Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Газовая модуляция

    Же — жесткость сильфона ж — коэффициент, зависящий от Б и I) м — глубина газовой модуляции анализируемой смесью н — коэффициент нелинейности кривой поглощения  [c.7]

    Такому же значению равна погрешность (Дх).,р, для абсорбциометров без газовой модуляции при Таким образом, применение газовой модуляции не дает выигрыша в погрешности при анализе смесей с настолько большим содержанием определяемого компонента, что позволяет удовлетворить условию (2.49). Преимущества газовой модуляции наблюдаются при такой малой концентрации определяемого компонента в смеси, что выполняется условие-0<с )(у, Р). Порог чувствительности при этом можно уменьшить более чем на два порядка. Это достижимо только после устранения влияния колебаний интенсивности источника путем применения двухпоточной оптической схемы с дифференциальным приемником, реагирующим на разность потоков. Необходимо также исключить воздействие балластной модуляции, не связанной с изменением концентрации определяемого компонента на пути потока. Для обеспечения последнего, в частности, длина Ь должна изменяться совершенно одинаковым образом в обоих потоках (для анализируемой и сравнительной газовых смесей). Для сравнения различных способов осуществления модуляции можно применить безразмерные эффективности газовой модуляции  [c.44]


    Чем больше тем меньше погрешность, вызванная изменением состава анализируемой смеси (за счет изменения теплоемкости и теплопроводности последней) и балластным излучением окном и стенкой рабочей камеры, а также тем меньше затрачиваемая на осуществление модуляции мощность. Величина Эг характеризует экономичность различных способов осуществления газовой модуляции по отношению к расходу анализируемой смеси в единицу времени. Чем она больше, тем меньше смеси необходимо для проведения анализа. И, наконец, отношение Эз учитывает технические возможности изготовления окон камер. Отношение принимает наименьшие [c.44]

    Неравенство (5.20) применимо к однопоточным газоанализаторам [11, 42], абсорбционному анализу с газовой модуляцией и эмиссионному инфракрасному анализу, основанному на измерении излучения определяемым компонентом анализируемой смеси. [c.85]

    С а л л ь А. О. О пороге чувствительности инфракрасного абсорбционного газоанализатора с газовой модуляцией. Оптика и спектроскопия , 1959, том 6, вып. 3, стр. 394. [c.97]

    Существуют две категории электрометров электрометры прямого усиления постоянного тока и электрометры с преобразованием тока детектора в переменный, усилением по переменному току и обратным преобразованием в постоянный сигнал (модуляция—усиление—демодуляция), Последний вариант сложнее, но позволяет получить малый уровень шума и практически исключить дрейф при высокой чувствительности электрометра. Как правило, схема электрометра представляет сочетание электрометрической лампы или полевого транзистора на входе и полупроводникового усилителя. Современные электрометры, специально предназначенные для использования в газовых хроматографах, обладают чувствительностью до А на полную шкалу регистратора и [c.90]

    Метод основан на непосредственном измерении ослабления интенсивности прошедшего поглощающую газовую среду зондирующего излучения. Существует несколько вариантов метода, отличающихся способами формирования и обработки аналитического сигнала. Формирование аналитического сигнала осуществляется либо дифференциальным измерением поглощения, либо модуляцией интенсивности сигнала. [c.922]

    Распределение пространственного заряда в полупроводнике можно изменять путем наложения электрического поля, направленного перпендикулярно к поверхности полупроводника. Это явление легко обнаруживается (опытным путем при работе с газовой фазой) по наблюдению модуляции проводимости тонкой пластинки полупроводника, которая используется в качестве одной из пластин конденсатора. Опыты такого типа проводятся с целью изучения влияния эффекта поля [36]. Подобные опыты были поставлены для определения энергии, плотности и временных постоянных поверхностных состояний у Ge [37], Si [38], PbS [39] иТе [40]. Временные постоянные различных поверхностных состояний могут быть измерены, если в опытах по влиянию эффекта поля наложить переменный потенциал. При высоких частотах иногда можно оценить величину (ср — ср ) благодаря тому, что поверхностные состояния могут не реагировать на частоту изменения потенциала. [c.409]


    Ионы несинхронных масс образуют шумовой шлейф, интенсивность заряда которого составляет несколько процентов от суммарной интенсивности заряда ионов синхронных масс. Развертка масс-спектра осуществляется изменением частоты модуляции, а масс-спектр газовой смеси регистрируется на экране осциллографа. [c.152]

    Модуляция поглощения частнц, представляющих интерес, более селективна по сравнению с модуляцией источника, что обеспечило в значительной степени проведение измерений в инфракрасной области спектра с помощью газовых лазеров с фиксированной частотой , для которых необходимо случайное совпадение или почти совпадение между частотами молекулярного поглощения и излучения лазера. В некоторых случаях эти совпадения можно осуществить, применяя большие электрические или магнитные поля для того, чтобы сместить молекулярные энергетические уровни. Этот метод, часто называемый [c.550]

    Мы сделали попытку определения времени зни этого димера (трифторуксусная кислота обладает максимальным давлением пара среди карбоновых кислот) в газовой фазе по ширине усредненного сигнала ЯМР мономера и димера в сильных магнитных полях. Кроме процесса мономер-димерной релаксации, источником уширения этого сигнала может быть спин-вращательная релаксация, а также протонный обмен с молекулами примесей, например с молекулами воды. Отличительным признаком уширения в спектрах ЯМР, вызванного быстрым (<г Дсо) взаимопревращением двух молекулярных форм А ъ В, обладающих различными химическими сдвигами какого-либо ядра (процесс с модуляцией химического сдвига), является квадратичная зависимость ширин линии /2 от разности резонансных частот следовательно, от напряженности [c.230]

    Следует упомянуть еще об одном простом опыте , который иллюстрирует существо способа расчета поверхности разрыва с помощью упругих волн. Известно, что с помощью малого газового пламени можно осуществить медленный хрупкий разрыв стеклянной пластинки, начинающийся у ее края. Возникающая при этом поверхность разрыва всегда совершенно гладкая и не обнаруживает никаких структурных линий или другого рода отметок. Иная картина получается, если во время распространения разрыва по свободно лежащей пластинке ударять маленьким молотковым механизмом. В этом случае поверхность разрыва оказывается покрытой системой линий и скатов , которые представляют фронт разрыва в отрезках времени, соответствующих частоте ударов молоточков. Для нанесения отметок при быстро протекающем разрыве следует соответственно только повысить частоту модуляции, которая в этом случае должна лежать в области ультразвуковых частот. Необходимо также принять во внимание конечную скорость распространения упругих волн, которые чертят отметочные линии. [c.90]

    ЛМР является развитием метода ЭПР в газах. При этом оказалось, что частота модуляции серийного ЭПР-спектрометра близка к оптимальной частоте модуляции ЛМР-спекгрометра, что позволило Гершензону создать новый класс комбинированных ЭПР/ЛМР-спекгрометров. Схема такого спектрометра показана на рис. 5.1. Газовый образец находится одновременно в резонаторе спектрометра ЭПР и в резонаторе ИК-лазера. [c.117]

    Механизм гетерогенной кристаллизации связан с переносом углерода летучими соединениями с гетероатомами (О, С1, 51 и др.) через газовую фазу. В подтверждение этого можно привести зависимость полноты процесса гетерогенной кристаллизации от массы термически обрабатываемого образца сахарного кокса [14]. Зависимость количества гетерогенного графита при термической обработке от массы сахарного кокса проявляется на кривых интенсивности рентгеновского рассеяния в возрастании асимметрии максимума 002 (рис. 9) модуляции двумерного максимума 10 и возникновении кристаллического максимума 112. Вместе с тем наблюдается суихест-венное уменьшение межслоевого расстояния 002 осаждаемого из газовой фазы углерода по сравнению с гомогенно кристаллизующимся углеродом (см. рис. 3, 2). [c.275]

    Проведены длительные испытания входящего в состав промышленной установки [7-8] металлургического плазмотрона обратной полярности с трубчатым медным водоохлаждаемым анодом и катодным пятном, вынесенным в рабочее пространство шахтной печи, при восстановлении урана из оксидного сырья (табл. 6.2). Электроснабжение плазмотрона осуществлялось от параметрического источника тока ПИТ-140 (см. гл. 2) мощностью 140 кВт. Параметрический ИЭП обеспечивает падающую ВАХ в области номинальных нагрузок. Высокочастотные модуляции сопротивления дуги плазмотрона, обусловленные турбулентным характером газового потока и эффектом шунтирования дуги, приводят к нарушению условия резонанса схемы параметрического ИЭП и обрыву дуги. Для скважирования [c.298]

    Для экспериментальной проверки теоретических выводов относительно выбора режима модуляции, обеспечивающего высокие метрологические характеристики преобразования потока органического вещества в амплитуду переменного тока, определения влияния газовых и электрических режимов и геометрии электродной системы на работу пламенно-ионизационного триода и проверки выведенных формул (5) и (20) с экспериментального детектора-модулятора при различных условиях эксперимента снимались семейства статических характеристик зависимости тока в коллекторе /к от напряжения на управляющем электроде f/g при постоянном напряжении на коллекторе 7к = 200 в или lK = f Ug) при i7K= onst. [c.69]


    Таким образом, единая блок-схема атомно-абсорбционного спектрометра состоит из двух основных частей. Первая служит для превращения анализируемого образца в атомный пар и включает в себя горелку и распылитель со всеми вспомогательными устройствами газораспределительный блок с приборами для измерения давления и расхода газа, автоматической системой регулирования режима горения и устройствами с автоматическим отключением питания в случае аварийных ситуаций, сюда входит также система газовых коммуникаций блока питания— компрессор для подачи воздуха и баллоны со сжатыми газами. Вторая часть спектрометра служит для выделения и измерения аналитической линии определяемого элемента и включает монохроматор, конденсорные (осветительные) оптические системы и приспособления для модуляции света, источник света, выпрямители-стабилизаторы и СВЧ-генераторы для питания источников света, приемник излучения (ФЭУ), усилительно-ре-гистрирующую систему для усиления и измерения аналитического сигнала, системы управления прибора. [c.104]

    Проведено [79-891 изучение спектров ядерного магнитного резонанса Р в газовой фазе С1Рд при различных концентрациях газа (300—1300 мм рт. ст.) Было установлено, что спектр трифторида хлора относится к типу АВд со сдвигом — Од) / (1 — Ов) = = 125,77 миллионной доли и /1 = 441 8 гц. В ходе экспериментов особое внимание обращалось на предупреждение появления в газе примесей фтористого водорода, способных вызвать обмен атомов фтора. Для измерения частот линий применен метод амплитудной модуляции высокочастотного генератора. На основании полученных данных авторы считают, что Т-образная структура трифторида хлора сохраняется и в растворах, и в чистой жидкости без существенных изменений электронной структуры (меньше 3% парамагнитного члена). [c.48]

    Из газовых лазеров азотный, а также аргоновый и СОг-ла-зеры, работающие в режиме модуляции добротности, имеют на выходе энергию, достаточную для испарения материала ми- [c.66]

    Фтах—Фт1п)Ф тах — отнощение газового сигнала к максимальному значению сигнала, который при той же частоте модуляции может возникнуть от одного из сравниваемых потоков  [c.5]

    Исследуем теперь влияние температуры и частоты модуляции излучения на чувствительность приемника. Измеряемое при компенсационном методе отношение Рх зависит от спектральной характеристики приемника, которая в оптико-акусти-ческих приемниках зависит в основном от изменения толщины пассивного слоя у окна камеры. При увеличении температуры газа й камере толщина этого слоя увеличивается вследствие возрастания теплопроводности газовой смеси, и спектральная чувствительность изменяется. Причем при увеличении пассивного слоя газовый сигнал уменьшается сильнее, чем [c.52]


Смотреть страницы где упоминается термин Газовая модуляция: [c.34]    [c.43]    [c.44]    [c.71]    [c.568]    [c.274]    [c.274]    [c.923]    [c.378]    [c.350]    [c.197]   
Смотреть главы в:

Инфракрасные газоаналитические измерения -> Газовая модуляция




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте