 1450°С. Однако все три вещества кристаллизуются в кубической решетке цинковой обманки. Сульфид ртути имеет также низкотемпературную модификацию со структурой киновари, характеризующейся тригональной ячейкой. Температура полиморфного превращения киновари в сфалерит 345°С. Киноварь обладает электронной проводимостью и термической шириной запретной зоны 1,8 эв. [c.181]

Теллурид ртути — полуметалл, хотя раньше считали его полупроводником с очень малой шириной запретной зоны (порядка 0,01 эв). HgTe может быть л- и р-типа проводимости. Дырочная проводимость, которая обычно наблюдается в теллуриде ртути, обусловлена вакансиями в подрешетке ртути. Поэтому образцы HgTe р-типа при отжиге в парах ртути становятся / -типа проводимости. Максимальная подвижность электронов для образцов теллурида, близких к стехиометрии, составляет 25 ООО при комнатной температуре и 80 ООО сж Ve при 77°К. Изучение температурной зависимости подвижности электронов, знака и температурного хода поперечного и продольного эффектов Нернста — Эттингсгаузена показывают, что HgTe обладает ковалентным типом химической связи. Этим и объясняются наблюдаемые высокие значения подвижности носителей тока среди соединений [c.182]

Низкотемпературная форма сульфида серебра является полупроводником п-типа с шириной запретной зоны при 0° К 1,3 эв. При комнатной температуре запретная зона имеет ширину около 1 эв. Проводимость Ag2S зависит от концентрации серы подобно тому, как присутствие кислорода сильно влияет на электропроводность окиси меди (I). [c.203]

Существующая корреляция между ионностью связи и шириной запрещенной зоны подтверждается соединениями LigSb и NagSb. Последнее соединение имеет большую ширину запретной зоны из-за более выраженного ионного характера, который объясняется меньшим значением электроотрицательности натрия по сравнению с литием. [c.209]

Значения ширины запретной зоны, полученные из температурного хода проводимости, не согласуются с теми, которые получены из температурной зависимости эффекта Холла, причем последние больше. Это различие объясняется тем, что подвижности не подчиняются закону или нелинейным изменением ширины запрещенной зоны от температуры. Подвижности носителей тока в соединениях магния изменяются пропорционально температуре от до Т . В Mg2Sn соотношение подвижностей при всех температурах равно 1,2 — 1,4. В этом соединении наибольшее значение подвижности электронов 1600 см в сек при 77° К, а при комнатной температуре—всего лишь 320 см 1в-сек. [c.210]

Полупроводниковая миграция энергии (зонная проводимость) отличается от рассмотренных тем, что энергия переносится с помощью относительно свободно перемещающихся зарядов. Все твердые тела по своим электрическим свойствам разделяются на проводники, изоляторы и полупроводники. В основу такого подразделения положен характер строения и заполнения электронами энергетических уровней (орбит). Каждая из электронных орбит атомов или молекул в твердых, преимущественно кристаллических телах, формирует зоны близкорасположенных уровней с участием лишь внешних валентных электронов (электроны внутренних оболочек прочно связаны с ядром). При этом возникают делокали-зованные орбиты, распространяющиеся практически на весь кристалл, и электрон получает возможность передвигаться в его пределах. В проводниках обычно создается одна зона, частично заполненная электронами. Поэтому при наложении напряжения заряды, используя незаполненные уровни, могут легко перемещаться — возникает электрический ток. В противоположность этому у полупроводников и изоляторов валентная (заполненная) зона энергетических уровней отделена от зоны проводимости не заполненной электронами запрещенной зоной АЕ. У изоляторов энергетическая ширина запретной зоны больше (Д >ЗэВ), чем у полупроводников (А ОэВ). Следовательно, у полупроводников электрический ток возникает только тогда, когда электрон из валентной заполненной зоны попадает в зону проводимости, т. е. приобретает внешнюю энергию, равную или большую АЕ. Одним из источников этой энергии является свет. При освещении резко возрастает электропроводность — явление фотопроводимости. Ширина запретной зоны определяется по красной границе электропро- [c.26]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология